JPH06260629A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
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- JPH06260629A JPH06260629A JP5043571A JP4357193A JPH06260629A JP H06260629 A JPH06260629 A JP H06260629A JP 5043571 A JP5043571 A JP 5043571A JP 4357193 A JP4357193 A JP 4357193A JP H06260629 A JPH06260629 A JP H06260629A
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- JP
- Japan
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- charge transfer
- transfer electrode
- light
- film
- light shielding
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スミア及び感度のばらつきの少ない固体撮像
素子を提供する。 【構成】 Ｎ型シリコン基板１に、第１Ｐ-層２と電荷
転送部５を設け、電荷転送部５を覆うように電荷転送電
極７と光電変換部９を形成し、タングステンシリサイド
膜１０を堆積してから全面エッチバックを行い、電荷転
送電極７の側面にサイドウォールを設けて第１の遮光膜
１１とし、絶縁膜１２を介して第２の遮光膜１３と第３
の遮光膜１４とを、電荷転送電極７上に設ける構成によ
る。 【効果】 位置合わせずれの影響を受けないため、スミ
ア及び感度のばらつきを低減することができ、さらに
は、解像限界以下の開口部を形成することができる。
素子を提供する。 【構成】 Ｎ型シリコン基板１に、第１Ｐ-層２と電荷
転送部５を設け、電荷転送部５を覆うように電荷転送電
極７と光電変換部９を形成し、タングステンシリサイド
膜１０を堆積してから全面エッチバックを行い、電荷転
送電極７の側面にサイドウォールを設けて第１の遮光膜
１１とし、絶縁膜１２を介して第２の遮光膜１３と第３
の遮光膜１４とを、電荷転送電極７上に設ける構成によ
る。 【効果】 位置合わせずれの影響を受けないため、スミ
ア及び感度のばらつきを低減することができ、さらに
は、解像限界以下の開口部を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子及びその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ビデオカメラの小型化、高解像度
化、高性能化への要求から、固体撮像素子は１／３イン
チと小型化が進められ、さらに性能向上を図るべく高画
素化の開発が行われている。高画素化の開発時に問題と
なる項目の１つとして、スミアの改善がある。スミア
は、固体撮像素子に強い光が照射された場合に、電荷転
送部に光が到達し、そこで電荷が発生するため、画面上
に帯状の撮像欠陥が現れるものである。従来、スミアを
低減する方法として、電荷転送電極を覆うように、第１
の遮光膜を形成してから、フォトリソグラフィー技術と
エッチング技術により、光電変換部上の上記第１の遮光
膜を除去した後、絶縁膜を形成し、第２の遮光膜を形成
していた。
化、高性能化への要求から、固体撮像素子は１／３イン
チと小型化が進められ、さらに性能向上を図るべく高画
素化の開発が行われている。高画素化の開発時に問題と
なる項目の１つとして、スミアの改善がある。スミア
は、固体撮像素子に強い光が照射された場合に、電荷転
送部に光が到達し、そこで電荷が発生するため、画面上
に帯状の撮像欠陥が現れるものである。従来、スミアを
低減する方法として、電荷転送電極を覆うように、第１
の遮光膜を形成してから、フォトリソグラフィー技術と
エッチング技術により、光電変換部上の上記第１の遮光
膜を除去した後、絶縁膜を形成し、第２の遮光膜を形成
していた。
【０００３】以下、従来の固体撮像素子の製造方法につ
いて、図２に基づいて、説明する。
いて、図２に基づいて、説明する。
【０００４】まず、図２（ａ）に示すように、Ｎ型シリ
コン基板２１に、ボロンのイオン注入を行い、熱処理を
してウェルである第１Ｐ-層２２を形成し、フォトリソ
グラフィー技術により所定の形状にパターニングして、
ボロンのイオン注入によりバリア層である第２Ｐ-層２
３と画素分離のためのＰ+層２４、及び、リンあるいは
ヒ素のイオン注入により電荷転送部２５を形成する。
コン基板２１に、ボロンのイオン注入を行い、熱処理を
してウェルである第１Ｐ-層２２を形成し、フォトリソ
グラフィー技術により所定の形状にパターニングして、
ボロンのイオン注入によりバリア層である第２Ｐ-層２
３と画素分離のためのＰ+層２４、及び、リンあるいは
ヒ素のイオン注入により電荷転送部２５を形成する。
【０００５】次に、図２（ｂ）に示すように、ゲート絶
縁膜２６を形成してから、ポリシリコン膜を堆積し、ホ
スフィンやオキシ塩化リンを用いて熱処理を行い、上記
ポリシリコン膜を所望の抵抗率にする。その後、フォト
リソグラフィー技術とエッチング技術により、電荷転送
部２５を覆うようにパターニングして、電荷転送電極２
７を形成し、電荷転送電極２７を覆うように絶縁膜２８
を形成してから、フォトリソグラフィー技術により所定
の形状にパターニングして、リンのイオン注入により、
フォトダイオードである光電変換部２９を形成する。
縁膜２６を形成してから、ポリシリコン膜を堆積し、ホ
スフィンやオキシ塩化リンを用いて熱処理を行い、上記
ポリシリコン膜を所望の抵抗率にする。その後、フォト
リソグラフィー技術とエッチング技術により、電荷転送
部２５を覆うようにパターニングして、電荷転送電極２
７を形成し、電荷転送電極２７を覆うように絶縁膜２８
を形成してから、フォトリソグラフィー技術により所定
の形状にパターニングして、リンのイオン注入により、
フォトダイオードである光電変換部２９を形成する。
【０００６】次に、図２（ｃ）に示すように、第１の遮
光膜材料としてタングステンシリサイド膜３０を堆積
し、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技
術とエッチング技術により、電荷転送電極２７を覆う
（光電変換部２９上を開口する）ように上記タングステ
ンシリサイド膜３０をパターニングして第１の遮光膜３
１を形成する。
光膜材料としてタングステンシリサイド膜３０を堆積
し、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技
術とエッチング技術により、電荷転送電極２７を覆う
（光電変換部２９上を開口する）ように上記タングステ
ンシリサイド膜３０をパターニングして第１の遮光膜３
１を形成する。
【０００７】次に、図２（ｅ）に示すように、全面に、
リフロー性のある絶縁膜３２を堆積し、図２（ｆ）に示
すように、熱処理を行って絶縁膜３２のリフローを行
い、第２の遮光膜材料としてＡｌ−Ｓｉ膜をスパッタ
し、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術によ
り、パターニングして第２の遮光膜３２を形成する。
リフロー性のある絶縁膜３２を堆積し、図２（ｆ）に示
すように、熱処理を行って絶縁膜３２のリフローを行
い、第２の遮光膜材料としてＡｌ−Ｓｉ膜をスパッタ
し、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術によ
り、パターニングして第２の遮光膜３２を形成する。
【０００８】以上の製造方法により、従来の固体撮像素
子は形成されていた。この固体撮像素子において、電荷
転送電極２７の側面は、第１の遮光膜３１に覆われてい
るが、これは不要な光が電荷転送部２５にはいらないよ
うにしてスミアを防止するためである。
子は形成されていた。この固体撮像素子において、電荷
転送電極２７の側面は、第１の遮光膜３１に覆われてい
るが、これは不要な光が電荷転送部２５にはいらないよ
うにしてスミアを防止するためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２（ｆ）
に基づき、第１の遮光膜が電荷転送電極に対し、位置合
わせずれを生じる方向とスミア値の関係を図３に示す。
ここで、第１の遮光膜が、電荷転送電極に対し、＋側に
ずれが生じた場合にはスミア値の変化はあまりないが、
第１の遮光膜が、電荷転送電極に対し、−側にずれが生
じた場合にはスミア値の変化が大きくなる。すなわち、
上記従来の固体撮像素子においては、第１の遮光膜を形
成する時のフォトリソグラフィー技術での位置合わせず
れが、必ず発生するため、電荷転送電極を覆う第１の遮
光膜と電荷転送電極との重なり量が常に異なり、ウェハ
ー面内でスミアのばらつきが大きくなるといった問題点
があった。
に基づき、第１の遮光膜が電荷転送電極に対し、位置合
わせずれを生じる方向とスミア値の関係を図３に示す。
ここで、第１の遮光膜が、電荷転送電極に対し、＋側に
ずれが生じた場合にはスミア値の変化はあまりないが、
第１の遮光膜が、電荷転送電極に対し、−側にずれが生
じた場合にはスミア値の変化が大きくなる。すなわち、
上記従来の固体撮像素子においては、第１の遮光膜を形
成する時のフォトリソグラフィー技術での位置合わせず
れが、必ず発生するため、電荷転送電極を覆う第１の遮
光膜と電荷転送電極との重なり量が常に異なり、ウェハ
ー面内でスミアのばらつきが大きくなるといった問題点
があった。
【００１０】また、上記第１の遮光膜を形成する時のフ
ォトリソグラフィー技術での加工ばらつき、あるいは、
位置合わせばらつきにより、光電変換部の開口面積がば
らつくため、その結果、ウェハー面内で感度のばらつき
が大きくなるといった問題点があった。
ォトリソグラフィー技術での加工ばらつき、あるいは、
位置合わせばらつきにより、光電変換部の開口面積がば
らつくため、その結果、ウェハー面内で感度のばらつき
が大きくなるといった問題点があった。
【００１１】また、光電変換部の開口部の寸法は、上記
第１の遮光膜を形成する時のフォトリソグラフィー技術
での解像限界により決定されており、より微細な固体撮
像素子には不適であるといった問題点があった。
第１の遮光膜を形成する時のフォトリソグラフィー技術
での解像限界により決定されており、より微細な固体撮
像素子には不適であるといった問題点があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するため、半導体基板表面に形成した光電変換部
と、該光電変換部に生じた信号電荷を読み出し転送する
電荷転送電極及び電荷転送部より形成される転送部と、
上記電荷転送部上に設けられた遮光部とを有する固体撮
像素子において、上記電荷転送電極の側面に、遮光材料
からなるサイドウォールを設けることを特徴とする固体
撮像素子によるものである。
解決するため、半導体基板表面に形成した光電変換部
と、該光電変換部に生じた信号電荷を読み出し転送する
電荷転送電極及び電荷転送部より形成される転送部と、
上記電荷転送部上に設けられた遮光部とを有する固体撮
像素子において、上記電荷転送電極の側面に、遮光材料
からなるサイドウォールを設けることを特徴とする固体
撮像素子によるものである。
【００１３】また、本発明は、上記記載の固体撮像素子
において、上記電荷転送電極が導電性遮光材料より形成
されることを特徴とするものである。
において、上記電荷転送電極が導電性遮光材料より形成
されることを特徴とするものである。
【００１４】さらに、本発明は、上記記載の固体撮像素
子において、上記電荷転送電極が下層導電材料及び上層
遮光材料より形成されることを特徴とするものである。
子において、上記電荷転送電極が下層導電材料及び上層
遮光材料より形成されることを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明は上記記載の固体撮像素子の
製造方法において、電荷転送電極を形成する工程と、全
面に遮光材料を堆積する工程と、上記遮光材料をエッチ
バックして上記電荷転送電極の側面に上記遮光材料から
なるサイドウォールを形成する工程とを含むことを特徴
とする、固定撮像素子の製造方法によるものである。
製造方法において、電荷転送電極を形成する工程と、全
面に遮光材料を堆積する工程と、上記遮光材料をエッチ
バックして上記電荷転送電極の側面に上記遮光材料から
なるサイドウォールを形成する工程とを含むことを特徴
とする、固定撮像素子の製造方法によるものである。
【００１６】また、本発明は上記記載の固定撮像素子の
製造方法において、導電材料及び第１の遮光材料を堆積
してから、上記導電材料及び上記第１の遮光材料を所定
の形状に同時にパターニングして、電荷転送電極とする
工程と、全面に第２の遮光材料を堆積する工程と、上記
第２の遮光材料をエッチバックして上記電荷転送電極の
側面に上記第２の遮光材料からなるサイドウォールを形
成する工程とを含むことを特徴とする、固体撮像素子の
製造方法によるものである。
製造方法において、導電材料及び第１の遮光材料を堆積
してから、上記導電材料及び上記第１の遮光材料を所定
の形状に同時にパターニングして、電荷転送電極とする
工程と、全面に第２の遮光材料を堆積する工程と、上記
第２の遮光材料をエッチバックして上記電荷転送電極の
側面に上記第２の遮光材料からなるサイドウォールを形
成する工程とを含むことを特徴とする、固体撮像素子の
製造方法によるものである。
【００１７】
【作用】電荷転送電極の側面に近接して形成された一定
の幅を有するサイドウォールを遮光膜とするため、電荷
転送電極横の遮光膜の寸法が一定となり、光電変換部の
開口面積が一定となるので、ウェハー面内のスミア及び
感度のばらつきを低減することができ、さらには、解像
限界以下の、より微細な光電変換部の開口部を形成する
ことができる。
の幅を有するサイドウォールを遮光膜とするため、電荷
転送電極横の遮光膜の寸法が一定となり、光電変換部の
開口面積が一定となるので、ウェハー面内のスミア及び
感度のばらつきを低減することができ、さらには、解像
限界以下の、より微細な光電変換部の開口部を形成する
ことができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて、
説明する。図１は、実施例を説明するための工程断面図
である。
説明する。図１は、実施例を説明するための工程断面図
である。
【００１９】まず、図１（ａ）に示すように、Ｎ型シリ
コン基板１に、ボロンのイオン注入を行い、熱処理をし
てウェルである第１Ｐ-層２を形成し、フォトリソグラ
フィー技術により所定の形状にパターニングして、ボロ
ンのイオン注入によりバリア層である第２Ｐ-層３と画
素分離のためのＰ+層４、及び、リンあるいはヒ素のイ
オン注入により電荷転送部５を形成する。
コン基板１に、ボロンのイオン注入を行い、熱処理をし
てウェルである第１Ｐ-層２を形成し、フォトリソグラ
フィー技術により所定の形状にパターニングして、ボロ
ンのイオン注入によりバリア層である第２Ｐ-層３と画
素分離のためのＰ+層４、及び、リンあるいはヒ素のイ
オン注入により電荷転送部５を形成する。
【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、熱酸化に
よりゲート絶縁膜６を形成してから、ＣＶＤ法によりポ
リシリコン膜を堆積し、ホスフィンやオキシ塩化リンを
用いて熱処理を行い、上記ポリシリコン膜を所望の抵抗
率にする。その後、フォトリソグラフィー技術とエッチ
ング技術により、電荷転送部５を覆うように、上記ポリ
シリコン膜をパターニングして、電荷転送電極７を形成
し、電荷転送電極７を覆うように、熱酸化、あるいは、
ＣＶＤ法により、絶縁膜８を形成してから、フォトリソ
グラフィー技術により所定の形状にパターニングして、
リンのイオン注入により、フォトダイオードである光電
変換部９を形状する。なお、上記ゲート絶縁膜６として
酸化膜を用いたが、窒化ケイ素膜と酸化膜との複合膜を
用いてもよく、また、上記電荷転送電極７としてポリシ
リコン膜を用いたが、ポリシリコン膜とタングステンシ
リサイド膜との複合膜を用いてもよく、この場合には、
上記電荷転送電極７は、遮光膜の働きもすることにな
る。ここで、電荷転送電極７は、光電変換部９で発生し
た信号電荷を電荷転送部５に転送するゲート電極とし
て、かつ、電荷転送部５の信号電荷を一定方向に転送す
る転送電極として働く。
よりゲート絶縁膜６を形成してから、ＣＶＤ法によりポ
リシリコン膜を堆積し、ホスフィンやオキシ塩化リンを
用いて熱処理を行い、上記ポリシリコン膜を所望の抵抗
率にする。その後、フォトリソグラフィー技術とエッチ
ング技術により、電荷転送部５を覆うように、上記ポリ
シリコン膜をパターニングして、電荷転送電極７を形成
し、電荷転送電極７を覆うように、熱酸化、あるいは、
ＣＶＤ法により、絶縁膜８を形成してから、フォトリソ
グラフィー技術により所定の形状にパターニングして、
リンのイオン注入により、フォトダイオードである光電
変換部９を形状する。なお、上記ゲート絶縁膜６として
酸化膜を用いたが、窒化ケイ素膜と酸化膜との複合膜を
用いてもよく、また、上記電荷転送電極７としてポリシ
リコン膜を用いたが、ポリシリコン膜とタングステンシ
リサイド膜との複合膜を用いてもよく、この場合には、
上記電荷転送電極７は、遮光膜の働きもすることにな
る。ここで、電荷転送電極７は、光電変換部９で発生し
た信号電荷を電荷転送部５に転送するゲート電極とし
て、かつ、電荷転送部５の信号電荷を一定方向に転送す
る転送電極として働く。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、第１の遮
光膜材料としてタングステンシリサイド膜１０をＣＶＤ
法により膜厚０．１５〜０．３μｍで全面に堆積する。
なお、第１の遮光膜材料としてタングステンシリサイド
膜を用いたが、チタンタングステン膜、チタンナイトラ
イド膜、チタン膜、タングステン膜を用いてもよい。
光膜材料としてタングステンシリサイド膜１０をＣＶＤ
法により膜厚０．１５〜０．３μｍで全面に堆積する。
なお、第１の遮光膜材料としてタングステンシリサイド
膜を用いたが、チタンタングステン膜、チタンナイトラ
イド膜、チタン膜、タングステン膜を用いてもよい。
【００２２】次に、図１（ｄ）に示すように、エッチン
グ技術により、全面のエッチバックを行い、光電変換部
９上を開口し、電荷転送電極７の側面に一定の幅を有す
るサイドウォールを形成し、第１の遮光膜１１とする。
グ技術により、全面のエッチバックを行い、光電変換部
９上を開口し、電荷転送電極７の側面に一定の幅を有す
るサイドウォールを形成し、第１の遮光膜１１とする。
【００２３】次に、図１（ｅ）に示すように、全面に、
ＣＶＤ法により絶縁膜１２を堆積する。なお、絶縁膜１
２はリフロー性のある絶縁膜でもよい。
ＣＶＤ法により絶縁膜１２を堆積する。なお、絶縁膜１
２はリフロー性のある絶縁膜でもよい。
【００２４】次に、図１（ｆ）に示すように、第２の遮
光膜材料としてチタンタングステン膜と、第３の遮光膜
材料としてＡｌ−Ｓｉ膜とをスパッタ法により形成し、
フォトリソグラフィー技術とエッチング技術により、上
記チタンタングステン膜とＡｌ−Ｓｉ膜とをパターニン
グして、第２の遮光膜１３と第３の遮光膜１４を形成す
る。なお、第２の遮光膜材料、及び、第３の遮光膜材料
として、上記材料以外にチタン膜、チタンナイトライド
膜を用いてもよい。また、第２の遮光膜１３と第３の遮
光膜１４は、他の配線と共用してもよく、遮光が充分で
あれば、いずれか一方の遮光膜のみを用いてもよい。
光膜材料としてチタンタングステン膜と、第３の遮光膜
材料としてＡｌ−Ｓｉ膜とをスパッタ法により形成し、
フォトリソグラフィー技術とエッチング技術により、上
記チタンタングステン膜とＡｌ−Ｓｉ膜とをパターニン
グして、第２の遮光膜１３と第３の遮光膜１４を形成す
る。なお、第２の遮光膜材料、及び、第３の遮光膜材料
として、上記材料以外にチタン膜、チタンナイトライド
膜を用いてもよい。また、第２の遮光膜１３と第３の遮
光膜１４は、他の配線と共用してもよく、遮光が充分で
あれば、いずれか一方の遮光膜のみを用いてもよい。
【００２５】以上の製造方法により、本実施例での固体
撮像素子は形成される。ここで、第１の遮光膜１１は、
主に、電荷転送電極７の横から入射する光を遮光する働
きをし、第２の遮光膜１３と第３の遮光膜１４は、主
に、電荷転送電極７真上から入射する光を遮光する働き
をする。なお、本実施例では、第２の遮光膜１３と第３
の遮光膜１４とは、第１の遮光膜１１と重なりをもっ
て、かつ、完全に第１の遮光膜を覆わないように形成さ
れているのがよい。この重なり量と、覆わない量とは設
計上の位置合わせマージン以上が望ましい。また、電荷
転送電極７に、タングステンシリサイド膜のように遮光
膜を用いた場合には、必ずしも、第２の遮光膜１３と第
３の遮光膜１４を用いる必要がない。
撮像素子は形成される。ここで、第１の遮光膜１１は、
主に、電荷転送電極７の横から入射する光を遮光する働
きをし、第２の遮光膜１３と第３の遮光膜１４は、主
に、電荷転送電極７真上から入射する光を遮光する働き
をする。なお、本実施例では、第２の遮光膜１３と第３
の遮光膜１４とは、第１の遮光膜１１と重なりをもっ
て、かつ、完全に第１の遮光膜を覆わないように形成さ
れているのがよい。この重なり量と、覆わない量とは設
計上の位置合わせマージン以上が望ましい。また、電荷
転送電極７に、タングステンシリサイド膜のように遮光
膜を用いた場合には、必ずしも、第２の遮光膜１３と第
３の遮光膜１４を用いる必要がない。
【００２６】なお、本発明は、請求の範囲内において種
々の変更が可能であり、上記実施例に限定されない。
々の変更が可能であり、上記実施例に限定されない。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、フォトリソグラフィー技術での位置合わせずれ
の影響を受けずに、電荷転送電極横の遮光膜の寸法が一
定となり、また、光電変換部の開口面積が一定となるの
で、ウェハー面内のスミアのばらつき、及び、感度のば
らつきを低減することができる。
よれば、フォトリソグラフィー技術での位置合わせずれ
の影響を受けずに、電荷転送電極横の遮光膜の寸法が一
定となり、また、光電変換部の開口面積が一定となるの
で、ウェハー面内のスミアのばらつき、及び、感度のば
らつきを低減することができる。
【００２８】さらに、解像限界以下の、より微細な光電
変換部の開口部を形成することができる。
変換部の開口部を形成することができる。
【図１】本発明に係る一実施例での製造工程の断面構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】従来の固体撮像素子の製造工程の断面構造を示
す図である。
す図である。
【図３】従来の固体撮像素子での電荷転送電極と遮光膜
とのずれ方向とスミアの関係を示す図である。
とのずれ方向とスミアの関係を示す図である。
１ Ｎ型シリコン基板 ２ 第１Ｐ-層 ３ 第２Ｐ-層 ４ Ｐ+層 ５ 電荷転送部 ６ ゲート絶縁膜 ７ 電荷転送電極 ８ 絶縁膜 ９ 光電変換部 １０ タングステンシリサイド膜 １１ 第１の遮光膜 １２ 絶縁膜 １３ 第２の遮光膜 １４ 第３の遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｆ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板表面に形成した光電変換部
と、該光電変換部に生じた信号電荷を読み出し転送する
電荷転送電極及び電荷転送部より形成される転送部と、
上記電荷転送部上に設けられた遮光部とを有する固体撮
像素子において、 上記電荷転送電極の側面に、遮光材料からなるサイドウ
ォールを設けることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の固体撮像素子におい
て、 上記電荷転送電極が導電性遮光材料より形成されること
を特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項３】 請求項１に記載の固体撮像素子におい
て、 上記電荷転送電極が下層導電材料及び上層遮光材料より
形成されることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項４】 請求項１に記載の固体撮像素子の製造方
法において、 電荷転送電極を形成する工程と、 全面に遮光材料を堆積する工程と、 上記遮光材料をエッチバックして上記電荷転送電極の側
面に上記遮光材料からなるサイドウォールを形成する工
程とを含むことを特徴とする、固定撮像素子の製造方
法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の固定撮像素子の製造方
法において、 導電材料及び第１の遮光材料を堆積してから、上記導電
材料及び上記第１の遮光材料を所定の形状に同時にパタ
ーニングして、電荷転送電極とする工程と、 全面に第２の遮光材料を堆積する工程と、 上記第２の遮光材料をエッチバックして上記電荷転送電
極の側面に上記第２の遮光材料からなるサイドウォール
を形成する工程とを含むことを特徴とする、固体撮像素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043571A JPH06260629A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043571A JPH06260629A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260629A true JPH06260629A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12667441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5043571A Pending JPH06260629A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498595B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-09-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 액티브층에 근접된 광차단막을 갖는 이미지센서 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP5043571A patent/JPH06260629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498595B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-09-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 액티브층에 근접된 광차단막을 갖는 이미지센서 |
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