JPH04315472A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH04315472A JPH04315472A JP3082593A JP8259391A JPH04315472A JP H04315472 A JPH04315472 A JP H04315472A JP 3082593 A JP3082593 A JP 3082593A JP 8259391 A JP8259391 A JP 8259391A JP H04315472 A JPH04315472 A JP H04315472A
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- light
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- shunt
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- Granted
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばフレームインタ
ーライン（ＦＩＴ）型等の固体撮像素子に関する。
ーライン（ＦＩＴ）型等の固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５〜図７は縦形のＦＩＴ型固体撮像素
子の一例を示す。同図において、１は撮像部、２は蓄積
部、３は出力部即ちＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ部
を示す。撮像部１は画素となる多数の受光素子４をマト
リックス状に配すると共に、受光素子４の各垂直列の１
側に受光素子４の信号電荷を垂直方向に転送するＣＣＤ
構造の垂直シフトレジスタ５を配してなる。蓄積部２は
撮像部１の垂直方向の下側に配され、撮像部１で発生し
た信号電荷を一時記憶するためのもので、撮像部１の各
垂直シフトレジスタ５と１対１で対応する同様にＣＣＤ
構造の複数の垂直シフトレジスタ６を有してなる。
子の一例を示す。同図において、１は撮像部、２は蓄積
部、３は出力部即ちＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ部
を示す。撮像部１は画素となる多数の受光素子４をマト
リックス状に配すると共に、受光素子４の各垂直列の１
側に受光素子４の信号電荷を垂直方向に転送するＣＣＤ
構造の垂直シフトレジスタ５を配してなる。蓄積部２は
撮像部１の垂直方向の下側に配され、撮像部１で発生し
た信号電荷を一時記憶するためのもので、撮像部１の各
垂直シフトレジスタ５と１対１で対応する同様にＣＣＤ
構造の複数の垂直シフトレジスタ６を有してなる。
【０００３】撮像部１の垂直シフトレジスタ５及び蓄積
部２の垂直シフトレジスタ６は、いずれも例えば４相の
駆動パルスφＩＭ１，φＩＭ２，φＩＭ３，φＩＭ４
及びφＳＴ１，φＳＴ２，φＳＴ３，φＳＴ４ で制御
される４相駆動方式を採用しており、図６に示すように
転送電極９〔９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ〕を有する４つの
転送部ＶＲ〔ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３，ＶＲ４ 〕を１
ビットとし、撮像部１の垂直シフトレジスタ５では例え
ば２つの転送部ＶＲ１，ＶＲ２ 、２つの転送部ＶＲ３
，ＶＲ４ が夫々１つの受光素子４に対応するように形
成される。各受光素子４と垂直シフトレジスタ５間には
読み出しゲート部（ＲＯＧ）７が配される。出力部の水
平シフトレジスタ部３は例えば２相の駆動パルスφＨ１
及びφＨ２ で制御される２相駆動方式を採用してい
る。撮像部１の垂直シフトレジスタ５の例えば多結晶シ
リコンよりなる各転送電極９、及び蓄積部２の垂直シフ
トレジスタ６の同様に例えば多結晶シリコンよりなる各
転送電極（図示せず）は、夫々水平方向に各列に共通す
るように形成される。
部２の垂直シフトレジスタ６は、いずれも例えば４相の
駆動パルスφＩＭ１，φＩＭ２，φＩＭ３，φＩＭ４
及びφＳＴ１，φＳＴ２，φＳＴ３，φＳＴ４ で制御
される４相駆動方式を採用しており、図６に示すように
転送電極９〔９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ〕を有する４つの
転送部ＶＲ〔ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３，ＶＲ４ 〕を１
ビットとし、撮像部１の垂直シフトレジスタ５では例え
ば２つの転送部ＶＲ１，ＶＲ２ 、２つの転送部ＶＲ３
，ＶＲ４ が夫々１つの受光素子４に対応するように形
成される。各受光素子４と垂直シフトレジスタ５間には
読み出しゲート部（ＲＯＧ）７が配される。出力部の水
平シフトレジスタ部３は例えば２相の駆動パルスφＨ１
及びφＨ２ で制御される２相駆動方式を採用してい
る。撮像部１の垂直シフトレジスタ５の例えば多結晶シ
リコンよりなる各転送電極９、及び蓄積部２の垂直シフ
トレジスタ６の同様に例えば多結晶シリコンよりなる各
転送電極（図示せず）は、夫々水平方向に各列に共通す
るように形成される。
【０００４】そして、垂直シフトレジスタ５の転送電極
９の低抵抗化を図ると共に、垂直シフトレジスタ５を遮
光するために、各垂直シフトレジスタ５上に沿ってシャ
ント兼遮光用の配線１０が配され、対応する転送電極に
接続される。図６では配線１０を太い実線で示し、配線
１０と転送電極９〔９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ〕とのコン
タクト部分１１を太い点で示している。このコンタクト
部分１１は各配線１０において４つの転送電極９Ａ，９
Ｂ，９Ｃ，９Ｄで互に１転送電極ずつ位置がずれるよう
に設けられている。
９の低抵抗化を図ると共に、垂直シフトレジスタ５を遮
光するために、各垂直シフトレジスタ５上に沿ってシャ
ント兼遮光用の配線１０が配され、対応する転送電極に
接続される。図６では配線１０を太い実線で示し、配線
１０と転送電極９〔９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ〕とのコン
タクト部分１１を太い点で示している。このコンタクト
部分１１は各配線１０において４つの転送電極９Ａ，９
Ｂ，９Ｃ，９Ｄで互に１転送電極ずつ位置がずれるよう
に設けられている。
【０００５】通常、このシャント兼遮光用の配線１０は
Ａｌ配線が用いられる。即ち、図７に示すように、Ｓｉ
Ｏ２ 等のゲート絶縁膜１２を介して多結晶シリコンに
よる転送電極９を形成し、転送電極９の表面にＳｉＯ２
等の絶縁膜１３を形成した後、例えばＰＳＧ（リンシ
リケートガラス）膜等による層間絶縁膜１９を介してシ
ャント兼遮光用のＡｌ配線１０を形成し、所要位置（図
６のコンタクト部分１１）においてＡｌ配線１０と転送
電極９との接続を行っている。尚、１４は例えばｎ形の
半導体基板、１５はｐ形のウエル領域を示す。８は受光
素子４、読み出しゲート部７及び垂直シフトレジスタ５
を取り囲むように形成されたチャネルストップ領域であ
る。
Ａｌ配線が用いられる。即ち、図７に示すように、Ｓｉ
Ｏ２ 等のゲート絶縁膜１２を介して多結晶シリコンに
よる転送電極９を形成し、転送電極９の表面にＳｉＯ２
等の絶縁膜１３を形成した後、例えばＰＳＧ（リンシ
リケートガラス）膜等による層間絶縁膜１９を介してシ
ャント兼遮光用のＡｌ配線１０を形成し、所要位置（図
６のコンタクト部分１１）においてＡｌ配線１０と転送
電極９との接続を行っている。尚、１４は例えばｎ形の
半導体基板、１５はｐ形のウエル領域を示す。８は受光
素子４、読み出しゲート部７及び垂直シフトレジスタ５
を取り囲むように形成されたチャネルストップ領域であ
る。
【０００６】この縦形のＦＩＴ型固体撮像素子１６では
垂直ブランキング期間内において受光素子４の信号電荷
が読み出しゲート部７を通して垂直シフトレジスタ５に
読み出されたのち、垂直シフトレジスタ５内を転送して
蓄積部２に一旦蓄積される。そして、水平ブランキング
期間毎に蓄積部２より１水平ライン毎の信号電荷が水平
シフトレジスタ部３に転送される。水平シフトレジスタ
部３に転送された１水平ラインの信号電荷は水平シフト
レジスタ部３内を水平方向に転送されて出力される。
垂直ブランキング期間内において受光素子４の信号電荷
が読み出しゲート部７を通して垂直シフトレジスタ５に
読み出されたのち、垂直シフトレジスタ５内を転送して
蓄積部２に一旦蓄積される。そして、水平ブランキング
期間毎に蓄積部２より１水平ライン毎の信号電荷が水平
シフトレジスタ部３に転送される。水平シフトレジスタ
部３に転送された１水平ラインの信号電荷は水平シフト
レジスタ部３内を水平方向に転送されて出力される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、超高解像度
のいわゆる高品位用固体撮像素子において、画素数が高
密度化してくると、シャント兼遮光用のＡｌ配線１０の
影響で受光部４の開口率が小さくなる。即ち、このＡｌ
配線１０は、図４、図７に示すようにＡｌ配線１０の端
から入射光１７によって垂直シフトレジスタ５内にスミ
アが発生するを防止するために、一部受光素子４上に跨
るような延長部１０ａが設けられる。この延長部１０ａ
の長さａ０ は、Ａｌ配線延長部１０ａ下の絶縁膜１２
，１９の合計の膜厚をｂ０ とすると、ｂ０ ／ａ０
＝一定となるような値に決められる。
のいわゆる高品位用固体撮像素子において、画素数が高
密度化してくると、シャント兼遮光用のＡｌ配線１０の
影響で受光部４の開口率が小さくなる。即ち、このＡｌ
配線１０は、図４、図７に示すようにＡｌ配線１０の端
から入射光１７によって垂直シフトレジスタ５内にスミ
アが発生するを防止するために、一部受光素子４上に跨
るような延長部１０ａが設けられる。この延長部１０ａ
の長さａ０ は、Ａｌ配線延長部１０ａ下の絶縁膜１２
，１９の合計の膜厚をｂ０ とすると、ｂ０ ／ａ０
＝一定となるような値に決められる。
【０００８】従って、高密度化しても絶縁膜１２，１９
の合計膜厚ｂ０が変わらないので、Ａｌ配線１０の延長
部１０ａの長さａ０ を小さくすることができず、受光
素子４の開口率が小さくなってしまう。ここで、層間絶
縁膜１９としてＰＳＧ膜を用いたときには、ＰＳＧ膜の
被着後、アニール処理するため、耐熱性に劣るＡｌを配
線１０として用いるときは、Ａｌ配線１０をＰＳＧ膜１
９上に形成せざるをえない。
の合計膜厚ｂ０が変わらないので、Ａｌ配線１０の延長
部１０ａの長さａ０ を小さくすることができず、受光
素子４の開口率が小さくなってしまう。ここで、層間絶
縁膜１９としてＰＳＧ膜を用いたときには、ＰＳＧ膜の
被着後、アニール処理するため、耐熱性に劣るＡｌを配
線１０として用いるときは、Ａｌ配線１０をＰＳＧ膜１
９上に形成せざるをえない。
【０００９】また、ＰＳＧ膜１９によって垂直シフトレ
ジスタ５と受光素子４間の段差が大きくなるので、フォ
トリソグラフィー工程において受光素子４に露光焦点を
合わせると垂直シフトレジスタ５の所謂段差上部では焦
点が合わなくなる。その結果、フォトレジスト膜に対す
る露光精度が悪くなり、シャント兼遮光用のＡｌ配線１
０の微細パターニングができず、高密度化したときに受
光素子４間の垂直シフトレジスタ５を十分に遮光できな
くなる懼れも生ずる。
ジスタ５と受光素子４間の段差が大きくなるので、フォ
トリソグラフィー工程において受光素子４に露光焦点を
合わせると垂直シフトレジスタ５の所謂段差上部では焦
点が合わなくなる。その結果、フォトレジスト膜に対す
る露光精度が悪くなり、シャント兼遮光用のＡｌ配線１
０の微細パターニングができず、高密度化したときに受
光素子４間の垂直シフトレジスタ５を十分に遮光できな
くなる懼れも生ずる。
【００１０】また、上記段差による露光精度の悪化でＡ
ｌ配線１０をパターニングすると、垂直方向の受光素子
４間に対応する部分ではＡｌ配線１０が細かくなる傾向
がある。このため、Ａｌ配線１０の幅を均一にするため
に、例えば図８に示すように、予め露光マスク１８のマ
スクパターンを垂直方向に隣り合う受光素子４と受光素
子４との間に対応する部分１８ａを他部の幅ｄ１ より
広い幅ｄ２ とした露光マスクが用いられる。しかし、
受光素子４が高密度化し、受光素子４間の間隔が小さく
なってくると、このような露光マスクを用いると隣り合
うＡｌ配線に対応するマスクパターンが互に接触してし
まうので、上記のように受光素子間で幅を広げるという
対応ができなくなる。このような事情で高品位化してゆ
くと、スミアを防止しながら受光素子の開口率を上げる
ことが困難であった。
ｌ配線１０をパターニングすると、垂直方向の受光素子
４間に対応する部分ではＡｌ配線１０が細かくなる傾向
がある。このため、Ａｌ配線１０の幅を均一にするため
に、例えば図８に示すように、予め露光マスク１８のマ
スクパターンを垂直方向に隣り合う受光素子４と受光素
子４との間に対応する部分１８ａを他部の幅ｄ１ より
広い幅ｄ２ とした露光マスクが用いられる。しかし、
受光素子４が高密度化し、受光素子４間の間隔が小さく
なってくると、このような露光マスクを用いると隣り合
うＡｌ配線に対応するマスクパターンが互に接触してし
まうので、上記のように受光素子間で幅を広げるという
対応ができなくなる。このような事情で高品位化してゆ
くと、スミアを防止しながら受光素子の開口率を上げる
ことが困難であった。
【００１１】本発明は、上述の点に鑑み、受光素子の開
口率を上げると共に、スミア防止も行い、且つシャント
兼遮光用配線のシート抵抗を低減させて高品位用に適す
るようにした固体撮像素子を提供するものである。
口率を上げると共に、スミア防止も行い、且つシャント
兼遮光用配線のシート抵抗を低減させて高品位用に適す
るようにした固体撮像素子を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、マトリックス
状に配置され複数の受光素子４と、この受光素子４の各
列に対応して設けられたシフトレジスタ５からなる撮像
部１を備え、各シフトレジスタ５上にこのシフトレジス
タ５の転送電極９に接続されるシャント兼遮光用の配線
２１が形成されてなる固体撮像素子において、シャント
兼遮光用の配線２１を高融点金属層２３とその上の低融
点金属層２４の２層構造で形成する。
状に配置され複数の受光素子４と、この受光素子４の各
列に対応して設けられたシフトレジスタ５からなる撮像
部１を備え、各シフトレジスタ５上にこのシフトレジス
タ５の転送電極９に接続されるシャント兼遮光用の配線
２１が形成されてなる固体撮像素子において、シャント
兼遮光用の配線２１を高融点金属層２３とその上の低融
点金属層２４の２層構造で形成する。
【００１３】
【作用】本発明においては、シャント兼遮光用の配線２
１を高融点金属層２３とその上の低融点金属層２４の２
層構造で形成することにより、高融点金属層２３下の絶
縁膜を薄く（膜厚ｄ１）形成することが可能となる。即
ち、高融点金属層２３は耐熱性に優れるために高融点金
属層２３を形成した上にＰＳＧ膜のようなアニール処理
される層間絶縁膜１９を形成することが可能となり、こ
のため高融点金属層２３下は薄いゲート絶縁膜１２でよ
いことになる。このため、シャント兼遮光用の配線２１
の受光素子４上へ跨る延長部２３ａの長さａ１を小さく
することができ、受光素子４の開口率が上がると共に、
スミア防止が可能となる。また２層構造であるので、シ
ャント配線２１としてのシート抵抗も十分に低減できる
。
１を高融点金属層２３とその上の低融点金属層２４の２
層構造で形成することにより、高融点金属層２３下の絶
縁膜を薄く（膜厚ｄ１）形成することが可能となる。即
ち、高融点金属層２３は耐熱性に優れるために高融点金
属層２３を形成した上にＰＳＧ膜のようなアニール処理
される層間絶縁膜１９を形成することが可能となり、こ
のため高融点金属層２３下は薄いゲート絶縁膜１２でよ
いことになる。このため、シャント兼遮光用の配線２１
の受光素子４上へ跨る延長部２３ａの長さａ１を小さく
することができ、受光素子４の開口率が上がると共に、
スミア防止が可能となる。また２層構造であるので、シ
ャント配線２１としてのシート抵抗も十分に低減できる
。
【００１４】
【実施例】以下、図１〜図３を参照して本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】本例は、図５の縦形のＦＩＴ型の固体撮像
素子に適用した場合であり、図１はその撮像部１の要部
の平面図、図２はそのＡ−Ａ線上の断面を示す。図１及
び図２において、前述の図７及び図６と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略するも、太い実線２
１は本発明に係るシャント兼遮光用の配線を示す。この
配線２１は各垂直シフトレジスタ５上に沿って配され、
対応する転送電極９〔９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ〕に接続
をされる。配線２１と転送電極９とのコンタクト部分２
２は太い点で示しており、本例では４つの転送電極９Ａ
，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄで互に１転送電極ずつ位置がずれる
ように設けられる。
素子に適用した場合であり、図１はその撮像部１の要部
の平面図、図２はそのＡ−Ａ線上の断面を示す。図１及
び図２において、前述の図７及び図６と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略するも、太い実線２
１は本発明に係るシャント兼遮光用の配線を示す。この
配線２１は各垂直シフトレジスタ５上に沿って配され、
対応する転送電極９〔９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ〕に接続
をされる。配線２１と転送電極９とのコンタクト部分２
２は太い点で示しており、本例では４つの転送電極９Ａ
，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄで互に１転送電極ずつ位置がずれる
ように設けられる。
【００１６】しかして、本例では図２に示すように各垂
直シフトレジスタ５上に一部両側の受光素子４に跨るよ
うに例えばＴｉ，Ｍｏ，Ｗ等の高融点金属、又はそのシ
リサイド、又はこれらの組合せによる高融点金属層２３
と、例えばＡｌ等の低融点金属層２４の２層構造からな
るシャント兼遮光用の配線２１を形成する。即ち、半導
体領域上にＳｉＯ２ 膜等のゲート絶縁膜１２を介して
例えば多結晶シリコンからなる転送電極９を形成し、こ
の転送電極９の表面を例えば熱酸化してＳｉＯ２ によ
る絶縁膜１３を形成した後、受光素子４上にも薄いゲー
ト絶縁膜１２が形成された状態で、垂直シフトレジスタ
５に沿うように転送電極９及び一部両側の受光素子４に
跨るように、上記薄い絶縁膜１３，１２上に高融点金属
層２３を形成し、さらにこの上に層間絶縁層例えばＰＳ
Ｇ膜１９を介して転送電極９に対応する領域に沿って低
融点金属例えばＡｌ層２４を形成し、この高融点金属２
３とＡｌ層２４の２層構造からなるシャント兼遮光用の
配線２１を形成する。
直シフトレジスタ５上に一部両側の受光素子４に跨るよ
うに例えばＴｉ，Ｍｏ，Ｗ等の高融点金属、又はそのシ
リサイド、又はこれらの組合せによる高融点金属層２３
と、例えばＡｌ等の低融点金属層２４の２層構造からな
るシャント兼遮光用の配線２１を形成する。即ち、半導
体領域上にＳｉＯ２ 膜等のゲート絶縁膜１２を介して
例えば多結晶シリコンからなる転送電極９を形成し、こ
の転送電極９の表面を例えば熱酸化してＳｉＯ２ によ
る絶縁膜１３を形成した後、受光素子４上にも薄いゲー
ト絶縁膜１２が形成された状態で、垂直シフトレジスタ
５に沿うように転送電極９及び一部両側の受光素子４に
跨るように、上記薄い絶縁膜１３，１２上に高融点金属
層２３を形成し、さらにこの上に層間絶縁層例えばＰＳ
Ｇ膜１９を介して転送電極９に対応する領域に沿って低
融点金属例えばＡｌ層２４を形成し、この高融点金属２
３とＡｌ層２４の２層構造からなるシャント兼遮光用の
配線２１を形成する。
【００１７】高融点金属層２３と転送電極９とは図１の
太い点２２の位置で互に接続し、また、高融点金属層２
３とＡｌ層２４とは適当な位置でＰＳＧ膜１９の開口２
５を通じて接続する。
太い点２２の位置で互に接続し、また、高融点金属層２
３とＡｌ層２４とは適当な位置でＰＳＧ膜１９の開口２
５を通じて接続する。
【００１８】上述の構成によれば、シャント兼遮光用の
配線２１を高融点金属層２３とＡｌ層２４との２層構造
で形成し、そのうち、ＰＳＧ膜１９のアニール温度に十
分に耐えることができる高融点金属層２３を膜厚ｂ１
の薄い絶縁膜１３，１２上に直接形成して構成したこと
により、高融点金属層２３の受光素子４上に跨る延長部
２３ａの長さａ１ を小さくすることができる。
配線２１を高融点金属層２３とＡｌ層２４との２層構造
で形成し、そのうち、ＰＳＧ膜１９のアニール温度に十
分に耐えることができる高融点金属層２３を膜厚ｂ１
の薄い絶縁膜１３，１２上に直接形成して構成したこと
により、高融点金属層２３の受光素子４上に跨る延長部
２３ａの長さａ１ を小さくすることができる。
【００１９】即ち、前述したようにスミア防止のために
、シャント兼遮光用の配線の受光素子上への延長部の長
さａはその下の絶縁膜の膜厚ｂとの関係で決まる。本構
成では図３で示すように高融点金属層２３の延長部２３
ａ下の絶縁膜１２が膜厚ｂ１ （＜ｂ０）と薄いために
、従来の図４でのスミア防止に必要な入射光１７の反射
回転を同じにすると、延長部２３ａの長さはａ１（＜ａ
０）と小さくすることができる。従って、スミア防止を
果たしつつシャント兼遮光用の配線２１間の受光素子４
の開口率を上げることができる。
、シャント兼遮光用の配線の受光素子上への延長部の長
さａはその下の絶縁膜の膜厚ｂとの関係で決まる。本構
成では図３で示すように高融点金属層２３の延長部２３
ａ下の絶縁膜１２が膜厚ｂ１ （＜ｂ０）と薄いために
、従来の図４でのスミア防止に必要な入射光１７の反射
回転を同じにすると、延長部２３ａの長さはａ１（＜ａ
０）と小さくすることができる。従って、スミア防止を
果たしつつシャント兼遮光用の配線２１間の受光素子４
の開口率を上げることができる。
【００２０】また、高融点金属層２３をパターニングす
るに際して垂直シフトレジスタ５と受光素子４との段差
が小さくなるので、露光精度が上がると共に、高融点金
属層自体はＡｌより微細加工性がよいために精度よく微
細なパターニングができる。その結果、露光マスクパタ
ーンとして予め垂直方向の受光素子間で幅広とすること
も可能となり、高密度化したときにも垂直シフトレジス
タを十分遮光することができる。また上記段差が小さい
ことからその後の加工性もよくなる。
るに際して垂直シフトレジスタ５と受光素子４との段差
が小さくなるので、露光精度が上がると共に、高融点金
属層自体はＡｌより微細加工性がよいために精度よく微
細なパターニングができる。その結果、露光マスクパタ
ーンとして予め垂直方向の受光素子間で幅広とすること
も可能となり、高密度化したときにも垂直シフトレジス
タを十分遮光することができる。また上記段差が小さい
ことからその後の加工性もよくなる。
【００２１】そして、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ等の高融点金属層
２３はＡｌよりも緻密であるので、Ａｌ層よりも薄くし
てもＡｌと同等の遮光効果が得られる。転送電極９の端
の部分では高融点金属層２３のみで十分遮光することが
できる。これは、チャネルストップ領域８又は読み出し
ゲート部７があるので、垂直シフトレジスタ５への光の
進入防止は高融点金属層２３で十分行える。垂直シフト
レジスタ５の直上からの光に対しては、高融点金属層２
３の遮光能力は不足する懼れがあるも、本例では垂直シ
フトレジスタ５の直上が高融点金属層２３とＡｌ層２４
の２層構造の配線２１となっているので十分に遮光する
ことができる。
２３はＡｌよりも緻密であるので、Ａｌ層よりも薄くし
てもＡｌと同等の遮光効果が得られる。転送電極９の端
の部分では高融点金属層２３のみで十分遮光することが
できる。これは、チャネルストップ領域８又は読み出し
ゲート部７があるので、垂直シフトレジスタ５への光の
進入防止は高融点金属層２３で十分行える。垂直シフト
レジスタ５の直上からの光に対しては、高融点金属層２
３の遮光能力は不足する懼れがあるも、本例では垂直シ
フトレジスタ５の直上が高融点金属層２３とＡｌ層２４
の２層構造の配線２１となっているので十分に遮光する
ことができる。
【００２２】さらに、高融点金属層２３上にＡｌ層２４
が形成されるので、シャント配線としてのシート抵抗を
十分低くすることができる。
が形成されるので、シャント配線としてのシート抵抗を
十分低くすることができる。
【００２３】尚、上例においては、２層構造のシャント
兼遮光用の配線２１を撮像部１に適用したが、勿論、蓄
積部２でも同様のシャント兼遮光用の配線２１を用いる
。また、上例では縦形のＦＩＴ型固体撮像素子に適用し
たが、撮像部１の水平方向の横側に蓄積部２を配した所
謂横形のＦＩＴ型固体撮像素子に本発明に係る２層構造
のシャント兼遮光用の配線２１を適用することもできる
。さらに、ＦＩＴ型に限らず、他のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子にも本発明に係る２層構造のシャント
兼遮光用の配線２１を適用することもできる。
兼遮光用の配線２１を撮像部１に適用したが、勿論、蓄
積部２でも同様のシャント兼遮光用の配線２１を用いる
。また、上例では縦形のＦＩＴ型固体撮像素子に適用し
たが、撮像部１の水平方向の横側に蓄積部２を配した所
謂横形のＦＩＴ型固体撮像素子に本発明に係る２層構造
のシャント兼遮光用の配線２１を適用することもできる
。さらに、ＦＩＴ型に限らず、他のインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子にも本発明に係る２層構造のシャント
兼遮光用の配線２１を適用することもできる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、シャント兼遮光用の配
線を高融点金属層と低融点金属層の２層構造とすること
により、受光素子の開口率を上げると共に、スミアを防
止することができる。またシャント配線としてのシート
抵抗も十分に低くすることができる。従って、高品位（
超高解像度）用の固体撮像素子の実用化を促進すること
ができる。
線を高融点金属層と低融点金属層の２層構造とすること
により、受光素子の開口率を上げると共に、スミアを防
止することができる。またシャント配線としてのシート
抵抗も十分に低くすることができる。従って、高品位（
超高解像度）用の固体撮像素子の実用化を促進すること
ができる。
【図１】本発明の固体撮像素子の一例を示す要部の平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図３】本発明の説明に供する要部の断面図である。
【図４】従来の説明に供する要部の断面図である。
【図５】従来の縦形のＦＩＴ型固体撮像素子の構成図で
ある。
ある。
【図６】図５の要部の平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線上の断面図である。
【図８】露光マスクパターンの説明図である。
１ 撮像部
２ 蓄積部
３ 水平シフトレジスタ部
４ 受光部
５ 垂直シフトレジスタ
９ 転送電極
１２ ゲート絶縁膜
１９ ＰＳＧ膜
２１ シャント兼遮光用の配線
２３ 高融点金属層
２４ Ａｌ層
Claims (1)
- 【請求項１】 マトリックス状に配置された複数の受
光素子と、該受光素子の各列に対応して設けられたシフ
トレジスタからなる撮像部を備え、上記各シフトレジス
タ上に該シフトレジスタの転送電極に接続されるシャン
ト兼遮光用の配線が形成されてなる固体撮像素子におい
て、上記シャント兼遮光用の配線が高融点金属層とその
上の低融点金属層の２層構造で形成されて成る固体撮像
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03082593A JP3134332B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03082593A JP3134332B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 固体撮像素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000301973A Division JP2001148476A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315472A true JPH04315472A (ja) | 1992-11-06 |
| JP3134332B2 JP3134332B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=13778787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03082593A Expired - Fee Related JP3134332B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134332B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687017A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid state image sensing device |
| CN103037174A (zh) * | 2011-10-07 | 2013-04-10 | 索尼公司 | 固态成像装置和其制造方法以及成像单元 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP03082593A patent/JP3134332B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687017A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid state image sensing device |
| CN103037174A (zh) * | 2011-10-07 | 2013-04-10 | 索尼公司 | 固态成像装置和其制造方法以及成像单元 |
| JP2013084713A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに撮像ユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3134332B2 (ja) | 2001-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |