KR970013032A - 고집적 반도체장치의 콘택트 형성방법 - Google Patents
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Abstract
고집적 반도체 메모리 장치의 제조방법에 있어서, 다단계 식각을 이용하여 높은 종횡비(Aspect Ratio)를 갖는 급속 콘택트를 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명은 트랜지스터와 비트라인을 구비한 반도체 기판상에 층간절연막을 형성하는 공정과, 제1 감광막패턴을 이용하여 상기 트랜지스터의 활성영역과의 접속을 위한 콘택트(A) 형성을 위한 1단계 건식식각 공정과, 상기 결과물 전면에 산화막을 형성한 후, 제2감광막 패턴으로 상기 비트라인과의 접속을 위한 콘택트(B) 형성을 위하여 상기 산화막, 제1감광막 패턴 및 층간절연막의 일부를 차레로 식각하는 공정과, 상기 콘택트(A)를 기판이 노출될 때 까지 2단계 식각하는 공정으로 구성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의한 콘택트 형성방법을 각 단계별로 순차적으로 도시한 공정 단면도이다.
Claims (3)
- 고집적 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 트랜지스터와 비트라인을 구비한 반도체 기판상에 층간절연막을 형성하는 공정; 제1 감광막패턴을 이용하여 상기 트랜지스터의 활성영역과의 접속을 위한 콘택트(A) 형성을 위한 1단계 건식식각 공정; 상기 결과물 전면에 산화막을 형성한 후, 제2감광막 패턴으로 상기 비트라인과의 접속을 위한 콘택트(B) 형성을 위하여 상기 산화막, 제1감광막 패턴 및 층간절연막의 일부를 차례로 식각하는 공정; 및 상기 콘택트(A)를 기판이 노출될 때 까지 2단계 식각하는 공정으로 이루어진 콘택트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1단계 식각공정에서 식각 깊이는 상기 층간절연막 두께에서 상기 비트라인용 콘택트(B)의 깊이를 가감한 두께인 것을 특징으로 하는 콘택트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 플라즈마 SiH4, 플라즈마 TEDS, 저온산화막, USG(Undoped Silica Glass), 및 BPSG 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 콘택트 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025727A KR970013032A (ko) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 고집적 반도체장치의 콘택트 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025727A KR970013032A (ko) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 고집적 반도체장치의 콘택트 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013032A true KR970013032A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950025727A KR970013032A (ko) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | 고집적 반도체장치의 콘택트 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013032A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425935B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
-
1995
- 1995-08-21 KR KR1019950025727A patent/KR970013032A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425935B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
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