KR920018929A - 반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 폴리사이드 게이트전극구조를 나타낸 도면.
Claims (7)
- 반도체기판상에 게이트산화막, 폴리실콘막 및 티타늄실리사이드막의 적층구조로 이루어진 폴리사이드 게이트전극구조에 있어서, 상기 폴리실리콘막과 티타늄실리사이드막 사이에 후속 고온 열처리시 티타늄의 폴리실리콘막의 그레인 경계를 따라 게이트산화막으로 확산되는 것을 방지하기 위한 장벽층을 개재하여서 된 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트전극구조.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽층은 W 또는 TiW등의 고융점금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트 전극구조.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽층은 WSi2, 또는 MoSi2등의 고융점금속 실리사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 게이트전극구조.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽층은 TiN 또는 WN등의 고융점금속질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 게이트전극구조.
- 반도체기판상에 TiSi2/poly-Si의 폴리사이드 게이트전극구조를 형성하는 방법에 있어서, 상기 반도체기판 상에 박막의 게이트산화막을 열적으로 성장시키는 공정 상기 게이트산화막의 표면에 불순물이 도우프된 폴리실리콘막을 침적하는 공정; 상기 폴리실리콘막의 표면에 고융점 금속계의 장벽층을 형성하는 공정; 상기 장벽층상에 티타늄실리사이드막을 침적하는 공정; 및 상기 타타늄 실리사이드막의 표면에 포토레지스트를 덮고 사진식각 공정에 의해 티타늄 실리사이드막, 장벽층 및 폴리실리콘막의 적층구조를 패너닝하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트전극 구조의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 장벽층은 티타늄 실리사이드 챔버내에서 N2스퍼터링에 의한 TixSiyNz의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트전극구조의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 티타늄 실리사이드막은 스퍼터링 방법으로 침적하는 것을 특징으로 하는 폴리사이드 게이트전극구조의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910004559A KR920018929A (ko) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019910004559A KR920018929A (ko) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920018929A true KR920018929A (ko) | 1992-10-22 |
Family
ID=67400725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910004559A KR920018929A (ko) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920018929A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030060660A (ko) * | 2002-01-10 | 2003-07-16 | 손정일 | 앞/뒷면 구별 없는 양면 양말 |
| KR100505449B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2005-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 폴리사이드 게이트 전극 형성방법 |
| KR100530149B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 제조 방법 |
-
1991
- 1991-03-22 KR KR1019910004559A patent/KR920018929A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530149B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 제조 방법 |
| KR100505449B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2005-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 폴리사이드 게이트 전극 형성방법 |
| KR20030060660A (ko) * | 2002-01-10 | 2003-07-16 | 손정일 | 앞/뒷면 구별 없는 양면 양말 |
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