KR950034811A - 고체 상태 상 감지 장치 제조방법 - Google Patents

고체 상태 상 감지 장치 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950034811A
KR950034811A KR1019950014689A KR19950014689A KR950034811A KR 950034811 A KR950034811 A KR 950034811A KR 1019950014689 A KR1019950014689 A KR 1019950014689A KR 19950014689 A KR19950014689 A KR 19950014689A KR 950034811 A KR950034811 A KR 950034811A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
metal
alloy
forming
deposited
Prior art date
Application number
KR1019950014689A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100194841B1 (ko
Inventor
게이스께 하따노
가주마 미나미
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽄 덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽄 덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR950034811A publication Critical patent/KR950034811A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100194841B1 publication Critical patent/KR100194841B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

층간 절연막을 커버하기 위한 알루미늄막은 스퍼터링에 의해 형성되며 그후 역류를 일으키는 용융점보다 낮은 온도에서 열처리가 행해진다. 그후 알루미늄막에 개구가 형성되어 균일한 두께를 가지는 단차부를 커버하는 방식으로 차광막이 형성된다. 보다 얇은 고체 상태 상 감지 장치의 차광막의 제조로 인해 차광막의 개구 크기가 증가하게 되며 감도를 향상시키도록 광의 유효 사용을 보장하며, 개구 형성에 있어서의 작동 정확성을 개선시켜서 각각의 화소의 감도의 변화를 억압한다.

Description

고체 상태 상 감지 장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 고체상태 상 감지장치의 단위 화소의 평면도.

Claims (7)

  1. 고체 상태 상 감지 제조 방법에 있어서, 광전 변환 영역과 상기 광전 변환 영역으로부터 전하를 수용 및 전송하는 전송 채널로 제공된 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 전송 채널의 표면을 커버하는 게이트 절연막상에 다수의 전송 전극을 형성하는 단계와, 층간 절연막을 그 구조의 전표면에 증착하는 단계와, 금속 또는 합금막을 증착하고 금속 또는 합금막을 역류시키기 위해 금속 또는 합금의 용융점 보다 낮은 온도에서 열처리를 수행하는 단계와, 공전 변환 영역상의 금속 또는 합금막에 개구를 형성하고, 금속 또는 합금으로 제조된 차광막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 또는 합금막의 역류 후에 내화성 금속막을 형성하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속 또는 합금막보다 저반사율을 가지는 저광반사율막이 증착된 후에 상기 금속 또는 합금막이 증착되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 알루미늄막은 스퍼터링에 의해 상기 금속 또는 합금막으로 증착되는 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 알루미늄막은 스퍼터링에 의해 상기 금속 또는 합금막으로 증착되고 상기 텅스텐 막은 상기 내화성 금속막으로 형성된 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 저 반사율막은 내화성 금속막 또는 내화성 금속 화합물막인 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 내화성 금속막은 텅스텐막, 몰리브텐막, 탄탈륨막, 백금막 및 구미막의 그룹으로부터 선택된 막이며, 상기 내화성 금속 화합물막은 티타늄-텅스텐막, 티타늄 질화물막 및 텅스텐 질화물막의 그룹으로부터 선택된 막이며, 상기 금속 또는 합금막은 스퍼터링에 의해 증착된 알루미늄막인 것을 특징으로 하는 고체 상태 상 감지 장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950014689A 1994-05-31 1995-05-31 고체 상태 상 감지 장치 제조방법 KR100194841B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6119116A JP2571018B2 (ja) 1994-05-31 1994-05-31 固体撮像装置の製造方法
JP94-119116 1994-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950034811A true KR950034811A (ko) 1995-12-28
KR100194841B1 KR100194841B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=14753333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950014689A KR100194841B1 (ko) 1994-05-31 1995-05-31 고체 상태 상 감지 장치 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5576239A (ko)
EP (1) EP0687017B1 (ko)
JP (1) JP2571018B2 (ko)
KR (1) KR100194841B1 (ko)
DE (1) DE69501432T2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306676B1 (en) * 1996-04-04 2001-10-23 Eastman Kodak Company Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors
US5761115A (en) * 1996-05-30 1998-06-02 Axon Technologies Corporation Programmable metallization cell structure and method of making same
JP3070513B2 (ja) * 1997-04-07 2000-07-31 日本電気株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JPH1187675A (ja) * 1997-07-16 1999-03-30 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子
US6057586A (en) * 1997-09-26 2000-05-02 Intel Corporation Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity
JP3180748B2 (ja) * 1997-12-11 2001-06-25 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP3343071B2 (ja) * 1998-03-03 2002-11-11 富士写真フイルム株式会社 撮像素子の実装方法
US6218719B1 (en) * 1998-09-18 2001-04-17 Capella Microsystems, Inc. Photodetector and device employing the photodetector for converting an optical signal into an electrical signal
US7010644B2 (en) 2002-08-29 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Software refreshed memory device and method
KR100574353B1 (ko) * 2004-02-13 2006-04-27 삼성전자주식회사 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
JP2005286094A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体集積回路装置
JP4836409B2 (ja) * 2004-03-30 2011-12-14 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 光半導体集積回路装置
US7791155B2 (en) * 2006-12-22 2010-09-07 Masimo Laboratories, Inc. Detector shield
US20110192789A1 (en) * 2008-09-02 2011-08-11 Drexel University Metal or metal oxide deposited fibrous materials
WO2010028016A2 (en) * 2008-09-02 2010-03-11 Drexel University Titania dispersion and method for making
DE102014110560A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung
JP2021166259A (ja) 2020-04-07 2021-10-14 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353949A (ja) 1986-08-25 1988-03-08 Hitachi Ltd 金属配線の形成方法
US4894701A (en) * 1988-05-09 1990-01-16 General Electric Company Semiconductor device detector and method of forming same
JPH039563A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置
JP2523873B2 (ja) * 1989-06-07 1996-08-14 松下電子工業株式会社 固体撮像装置
JP3134332B2 (ja) * 1991-04-15 2001-02-13 ソニー株式会社 固体撮像素子
JPH05129296A (ja) * 1991-11-05 1993-05-25 Fujitsu Ltd 導電膜の平坦化方法
JP2833906B2 (ja) * 1992-01-31 1998-12-09 九州日本電気株式会社 固体撮像素子
US5254480A (en) * 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
KR0171625B1 (ko) * 1992-02-20 1999-02-01 단죠 카즈마 고체촬상장치의 제조방법
US5416344A (en) * 1992-07-29 1995-05-16 Nikon Corporation Solid state imaging device and method for producing the same
US5443995A (en) * 1993-09-17 1995-08-22 Applied Materials, Inc. Method for metallizing a semiconductor wafer
US5492852A (en) * 1993-10-07 1996-02-20 Nec Corporation Method for fabricating a solid imaging device having improved smear and breakdown voltage characteristics
US5436458A (en) * 1993-12-06 1995-07-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Solid state radiation detection panel having tiled photosensitive detectors arranged to minimize edge effects between tiles

Also Published As

Publication number Publication date
KR100194841B1 (ko) 1999-06-15
JP2571018B2 (ja) 1997-01-16
DE69501432D1 (de) 1998-02-19
US5576239A (en) 1996-11-19
EP0687017A1 (en) 1995-12-13
JPH07326725A (ja) 1995-12-12
DE69501432T2 (de) 1998-08-20
EP0687017B1 (en) 1998-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950034811A (ko) 고체 상태 상 감지 장치 제조방법
US6525356B1 (en) Solid imaging device
KR850002172A (ko) 반도체장치 제조방법
KR940010207A (ko) 반도체 소자 제조방법
JP2003124475A (ja) ダブルバーティカルチャネル薄膜トランジスタのｃｍｏｓ装置及びその製造方法
JP2002334987A5 (ko)
KR970072462A (ko) 오옴 접촉 구조가 개선된 스태거드 박막 트랜지스터와 그 제조방법
JPS6132471A (ja) 薄膜トランジスタ
US4780394A (en) Photosensitive semiconductor device and a method of manufacturing such a device
KR950021526A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조방법
KR960009013A (ko) 타이타늄 나이트라이드(TiN) 게이트전극 형성방법
KR940018699A (ko) TiSi_2/TiN 피복 상호 연결 기술
JPH0294566A (ja) 固体撮像装置
US6627929B2 (en) Solid state CCD image sensor having a light shielding layer
US5834344A (en) Method for forming high performance thin film transistor structure
JP3057801B2 (ja) 固体撮像装置
KR920018929A (ko) 반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법
JP2504067B2 (ja) 固体撮像装置
KR950007958B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970052243A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성 방법
JPH0586669B2 (ko)
JPH06151794A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JPS5771171A (en) Semiconductor device
JPS5687986A (en) Solidstate image pickup device and its manufacture
KR970018230A (ko) 금속배선의 장벽금속 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030123

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee