JPH06101101B2 - 磁気抵抗読取変換器 - Google Patents
磁気抵抗読取変換器Info
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- JPH06101101B2 JPH06101101B2 JP1010092A JP1009289A JPH06101101B2 JP H06101101 B2 JPH06101101 B2 JP H06101101B2 JP 1010092 A JP1010092 A JP 1010092A JP 1009289 A JP1009289 A JP 1009289A JP H06101101 B2 JPH06101101 B2 JP H06101101B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、磁気媒体からの情報信号を読み取るための磁
気変換器に関するもので、特に、改良された磁気抵抗読
取変換器に関するものである。
気変換器に関するもので、特に、改良された磁気抵抗読
取変換器に関するものである。
B.従来技術 従来技術では、線密度の高い磁性表面からのデータを読
み取ることのできる、磁気抵抗（MR）センサまたはヘッ
ドと呼ばれる磁気変換器が開示されている。MRセンサ
は、磁気抵抗材料でつくられた読取りエレメントの抵抗
変化により、磁界信号をエレメントによって検出される
磁束の量及び方向の関数として検出する。
み取ることのできる、磁気抵抗（MR）センサまたはヘッ
ドと呼ばれる磁気変換器が開示されている。MRセンサ
は、磁気抵抗材料でつくられた読取りエレメントの抵抗
変化により、磁界信号をエレメントによって検出される
磁束の量及び方向の関数として検出する。
従来技術はまた、MRセンサが最適に作動するためには、
あるバイアス磁界を設ける必要があることを示してい
る。MRエレメントの磁界に対する応答が直線的になるよ
うにMRエレメントにバイアスをかけるため、一般に横方
向バイアス磁界を設ける。このバイアス磁界は、磁性媒
体の面に垂直で、平坦なMRエレメントの表面に平行であ
る。
あるバイアス磁界を設ける必要があることを示してい
る。MRエレメントの磁界に対する応答が直線的になるよ
うにMRエレメントにバイアスをかけるため、一般に横方
向バイアス磁界を設ける。このバイアス磁界は、磁性媒
体の面に垂直で、平坦なMRエレメントの表面に平行であ
る。
米国特許第3864751号明細書には、絶縁層でMRエレメン
トから隔置した軟磁性バイアス皮膜によって横方向バイ
アスが生成されるというMR読取変換器が開示されてい
る。絶縁層として開示された材料は、厚みが約2000Åの
二酸化シリコンである。
トから隔置した軟磁性バイアス皮膜によって横方向バイ
アスが生成されるというMR読取変換器が開示されてい
る。絶縁層として開示された材料は、厚みが約2000Åの
二酸化シリコンである。
米国特許第3814863号及び第3967368号明細書には、MRエ
レメントが抵抗率の高い非磁性のシャント皮膜と接触
し、このMRエレメントは非磁性層によって分岐されるMR
検出電流の一部分によって磁気的にバイアスされるとい
うMR読取変換器が開示されている。シャント皮膜として
好ましい材料はチタンであり、クロムはシャント皮膜と
しては不適切なことが開示されている。
レメントが抵抗率の高い非磁性のシャント皮膜と接触
し、このMRエレメントは非磁性層によって分岐されるMR
検出電流の一部分によって磁気的にバイアスされるとい
うMR読取変換器が開示されている。シャント皮膜として
好ましい材料はチタンであり、クロムはシャント皮膜と
しては不適切なことが開示されている。
米国特許第4663685号明細書には、非磁性のスペーサ層
でMRエレメントから隔置された軟磁性バイアス皮膜によ
って横方向バイアスが生成されるというMR読取変換器が
開示されている。このスペーサ層として好ましい材料は
タンタルであるが、Al2O3及びSiO2も使用することがで
きる。
でMRエレメントから隔置された軟磁性バイアス皮膜によ
って横方向バイアスが生成されるというMR読取変換器が
開示されている。このスペーサ層として好ましい材料は
タンタルであるが、Al2O3及びSiO2も使用することがで
きる。
本願出願人の1986年10月31日付の米国特許出願第06/926
076号明細書には、MRエレメントの中央領域だけでMRエ
レメントから隔置された軟磁性皮膜によって横方向バイ
アスが生成されるというMR読取変換器が開示されてい
る。このスペーサ層として好ましい材料はタンタルであ
る。
076号明細書には、MRエレメントの中央領域だけでMRエ
レメントから隔置された軟磁性皮膜によって横方向バイ
アスが生成されるというMR読取変換器が開示されてい
る。このスペーサ層として好ましい材料はタンタルであ
る。
C.発明が解決しようとする問題点 上記の米国特許第4663685号及び米国特許出願第06/9260
76号明細書に開示されたMRセンサは、現在までの軟磁性
記録方式の必要条件に適合する動作パラメータを持つよ
うに製作することが可能である。しかし、動作パラメー
タをさらに改善するには、抵抗率が安定であり、広い範
囲にわたって抵抗率の値を選択でき、かつスペーサ層の
工程ステップが関連する磁気書込ヘッドの製作に使用さ
れる工程ステップと両立するという点で、スペーサ層の
抵抗率特性をより綿密に制御することが望ましい。
76号明細書に開示されたMRセンサは、現在までの軟磁性
記録方式の必要条件に適合する動作パラメータを持つよ
うに製作することが可能である。しかし、動作パラメー
タをさらに改善するには、抵抗率が安定であり、広い範
囲にわたって抵抗率の値を選択でき、かつスペーサ層の
工程ステップが関連する磁気書込ヘッドの製作に使用さ
れる工程ステップと両立するという点で、スペーサ層の
抵抗率特性をより綿密に制御することが望ましい。
したがって、本発明の主目的は、抵抗率特性が厳密に制
御できる非磁性スペーサ層を含む、磁気抵抗（MR）セン
サを提供することにある。
御できる非磁性スペーサ層を含む、磁気抵抗（MR）セン
サを提供することにある。
本発明の他の目的は、抵抗率が広い範囲の値から選択し
た特定の値である非磁性のスペーサ層を含む、MRセンサ
を提供することにある。
た特定の値である非磁性のスペーサ層を含む、MRセンサ
を提供することにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明によれば、上記の目的は、強磁性体で形成した薄
膜MR層と、このMR層に接触する非磁性の薄膜スペーサ層
を設けることによって達成される。薄膜スペーサ層は、
ニクロム及び酸化クロムを含有するニクロムからなる群
から選択した材料からなる。軟磁性材料を、MR層に平行
に、しかもMR層から隔置して配置されるようにスペーサ
層に接触させて付着させる。この構造は、MR層の少なく
とも一部分で横方向のバイアスを発生させて、MR層の横
方向にバイアスされる部分の応答を直線的に保つことが
できる。
膜MR層と、このMR層に接触する非磁性の薄膜スペーサ層
を設けることによって達成される。薄膜スペーサ層は、
ニクロム及び酸化クロムを含有するニクロムからなる群
から選択した材料からなる。軟磁性材料を、MR層に平行
に、しかもMR層から隔置して配置されるようにスペーサ
層に接触させて付着させる。この構造は、MR層の少なく
とも一部分で横方向のバイアスを発生させて、MR層の横
方向にバイアスされる部分の応答を直線的に保つことが
できる。
本発明のもう一つの特徴は、スペーサ層中のニクロムと
酸化クロムとの比を選択することにより、スペーサ層の
抵抗率を、広い範囲の値から選択した特定の値にするこ
とができることである。
酸化クロムとの比を選択することにより、スペーサ層の
抵抗率を、広い範囲の値から選択した特定の値にするこ
とができることである。
特定の実施例では、スペーサ層はMR領域の中央領域だけ
に伸びている。他の実施例では、MR層はニッケルを主成
分とする合金であり、スペーサ層を、硝酸セリウム・ア
ンモニウムと酢酸の水溶液を含むエッチャントを用いた
湿式エッチング法でパターン付けする。
に伸びている。他の実施例では、MR層はニッケルを主成
分とする合金であり、スペーサ層を、硝酸セリウム・ア
ンモニウムと酢酸の水溶液を含むエッチャントを用いた
湿式エッチング法でパターン付けする。
E.実施例 本発明の１実施例について、第１図を参照して簡単に説
明する。磁気読取ヘッドは、磁気抵抗（MR）センサ８を
含み、MRセンサ８に対する横方向バイアスが、薄い非磁
性スペーサ層14でMR層10から分離された軟磁性皮膜層12
によって発生されう。この非磁性スペーサ層14は、MR層
10と軟磁性バイアス皮膜層12の間の磁性交換バイアスを
防止することを目的とするものである。反強磁性体の層
16がMR層10に直接接触するように付着され、当技術で周
知のように、MR層10と反強磁性体層16との界面を介した
交換結合により、縦方向バイアスを形成する。当技術で
周知のように、出力信号を検出するための検出手段（図
示せず）に接続するための導体リード18、20も含まれ
る。
明する。磁気読取ヘッドは、磁気抵抗（MR）センサ８を
含み、MRセンサ８に対する横方向バイアスが、薄い非磁
性スペーサ層14でMR層10から分離された軟磁性皮膜層12
によって発生されう。この非磁性スペーサ層14は、MR層
10と軟磁性バイアス皮膜層12の間の磁性交換バイアスを
防止することを目的とするものである。反強磁性体の層
16がMR層10に直接接触するように付着され、当技術で周
知のように、MR層10と反強磁性体層16との界面を介した
交換結合により、縦方向バイアスを形成する。当技術で
周知のように、出力信号を検出するための検出手段（図
示せず）に接続するための導体リード18、20も含まれ
る。
非磁性のスペーサ層14は、MR層10からの電流を分岐しな
いように、それが分離する磁性皮膜より抵抗率を相当高
くすべきである。このスペーサ層14はまた、MRセンサの
製法と両立するものでなければならない。すなわち、ス
ペーサ層は、MR層10及び軟磁性バイアス層12と続けて、
真空状態のままその場で付着させなければならない。さ
らに、スペーサ層14の電気的、機械的特性は、付着中だ
けでなく、これより高温で行なうアニーリングを伴う後
続の工程中にも安定でなければならない。後続の工程
で、スペーサ層14の抵抗率及び隣接する皮膜10及び12の
磁気特性が影響を受けないようにすべきである。たとえ
ば、スペーサ層14の抵抗率は、相変化及び微細構造の変
化の結果変化することがあり、MR層10及び軟磁性バイア
ス層12の軟磁性特性は、スペーサ材料が隣接する磁性層
10、12のいずれかに原子拡散して、その結果、MR層10及
び軟磁性バイアス層12の軟磁性モーメントを抑制し、MR
センサ構造のバイアス点を移行させる場合に変化するこ
とがある。
いように、それが分離する磁性皮膜より抵抗率を相当高
くすべきである。このスペーサ層14はまた、MRセンサの
製法と両立するものでなければならない。すなわち、ス
ペーサ層は、MR層10及び軟磁性バイアス層12と続けて、
真空状態のままその場で付着させなければならない。さ
らに、スペーサ層14の電気的、機械的特性は、付着中だ
けでなく、これより高温で行なうアニーリングを伴う後
続の工程中にも安定でなければならない。後続の工程
で、スペーサ層14の抵抗率及び隣接する皮膜10及び12の
磁気特性が影響を受けないようにすべきである。たとえ
ば、スペーサ層14の抵抗率は、相変化及び微細構造の変
化の結果変化することがあり、MR層10及び軟磁性バイア
ス層12の軟磁性特性は、スペーサ材料が隣接する磁性層
10、12のいずれかに原子拡散して、その結果、MR層10及
び軟磁性バイアス層12の軟磁性モーメントを抑制し、MR
センサ構造のバイアス点を移行させる場合に変化するこ
とがある。
上記の必要条件はすべて、本発明により、ニクロム（Ni
Cr）または酸化クロムを添加したニクロム（NiCrOx）を
非磁性スペーサ層14の材料として使用することにより満
足される。酸化クロムを添加したニクロム材料は、（Ni
CrOx）で表わされる。これは、出発原料がNi80Cr20とCr
2O3とを任意の比でホット・プレスしたターゲットを含
むものであったとしても、得られる皮膜の組成は、Cr2O
3ではなく１種類または数種類のクロムの亜酸化物を含
有すると考えられるためである。
Cr）または酸化クロムを添加したニクロム（NiCrOx）を
非磁性スペーサ層14の材料として使用することにより満
足される。酸化クロムを添加したニクロム材料は、（Ni
CrOx）で表わされる。これは、出発原料がNi80Cr20とCr
2O3とを任意の比でホット・プレスしたターゲットを含
むものであったとしても、得られる皮膜の組成は、Cr2O
3ではなく１種類または数種類のクロムの亜酸化物を含
有すると考えられるためである。
特定の実施例では、MR層はNiFeからなり、軟磁性バイア
ス層はNiFeRhからなる。これらの皮膜は、電気抵抗率
（ρ）がそれぞれ約25μΩ−cm及び約60μΩ−cmであ
る。蒸着及びスパッタリングによって形成した厚みが約
1000Åのニクロム皮膜の電気抵抗率は、120μΩ−cm程
度であり、この抵抗率の値は、上記の２つの磁性皮膜間
のスペーサ層14として使用するのに適した十分高い値で
ある。
ス層はNiFeRhからなる。これらの皮膜は、電気抵抗率
（ρ）がそれぞれ約25μΩ−cm及び約60μΩ−cmであ
る。蒸着及びスパッタリングによって形成した厚みが約
1000Åのニクロム皮膜の電気抵抗率は、120μΩ−cm程
度であり、この抵抗率の値は、上記の２つの磁性皮膜間
のスペーサ層14として使用するのに適した十分高い値で
ある。
これより高いρの値がより望ましいが、本発明のもう一
つの特徴は、それによって分離される磁性皮膜のρより
も、ずっと高いρを持つスペーサ層14を得ることができ
ることである。皮膜に取り込まれる酸素の量が変動し、
かつ製作中にCr2O3等の酸化クロムが形成される結果、
付着条件がρの値にかなりの影響を与える。ニクロムの
組成がρに与える影響はかなり小さく、Crが約20％ない
し80％の範囲ではρの値はかなり一定である。
つの特徴は、それによって分離される磁性皮膜のρより
も、ずっと高いρを持つスペーサ層14を得ることができ
ることである。皮膜に取り込まれる酸素の量が変動し、
かつ製作中にCr2O3等の酸化クロムが形成される結果、
付着条件がρの値にかなりの影響を与える。ニクロムの
組成がρに与える影響はかなり小さく、Crが約20％ない
し80％の範囲ではρの値はかなり一定である。
第Ｉ表に、付着条件ρの値にどのように影響するかを示
す。この表から、厚みが約1000ÅのNi80Cr20の皮膜はρ
が約100μΩ−cmであるが、約20％のCrOxを皮膜に添加
するとρが１桁変化して約1100μΩ−cmになることがわ
かる。
す。この表から、厚みが約1000ÅのNi80Cr20の皮膜はρ
が約100μΩ−cmであるが、約20％のCrOxを皮膜に添加
するとρが１桁変化して約1100μΩ−cmになることがわ
かる。
第Ｉ表 Cr−Ｏがニクロムの抵抗率に与える影響 組成 厚み 抵抗率 （Å） （μΩ−c
m） Ni80Cr20 1000 100±20 (Ni80Cr20)0.8(CrOx)0.2 1000 1100±100 (Ni80Cr20)0.2(CrOx)0.8 1000 100,000±10,00
0 MRセンサ設計の柔軟性を増大させるため、抵抗率を広い
範囲内で特定の値に調整できる可能性を持つスペーサ層
を持つことが望ましい。このことは、本発明により、付
着工程中に存在する酸素の量、すなわち、NiCr/Cr2O3の
濃度比を選ぶことにより実現される。このための１つの
方法は、ターゲットの組成／純度を変えることである。
各種のニクロム組成物を真空鋳造し、ホット・プレス成
形をしたターゲットを使用して、抵抗率の値が1mΩ−cm
まで大幅に変化した皮膜を得ることができた。
m） Ni80Cr20 1000 100±20 (Ni80Cr20)0.8(CrOx)0.2 1000 1100±100 (Ni80Cr20)0.2(CrOx)0.8 1000 100,000±10,00
0 MRセンサ設計の柔軟性を増大させるため、抵抗率を広い
範囲内で特定の値に調整できる可能性を持つスペーサ層
を持つことが望ましい。このことは、本発明により、付
着工程中に存在する酸素の量、すなわち、NiCr/Cr2O3の
濃度比を選ぶことにより実現される。このための１つの
方法は、ターゲットの組成／純度を変えることである。
各種のニクロム組成物を真空鋳造し、ホット・プレス成
形をしたターゲットを使用して、抵抗率の値が1mΩ−cm
まで大幅に変化した皮膜を得ることができた。
付着工程中に存在する酸素の量を、高いぴったりの値の
抵抗率を有するスパッタリング皮膜を形成できるように
設定することができる。１つの方法は、スパッタリング
のターゲットの酸素濃度を調整することである。これ
は、ターゲット中のNiCrに対して、たとえば10％ないし
80％の特定の比のCr2O3を含むターゲットを真空鋳造及
びホット・プエス成形により製作することによって、容
易に実現できる。特定の適用例では、Cr2O3が50％ない
し80％の範囲のターゲットが好ましい。
抵抗率を有するスパッタリング皮膜を形成できるように
設定することができる。１つの方法は、スパッタリング
のターゲットの酸素濃度を調整することである。これ
は、ターゲット中のNiCrに対して、たとえば10％ないし
80％の特定の比のCr2O3を含むターゲットを真空鋳造及
びホット・プエス成形により製作することによって、容
易に実現できる。特定の適用例では、Cr2O3が50％ない
し80％の範囲のターゲットが好ましい。
付着工程中に存在する酸素の量を設定するもう１つの方
法は、適度に酸素に富んだ雰囲気中で皮膜を付着させる
ことである。
法は、適度に酸素に富んだ雰囲気中で皮膜を付着させる
ことである。
このような結果を得るさらに別の方法は、高純度のニク
ロムとCr2O3の２つのターゲットを用いてコスパッタす
ることである。第３図に、得られる抵抗率とNiCr/CrOx
の濃度比の関係を表わすグラフを示す。このグラフは、
オージェ分光光度計で測定した皮膜中に存在するCrOxの
量に比例する値を示す。
ロムとCr2O3の２つのターゲットを用いてコスパッタす
ることである。第３図に、得られる抵抗率とNiCr/CrOx
の濃度比の関係を表わすグラフを示す。このグラフは、
オージェ分光光度計で測定した皮膜中に存在するCrOxの
量に比例する値を示す。
本発明の別の実施例について、第２図を参照して簡単に
説明する。この磁気読取ヘッドは、磁性材料で形成した
MR層10を有する磁気抵抗（MR）センサ22と、MR層10の中
央領域28のみを覆う非磁性のスペーサ層24を含んでい
る。軟磁性材料の薄膜30は、MR層10の端部領域32と、中
央領域38のスペーサ層24とに接触してそれらの上に延
び、その結果軟磁性材料の薄膜30は中央領域28ではMR層
10から分離されるが、端部領域32ではMR層10と接触して
いる。この構造により、データを実際に検出するMRセン
サの中央領域のみに、横方向のバイアスを与えることが
可能になる。第１図の実施例のように、他の層（図示せ
ず）を設けて縦方向のバイアスを与えることもできる。
説明する。この磁気読取ヘッドは、磁性材料で形成した
MR層10を有する磁気抵抗（MR）センサ22と、MR層10の中
央領域28のみを覆う非磁性のスペーサ層24を含んでい
る。軟磁性材料の薄膜30は、MR層10の端部領域32と、中
央領域38のスペーサ層24とに接触してそれらの上に延
び、その結果軟磁性材料の薄膜30は中央領域28ではMR層
10から分離されるが、端部領域32ではMR層10と接触して
いる。この構造により、データを実際に検出するMRセン
サの中央領域のみに、横方向のバイアスを与えることが
可能になる。第１図の実施例のように、他の層（図示せ
ず）を設けて縦方向のバイアスを与えることもできる。
第２図に示した本発明の実施例では、スペーサ層24はニ
クロム（NiCr）またはニクロムに酸化クロムを添加した
もの（NiCrOx）からなる。スペーサ層24の電気的、機械
的特性は、第１図に示した本発明の実施例の場合と同じ
である。
クロム（NiCr）またはニクロムに酸化クロムを添加した
もの（NiCrOx）からなる。スペーサ層24の電気的、機械
的特性は、第１図に示した本発明の実施例の場合と同じ
である。
スペーサ層24をパターン付けする方法としては、湿式化
学エッチング法が好ましい。隣接するMR層10がNiFe合金
を含む場合は、有効な化学エッチャントはスペーサ層24
の材料とMR層10の材料でエッチ速度に差のあるものであ
る必要があるため、問題を生じる。どちらの層も類似の
組成（それぞれNi80-60Cr20-40及びNi80Fe20）を持つニ
ッケルを主成分とする合金であるため、このようなエッ
チャントを見つけるのは難しい。しかし硝酸セリウム・
アンモニウムと酢酸の水溶液（水100mlに15gの硝酸セリ
ウム・アンモニウムと3.5mlの酢酸を溶解したもの）か
らなる湿式化学エッチャントのエッチ速度の比は200よ
り大きい。このエッチャントは、毎分900Åを超えるエ
ッチ速度でニクロムを完全に溶解する。この高いエッチ
速度は、ρの値に関係なく、実験を行なったすべてのニ
クロム組成物にあてはまる。
学エッチング法が好ましい。隣接するMR層10がNiFe合金
を含む場合は、有効な化学エッチャントはスペーサ層24
の材料とMR層10の材料でエッチ速度に差のあるものであ
る必要があるため、問題を生じる。どちらの層も類似の
組成（それぞれNi80-60Cr20-40及びNi80Fe20）を持つニ
ッケルを主成分とする合金であるため、このようなエッ
チャントを見つけるのは難しい。しかし硝酸セリウム・
アンモニウムと酢酸の水溶液（水100mlに15gの硝酸セリ
ウム・アンモニウムと3.5mlの酢酸を溶解したもの）か
らなる湿式化学エッチャントのエッチ速度の比は200よ
り大きい。このエッチャントは、毎分900Åを超えるエ
ッチ速度でニクロムを完全に溶解する。この高いエッチ
速度は、ρの値に関係なく、実験を行なったすべてのニ
クロム組成物にあてはまる。
下層のMR層10を侵食せずにスペーサ層24を選択的にエッ
チングできるため、第２図の実施例のMRセンサ22の製造
の複雑さが減少する。製造工程を順に第４図のステップ
ＡないしＥに示す。第４図のステップＡに示す工程で、
MR層10とスペーサ層24を、適当な薄膜付着法によって適
当な基板（図示せず）上に完全な皮膜として付着させ
る。付着方法としては、スパッタリングが好ましい。第
４図のＢに示すように、フォトレジスト材料26などの適
当なマスク材料を付着させ、所定の形状にパターン付け
をして、スペーサ層24がMR層10の中央領域のみでマスク
されるようにする。次に、第４図のＣに示すようにす、
スペーサ層24のマスクされていない領域を、硝酸セリウ
ム・アンモニウムと酢酸の水溶液からなる湿式化学エッ
チャントを用いて除去する。次に、第４図のＤに示すよ
うに、フォトレジスト材料26を除去し、軟磁性バイアス
皮膜30を、スパッタリングによって付着させる。軟磁性
皮膜30は、センサ全体に拡がり、MR層10の端部領域32で
MR層10と接触し、中央領域28ではスペーサ層24によって
MR層10から分離される。次に、第４図のＥに示すよう
に、MRセンサ22を、適当なエッチング法で所望の形状に
することにより、MRセンサ22を形成させる。
チングできるため、第２図の実施例のMRセンサ22の製造
の複雑さが減少する。製造工程を順に第４図のステップ
ＡないしＥに示す。第４図のステップＡに示す工程で、
MR層10とスペーサ層24を、適当な薄膜付着法によって適
当な基板（図示せず）上に完全な皮膜として付着させ
る。付着方法としては、スパッタリングが好ましい。第
４図のＢに示すように、フォトレジスト材料26などの適
当なマスク材料を付着させ、所定の形状にパターン付け
をして、スペーサ層24がMR層10の中央領域のみでマスク
されるようにする。次に、第４図のＣに示すようにす、
スペーサ層24のマスクされていない領域を、硝酸セリウ
ム・アンモニウムと酢酸の水溶液からなる湿式化学エッ
チャントを用いて除去する。次に、第４図のＤに示すよ
うに、フォトレジスト材料26を除去し、軟磁性バイアス
皮膜30を、スパッタリングによって付着させる。軟磁性
皮膜30は、センサ全体に拡がり、MR層10の端部領域32で
MR層10と接触し、中央領域28ではスペーサ層24によって
MR層10から分離される。次に、第４図のＥに示すよう
に、MRセンサ22を、適当なエッチング法で所望の形状に
することにより、MRセンサ22を形成させる。
F.発明の効果 MRセンサのスペーサ材料として、ニクロムまたはニクロ
ムに酸化クロムを添加したものを使用することにより、
設計及び製造が相当に改善されることが分かる。このこ
とは、設計の修正及び拡張に柔軟性を増すと同時に多く
の材料及び工程上の利点をもたらす。
ムに酸化クロムを添加したものを使用することにより、
設計及び製造が相当に改善されることが分かる。このこ
とは、設計の修正及び拡張に柔軟性を増すと同時に多く
の材料及び工程上の利点をもたらす。
第１図は、本発明による磁気抵抗読取変換器アセンブリ
の１実施例の端面図、第２図は、本発明による磁気抵抗
読取変換器の別の実施例の端面図、第３図は、スペーサ
層の抵抗率とスペーサ層中のニクロムと酸化クロムの比
の関係を表わすグラフ、第４図は、第２図の磁気抵抗読
取変換器の製法の１実施例の、ステップＡからステップ
Ｅまでを示す図である。 ８、22……磁気抵抗センサ、10……磁気抵抗層、12、30
……軟磁性層、14、24……スペーサ層、16……反強磁性
体層、18、20……導体リード。
の１実施例の端面図、第２図は、本発明による磁気抵抗
読取変換器の別の実施例の端面図、第３図は、スペーサ
層の抵抗率とスペーサ層中のニクロムと酸化クロムの比
の関係を表わすグラフ、第４図は、第２図の磁気抵抗読
取変換器の製法の１実施例の、ステップＡからステップ
Ｅまでを示す図である。 ８、22……磁気抵抗センサ、10……磁気抵抗層、12、30
……軟磁性層、14、24……スペーサ層、16……反強磁性
体層、18、20……導体リード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジエームス・シイータング・リー アメリカ合衆国カリフオルニア州サン・ノ ゼ、バレイ・クアイル・サークル1169番地 (72)発明者 ハラランボス・レフアキス アメリカ合衆国カリフオルニア州サン・ノ ゼ、パツシング・アヴエニユ737番地
Claims (2)
- 【請求項１】強磁性材料で形成した薄膜磁気抵抗性導電
層と、 ニクロム、または酸化クロムを添加したニクロムの薄膜
であって、上記薄膜磁気抵抗性導電層に接して形成され
た薄膜スペーサ層と、 上記薄膜磁気抵抗性導電層の少なくとも一部分で横方向
バイアスを発生できるように該薄膜磁気抵抗導電層から
平行に離隔させて上記薄膜スペーサ層に接して形成され
た薄膜軟磁性材料層と、 より成る磁気抵抗読取変換器。 - 【請求項２】薄膜スペーサ層は上記薄膜磁気抵抗性導電
層の中央領域のみに存在することを特徴とする請求項第
１項記載の磁気抵抗読取変換器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/173,956 US4879619A (en) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | Magnetoresistive read transducer |
| US173956 | 1988-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212610A JPH0212610A (ja) | 1990-01-17 |
| JPH06101101B2 true JPH06101101B2 (ja) | 1994-12-12 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH06101101B2 (ja) |
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| US3864751A (en) * | 1973-10-04 | 1975-02-04 | Ibm | Induced bias magnetoresistive read transducer |
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| US4800457A (en) * | 1987-09-29 | 1989-01-24 | Carnegie-Mellon University | Magnetoresistive sensor element |
-
1988
- 1988-03-28 US US07/173,956 patent/US4879619A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1010092A patent/JPH06101101B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 DE DE89301414T patent/DE68909462T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-15 EP EP89301414A patent/EP0335488B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE68909462D1 (de) | 1993-11-04 |
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| US4879619A (en) | 1989-11-07 |
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| EP0335488A3 (en) | 1991-09-11 |
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