KR970003481A - 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 전극 산화막 형성방법 Download PDF

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KR970003481A
KR970003481A KR1019950017282A KR19950017282A KR970003481A KR 970003481 A KR970003481 A KR 970003481A KR 1019950017282 A KR1019950017282 A KR 1019950017282A KR 19950017282 A KR19950017282 A KR 19950017282A KR 970003481 A KR970003481 A KR 970003481A
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forming
forming electrode
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김영균
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법에 관한 것으로서, 확산 방지막을 사용하여 전극 산화막 내로 확산되는 이온을 억제하여 전극 산화막이 열화되는 것을 방지하므로써, 전극 산화막의 두께 보전 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 전극 산화막 및 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 전극 산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 전극 산화막, 다결정 실리콘막 및 확산 방지막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 확산 방지막 상부에 텅스텐실리사이드를 형성한 후 고온에서 열처리를 실시하여 낮은 저항의 텅스텐 실리사이드를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 확산 방지막으로 티타늄 나이트라이드를 200 내지 400A 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950017282A 1995-06-24 1995-06-24 반도체 소자의 전극 산화막 형성방법 KR970003481A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7070704B2 (en) 2002-01-18 2006-07-04 Fire & Tech Co., Ltd. Composition of environmental friendly neuter loaded stream extinguisher for ordinary fire (a class) and method for preparing the same

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US7070704B2 (en) 2002-01-18 2006-07-04 Fire & Tech Co., Ltd. Composition of environmental friendly neuter loaded stream extinguisher for ordinary fire (a class) and method for preparing the same

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