JPS6132471A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS6132471A JPS6132471A JP15284984A JP15284984A JPS6132471A JP S6132471 A JPS6132471 A JP S6132471A JP 15284984 A JP15284984 A JP 15284984A JP 15284984 A JP15284984 A JP 15284984A JP S6132471 A JPS6132471 A JP S6132471A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタに係
り、特に十分な遮光を可能にする構造に関する。
り、特に十分な遮光を可能にする構造に関する。
アクティブマトリクスパネル用に非晶質シリコンを用い
た薄膜トランジスタの開発が活発に行なわれている。非
晶質シリコンは光導電性を有するため、これによる素子
特性劣化を防止する目的の遮光対策が重要な問題であっ
た。従来の薄膜トランジスタの代表的な構造の一例とし
て特開昭５８−３３８７２号に記されたものがある。第
１図は上記公知例に記された構造に遮光膜の配置を合せ
記した図である。同図の構造をとった場合透明基板１側
からの入射光は、ゲート電極２とソース・ドレイン電極
４で遮ぎり、その反対側からの光は遮光膜７で遮ぎらせ
る６尚上記公知例ではゲート電極とソース・ドレイン電
極をセルファラインさせているが、ここでは特にこの構
造に限らない。本構造の薄膜トランジスタにおいては、
非晶質シリコン層５の能動領域を確実に遮光膜７の下に
位置させるために各々のパターンのマスク合せに労を要
し、工程数が多くなる。また、遮光膜７からはみ出した
非晶質シリコン層に入射する光の影響を防ぐことについ
ては配慮がなされていない。
た薄膜トランジスタの開発が活発に行なわれている。非
晶質シリコンは光導電性を有するため、これによる素子
特性劣化を防止する目的の遮光対策が重要な問題であっ
た。従来の薄膜トランジスタの代表的な構造の一例とし
て特開昭５８−３３８７２号に記されたものがある。第
１図は上記公知例に記された構造に遮光膜の配置を合せ
記した図である。同図の構造をとった場合透明基板１側
からの入射光は、ゲート電極２とソース・ドレイン電極
４で遮ぎり、その反対側からの光は遮光膜７で遮ぎらせ
る６尚上記公知例ではゲート電極とソース・ドレイン電
極をセルファラインさせているが、ここでは特にこの構
造に限らない。本構造の薄膜トランジスタにおいては、
非晶質シリコン層５の能動領域を確実に遮光膜７の下に
位置させるために各々のパターンのマスク合せに労を要
し、工程数が多くなる。また、遮光膜７からはみ出した
非晶質シリコン層に入射する光の影響を防ぐことについ
ては配慮がなされていない。
本発明の目的は、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジ
スタにおいて、その非晶質シリコンへの光を十分に遮る
事が可能で、しかもそれを少い工程数で形成することの
できる素子構造を提供することにある。
スタにおいて、その非晶質シリコンへの光を十分に遮る
事が可能で、しかもそれを少い工程数で形成することの
できる素子構造を提供することにある。
本発明においては、基板上にまず所定パターンのゲート
電極を形成しこの上にゲート絶縁膜を介してソース・ド
レイン電極を形成し、その上に非晶質シリコン薄膜を堆
積する。更にその上にチャネル保護膜を堆積後その上に
遮光膜パターンを形成して、その遮光膜をマスクとして
チャネル保護膜・非晶質シリコン膜をエツチングするこ
とにより、遮光膜に整合した非晶質シリコン層を能動領
域とする薄膜トランジスタを得る。本構造の薄膜トラン
ジスタでは、ソース・ドレイン電極とゲート電極で透明
基板側からの光を遮り、上記遮光膜でもう一方からの光
を遮ることになる。しかも遮光膜と非晶質シリコン層を
整列して形成するため、マスク合せの回数も減少し、か
つまた当該層に斜めに入射する光の影響も小さくするこ
とが可能になった。
電極を形成しこの上にゲート絶縁膜を介してソース・ド
レイン電極を形成し、その上に非晶質シリコン薄膜を堆
積する。更にその上にチャネル保護膜を堆積後その上に
遮光膜パターンを形成して、その遮光膜をマスクとして
チャネル保護膜・非晶質シリコン膜をエツチングするこ
とにより、遮光膜に整合した非晶質シリコン層を能動領
域とする薄膜トランジスタを得る。本構造の薄膜トラン
ジスタでは、ソース・ドレイン電極とゲート電極で透明
基板側からの光を遮り、上記遮光膜でもう一方からの光
を遮ることになる。しかも遮光膜と非晶質シリコン層を
整列して形成するため、マスク合せの回数も減少し、か
つまた当該層に斜めに入射する光の影響も小さくするこ
とが可能になった。
以下本発明の一実施例を第２図（８）〜（ｃ）により説
明する。透明な絶縁基板ｌ上に厚さ２０００人のＣｒの
蒸着、パターニングによりゲート電極２を形成する。次
に５ｉＨ４（Ｎ２ベース２０％）。
明する。透明な絶縁基板ｌ上に厚さ２０００人のＣｒの
蒸着、パターニングによりゲート電極２を形成する。次
に５ｉＨ４（Ｎ２ベース２０％）。
ＮＨ，、Ｎ、を流量比１：２：１４で流しグロー放電に
より厚さ３０００人の窒化シリコン膜を堆積し。
より厚さ３０００人の窒化シリコン膜を堆積し。
パターニングしてこれをゲート絶縁膜３とする。
次にＡρ、Ｃｒをこの順に真空蒸着法で１μｍ。
１０００人堆積しパターニングして、ソース・ドレイン
電極１４ａ及びｂとする。この上に５ｉＨ４（Ｈ。
電極１４ａ及びｂとする。この上に５ｉＨ４（Ｈ。
ベース１０％）、ＰＨ，（Ｈ，ベース５００ｐｐｍ）を
流量比１＝４から１＝１で流し、グロー放電により厚さ
２００人の低抵抗（比抵抗〜ＩＫΩ・Ｃｍ）ｎ型非晶質
シリコン膜１５を堆積する（ａ）。次にソース・ドレイ
ン電極間のｎ型非晶質シリコン膜をＣＦ４プラズマエッ
チにより除去した後、更にこの上に５ＩＨ４（Ｈ２ベー
ス１０％）のグロー放電により、厚さ４０００人の非晶
質シリコン膜１６を堆積し、更にチャネル部保護膜１７
として、上記ゲート絶縁膜と同一条件で厚さ３０００人
の窒化シリコン膜を形成する。次にこの上に遮光膜１８
として厚さ２０００人のＣｒ膜を蒸着してパターニング
しくｂ）、更にこのパターンをマスクとしてチャネル保
護膜、非晶質シリコン膜をエツチングする（ｃ）。最後
に素子領域外の配線部を所望のパターンに形成してＴＰ
Ｔを完成する。
流量比１＝４から１＝１で流し、グロー放電により厚さ
２００人の低抵抗（比抵抗〜ＩＫΩ・Ｃｍ）ｎ型非晶質
シリコン膜１５を堆積する（ａ）。次にソース・ドレイ
ン電極間のｎ型非晶質シリコン膜をＣＦ４プラズマエッ
チにより除去した後、更にこの上に５ＩＨ４（Ｈ２ベー
ス１０％）のグロー放電により、厚さ４０００人の非晶
質シリコン膜１６を堆積し、更にチャネル部保護膜１７
として、上記ゲート絶縁膜と同一条件で厚さ３０００人
の窒化シリコン膜を形成する。次にこの上に遮光膜１８
として厚さ２０００人のＣｒ膜を蒸着してパターニング
しくｂ）、更にこのパターンをマスクとしてチャネル保
護膜、非晶質シリコン膜をエツチングする（ｃ）。最後
に素子領域外の配線部を所望のパターンに形成してＴＰ
Ｔを完成する。
なお、本発明は上記実施例に限定されない、例えば、電
極の形成法は蒸着に限らずスパッタ法でもよい。また、
ゲート絶縁膜、チャネル保護膜は窒化シリコン膜に限ら
ず酸化シリコンその他の絶縁体でもよい。また、ゲート
電極、遮光膜は素子外部からの入射光を遮光する効果を
持つ不透明材料であれば他の金属でも良い。また、ソー
ス・ドレイン電極は多層構造を持つものに限らず、他の
金属でも良い。
極の形成法は蒸着に限らずスパッタ法でもよい。また、
ゲート絶縁膜、チャネル保護膜は窒化シリコン膜に限ら
ず酸化シリコンその他の絶縁体でもよい。また、ゲート
電極、遮光膜は素子外部からの入射光を遮光する効果を
持つ不透明材料であれば他の金属でも良い。また、ソー
ス・ドレイン電極は多層構造を持つものに限らず、他の
金属でも良い。
本発明による構造の薄膜トランジスタは、マスク合せの
回数を減らして、能動層、遮光膜層を形成することがで
き、素子の基板側及びその反対側からの入射光を十分に
遮ることができるので、オフ電流を低下させて良い特性
を得るという効果がある。
回数を減らして、能動層、遮光膜層を形成することがで
き、素子の基板側及びその反対側からの入射光を十分に
遮ることができるので、オフ電流を低下させて良い特性
を得るという効果がある。
Claims (1)
- 非晶質シリコン層を能動領域とする素子において該能
動領域を絶縁膜を挟んで上面に形成された遮光膜に整列
させて設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15284984A JPS6132471A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15284984A JPS6132471A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132471A true JPS6132471A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15549470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15284984A Pending JPS6132471A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132471A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0333208A2 (de) * | 1988-03-18 | 1989-09-20 | Nokia (Deutschland) GmbH | Dünnschichttransistor mit Lichtschutz aus amorphem Kohlenstoff und Verfahren zur Herstellung des Lichtschutzes |
| US4958205A (en) * | 1985-03-29 | 1990-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing the same |
| US5021850A (en) * | 1988-07-13 | 1991-06-04 | Seikosha Co., Ltd. | Silicon thin film transistor |
| JPH0416242U (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-10 | ||
| JPH0474476A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US5101242A (en) * | 1989-02-17 | 1992-03-31 | International Business Machines Corporation | Thin film transistor |
| US5109260A (en) * | 1989-07-10 | 1992-04-28 | Seikosha Co., Ltd. | Silicon thin film transistor and method for producing the same |
| JPH04132263A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US5122849A (en) * | 1988-07-13 | 1992-06-16 | Seikosha Co., Ltd. | Silicon thin film transistor |
| US5146301A (en) * | 1987-10-15 | 1992-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Terminal electrode structure of a liquid crystal panel display |
| US5166086A (en) * | 1985-03-29 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing same |
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| US5552630A (en) * | 1990-04-13 | 1996-09-03 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thin film transistor having metallic light shield |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15284984A patent/JPS6132471A/ja active Pending
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| US5071779A (en) * | 1988-07-13 | 1991-12-10 | Seikosha Co., Ltd. | Method for producing a silicon thin film transistor |
| US5021850A (en) * | 1988-07-13 | 1991-06-04 | Seikosha Co., Ltd. | Silicon thin film transistor |
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| JPH0416242U (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-10 | ||
| JPH0474476A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JPH04132263A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
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