DE2704405A1 - Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number
DE2704405A1
DE2704405A1 DE19772704405 DE2704405A DE2704405A1 DE 2704405 A1 DE2704405 A1 DE 2704405A1 DE 19772704405 DE19772704405 DE 19772704405 DE 2704405 A DE2704405 A DE 2704405A DE 2704405 A1 DE2704405 A1 DE 2704405A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
base plate
molybdenum
palladium
tungsten
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19772704405
Other languages
English (en)
Inventor
Guenther Dipl Chem Dr Schlamp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DEMETRON
Demetron Gesellschaft fuer Elektronik Werkstoffe mbH
Original Assignee
DEMETRON
Demetron Gesellschaft fuer Elektronik Werkstoffe mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DEMETRON, Demetron Gesellschaft fuer Elektronik Werkstoffe mbH filed Critical DEMETRON
Priority to DE19772704405 priority Critical patent/DE2704405A1/de
Publication of DE2704405A1 publication Critical patent/DE2704405A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492Bases or plates or solder therefor
    • H01L23/4924Bases or plates or solder therefor characterised by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492Bases or plates or solder therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

  • Basisplatte für Elalbleiterbaurelemente und Verfahren zu ihrer
  • Herstellung.
  • Die Erfindung betrifft eine Basisplatte aus Molybdän und/oder Wolfram für Halbleiterbauelemente, die sich direkt galvanisch vergolden und versilbern lässt. Weiterhin wird ein besonders vorteilhaftes Herstellungsverfahren angegeben.
  • Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, speziell von solchen mit hoher Leistung, werden zwischem dem Silizium-Kristall und der Gehäusebodenplatte Basisplatten verwendet, die sich durch einen dem Silizium möglichst nahe angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten und möglichst hobe Wärmeleitfähigkeit auszeichnen. Als blaterial für diese Basisplatten wird üblicherweise Molybdän oder Wolfram verwendet.
  • In der Mehrzahl der Fälle muss bei diesen Basisscheiben noch eine galvanische Beschichtung vorgesehen werden, die entweder als Grundlage zur Weiterverarbeitung durch Löten bzw. als Korrosionsschutz bei den bei der Fertigung notwendigen Beizbehandlungen dienen. Die galvanischen ueberzüge werden weiterhin bei der Konstruktion sogenannter Druckkontalitverbindungen als Oberflächenschichten mit sehr geringem elektrischen und thermischen Übergangswiderstand benutzt.
  • LTm bloZylxdwin oder Wolfram galvanisch mit Silber oder Gold zu beschichten, ist es jedoch notwendig, vorher eine llaft#rundlage aufzubringen, die eine Verbindung zwischen den galvanisch aufgebrachten Schichten aus Gold oder Silber und dem Gnjndmaterial bewir7st. Hierfür wird üblicherweise eine galvanisch aufgebrachte Nickelschicht benutzt, die anschliessend durch eine Glühbehandlung teilweise in die Molybdän- bzw. Wolfram-Scheibe eindiffundiert wird. Hierzu sind also mehrere Behandlungsschritte, die neben galvanischen Abscheidungen auch Glühbehandlungen in reduzierender Atmosphäre bei relativ hohen Temperaturen einschliessen, notwendig. Hierbei findet je nach Behandlungsdauer und Anzahl der Behandlungsschritte eine ständige Veränderung des kristallinen Gefüges der Basisplatten aus Molybdän oder Wolfram statt, die eine nachteilige Wirkung auf die mechanischen Eigenschaften der Basisplatte haben.
  • Es war daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Basisplatte aus Molybdän und/oder Wolfram zu schaffen, die sich ohne Zwischenvernickelung und Diffusionsglühbehandlung direkt vergolden oder versilbern lässt.
  • Diese Aufgabe lmrde erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass man Basisplatten verwendet, die aus 0,05 bis 1 % Palladium, Rest Molybdän und/oder wolfram bestehen.
  • Die erfindungsgemässe Basisscheibe weist den wesentlichen Vorteil auf, dass sie ohne Zwischenvernickelung und Diffusionsglühbehandlung ~direkt einer galvanischen Versilberung oder Vergoldung unterworfen werden kann, wobei bereits bei dieser Direktbehandlung eine gut haftende, gleichmässige galvanische Beschichtung möglich ist. Durch Zulegieren eines Anteils von 0,05 - 1 Gew. Palladium zu Molybdän oder Wolfram, aber auch zu Legierungen des Molybdäns und Wolframs miteinander wird ein Material erhalten, das für eine direkte galvanische Beschichtung mit Silber oder Gold geeignet ist.
  • Neben diesem sehr wesentlichen Vorteil, weist die erfindungsgemässc Basisplatte auch eine grössere Korrosionsbeständig keit auf, die sich sowohl bei der Lagerung an Luft als auch durch geringere Gewichtsabnahme bei der Ätzbehandlung in starken Säuren zeigt.
  • Die erfindungsgemässe Basisplatte kann mit einer oder mehreren galvanisch aufgebrachten Schichten versehen werden, wobei zweckmässigerweise die Gesamtstärke aller galvanischen Schichten nicht über 30 /um liegt. Diese Schichten können aus Gold, Silber, Platin, Palladium, Rhodium, Ruthenium, Kupfer und/oder Nickel bestehen.
  • Die Basisplatten werden je nach Bauelement scheibenförmig, ringförmig, quadratisch, rechteckig oder rhomboedrisch ausgebildet, wobei die dem Kristall zugewandte Fläche und die dieser Fläche gegenüber liegende Fläche vorteilhaft eine Planparallelität <Q1010/um und eine Oberflächenrauhigkeit von 4 5 /uD autweisen.
  • Für die Herstellung der erfindungsgemässen Basisplatten eignen sich insbesondere pulvermetallurgische Verfahren, wobei durch Pressen der entsprechend gemischten Pulver und anschliessendes Sintern im Vakuum oder in reduzierender Atmosphäre Platten von hoher Dichte und guter Formgenauigkeit entstehen.
  • Eine andere Möglichkeit zur Einbringung des Palladiums besteht darin, die Oxide des Molybdäns und/oder Wolframs mit palladiumhaltigen Lösungen zu tränken, zu trocknen und dann diese vorbehandelten Oxidmischungen in Wasserstoffatmosphäre zu Metallpulver zu reduzieren.
  • Besonders vorteilhaft ist es, Molybdän- und/oder Wolfram-Pulver mit einer Teilchengrösse < 5 /um mit einer Lösung von Palladiumsalzen, beispielsweise PdC12 zu tränken und anschliessend in Wasserstoffatmosphäre zu glühen, wodurch das Palladium in feinster Verteilung auf der Oberfläche der Molybdän- bzw.
  • Wolfram-körner niedergeschlagen wird. Auf diese Weise vorbehandelte Pulver zeigen ein besonders günstiges Sinterverhalten und die daraus he. gestellten Basisplatten besonders gute Eigenschaften.
  • Zur Herstellung der erfindungsgeinässen Basisplatten eignen sich auch andere Verfahren, wie Tränken eines Pulverpresslings mit Palladium. Auch die üblichen metallurgischen Verfahren zur Herstellung von Molybdän- bzw. Wolfram-Legierungen sind hier anwendbar.
  • Die Weiterverarbeitung erfolgt in der üblichen Weise durch Läppen, Schleifen oder Drehen.
  • Wo es infolge der flerstellungstechnik der Halbleiterbauelemente auf besonders genaue Anpassung der thermischen Ausdehnungs koeffizienten der. Basisplatte an die thermische Ausdehnung des Siliziunikristalls ankommt, z.J3. beim Legierprozess bei dem die Anpassung auch im höheren Temperaturbereich möglichst eng sein muss, haben sich die erfindungsgemässen Basisplatten aus Molybdän Wolfram-Legierungen mit Palladiumzusätzen als besonders günstig erwiesell, da mit diesen durch entsprechende Wahl der relativen Mengenangabe von Wolfram und Molybdän die thermische Ausdehnung den Anforderungen des Herstellprozesses sehr gut angepasst werden kann.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE 1. Basisplatte für Halbleiterbauelemente, dadurch gei<ennzeichnet, dass sie aus 0,05 bis 1 Gew. Palladium, Rest Wolfram und/oder Molybdän besteht.
  2. 2. Basisplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie auf der Oberfläche ganz oder teilweise eine galvanische Beschichtung aus Gold, Silber, Platin, Palladium, Rhodium, Ruthenium, Kupfer und/oder Nickel in einer Stärke bis zu 30 /um aufweist.
  3. 3. Basisplatte nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass ihre dem Halbleiterkristall zugewandte Fläche und die dieser Seite entgegengesetzte Fläche eine Planparallelität von < 10 um haben.
  4. 4. Basisplatte nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch#enn-1 zeichnet, dass die Oberflächenrauhigkeit der dem Kristall zugewandten Seite und der dazu entgegengesetzten Fläche 4 5 /um überträgt.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung von Basisplatten für Halbleiterbauelemente nach den Ansprüchen 1 bis 4, durch Pressen und Sintern der Molybdän- und/oder Wolframpulver zu kompakten Formteilen, dadurch gekennzeichnet, dass das Molybdän-und/oder Wolframpulver eine Teilchengrösse < 5 /um besitzt, mit einer Lösung aus einer Palladiumverbindung getränkt, getrocknet und in reduzierender Atmosphäre geglüht wird.
DE19772704405 1977-02-03 1977-02-03 Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung Withdrawn DE2704405A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772704405 DE2704405A1 (de) 1977-02-03 1977-02-03 Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772704405 DE2704405A1 (de) 1977-02-03 1977-02-03 Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2704405A1 true DE2704405A1 (de) 1978-08-10

Family

ID=6000218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772704405 Withdrawn DE2704405A1 (de) 1977-02-03 1977-02-03 Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2704405A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0381411A2 (de) * 1989-02-01 1990-08-08 Plessey Semiconductors Limited Verfahren zum Verbinden von Bauelementen
EP0400177A1 (de) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einem Metallträger
EP0508721A1 (de) * 1991-04-08 1992-10-14 Skw Metals Uk Limited Beschichtete Molybdänteile und Verfahren zu ihrer Herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0381411A2 (de) * 1989-02-01 1990-08-08 Plessey Semiconductors Limited Verfahren zum Verbinden von Bauelementen
EP0381411A3 (de) * 1989-02-01 1992-03-11 Plessey Semiconductors Limited Verfahren zum Verbinden von Bauelementen
EP0400177A1 (de) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einem Metallträger
EP0508721A1 (de) * 1991-04-08 1992-10-14 Skw Metals Uk Limited Beschichtete Molybdänteile und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO1992017625A1 (en) * 1991-04-08 1992-10-15 Skw Metals Uk Limited Coated molybdenum parts and process for their production

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2523009C3 (de) Zur Bildung stark haftender Leitermuster auf Aluminiumoxidunterlagen geeignete Silbermasse
DE2644283C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bausteins
DE2853724C3 (de) Schichtwerkstoff oder Schichtwerkstück sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE112014004500T5 (de) Elektrisches Kontaktmaterial für einen Verbinder und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1288174B (de) Metallischer UEberzug auf einer isolierenden Unterlage
DE2448738A1 (de) Metallischer verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung
DE1540167C3 (de) Cermet-Widerstandsschicht für ein Potentiometer
DE3312713A1 (de) Silberbeschichtete elektrische materialien und verfahren zu ihrer herstellung
DE2038929B2 (de) Kontakt für eine Schaltvorrichtung der Nachrichtentechnik
DE2704405A1 (de) Basisplatte fuer halbleiterbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung
DE1465205C3 (de) Widerstandselement
DE2218460A1 (de) Kontaktmatenal
DE3740773A1 (de) Verfahren zum herstellen elektrisch leitender verbindungen
EP0033644A1 (de) Intermetallische Kontaktelementauflage
DE2853951A1 (de) Kontaktplatte fuer halbleiter-bauelemente
DE102022113414A1 (de) Verbundmaterial und Wärmeableitungsteil hieraus
DE3932536C1 (en) Wear resistant contact material - in which is applied to support comprising copper alloy and non-noble metal contg. silver, palladium or palladium-silver alloy
DE102017113515A1 (de) Verfahren zum Bilden eines elektrisch leitfähigen Kontakts und elektronische Vorrichtung
DE1564069C2 (de) Verbundwerkstoff für elektrische Kontakte
DE1930859A1 (de) Pulvermetallzusammensetzungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1173764B (de) Verfahren zur Herstellung abriebfester Oberflaechenschichten grosser Haerte und Leitfaehigkeit, insbesondere fuer elektrische Gleit- und Reibkontakte
DE2836735C3 (de) Verwendung einer Nickellegierung
DE3621779C2 (de)
AT231007B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE2540999B2 (de) Elektrischer Steckkontakt mit einer Kontaktschicht aus einer Silber-Palladium-Legierung

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination