KR960002673A - 반도체소자의 금속박막 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 금속박막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 금속박막 형성방법에 관한 것으로, 동시-스퍼터링법에 의하여 백금과 티타늄 또는 백금과 탄탈륨을 동시-스퍼터링 시스템에서 증착함으로써 기판에 대한 접착력과 전극으로서의 특성을 개선하고, 마이크로 히터와 패드 및 확산장벽물질로도 응용이 가능하도록 한 것이다.
본 발명은 기판위에 귀금속물질과 기판과의 접착성이 우수한 금속을 동시에 스퍼터링하여 혼합금속 접착막을 형성하는 단계와, 상기 혼합금속 접착막위에 상기 귀금속물질을 스퍼터링 증착하여 금속박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법을 제공한다.

Description

반도체소자의 금속박막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 동시-스퍼터링 시스템 구조도,
제6도는 본 발명에 의해 제조된 금속박막의 단면구조도,
제7도는 본 발명에 의한 가스센서 제조공정을 도시한 공정순서도,
제8도는 본 발명에 의해 제조된 금속박막의 AES 깊이 프로파일.

Claims (14)

  1. 기판위에 귀금속물질과 기판과의 접착성이 우수한 금속을 동시에 스퍼터링하여 혼합금속 접착막을 형성하는 단계와, 상기 혼합금속 접착막위에 상기 귀금속물질을 스퍼터링 증착하여 금속박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 귀금속물질은 Pt, Au, Ag, Pd, Rh 중에서 선택돈 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판과의 접착성이 우수한 금속은 Ti, Ta, Ni, Cr, Mo 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 Si, SiO2, Si3N4, MgO 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 동시에 스퍼터링하는 단계에서 반응가스에 산소를 수 sccm에서 수십sccm정도 포함하여 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반응가스 Ar임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 동시 스퍼터링에 의해 혼합금속 접착막을 형성하는 단계후에 산소분위기에서 열처리하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열처리온도는 300-800℃로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 혼합금속접착막의 두께는 200-1500Å임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 귀금속물질층의 두께는 500Å-1㎛로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 혼합금속접착막을 형성하는 단계후에 혼합금속접착막상에 확산장벽층을 증착하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 확산장벽층은 TiN을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 확산장벽층은 100-1000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속박막 형성방법.
  14. 실리콘기판 양면에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘질화막이 형성된 실리콘기판 전면에 귀금속물질과 기판과의 접착성이 우수한 금속을 동시에 스퍼터링하여 혼합금속 접착막을 형성하는 공정, 상기 혼합금속 접착막위에 상기 귀금속물질을 스퍼터링 증착하여 금속박막을 형성하는 공정, 상기 금속박막 및 혼합금속 접착막을 소정패턴으로 패터닝하여 히터부를 형성하는 공정, 상기 히터부 상부에 층간절연막을 형성하는 공정, 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 히터부의 소정부위를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정, 기판 전면에 귀금속물질과 기판과의 접착성이 우수한 금속을 동시에 스퍼터링하여 혼합금속 접착막을 형성하는 공정, 상기 혼합금속 접착막위에 상기 귀금속물질을 스퍼터링 증착하여 금속박막을 형성하는 공정, 상기 금속박막 및 혼합금속 접착막을 소정패턴으로 패터닝하여 히터패드부, 온도센서부 및 전극부를 각각 형성하는 공정, 기판 전면에 금속박막을 형성하는 공정, 상기 금속박막을 패터닝하여 상기 히터패드부와 온도센서부상에 각각 히터패드부와 온도센서패드부를 형성하는 공정, 상기 전극부위에 감지막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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