JPH0267983A - 磁気抵抗素子 - Google Patents

磁気抵抗素子

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Publication number
JPH0267983A
JPH0267983A JP63220146A JP22014688A JPH0267983A JP H0267983 A JPH0267983 A JP H0267983A JP 63220146 A JP63220146 A JP 63220146A JP 22014688 A JP22014688 A JP 22014688A JP H0267983 A JPH0267983 A JP H0267983A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resistor
patterns
interval
lambda
Prior art date
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Pending
Application number
JP63220146A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideto Konno
秀人 今野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63220146A priority Critical patent/JPH0267983A/ja
Publication of JPH0267983A publication Critical patent/JPH0267983A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回転検出、および微小長さ、微小角度検出に
用いられ、感磁部の抵抗体部が強磁性体薄膜からなる磁
気抵抗素子に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の磁気抵抗素子は、磁気信号に対し、感磁
界感度が、非常に優れているため、高精度の回転検出、
あるいは位置検出素子としてロータリーエンコーダ、リ
ニアエンコーダ等に応用されている。このような磁気抵
抗素子としては、特公昭54−41335号公報に繰り
返し磁気信号を発生する磁気記録媒体により、有限の距
離を隔てた位置に連続的折り返し構造を有する磁気抵抗
素子を直列に接続し、接続部より出力を得る構造が示さ
れている。また、特開昭56−34134号、特開昭5
7−75416号等に、抵抗体に隣接した位置に短冊状
シールドを有する構造が示されている。
従来の磁気抵抗素子は、Ni、Fe、Coなどの強磁性
体を真空蒸着またはスパッタなどによつて絶縁基板上に
積層し、フォトリソグラフィを用いて抵抗パターン化し
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の磁気抵抗素子は、いずれも結晶質の強磁
性体薄膜により形成されているため、その抵抗値ρ0の
値はいずれもa×102μΩΩ(a<10)で表される
。そのため高抵抗化のためには、特公昭54−4133
5の如く、多数の折り返し構造を形成する必要があり、
そのため素子全体の形状の小型化が妨げられるという欠
点があった。また、精密計測用に用いられる磁気抵抗素
子には、1チツプ中に複数のブリッジ回路をもってパタ
ーンが形成される場合が多いが、同様の理由で素子数が
制限されるという欠点を有していた。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、小形、軽量化を
可能とした磁気抵抗素子を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、感磁部分の抵抗パターンが強磁性体金
属薄膜により形成され、磁気記録媒体の回転検出1位置
検出等に用いられる磁気抵抗素子において、前記金属薄
膜の各抵抗パターンが強磁性金属原子を主な成分とする
アモルファス膜からなる一回の折り返しパターンからな
り、かつこの抵抗パターンを複数個の平行に配列して複
数のブリッジ回路を形成したことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明を図面により詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を模式的に示した平面図、第
2図は第1図の部分等価回路図である。
本実施例は、磁気抵抗素子の感磁部分2がその抵抗パタ
ーンを強磁性金属原子を主な成分とするアモルファス膜
にて構成され、チップ内に複数個のブリッジ回路を有す
ることを特徴とする。この感磁部2は、従来のような複
数の折り返しパターンでなく、−回だけの折返しパター
ンからなり、またその間隔Jlは所定繰返し周波数磁気
信号を発生する磁気記録媒体1のN−S着磁間隔^に対
し各素子2間の距離が(1/2±(1/4)n)λとな
るように配置される。またこれら折返しパーン(2)は
ほぼ平行に配置され、その折返し部分に抵抗をもたせな
いように、Auなどの導体から形成され、また上下段の
パターンの間隔12は(1/4)λとなっており、また
、この磁気抵抗素子2において、各低抗体の両側面にそ
の低抗体と同じ材質あるいは異なる成分を持つ高透磁率
の磁性体薄膜が配置されている。第1図においては、8
本の抵抗素子2(R1−Ra )が磁気記録媒体1によ
る磁気信号を受け、出力端子11〜14からそれぞれ位
相差45°をもつ電気信号に変換する役割を果たしてい
る。
第3図は本発明の第2の実施例の配置を示す平面図であ
る。この場合、は、抵抗パターンを4段の階段状とし、
これら4段階の各間隔を(1/4)λ(90度)ずらせ
て構成したものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、アモルファスの強磁性薄
膜により磁気抵抗素子を形成することにより、従来の素
子に比べてほぼ1/10の長さ、あるいは折り返し回数
にて従来と同等の抵抗値を得ることができるため、磁気
抵抗素子の大きさもほぼ1/10と小型化を可能とし、
また従来と同等の大きさを有することが可能であれば、
従来以上の多数の素子数をチップ内に配置することが可
能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図、第3図は本発明の第1および第2の実施例の部
分平面図、第2図は第1図の一部の等価回路図である。 1・・・磁気記録媒体、2・・・磁気抵抗素子ストライ
ブ、3〜6・・・電源端子、7〜10・・・接地端子、
11〜14・・・出力端子。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)感磁部分の抵抗パターンが強磁性体金属薄膜によ
    り形成され、磁気記録媒体の回転検出、位置検出等に用
    いられる磁気抵抗素子において、前記金属薄膜の各抵抗
    パターンが強磁性金属原子を主な成分とするアモルファ
    ス膜からなる一回の折り返しパターンからなり、かつこ
    の抵抗パターンを複数個の平行に配列して複数のブリッ
    ジ回路を形成したことを特徴とする磁気抵抗素子。
  2. (2)平行な抵抗パターンの間隔が、磁気記録媒体のN
    −S着磁間隔をlとした時、(1/2±(1/4)n)
    lとなるようにした請求項1記載の磁気抵抗素子。
JP63220146A 1988-09-01 1988-09-01 磁気抵抗素子 Pending JPH0267983A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170078736A (ko) * 2014-10-31 2017-07-07 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 강자성 타겟 물체의 이동을 감지하기 위한 자기장 센서
US11307054B2 (en) 2014-10-31 2022-04-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US11686599B2 (en) 2018-08-06 2023-06-27 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor

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JPS59158575A (ja) * 1983-02-28 1984-09-08 Hitachi Ltd 磁気抵抗素子
JPS60251682A (ja) * 1984-05-29 1985-12-12 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型素子

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