KR930024117A - 반도체 장치의 다층배선 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 다층배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히1물질과 화학적인 결합에 의해 형성된 하부도전층, 상기 하부도전층 상에 형성된 접촉상 및 상기 접촉창을 통해 하부도전층과 연결되는 상부도전층으로 구성된 반도체장치의 다층배선 구조를 형성하는데 있어서, 상기 접촉창에 의해 표면으로 노출된 하부도전층 상에 상기 제1물질과 화학적인 결합에 의해 형성되는 박막의 물질층을 형성하는 공정으로 포함하는 반도체장치의 다층배선 형성방법을 제공한다. 따라서, 상부 도전층과 하부도전층 사이의 접착성이 좋고 접촉특성이 좋은 다층배선을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3E도는 본 발명에 의한 반도체장치의 다층배선 형성방법의 일 실시예를 설명하기 위해 도시된 단면도들, 제4도는 본 발명에 의한 반도체장치의 다층배선 형성방법의 다른 실시예를 설명하기 위해 도시된 단면도.
Claims (13)
- 제1물질과 화학적인 결합에 의해 형성된 하부도전층, 상기 하부도전층 상에 형성된 접촉창 및 상기 접촉창을 통해 하부도전층과 연결되는 상부도전층으로 구성된 반도체장치의 다층배선 구조를 형성하는데 있어서, 상기 접촉창에 의해 표면으로 노출된 하부도전층 상에 제1물질과 화학적인 결합에 의해 형성되는 박막의 물질층을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1물질은 실리콘 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 하부도전층으로 불순물이 도우프 된 다결정실리콘 또는 불순물확산영역이 형성된 실리콘기판등이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제2항에 있어서, 박막의 물질층을 형성하는 상기 공정은, 접촉창을 통해 표면으로 노출된 하부도전층 상에 상기 제1물질과 결합하여 도전성의 물질을 형성할 수 있는 제2물질을 증착하는 공정 및 결과물을 열처리하는 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2물질로 텅스텐을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 열처리 공정은 RTP 또는 피너스 어닐링으로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 열처리 공정은 약 800℃~900℃정도의 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 박막의 물질층은 텅스텐실리사이드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2물질은 선택적 화학기상증착 방식에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 상부도전층은 박막의 물질층이 형성되어 있는 결과물 상에 장벽금속층 또는 글루층을 개재하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 장벽금속층 또는 글루층은 티타늄나이트라이드 또는 티타늄텅스텐을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제10항에 있어서, 상기 장벽금속층 또는 글루층은 약 900Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제10항에있어서, 상기 장벽금속층 또는 글루층은 접촉창 내부를 텅스텐으로 채운 후 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930024117A true KR930024117A (ko) | 1993-12-22 |
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