KR100194841B1 - 고체 상태 상 감지 장치 제조방법 - Google Patents
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Abstract
중간 절연막을 커버하기 위한 알루미늄막은 스퍼터링에 의해 형성되며 그후 역류를 일으키는 용융점보다 낮은 온도에서 열처리가 행해진다. 그후 알루미늄막에 개구가 형성되어 균일한 두께를 가지는 단차부를 커버하는 방식으로 차광막이 형성된다. 보다 얇은 고체상태 상 감지장치의 차광막의 제조로 인해 차광막의 개구 크기가 증가하게 되며 감도를 향상시키도록 광의 유효 사용을 보장하며, 개구 형성에 있어서의 작동 정확성을 개선시켜서 각각의 화소의 감도의 변화를 억압한다.
Description
제1도는 종래의 고체상태 상 감지장치의 단위 화소의 평면도.
제2도는 단위 화소의 단면도.
제3도는 종래의 금속배선을 나타내는 단면도.
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 고체상태 상 감지장치의 단위 화소의 평면도.
제5도는 단위 화소의 단면도.
제6도는 제1실시예에 따른 제조방법의 단계를 나타내는 단면도.
제7도는 제1실시예에 따른 제조방법에서 제6도의 다음 단계를 나타내는 단면도.
제8도는 본 발명의 제2실시예에 따른 제조방법의 단계를 나타내는 단면도.
제9도는 제2실시예에 따른 제조방법에 의해 제조된 고체상태 상 감지장치의 단면도.
제10도는 본 발명의 제3실시예에 따른 제조방법의 단계를 나타내는 단면도.
제11도는 제3실시예에 따른 제조방법에서 제10도의 다음 단계를 나타내는 단면도.
제12도는 제3실시예에 따른 제조방법에 의해 제조된 고체상태 상 감지장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : N형 확산층(광전변환영역) 4 : N형 매입채널
5 : 전송채널 6 : 게이트 절연막
7-1, 7-2 : 제 1 및 제 2 전송전극 8: 절연막
9 : 층간 절연막 10a,10b : 차광막
11a,11b : 개구 13a,13b,13c,13d : 알루미늄막
본 발명은 광전변환영역과 광전변환영역으로부터 전하를 수용하고 전하를 전송하는 전송 채널로 제공된 반도체 기판상에 차광막을 형성하는 고체상태 상 감지장치(solid state image sensing device) 제조방법에 관한 것으로, 특히 본 발명은 고체상태 상 감지장치를 차광막을 형성하는 개선된 방법으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
CCD(Charge Coupled Device, 전하결합장치)상 센서(image sensor) 같은 고체상태 상 감지장치에 있어서, 다수의 광전변환소자는 일차원 또는 이차원으로 배열된다. 광전변환소자에 상이 투영될 때 , 상의 휘도에 비례하는 전기 신호가 상의 감지결과로서 각각의 광전변환소자로부터 출력된다.
제1도는 종래의 CCD상 센서의 단위 화소의 평면도이며, 제2도는 단위 화소의 단면도이다. N형 확산층(2)(광전변환영역)은 P형 실리콘기판(1)의 표면상에 형성된다. P형 실리콘기판(1)과 N형 확산층(2)은 PN 포토다이오드 또는 광전변환소자를 구성한다. 또한 P+형 확산층[소자분리영역(3)]과 N형 매입채널(4)이 기판 표면에 형성된다. 제1전송전극(7-1)과 제2전송전극(7-2)은 서로 부분적으로 중첩하여 게이트 절연막(6)을 거쳐 N형 매입채널(4)상에 교대로 배치된다. 제1 및 제2전송전극(7-1,7-2)은 폴리실리콘막으로 형성된다. 절연막(8)은 제1전송전극(7-1)을 열적으로 산화시킴으로서 약 200nm두께로 형성된다. 절연막(8)은 제1 및 제2전송전극(7-1,7-2)을 서로 분리시킨다. N형 매입채널(4), 제1전송전극(7-1) 및 제2전송전극(7-2)은 수직 CCD 이동레지스터를 구성한다. 제2전송전극(7-2)은 또한 N형 확산층(2)에 축적된 전하를 독출하고 전송채널(5)을 거쳐 N형 매입채널(4)로 전하를 전송하기 위한 이동전극으로서 작용한다. 알루미늄 등으로 제조된 차광막(10)은 제1 및 제2전송전극(7-1,7-2)상의 층간 절연막(9)을 거쳐 제공된다. 차광막(10)은 광전변환영역[N형 확산층(2)] 위의 부분에만 형성된 개구(11)를 가지며 그곳의 층간 절연막(9)을 노출시킨다.
단위 화소(unit pixel) 부분에서 종래의 고체상태 상 감지장치의 작동은 다음과 같다. 입사광(12)의 광전변환에 의해 발생된 신호 전하는 N형 확산층(2)에 축적되며, 이동전극의 이동 작동에 의해 전송채널(5)을 거쳐 N형 매입채널(4)로 독출한다. 이어서 축적된 신호 전하는 제1 및 제2전송전극(7-1,7-2)에 적용된 이송 펄스에 반응하여 N형 매입채널(4)로 전송된다.
N형 매입채널(4)과 P형 실리콘기판(1)은 PN 접합을 가지므로 이 부분으로 광이 입사하여 광전변환이 일어나서 불필요한 전하를 발생한다. 불필요한 전하가 N형 확산층(2)으로부터 독출된 신호 전하와 혼합되면 정확한 상 신호가 얻어지지 않는다. 이런 현상을 방지하기 위하여, 알루미늄 등으로 제조된 차광막(10)은 제1 및 제2전송전극 위의 층간 절연막(9)을 거쳐 제공된다. 차광막(10)은 광전변환영역[N형 확산층(2)]으로만 광(12)이 입사되는 것을 허용하며 다른 영역으로의 광 입사를 방지한다.
해상도의 향상을 위해 CCD상 센서가 많은 수의 화소를 가지도록 설계되기 때문에 화소당 면적은 작게 되며 입사광을 수용하는 차광막내의 개구영역은 점점 더 작게된다. 감소된 화소 면적으로 인한 감도의 감축을 최소화하기 위해 광의 유효사용이 바람직하다. 알루미늄막이 차광막(10)으로서 사용될 때, 알루미늄막은 광투과율만을 고려해 볼 때 0.2㎛의 두께를 가져야 한다. 그러나 핀홀을 알루미늄막에 용이하게 형성된다. 핀홀을 통한 광투과를 방지하기 위해 알루미늄막은 0.5㎛의 두께를 가져야 한다.
제1 및 제2전송전극(7-1,7-2) 등에 의해 광전변환영역[N형 확산층(2)]의 에지부분에서 단차(step)가 형성된다. 게이트 절연막(6)의 두께를 80㎚로 가정하면, 제1 및 제2전송전극(7-1,7-2)의 두께는 250㎚이며, 전송전극(7-1,7-2)을 서로 분리하는 열적으로 산화된 폴리실리콘막의 절연막(8)의 두께는 200㎚이며 제1도의 A-A라인 부분에서 약 0.5㎛의 단차가 있다. 층간 절연막(9)(예를들어 CVD방법에 의해 형성된 300 내지 600㎚의 폴리실리콘 산화막)의 단차 피복성(coverage)을 고려하면, 0.8㎛의 단차가 있다. 따라서 알루미늄막의 단차 피복성은 나빠지게 되며 알루미늄막의 평탄부는 0.8㎛이상의 두께를 가져야 한다. 차광막(10)이 두꺼워지면 개구(11)의 근처에서 경사 입사광(12a)은 제2도에 도시한 바와 같이 차광막(10)의 에지부분에 의해 반사되어 광의 유효사용을 방해한다. 양호한 스메어(smear) 특성을 얻기 위하여 전송전극의 측벽부분을 완전히 커버하도록 차광막(10)이 형성되면, 다수 화소 구조의 증가로 인해 1㎛이하의 개구를 제공하도록 미세 처리의 필요성 때문에 종횡비(aspect ratio)가 크게 된다.
이는 고정밀도로 개구를 형성하는 것이 매우 곤란하다. 또한, 개구 직경이 전송전극의 측벽부분을 커버하는 차광막의 두께에 의해 결정되기 때문에 이런 제한으로 인해 일정 직경이상의 개구를 형성하기가 곤란하다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 한 방법으로서 고용융점을 갖는 금속막은 양호한 단차 피복성과 핀홀의 형성에 대한 저항으로 인해 통상 사용되었다. 내화성 금속막은 알루미늄막의 약 50%의 반사율을 갖는다. 금속막이 차광막으로 사용될 때 차광막의 단면 및 이면[층간 절연막(9)에 접촉하는 면]에서 광의 반사를 방지하고 스메어(smear)를 감축한다. 그러나 금속막의 광투과율은 알루미늄막 보다 크다. 텅스텐막이 차광막으로 사용될 때 광투과를 방지하기 위해 0.4㎛이상의 두께를 가져야 한다. 그러므로 차광막을 얇게 제조하는데 한계가 있다.
알루미늄막의 단차(step) 피복성을 향상시키는 종래방법은 일본공개특허공보소 63-53949에 개시되어 있다. 이 방법에 따르면, 스퍼터링에 의해 알루미늄막이 형성된 후에 , 575℃ 내지 720℃에서 열처리를 하여 알루미늄막을 용융시켜 단차부에서 알루미늄막을 역류하도록 하는 것이다.
제3도는 상술한 일본공보에 개시된 반도체 장치의 금속배선을 나타내는 단면도이다. SiO2막(102)은 실리콘기판(101)상에 형성된다. 접촉홀(107)은 SiO2막(102)에 형성되며 불순물 확산층(104)은 접촉홀(107)내의 기판(101) 표면상에 형성된다. 그후 알루미늄막(106)은 스퍼터링에 의해 SiO2막(102)의 표면상에 0.3㎛두께로 형성된다. 이러한 구조는 700℃에서 열처리 된다. 제3도는 이러한 상태를 나타낸다. 폴리실리콘막(103)은 돌출 단차부(108)에서 SiO2막(102)에 매립된다. 돌출 단차부(108) 위의 알루미늄막(106)의 두께는 0.1㎛이다. 참조부호 105는 0.2㎛의 두께를 가지는 티탄 질화물막을 나타낸다.
도면으로부터 명백한 바와 같이, 알루미늄막(106)은 돌출 단차부(108)의 쇼울더(109)에서 가장 얇게 된다. 알루미늄막은 약 1㎛의 직경을 가지는 접촉홀(107)에 거의 완전히 매립된다. 접촉홀(107)에서 SiO2막(102)의 두께는 약 1㎛이다.
종래 방법이 고체상태 상 감지장치의 차광막을 형성하는데 사용된다면 알루미늄막은 전송 전극상의 단차부의 쇼울더부분(제2도의 9a부분)에서 얇게 되나 광전변환영역에서 두껍게 된다는 것은 명백하다. 용융 공정 후에 알루미늄막에 핀홀이 거의 존재하지 않으면, 단차에서 알루미늄막은 적어도 0.2㎛의 두께를 가진다. 스퍼터링에 의해 알루미늄막이 얼마나 증착되었는가를 구체적으로 말할 수는 없다. 알루미늄막이 0.3㎛ 같은 두께의 대략 2배가 필요하다고 가정하면 광전변환영역상의 두께는 0.6㎛이상이 되어 용융 공정의 효과는 그렇게 기대할 수는 없다. 알루미늄막은 용융 공정후에 스퍼터링에 의해 재차 증착된다. 이경우에 0.3㎛두께의 알루미늄막이 먼저 증착 및 용융되며, 쇼율더부분(9a)의 두께는 약 0.3 내지 0.4㎛두께의 알루미늄막의 재증착을 필요로 하는 0.1㎛가 된다.
따라서, 광전변환영역상의 알루미늄막의 두께는 0.6 내지 0.7㎛ 이상이 되며 상술한 바와 같은 용융 공정의 동일효과가 기대되지 않는다.
따라서, 본 발명의 목적은 광의 유효 사용을 보장하며 차광막을 형성하는데 높은 작동 정확성을 가지며 미세 개구가 용이하게 형성되는 고체상태 상 감지장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 고체상태 상 감지장치 제조방법은 광전변환영역과 상기 광전변환영역으로부터 전하를 수용 및 전송하기 위해 상기 전송채널로 제공된 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하고, 전송채널의 표면을 커버하는 게이트 절연막상에 다수의 전송전극을 형성하는 단계와, 층간 절연막을 그 구조의 전 표면에 증착하는 단계와, 금속 또는 합금막을 증착하고 금속 또는 합금막을 역류시키기 위해 금속 또는 합금막의 용융점 보다 낮은 온도에서 열처리를 수행하는 단계와, 광전변환영역상의 금속 또는 합금막에 개구를 형성하고, 금속 또는 합금으로 제조된 차광막을 형성하는 단계를 구비한다.
금속막의 증착은 타겟 전극으로서 고순도 알루미늄으로 스퍼터링에 의해 수행되며, 열처리 온도는 550℃ 내지 650℃ 이어야 한다.
금속막이 증착 및 역류된 후에 양호한 단차 피복성을 가지는 내화성 금속막이 또한 형성될 수 있다.
금속막은 금속막보다 낮은 광반사율을 가지는 저 반사율막이 증착된 후에 증착된다.
금속막의 용융점보다 낮은 온도에서 금속막을 역류하도록 열처리가 수행될 때, 형상의 현저한 변화없이 단차 피복성이 향상되며 핀홀 밀도가 감축된다. 그러므로 금속막이 얇게 제조될지라도 충분한 차광이 가능하다.
본 발명에 따르면 스퍼터링에 의해 알루미늄 등의 금속막이 형성된 후에 알루미늄막의 용융점보다 낮은 온도에서 역류가 수행되어 보다 적은 핀홀과 더 균일한 두께를 가지도록 알루미늄막이 형성된다. 이는 얇은 차광막이 광전변환영역 위에 형성되는 것을 허용한다. 그러므로 광의 유효사용을 허용하며 차광막을 형성하는 데 있어서 높은 작동 정확성을 보장하며 감도 변화가 적으며 미세 개구를 가지는 고체상태 상 감지장치를 제공할 수 있다.
[실시예]
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 고체상태 상 감지장치의 단위 화소의 평면도이며, 제5도는 제4도의 A-A 라인을 따른 단면도이다. 제4도에서 차광막(10a)은 도시하지 않았으나 개구(11A)는 2점쇄선으로 도시하였다.
제1실시예와 제1도 및 제2도에 도시한 종래의 고체상태 상 감지장치간의 차이는 제1실시예의 차광막(10a)이 종래의 것보다 얇은 0.2㎛ 내지 0.3㎛의 두께를 가지는 것이다. 비교를 위하여, 제2도의 종래의 차광막(10)은 제5도에서 파선으로 도시하였다.
본 발명의 제1실시예는 더 구체적으로 기술될 것이다. 먼저 제4도 및 제6도에 도시한 바와 같이, N형 확산층(2)(광전변환영역)과 N형 확산층(2)으로부터 전하를 수용 및 전송하기 위한 N형 매입채널(4)(전송채널)이 제공된 P형 실리콘기판(1)이 준비된다. N형 매입채널(4)의 표면을 커버하는 식으로 기판(1)상에 게이트 절연막(6)(80㎚ 두께의 실리콘 산화막)이 형성된다. 제1전송전극(250㎚ 두께의 제1폴리실리콘막)(7-1)과 제2전송전극(250㎚ 두께의 제2폴리실리콘막)(7-2)은 게이트 절연막(6)상에 형성되어 막(6)을 커버하고 다소 서로 중첩된다.
제1전송전극(7-1)상에는 제1전송전극(7-1)을 형성하는 열적으로 산화하는 폴리실리콘에 의해 얻어진 200㎚두께의 절연막(8)이 형성된다.
다음에 300 내지 600㎚의 두께를 가지는 층간 절연막(9)이 CVD 법에 의해 형성되며, 차광막(10a)이 층간 절연막 위에 형성된다. N형 확산층(2) 위의 차광막(10a)에 개구(11a)가 형성된다.
차광막(10a)은 다음 방법으로 형성된다. 먼저 제6도에 도시한 바와 같이 평탄부가 0.2㎛ 내지 0.3㎛의 두께를 가지는 알루미늄막(13a)이 스퍼터링에 의해 층간 절연막(9)상에 형성된다. CVD 방법에 있어서, 중량으로 99.999%의 순도를 가지는 알루미늄은 기판 온도가 250℃, 아르곤 가스가 사용되며 압력이 0.266N/㎡(0.266Pa)인 증착 조건하에서 타겟 전극으로서 사용된다. 스퍼터링에 의해 제조된 알루미늄막이 좋지 않은 단차 피복성을 가지기 때문에 단차부는 가장 얇은 부분에서 0.1 내지 0.15㎛의 두께를 가진다.
다음에 제7도에 도시한 바와 같이 적어도 알루미늄막이 용융되지 않는 550℃ 내지 650℃에서 열처리가 수행되어 알루미늄막(13a)을 역류시켜 단차 피복성을 향상시키게 된다. 알루미늄의 용융점은 660℃이며 그 이하에서 연화로 인한 유동이 진행되며 알루미늄막(13a)의 형상을 향상시킨다. 예를 들어 알루미늄막을 열처리 하는데 적외선 램프가 사용된다면 전체 열처리 시간이 30초 내지 수분까지 단축되기 때문에 바람직하다. 또한 알루미늄 표면의 산화를 방지하기 위해 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 또는 환원 분위기하에서 열처리가 수행되는 것이 바람직하다. 스퍼터링 후에 알루미늄막이 대기중에 노출되면 알루미늄막의 표면상에 자연 산화막이 형성되며 역류의 유동성이 떨어진다. 그러므로 알루미늄막이 스퍼터링에 의해 증착된 후에, 단기간의 저온에서 의도된 형상이 얻어지도록 진공 조건을 깨뜨리는 일없이 동일장치로 알루미늄막이 가열된다. 본 발명자에 의해 수행된 실험에 따르면 대기에 노출됨이 없이 불활성가스 분위기 등에서 적외선 램프로 열처리가 수행될 때 550℃ 내지 600℃, 30 내지 120초로 제7도에 도시한 바와 같이 단차부에서의 형상이 매끈하게 되고 핀홀 밀도가 적은 두께가 거의 균일한 알루미늄막(13b)을 얻을 수 있다.
포토리쏘그라피 방법에 의해 광전변환영역[N형 확산층(2)] 위의 부분에서만 개구(11a)가 형성되어 제5도에 도시한 바와 같이 차광막(10a)을 완성한다.
종래기술의 차광막(10)의 두께는 0.8㎛ 이상이며, 반면에 본 실시예에 있어서 0.2 내지 0.3㎛ 전형적으로 0.25㎛의 두께를 가지도록 차광막(10a)이 형성된다.
즉, 본 실시예는 종래보다 1/3 내지 1/4까지 얇은 차광막을 제조할 수 있다. 개구(11a)의 평면 형상이 종래 개구(11)와 같을지라도 N형 확산층(2)으로부터 볼 때 가능한 광입사각이 넓어져서 광의 유효이용이 가능하며 차광막 형성의 작동 정밀도가 향상된다. 그러므로 각 화소[개구(11a)의 변화]의 감도의 보다 작은 변화를 가지는 고체상태 상 감지장치를 제공하는 것이 가능하다.
본 발명의 제2실시예는 제8도 및 제9도를 참조로 하여 논의될 것이다.
알무니늄막(13b)이 스퍼터링에 의해 층간 절연막(9)의 전체 표면에 증착되며 역류가 수행되며 제 1 실시예와 같이 제8도에 도시한 바와같은 N형 확산층(2) 위의 알루미늄막(13b)에 개구(11b)가 형성된다. 0.1 내지 0.2㎛의 두께를 가지는 텅스텐막(14)이 스퍼터링에 의해 구조의 전체 표면상에 증착된다.
다음, 텅스텐막(14)이 제9도에 도시한 바와 같이 제1 및 제2전송전극(7-1,7-2)상에 잔존하는 식으로 리쏘그라피 방법을 사용하여 이방성 에칭에 의해 텅스텐막(14)이 형성된다. SF6가스를 사용하면 텅스텐이 선택적으로 에칭될 수 있다. 형상화 후의 텅스텐막(14)은 알루미늄막(13b)과 함께 차광막(10b)으로서 제공된다.
상기 실시예에 있어서, 차광막(10b)은 차광막(10b)이 전송전극(7-1)상에 충분히 차광 입사되고 알루미늄막의 두께가 N형 확산층(2)상의 차광을 고려할 때만 설정되도록 전송전극(7-1) 위의 이중층 구조를 가진다. 그러므로 투과율로부터 요구되는 0.2㎛ 만큼 얇은 차광막(10b)을 제조할 수 있다. 텅스텐막(14)은 양호한 단차 피복성과 알루미늄막으로 선택적으로 에칭되는 몰리브덴같은 고용융점을 가지는 금속의 금속막 같은 광흡수 물질로 대체될 수 있다.
본 발명의 제3실시예가 제10도 내지 제12도를 참조로 하여 논의된다.
먼저 층간 절연막(9)의 형성까지의 공정이 제1실시예와 같은 방식으로 수행된 후에 텅스텐 막(15)은 제10도에 도시한 바와 같이 스퍼터링에 의해 0.05㎛ 내지 0.1㎛ 두께로 형성된다. 그후 알루미늄막(13c)은 알루미늄막(13c)의 평탄부가 0.2㎛ 내지 0.3㎛의 두께를 가지는 식으로 스퍼터링에 의해 형성된다.
다음에 알루미늄막(13c)의 역류가 제1실시예에서와 같이 수행되어 제11도와 같이 매끈한 형상을 가지는 알루미늄막(13d)이 얻어지며 그후, 제12도에 도시한 바와 같이 N형 확산층(2) 위의 텅스텐막(15)과 알루미늄막(13d)에 개구(11c)가 형성된다. 알루미늄과 텅스텐막 에칭으로 동일한 마스크가 사용된다.
상기 실시예에 있어서, 알루미늄막(13d) 하부에 제공된 텅스텐막(15)은 알루미늄막에 대해 습윤성을 향상시키며 저온에서의 단기간에 역류를 수행하는 것을 돕는다. 이러한 목적을 제공하는 막으로서 Mo, Ta, Pt, Cu, TiWx (x=2.5 내지 5) 및 TiNy(y는 0.5 내지 1.2) WNz(z는 0.5 내지 1.20)로 제조된 막이 텅스텐막 대신에 사용될 수 있다. 그와같은 막이 알루미늄보다 저저항성을 가지기 때문에, 실리콘기판 표면과 절연막(9) 사이에 광전변환영역[N형 확산층(2)] 위의 차광막 개구로부터 절연막(9)으로 입사되는 광의 다중 반사로 인한 스메어(smear)의 발생을 억제하는 잇점이 있다.
Claims (7)
- 고체상태 상 감지장치 제조방법에 있어서, 광전변환영역과 상기 광전변환영역으로부터 전하를 수용 및 전송하기 위한 전송채널이 제공된 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 전송채널의 표면을 커버하는 게이트 절연막상에 다수의 전송 전극을 형성하는 단계와, 층간 절연막을 그 구조의 전표면에 증착하는 단계와, 금속 또는 합금막을 증착하고 금속 또는 합금막을 역류시키기 위해 상기 금속 또는 합금의 용융점 보다 낮은 온도에서 열처리를 수행하는 단계와, 광전변환영역상의 금속 또는 합금막에 개구를 형성하고, 금속 또는 합금으로 제조된 차광막을 형성하는 단계를 구비하는 고체상태 상 감지장치 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 또는 합금막의 역류 후에 내화성 금속막을 형성하는 단계를 또한 구비하는 고체상태 상 감지장치 제조방법.
- 제1항에 있어서 상기 금속 또는 합금막보다 저광반사율을 가지는 저반사율막이 증착된 후에 상기 금속 또는 합금막이 증착되는 고체상태 상 감지장치 제조방법.
- 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 알루미늄막이 스퍼터링에 의해 상기 금속 또는 합금막으로서 증착되는 고체상태 상 감지장치 제조방법.
- 제2항에 있어서, 알루미늄막이 스퍼터링에 의해 상기 금속 또는 합금막으로서 증착되고, 텅스텐막이 상기 내화성 금속막으로서 형성되는 고체상태 상 감지장치 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 저 반사율막은 내화성 금속막 또는 내화성 금속 화합물막인 것을 특징으로 하는 고체상태 상 감지장치 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 내화성 금속막은 텅스텐막, 몰리브덴막, 탄탈륨막, 백금막 및 구리막의 그룹으로부터 선택된 막이며, 상기 내화성 금속 화합물막은 티타늄-텅스텐막, 티타늄 질화물막 및 텅스텐 질화물막의 그룹으로부터 선택된 막이며, 상기 금속 또는 합금막은 스퍼터링에 의해 증착된 알루미늄막인 고체상태 상 감지장치 제조방법.
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