KR970018061A - 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속전극 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치 제조에 있어서 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법에 있어서, 실리콘기판에 절연층을 형성하는 제1공정; 통상의 사진공정 및 식각공정으로 금속전극을 형성하고자 하는 상기 절연층의 일정부위에 폴리실리콘 기둥을 형성하는 제2공정; 상기 폴리실리콘 기둥상에 금속전극과 폴리실리콘과의 반응을 막는 확산 방지막을 형성하는 제3공정; 상기 결과물 전면에 제1금속전극층을 형성하는 제4공정; 상기 제1금속전극층상에 산소의 통과를 차단하는 층간 절연막을 형성하는 제5공정; 상기 층간 절연막상에 제2금속전극층을 형성하는 제6공정 및 통상의 사진공정 및 식각공정으로 상기 실리콘 기둥상의 금속전극층 이외의 부분을 상기 절연층까지 식각하는 제7공정을 포함함을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법은 산소가 확산되어 발생하는 필링등의 문제를 유발하지 않고 화학적으로 안정되고 전기적으로 특성이 뛰어난 금속을 전극으로 사용하는 방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1D도는 본 발명에 따른 산소 확산을 방지하는 금속전극의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
Claims (5)
- 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법에 있어서, 실리콘기판에 절연층을 형성하는 제1공정; 통상의 사진공정 및 식각공정으로 금속전극을 형성하고자 하는 상기 절연층의 일정부위에 폴리실리콘 기둥을 형성하는 제2공정; 상기 폴리실리콘 기둥상에 금속전극과 폴리실리콘과의 반응을 막는 확산 방지막을 형성하는 제3공정; 상기 결과물 전면에 제1금속전극층을 형성하는 제4공정; 상기 제1금속전극층상에 산소의 통과를 차단하는 층간 절연막을 형성하는 제5공정; 상기 층간 절연막상에 제2금속전극층을 형성하는 제6공정 및 통상의 사진공정 및 식각공정으로 상기 실리콘 기둥상의 금속전극층 이외의 부분을 상기 절연층까지 식각하는 제7공정을 포함함을 특징으로 하는 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속전극층이 Pt 또는 Ir, Ru인 것을 특징으로 하는 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막이 SiN 또는 SiO2, TiC2, TaO인 것을 특징으로 하는 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속전극층이 Pt, Ir, Ru인 것을 특징으로 하는 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 층간 절연막의 두께가 50Å 이하임을 특징으로 하는 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032901A KR970018061A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032901A KR970018061A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018061A true KR970018061A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032901A KR970018061A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 산소의 확산을 방지하는 금속 전극 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018061A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457747B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의전하저장전극형성방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032901A patent/KR970018061A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457747B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의전하저장전극형성방법 |
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