JPH0267983A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH0267983A JPH0267983A JP63220146A JP22014688A JPH0267983A JP H0267983 A JPH0267983 A JP H0267983A JP 63220146 A JP63220146 A JP 63220146A JP 22014688 A JP22014688 A JP 22014688A JP H0267983 A JPH0267983 A JP H0267983A
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Links
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回転検出、および微小長さ、微小角度検出に
用いられ、感磁部の抵抗体部が強磁性体薄膜からなる磁
気抵抗素子に関する。
用いられ、感磁部の抵抗体部が強磁性体薄膜からなる磁
気抵抗素子に関する。
従来、この種の磁気抵抗素子は、磁気信号に対し、感磁
界感度が、非常に優れているため、高精度の回転検出、
あるいは位置検出素子としてロータリーエンコーダ、リ
ニアエンコーダ等に応用されている。このような磁気抵
抗素子としては、特公昭５４−４１３３５号公報に繰り
返し磁気信号を発生する磁気記録媒体により、有限の距
離を隔てた位置に連続的折り返し構造を有する磁気抵抗
素子を直列に接続し、接続部より出力を得る構造が示さ
れている。また、特開昭５６−３４１３４号、特開昭５
７−７５４１６号等に、抵抗体に隣接した位置に短冊状
シールドを有する構造が示されている。
界感度が、非常に優れているため、高精度の回転検出、
あるいは位置検出素子としてロータリーエンコーダ、リ
ニアエンコーダ等に応用されている。このような磁気抵
抗素子としては、特公昭５４−４１３３５号公報に繰り
返し磁気信号を発生する磁気記録媒体により、有限の距
離を隔てた位置に連続的折り返し構造を有する磁気抵抗
素子を直列に接続し、接続部より出力を得る構造が示さ
れている。また、特開昭５６−３４１３４号、特開昭５
７−７５４１６号等に、抵抗体に隣接した位置に短冊状
シールドを有する構造が示されている。
従来の磁気抵抗素子は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏなどの強磁性
体を真空蒸着またはスパッタなどによつて絶縁基板上に
積層し、フォトリソグラフィを用いて抵抗パターン化し
ていた。
体を真空蒸着またはスパッタなどによつて絶縁基板上に
積層し、フォトリソグラフィを用いて抵抗パターン化し
ていた。
上述した従来の磁気抵抗素子は、いずれも結晶質の強磁
性体薄膜により形成されているため、その抵抗値ρ０の
値はいずれもａ×１０２μΩΩ（ａ＜１０）で表される
。そのため高抵抗化のためには、特公昭５４−４１３３
５の如く、多数の折り返し構造を形成する必要があり、
そのため素子全体の形状の小型化が妨げられるという欠
点があった。また、精密計測用に用いられる磁気抵抗素
子には、１チツプ中に複数のブリッジ回路をもってパタ
ーンが形成される場合が多いが、同様の理由で素子数が
制限されるという欠点を有していた。
性体薄膜により形成されているため、その抵抗値ρ０の
値はいずれもａ×１０２μΩΩ（ａ＜１０）で表される
。そのため高抵抗化のためには、特公昭５４−４１３３
５の如く、多数の折り返し構造を形成する必要があり、
そのため素子全体の形状の小型化が妨げられるという欠
点があった。また、精密計測用に用いられる磁気抵抗素
子には、１チツプ中に複数のブリッジ回路をもってパタ
ーンが形成される場合が多いが、同様の理由で素子数が
制限されるという欠点を有していた。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、小形、軽量化を
可能とした磁気抵抗素子を提供することにある。
可能とした磁気抵抗素子を提供することにある。
本発明の構成は、感磁部分の抵抗パターンが強磁性体金
属薄膜により形成され、磁気記録媒体の回転検出１位置
検出等に用いられる磁気抵抗素子において、前記金属薄
膜の各抵抗パターンが強磁性金属原子を主な成分とする
アモルファス膜からなる一回の折り返しパターンからな
り、かつこの抵抗パターンを複数個の平行に配列して複
数のブリッジ回路を形成したことを特徴とする。
属薄膜により形成され、磁気記録媒体の回転検出１位置
検出等に用いられる磁気抵抗素子において、前記金属薄
膜の各抵抗パターンが強磁性金属原子を主な成分とする
アモルファス膜からなる一回の折り返しパターンからな
り、かつこの抵抗パターンを複数個の平行に配列して複
数のブリッジ回路を形成したことを特徴とする。
次に本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示した平面図、第
２図は第１図の部分等価回路図である。
２図は第１図の部分等価回路図である。
本実施例は、磁気抵抗素子の感磁部分２がその抵抗パタ
ーンを強磁性金属原子を主な成分とするアモルファス膜
にて構成され、チップ内に複数個のブリッジ回路を有す
ることを特徴とする。この感磁部２は、従来のような複
数の折り返しパターンでなく、−回だけの折返しパター
ンからなり、またその間隔Ｊｌは所定繰返し周波数磁気
信号を発生する磁気記録媒体１のＮ−Ｓ着磁間隔＾に対
し各素子２間の距離が（１／２±（１／４）ｎ）λとな
るように配置される。またこれら折返しパーン（２）は
ほぼ平行に配置され、その折返し部分に抵抗をもたせな
いように、Ａｕなどの導体から形成され、また上下段の
パターンの間隔１２は（１／４）λとなっており、また
、この磁気抵抗素子２において、各低抗体の両側面にそ
の低抗体と同じ材質あるいは異なる成分を持つ高透磁率
の磁性体薄膜が配置されている。第１図においては、８
本の抵抗素子２（Ｒ１−Ｒａ ）が磁気記録媒体１によ
る磁気信号を受け、出力端子１１〜１４からそれぞれ位
相差４５°をもつ電気信号に変換する役割を果たしてい
る。
ーンを強磁性金属原子を主な成分とするアモルファス膜
にて構成され、チップ内に複数個のブリッジ回路を有す
ることを特徴とする。この感磁部２は、従来のような複
数の折り返しパターンでなく、−回だけの折返しパター
ンからなり、またその間隔Ｊｌは所定繰返し周波数磁気
信号を発生する磁気記録媒体１のＮ−Ｓ着磁間隔＾に対
し各素子２間の距離が（１／２±（１／４）ｎ）λとな
るように配置される。またこれら折返しパーン（２）は
ほぼ平行に配置され、その折返し部分に抵抗をもたせな
いように、Ａｕなどの導体から形成され、また上下段の
パターンの間隔１２は（１／４）λとなっており、また
、この磁気抵抗素子２において、各低抗体の両側面にそ
の低抗体と同じ材質あるいは異なる成分を持つ高透磁率
の磁性体薄膜が配置されている。第１図においては、８
本の抵抗素子２（Ｒ１−Ｒａ ）が磁気記録媒体１によ
る磁気信号を受け、出力端子１１〜１４からそれぞれ位
相差４５°をもつ電気信号に変換する役割を果たしてい
る。
第３図は本発明の第２の実施例の配置を示す平面図であ
る。この場合、は、抵抗パターンを４段の階段状とし、
これら４段階の各間隔を（１／４）λ（９０度）ずらせ
て構成したものである。
る。この場合、は、抵抗パターンを４段の階段状とし、
これら４段階の各間隔を（１／４）λ（９０度）ずらせ
て構成したものである。
以上説明したように本発明は、アモルファスの強磁性薄
膜により磁気抵抗素子を形成することにより、従来の素
子に比べてほぼ１／１０の長さ、あるいは折り返し回数
にて従来と同等の抵抗値を得ることができるため、磁気
抵抗素子の大きさもほぼ１／１０と小型化を可能とし、
また従来と同等の大きさを有することが可能であれば、
従来以上の多数の素子数をチップ内に配置することが可
能となるという効果がある。
膜により磁気抵抗素子を形成することにより、従来の素
子に比べてほぼ１／１０の長さ、あるいは折り返し回数
にて従来と同等の抵抗値を得ることができるため、磁気
抵抗素子の大きさもほぼ１／１０と小型化を可能とし、
また従来と同等の大きさを有することが可能であれば、
従来以上の多数の素子数をチップ内に配置することが可
能となるという効果がある。
第１図、第３図は本発明の第１および第２の実施例の部
分平面図、第２図は第１図の一部の等価回路図である。 １・・・磁気記録媒体、２・・・磁気抵抗素子ストライ
ブ、３〜６・・・電源端子、７〜１０・・・接地端子、
１１〜１４・・・出力端子。
分平面図、第２図は第１図の一部の等価回路図である。 １・・・磁気記録媒体、２・・・磁気抵抗素子ストライ
ブ、３〜６・・・電源端子、７〜１０・・・接地端子、
１１〜１４・・・出力端子。
Claims (2)
- （１）感磁部分の抵抗パターンが強磁性体金属薄膜によ
り形成され、磁気記録媒体の回転検出、位置検出等に用
いられる磁気抵抗素子において、前記金属薄膜の各抵抗
パターンが強磁性金属原子を主な成分とするアモルファ
ス膜からなる一回の折り返しパターンからなり、かつこ
の抵抗パターンを複数個の平行に配列して複数のブリッ
ジ回路を形成したことを特徴とする磁気抵抗素子。 - （２）平行な抵抗パターンの間隔が、磁気記録媒体のＮ
−Ｓ着磁間隔をｌとした時、（１／２±（１／４）ｎ）
ｌとなるようにした請求項１記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220146A JPH0267983A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220146A JPH0267983A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267983A true JPH0267983A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16746618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220146A Pending JPH0267983A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267983A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170078736A (ko) * | 2014-10-31 | 2017-07-07 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 강자성 타겟 물체의 이동을 감지하기 위한 자기장 센서 |
| US11307054B2 (en) | 2014-10-31 | 2022-04-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
| US11686599B2 (en) | 2018-08-06 | 2023-06-27 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158575A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS60251682A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63220146A patent/JPH0267983A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158575A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS60251682A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170078736A (ko) * | 2014-10-31 | 2017-07-07 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 강자성 타겟 물체의 이동을 감지하기 위한 자기장 센서 |
| US11307054B2 (en) | 2014-10-31 | 2022-04-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
| US11686599B2 (en) | 2018-08-06 | 2023-06-27 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor |
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