KR970018658A - 확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 - Google Patents
확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
확산방지층을 함유하는 폴리사이드게이트 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 폴리사이드게이트는 반도체 장치의 기판상에 형성된 게이트산화막, 상기 게이트산화막 상에 형성된 폴리실리콘층, 상기 제1도전층 상에 형성된 티타늄나이트라이드 또는 텅스텐나이트라이드 등의 확산방지층, 상기 확산방지층 상에 순차적으로 적층된 텅스텐실리사이드 및 절연막으로 이루어져, 폴리사이드게이트는 게이트형성시의 원료가스인 WF6의 F-이온이 게이트산화막 내로 확산하는 현성과 그에 따른 문제를 해결할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 게이트구조를 나타낸다.
제4A도 내지 제4G는 제3도의 게이트의 제조방법을 나타낸다.
Claims (7)
- 반도체장치에 있어서, 상기 반도체장치의 기판상에 형성된 게이트산화막, 상기 게이트산화막 상에 형성된 폴리실리콘층, 상기 제1도전층 상에 형성된 확산방지층, 상기 확산방지층 상에 순차적으로 적층된 텅스텐실리사이드 및 절연막을 구비하는 반도체장치의 게이트
- 제1항에 있어서, 상기 확산방지층은 티타늄나이트라이드 또는 텅스텐나이트라이드임을 특징으로 하는 반도체 장치의 게이트
- 제2항에 있어서, 상기 티타늄나이트라이드를 사용하는 경우, 상기 타타늄나이트라이드의 막질 향상을 위해 어닐링함을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트
- 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판 상에 게이트산화막을 형성하는 단계, 폴리실리콘으로된 제1도전층을 상기 게이트산화막 상에 형성하는 단계, 상기 제1도전층 상에 확산방지층을 형성하는 단계; 및 상기 확산방지막 상에 텅스텐실리사이드로 된 제2도전층 및 절연막을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트 제조방법
- 제4항에 있어서, 상기 확산방지층은 티타늄나이트라이드 또는 텅스텐나이트라이드중의 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트 제조방법
- 제4항에 있어서, 상기 확산방지막의 두께는 50Å-1000Å임을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트 제조방법
- 제5항에 있어서, 상기 티타늄나이트라이드를 사용하는 경우, 상기 티타늄나이트라이드의 막질 향상을 위해700℃-1000℃로 어닐링함을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트 제조방법
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031020A KR970018658A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031020A KR970018658A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018658A true KR970018658A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031020A KR970018658A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018658A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000043197A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체소자의 게이트전극 형성방법 |
| KR100548538B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성방법 |
| KR100530149B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 제조 방법 |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031020A patent/KR970018658A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530149B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 제조 방법 |
| KR20000043197A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체소자의 게이트전극 형성방법 |
| KR100548538B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성방법 |
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