JP3255116B2

JP3255116B2 - 固体撮像素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP3255116B2
Application number: JP20466798A
Authority: JP
Inventors: 智弘小川
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-07-21
Filing date: 1998-07-21
Publication date: 2002-02-12
Anticipated expiration: 2018-07-21
Also published as: JP2000036590A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として微細で高
感度なＣＣＤ型等の固体撮像素子及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の固体撮像素子としては、
例えば図１１（ａ）〜（ｄ）に示されるような構成のも
のが挙げられる。但し、同図（ａ）は固体撮像素子の局
部平面図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−
Ａ´方向における側面断面図に関するもの，同図（ｃ）
は同図（ａ）のＢ−Ｂ´方向における側面断面図に関す
るもの，同図（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ´方向におけ
る側面断面図に関するものである。

【０００３】この固体撮像素子では、ゲート絶縁膜８上
に電荷転送電極９及びこれとは材質が異なる別の電荷転
送電極１０が並設され、これらの電荷転送電極９及び別
の電荷転送電極１０の表面を覆うようにゲート絶縁膜８
上に絶縁膜１１が形成され、電荷転送電極９及び別の電
荷転送電極１０を覆った絶縁膜１１の周囲が遮光膜１５
で覆われた構成となっている。

【０００４】図１２は、ここでの固体撮像素子の製造工
程を図１１（ａ）のＤ−Ｄ´方向（上下フォトダイオー
ドに挟まれた部分）における側面断面図により工程順に
示したもので、同図（ａ）は初期工程に関するもの，同
図（ｂ）は中期工程に関するもの，同図（ｃ）は後期工
程に関するものである。

【０００５】先ず初期工程では図１２（ａ）に示される
ように、ゲート絶縁膜８上に電荷転送電極９及び別の電
荷転送電極１０を並設した後、これらの電荷転送電極９
及び別の電荷転送電極１０の表面を覆うようにゲート絶
縁膜８上に絶縁膜１１を形成する。

【０００６】次に、中期工程では図１２（ｂ）に示され
るように、電荷転送電極９及び別の電荷転送電極１０を
覆った絶縁膜１１の周囲が含まれるようにアルミニウム
又はタングステン等の金属による遮光膜１５でゲート絶
縁膜８上を覆う。

【０００７】更に、後期工程では図１２（ｃ）に示され
るように、フォトレジストをマスクにパターニングを行
って遮光膜１５の余分な箇所を除去する。このようにし
て、電荷転送電極９及び別の電荷転送電極１０を覆った
絶縁膜１１上に遮光膜１５を設けた構成の固体撮像素子
が得られるが、遮光膜１５は製造時に電荷転送電極９及
び別の電荷転送電極１０の間の絶縁膜１１が隣接する箇
所で幾分段差が生じるようになっている。

【０００８】因みに、このような固体撮像素子並びにそ
の製造に関連する周知技術としては、例えば特開平３−
１６１９７３号公報に開示された固体撮像装置，特開平
８−１２５１６６号公報に開示された固体撮像装置およ
びその製造方法，特開平９−９２８１３号公報に開示さ
れた固体撮像素子とその製造方法，特開平９−２７０５
０６号公報に開示された固体撮像素子およびその製造方
法等が挙げられる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した固体撮像素子
の場合、電荷転送電極及び別の電荷転送電極を覆った絶
縁膜上に別途に遮光膜を設けた構成であり、電荷転送電
極及び別の電荷転送電極の間の絶縁膜が隣接する箇所に
形成される遮光膜の段差が大きくなってしまうため、高
速化，低消費電力化，高集積化といった特性・性能の向
上や小型化・軽量化を計り難いという問題がある。

【００１０】又、こうした構成では製造時の工程数が多
くなるため、歩留まりが悪くなって生産性が向上せず、
結果としてコスト高を招くばかりで製品の信頼性が向上
しないという問題もある。

【００１１】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、特性・性能及び生
産性の向上が計られ、低コストで簡易に製造可能な小型
化・軽量化された固体撮像素子及びその製造方法を提供
することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板の表面近傍に局部的に設けられた光電変換領域及び
電荷転送領域を有する電荷結合素子を含む固体撮像素子
において、光電変換領域及び電荷転送領域を覆って半導
体基板の表面上に設けられた絶縁体から成るゲート絶縁
膜と、ゲート絶縁膜上における電荷転送領域の真上部分
を含む領域に設けられると共に、遮光性を有する複数の
第１の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電荷転送電極
とは材質が異なる第２の電荷転送電極が設けられて成る
電極多層構造による電荷転送多層電極と、ゲート絶縁膜
上で少なくとも複数の第１の電荷転送電極及び第２の電
荷転送電極における隣接するもの同士の間を含む電極周
囲に自己整合的に設けられた遮光性物質とを有する固体
撮像素子が得られる。

【００１３】又、本発明によれば、上記固体撮像素子に
おいて、複数の第１の電荷転送電極及び第２の電荷転送
電極の側面と遮光性物質との間には、該第２の電荷転送
電極の表面を覆ってゲート絶縁膜上に連続的に形成され
るように絶縁膜が設けられた固体撮像素子が得られる。

【００１４】更に、本発明によれば、上記固体撮像素子
において、遮光性物質は、絶縁膜における隣接するもの
同士の間に形成された溝部を埋設して成る第１の部分
と、第１の部分及び絶縁膜における溝部と反対側の複数
の第１の電荷転送電極及び第２の電荷転送電極の側壁近
傍箇所のものに設けられた部分を含む第２の部分との何
れかに設けられた固体撮像素子が得られる。これらの固
体撮像素子において、第２の電荷転送電極及び絶縁膜に
おける側壁部分の断面は、曲線で形成されたことや、或
いは遮光性物質は、少なくとも複数の第１の電荷転送電
極及び第２の電荷転送電極の隣接するもの同士の間の側
面に初期的に形成された第１の部分の表面上に絶縁膜の
表面上を含むように選択的に第２の部分が残部として付
加形成されて成ることは好ましい。

【００１５】加えて、本発明によれば、上記何れか一つ
の固体撮像素子において、絶縁膜における第２の電荷転
送電極上の所定箇所にはコンタクト開口部が設けられ、
絶縁膜上にはコンタクト開口部において第２の電荷転送
電極を介して複数の第１の電荷転送電極と電気的に接続
されると共に、遮光性物質と同様な材質による２本以上
の配線が配備された固体撮像素子が得られる。

【００１６】一方、本発明によれば、半導体基板の第１
導電型領域の表面近傍に局部的に第２導電型の光電変換
領域及び電荷転送領域を形成して電荷結合素子を得る素
子形成工程と、光電変換領域及び電荷転送領域を覆って
半導体基板の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜を形
成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜上におけ
る電荷転送領域の真上部分を含む領域に遮光性を有する
複数の第１の電荷転送電極を形成してから該複数の第１
の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電荷転送電極とは
材質が異なる第２の電荷転送電極を形成して電極多層構
造による電荷転送多層電極を形成する電荷転送多層電極
形成工程と、ゲート絶縁膜上で少なくとも複数の第１の
電荷転送電極及び第２の電荷転送電極における隣接する
もの同士の間を含む電極周囲に自己整合的に遮光性物質
を埋設する遮光性物質形成工程とを有する固体撮像素子
の製造方法が得られる。

【００１７】他方、本発明によれば、半導体基板の第１
導電型領域の表面近傍に局部的に第２導電型の光電変換
領域及び電荷転送領域を形成して電荷結合素子を得る素
子形成工程と、光電変換領域及び電荷転送領域を覆って
半導体基板の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜を形
成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜上におけ
る電荷転送領域の真上部分を含む領域に遮光性を有する
複数の第１の電荷転送電極を形成してから該複数の第１
の電荷転送電極上に該第１の電荷転送電極とは材質が異
なる第２の電荷転送電極を形成して電極多層構造による
電荷転送多層電極を形成する電荷転送多層電極形成工程
と、複数の第１の電荷転送電極及び第２の電荷転送電極
を絶縁膜で覆う絶縁膜形成工程と、絶縁膜における少な
くとも隣接するもの同士の間を含む電極周囲に遮光性物
質を埋設する遮光性物質形成工程とを有する固体撮像素
子の製造方法が得られる。この固体撮像素子の製造方法
において、絶縁膜形成工程では、絶縁膜を第２の電荷転
送電極の表面を覆ってゲート絶縁膜上に連続的に形成す
ることは好ましい。

【００１８】又、これらの何れかの固体撮像素子の製造
方法において、電荷転送多層電極形成工程では、電極多
層構造を形成するための複数の第１の電荷転送電極及び
第２の電荷転送電極のパターニングに際してエッチング
条件のサイドエッチ性を途中で切り替えることによって
該複数の第１の電荷転送電極及び該第２の電荷転送電極
の隣接するもの同士の間に形成される溝部表面に部分的
に凹凸を形成して該溝部の断面を曲線にすること、或い
は電荷転送多層電極形成工程では、電極多層構造を形成
するために複数の第１の電荷転送電極及び第２の電荷転
送電極を異なる形状にして該複数の第１の電荷転送電極
及び該第２の電荷転送電極の隣接するもの同士の間に溝
部を形成する溝部形成工程と、複数の第１の電荷転送電
極及び第２の電荷転送電極のうちの少なくとも一方をサ
イドエッチングして溝部表面に部分的に凹凸を形成して
該溝部の断面を曲線にする溝部エッチング工程とを実行
することは好ましい。

【００１９】更に、これらの何れか一つの固体撮像素子
の製造方法において、遮光性物質形成工程では、遮光性
物質を少なくとも複数の第１の電荷転送電極及び第２の
電荷転送電極の隣接するもの同士の間の側面に初期的に
第１の部分を形成してから該第１の部分の表面上に絶縁
膜の表面上を含むように選択的に第２の部分を残部とし
て付加形成すること、或いは遮光性物質形成工程では、
絶縁膜における第２の電荷転送電極上の所定箇所にコン
タクト開口部を設けてから該絶縁膜上に該コンタクト開
口部において該第２の電荷転送電極を介して複数の第１
の電荷転送電極と電気的に接続されるように遮光性物質
と同様な材質による配線を配備することは好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に幾つかの実施例を挙げ、本
発明の固体撮像素子及びその製造方法について、図面を
参照して詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明の実施例１に係る固体撮像
素子の基本構成を示したもので、同図（ａ）はその局部
平面図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
´方向における側面断面図に関するもの，同図（ｃ）は
同図（ａ）のＢ−Ｂ´方向における側面断面図に関する
もの，同図（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ´方向における
側面断面図に関するもの，同図（ｅ）は同図（ａ）のＤ
−Ｄ´方向における側面断面図に関するものである。

【００２２】この固体撮像素子は、半導体基板であるシ
リコン基板１における第１導電型（ｐ型）のｐ^-領域２
表面近傍に局部的に設けられた第２導電型（ｎ型）の光
電変換領域４及び電荷転送領域６を有する電荷結合素子
を含むもので、光電変換領域４及び電荷転送領域６を覆
ってシリコン基板１の表面上に設けられた絶縁体から成
るゲート絶縁膜８と、ゲート絶縁膜８上における電荷転
送領域６の真上部分を含む領域に設けられると共に、遮
光性を有する複数の第１の電荷転送電極９上にそれぞれ
第１の電荷転送電極９とは材質が異なる金属膜１０によ
る第２の電荷転送電極が設けられて成る電極多層構造に
よる電荷転送多層電極と、ゲート絶縁膜８上で電荷転送
電極９，金属膜１０における隣接するもの同士の間を含
む電極周囲に設けられた遮光性物質１２とを有してい
る。尚、電荷結合素子においては、電荷転送領域６直下
にｐ型領域５が形成され、光電変換領域４直上にｐ⁺ 領
域７が形成され、ｐ型領域５及び電荷転送領域６と光電
変換領域４及びｐ⁺ 領域７との間にｐ⁺ 素子分離領域３
が形成されている。

【００２３】この固体撮像素子では、入射光ｈνが入射
されると光電変換領域４で電荷を発生し、この電荷が電
荷転送電極９に正の電圧を印加することによって電荷転
送領域６に移され、更に各電荷転送電極９の印加電圧を
変化させて電荷転送を行うように動作する。

【００２４】このような固体撮像素子を製造する場合、
シリコン基板１の第１導電型（ｐ型）領域の表面近傍に
局部的に第２導電型（ｎ型）の光電変換領域４及び電荷
転送領域６を形成して電荷結合素子を得る素子形成工程
と、光電変換領域４及び電荷転送領域６を覆ってシリコ
ン基板１の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜８を形
成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜８上にお
ける電荷転送領域６の真上部分を含む領域に遮光性を有
する複数の第１の電荷転送電極９を形成してからこれら
の電荷転送電極９上にそれぞれ電荷転送電極９とは材質
が異なる金属膜１０による第２の電荷転送電極を形成し
て電極多層構造による電荷転送多層電極を形成する電荷
転送多層電極形成工程と、ゲート絶縁膜８上で少なくと
も第１の電荷転送電極９及び金属膜１０における隣接す
るもの同士の間を含む電極周囲に遮光性物質１２を埋設
する遮光性物質形成工程とを実行すれば良い。

【００２５】具体的に言えば、素子形成工程により形成
される電荷結合素子におけるシリコン基板１内の下地拡
散領域を製造する場合、ｎ型のシリコン基板１の表面に
ボロン等のｐ型不純物を導入させてｐ^-領域２を形成し
た後、引き続いてｎ型の光電変換領域４，ｐ⁺ 素子分離
領域３，ｎ型の電荷転送領域６，ｐ型領域５，及びｐ⁺
領域７を順次形成する。各領域の形成に際してはフォト
レジストをマスクにしたイオン注入法，気体拡散，固体
拡散等を適宜組み合わせて行えば良いもので、公知技術
に従って適宜選択すれば良い。尚、ここで説明したもの
以外にも各社や研究機関から開示されている多種多様の
固体撮像素子に関する下地拡散領域構造があり、こうし
たタイプの下地拡散領域構造のものにおいても後述する
実施例１の構成は適用できる。

【００２６】次に、ゲート絶縁膜形成工程では、光電変
換領域４及び電荷転送領域６を覆ってシリコン基板１の
表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜８を形成するが、
ここでのゲート絶縁膜８は絶縁体として酸化シリコン又
は窒化シリコン等の単層又は多層のもの用いて熱酸化
法，化学的気層成長法（ＣＶＤ法）等により形成すれば
良い。

【００２７】更に、電荷転送多層電極形成工程では、先
ずゲート絶縁膜８上における電荷転送領域６の真上部分
を含む領域に遮光性を有する複数の電荷転送電極９を形
成するが、この電荷転送電極９は例えば多結晶シリコ
ン，シリコンの金属シリサイド，金属膜等の単層又は単
層のものを複数組み合わせた多層のものを用いれば良
い。この電荷転送電極９は遮光性が低いと光が電荷転送
電極９を通過して電荷転送領域６に漏れ込んでスミヤを
発生させるので、固体撮像素子に要求されるスミヤ性能
を満たすだけの遮光性能を有することが必要となる。

【００２８】又、電荷転送多層電極形成工程では、電荷
転送電極９上に電荷転送電極９とは材質の異なる金属膜
１０を形成するが、例えば電荷転送電極９には厚さ１０
０〜５００ｎｍの多結晶ポリシリコン膜を用い、金属膜
１０には厚さ１００〜５００ｎｍのタングステン膜を用
いて多層構造とする場合を例示できる。電荷転送電極９
の多結晶ポリシリコン膜に含まれる不純物にはリンが挙
げられるが、これ以外にもヒ素，ボロン，アンチモン等
でも良く、濃度を１Ｅ１６ａｔｍ／ｃｍ³〜５Ｅ２０ａ
ｔｍ／ｃｍ³程度としてチャネルポテンシャル等の電気
特性を加味した上で決定すれば良い。金属膜１０の材料
としては他にチタン，白金，コバルト等の金属シリサイ
ドや、アルミニウム，銅，その他の金属単体か、或いは
合金等の組み合わせ等が挙げられるが、これらの中から
パターニング技術や固体撮像素子の電気特性等を加味し
た上で選択すれば良い。

【００２９】引き続き、遮光性物質形成工程でゲート絶
縁膜８上で電荷転送電極９，金属膜１０における隣接す
るもの同士の間に形成された溝部（電極間ギャップ）を
含む電極周囲に遮光性物質１２を埋設する。

【００３０】図２は、この固体撮像素子の要部製造工程
（遮光性物質形成工程）を図１（ａ）のＤ−Ｄ´方向
（上下フォトダイオードに挟まれた部分）における側面
断面図により工程順に示したもので、同図（ａ）は初期
工程に関するもの，同図（ｂ）は中期工程に関するも
の，同図（ｃ）は後期工程に関するものである。

【００３１】ここでの初期工程では図２（ａ）に示され
るように、電荷転送電極９，金属膜１０の二層をフォト
レジスト１３をマスクにしてエッチングによりパターニ
ングする。但し、これ代えてフォトレジスト１３をマス
クにして別の膜をパターニングし、それをマスクにして
電荷転送電極９，金属膜１０をエッチングするようにし
ても良い。中期工程では図２（ｂ）に示されるように、
フォトレジスト１３を剥離した後に絶縁性の遮光性物質
１２を電荷転送電極９，金属膜１０の電極周囲を含むよ
うにゲート絶縁膜８の全面に形成する。遮光性物質１２
としては、例えば染料や顔料入りの樹脂等を使用すれば
良い。後期工程では図２（ｃ）に示されるように、異方
性エッチバック法により電荷転送電極９，金属膜１０の
電極周囲以外の遮光性物質１２を除去する。

【００３２】これにより、実施例１の固体撮像素子は完
成するが、仮に電荷転送電極９，金属膜１０における隣
接するもの同士の間に形成された溝部以外の電極周囲に
遮光が必要ない場合は中期工程で遮光性物質１２をゲー
ト絶縁膜８の全面に形成した後、後期工程で等方性エッ
チを行えば良く、こうした場合には図３に示されるよう
な様子となる。

【００３３】即ち、実施例１の固体撮像素子における遮
光性物質１２は、電荷転送電極９，金属膜１０の隣接す
るもの同士の間に形成された溝部を埋設する場合と溝部
及びそれと反対側の電荷転送電極９，金属膜１０の側壁
近傍（電極周囲）に設ける場合との何れにも適用するこ
とができる。

【００３４】図４は、本発明の実施例２に係る固体撮像
素子の基本構成を示したもので、同図（ａ）はその局部
平面図に関するもの，同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
´方向における側面断面図に関するもの，同図（ｃ）は
同図（ａ）のＢ−Ｂ´方向における側面断面図に関する
もの，同図（ｄ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ´方向における
側面断面図に関するものである。

【００３５】この固体撮像素子は、先の実施例１のもの
と比べ、電荷転送電極９，金属膜１０と遮光性物質１２
との間に介在されるようにゲート絶縁膜８の全面に絶縁
膜１１が設けられた点が相違している。即ち、ここでの
絶縁膜１１は電荷転送電極９，金属膜１０の表面（正確
には電荷転送電極９，金属膜１０の側面及び金属膜１０
の表面）を覆ってゲート絶縁膜８上に連続的に形成され
ている。

【００３６】この固体撮像素子の場合、電荷転送電極
９，金属膜１０の表面が絶縁膜１１で覆われ、電荷転送
電極９，金属膜１０の互いに隣接するもの同士の間が絶
縁膜１１によって絶縁されるため、遮光性物質１２を絶
縁性のものに限定することなく例えば遮光性の高い金属
を利用することができる。

【００３７】このような固体撮像素子を製造する場合、
シリコン基板１の第１導電型（ｐ型）領域の表面近傍に
局部的に第２導電型（ｎ型）の光電変換領域４及び電荷
転送領域６を形成して電荷結合素子を得る素子形成工程
と、光電変換領域４及び電荷転送領域６を覆ってシリコ
ン基板１の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜８を形
成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜８上にお
ける電荷転送領域６の真上部分を含む領域に遮光性を有
する複数の第１の電荷転送電極９を形成してからこれら
の電荷転送電極９上にそれぞれ電荷転送電極９とは材質
が異なる金属膜１０による第２の電荷転送電極を形成し
て電極多層構造による電荷転送多層電極を形成する電荷
転送多層電極形成工程と、複数の電荷転送電極９及び金
属膜１０を絶縁膜１１で覆う絶縁膜形成工程と、絶縁膜
１１における少なくとも隣接するもの同士の間に形成さ
れた溝部を含む電極周囲に遮光性物質１２を埋設する遮
光性物質形成工程とを実行すれば良い。但し、絶縁膜形
成工程では、絶縁膜１１を金属膜１０の表面を覆ってゲ
ート絶縁膜８上に連続的に形成するもので、遮光性物質
形成工程を経た段階で絶縁膜１１は複数の第１の電荷転
送電極９及び金属膜１０の側面と遮光性物質１２との間
で金属膜１０の表面を覆うようにゲート絶縁膜８上に連
続的に形成されることになる。

【００３８】具体的に言えば、素子形成工程で形成され
る電荷結合素子におけるシリコン基板１内の下地拡散領
域を製造する過程から電荷転送多層電極形成工程までは
実施例１の場合と同様に行うが、この後にフォトレジス
ト１３を剥離してから絶縁膜形成工程として電荷転送電
極９，金属膜１０を厚さ３０〜１００ｎｍ程度の絶縁膜
１１で覆い、更に遮光性物質形成工程として絶縁膜１１
における少なくとも隣接するもの同士の間に形成された
溝部を含む電極周囲に遮光性物質１２を埋設する。

【００３９】図５は、この固体撮像素子の要部製造工程
（絶縁膜形成工程及び遮光性物質形成工程）を図４
（ａ）のＤ−Ｄ´方向（上下フォトダイオードに挟まれ
た部分）における側面断面図により工程順に示したもの
で、同図（ａ）は初期工程に関するもの，同図（ｂ）は
中期工程に関するもの，同図（ｃ）は後期工程に関する
ものである。

【００４０】ここでの初期工程（絶縁膜形成工程）では
図５（ａ）に示されるように、電荷転送電極９，金属膜
１０の表面及びゲート絶縁膜８上を絶縁膜１１で覆う
が、絶縁膜１１の膜厚は電荷転送電極９，金属膜１０の
互いに隣接するもの同士の間に形成した後も、そこに遮
光性物質１２が入るような膜厚にする必要がある。中期
工程（遮光性物質形成工程の前期工程）では図５（ｂ）
に示されるように、ゲート絶縁膜８上を遮光性物質１２
で覆う。遮光性物質１２としては、例えばアルミニウム
やタングステン等の遮光性の優れた素材を使用し、減圧
ＣＶＤ法等のカバレッジの優れた方法で絶縁膜１１にお
ける隣接するもの同士の間に形成される溝部を埋設す
る。後期工程（遮光性物質形成工程の後期工程）では図
５（ｃ）に示されるように、異方性エッチバック法によ
り電荷転送電極９，金属膜１０の電極周囲以外の遮光性
物質１２を除去する。

【００４１】これにより、実施例２の固体撮像素子は完
成する。この固体撮像素子において遮光性物質１２及び
金属膜１０の間の絶縁膜１１は垂直面となっているが、
絶縁膜１１の膜厚は光の波長３５０〜８０ｎｍと比べて
遙かに小さいため、ここを通過する光は小さく、スミヤ
の影響は少ない。

【００４２】尚、実施例２の固体撮像素子における遮光
性物質１２も、絶縁膜１１における隣接するもの同士の
間に形成された溝部を埋設する場合と絶縁膜１１におけ
る溝部及びそれと反対側の電荷転送電極９，金属膜１０
の側壁近傍（電極周囲）箇所のものに設ける場合との何
れにも適用することができる。

【００４３】図６は、本発明の実施例３に係る固体撮像
素子の基本構成を示した局部平面図である。この固体撮
像素子は、実施例２のものと比べて金属膜１０及び絶縁
膜１１とにおける側壁部分の断面が曲線に形成されてい
る点が相違している。即ち、この固体撮像素子では電荷
転送電極９，金属膜１０の側面部分の絶縁膜１１の断面
が曲線になっているため、電荷転送電極９，金属膜１０
の側壁部分の絶縁膜１１を通して電荷転送領域６が見通
せなくなっている。これにより、真上から絶縁膜１１を
通して電荷転送領域６に漏れ込み発生するスミヤを低減
することができる。

【００４４】このような固体撮像素子を製造する場合、
少なくとも金属膜１０の側壁部が直線にならないように
パターニングを行えば良く（但し、電荷転送電極９を含
む双方を対象にしても良い）、パターニング時にエッチ
ングのサイドエッチ条件を変化させて側壁に段差を形成
するか、或いは金属膜１０の一部にサイドエッチングの
入り易い層を入れておき、この層にサイドエッチングを
入れる場合等が挙げられる。

【００４５】即ち、前者の方法では電荷転送多層電極形
成工程で電極多層構造を形成するための複数の第１の電
荷転送電極９及び金属膜１０のパターニングに際してエ
ッチング条件のサイドエッチ性を途中で切り替えること
によってこれらの電荷転送電極９及び金属膜１０の隣接
するもの同士の間に形成される溝部表面に部分的に凹凸
を形成（金属膜１０間に形成される）して溝部の断面を
曲線にすることになり、後者の方法では電荷転送多層電
極形成工程で電極多層構造を形成するために電荷転送電
極９及び金属膜１０を異なる形状にしてこれらの電荷転
送電極９及び金属膜１０の隣接するもの同士の間に溝部
を形成する溝部形成工程と、複数の第１の電荷転送電極
９及び金属膜１０のうちの少なくとも一方をサイドエッ
チングして溝部表面に部分的に凹凸を形成して溝部の断
面を曲線にする溝部エッチング工程とを実行することに
なる。

【００４６】図７は、前者の方法を採用した場合の固体
撮像素子の要部製造工程（電荷転送多層電極形成工程，
絶縁膜形成工程，及び遮光性物質形成工程）を図６のＤ
−Ｄ´方向（上下フォトダイオードに挟まれた部分）に
おける側面断面図により工程順に示したもので、同図
（ａ）は電荷転送多層電極形成工程でのエッチング前期
工程に関するもの，同図（ｂ）は電荷転送多層電極形成
工程でのエッチング後期工程に関するもの，同図（ｃ）
は絶縁膜形成工程に関するもの，同図（ｄ）は遮光性物
質形成工程の前期工程に関するもの，同図（ｅ）は遮光
性物質形成工程の後期工程に関するものである。

【００４７】先ずエッチング前期工程では図７（ａ）に
示されるように、拡散領域が形成されたゲート絶縁膜８
と電荷転送電極９，金属膜１０とが堆積された状態でフ
ォトレジスト１３をマスクにして途中で異方性を変えて
エッチングを行い、金属膜１０の上部をエッチングす
る。この後、エッチング後期工程では図７（ｂ）に示さ
れるように、残りの部分を異方性を変えてエッチングを
行う。絶縁膜形成工程では図７（ｃ）に示されるよう
に、フォトレジスト１３が除去された状態で電荷転送電
極９，金属膜１０の表面が覆われるようにゲート絶縁膜
８上に絶縁膜１１を連続的に形成する。この後、遮光性
物質形成工程の前期工程では図７（ｄ）に示されるよう
に、ゲート絶縁膜８上を遮光性物質１２で覆う。更に、
遮光性物質形成工程の後期工程では図７（ｅ）に示され
るように、異方性エッチバック法により電荷転送電極
９，金属膜１０の電極周囲以外の遮光性物質１２を除去
する。

【００４８】ここではエッチング条件を途中で変化させ
ることにより絶縁膜１１の形状を曲面する場合を説明し
たが、これに代えて金属膜１０を異なる２種類以上の多
層により形成し、この異なる層のサイドエッチング速度
の差を利用して溝部の側壁部分の形状を曲面にしても良
い。

【００４９】この固体撮像素子の場合、絶縁膜１１は曲
面になっていて光が通過せずに溝部に埋設された遮光性
物質１２を通る光は無くなり、スミヤ特性が向上する。

【００５０】即ち、ここでの固体撮像素子は、電荷転送
電極９及び金属膜１０の側面に沿って絶縁膜１１が曲が
っているため、光が絶縁膜１１を挟んでいる電荷転送電
極９及び金属膜１０と遮光性物質１２とで何回か反射
し、反射する度に減衰するために電荷転送領域６には殆
ど到達しない。この場合、電荷転送電極９及び金属膜１
０の側面の曲率半径はできるだけ小さい形状であれば電
荷転送領域６に到達する光を一層少なくできる。又、電
荷転送電極９及び金属膜１０と遮光性物質１２とを表面
反射率が低い物質とする方が好ましい。更に、絶縁膜１
１と電荷転送電極９，金属膜１０及び遮光性物質１２と
の間に反射を防止するための専用の反射防止膜を形成し
ても良い。

【００５１】図８は、本発明の実施例４に係る固体撮像
素子の基本構成を示した局部平面図である。この固体撮
像素子は、実施例２のものと比べて遮光性物質が少なく
とも複数の第１の電荷転送電極９及び金属膜１０の隣接
するもの同士の間の側面に初期的に形成された第１の部
分となる遮光性物質１２と、この遮光性物質１２の表面
上に絶縁膜１１の表面上を含むように選択的に残部とし
て付加形成された第２の部分となる遮光性物質１２´と
から成る点が相違している。

【００５２】このような固体撮像素子を製造する場合、
遮光性物質形成工程以外は実施例２のものと同様に行
い、遮光性物質形成工程で遮光性物質を少なくとも複数
の第１の電荷転送電極９及び金属膜１０の隣接するもの
同士の間の側面に初期的に第１の部分となる遮光性物質
１２を形成してから絶縁膜１１の表面上を含むように遮
光性物質１２部分の表面上に選択的に第２の部分となる
遮光性物質１２´を残部として付加形成すれば良い。

【００５３】図９は、この固体撮像素子の要部製造工程
（遮光性物質形成工程）を図８のＤ−Ｄ´方向（上下フ
ォトダイオードに挟まれた部分）における側面断面図に
より工程順に示したもので、同図（ａ）は遮光性物質形
成工程の前期工程に関するもの，同図（ｂ）は遮光性物
質形成工程の後期工程に関するものである。

【００５４】ここでの遮光性物質形成工程の前期工程は
図９（ａ）に示されるように、実施例２の場合と同様に
電荷転送電極９及び金属膜１０の電極周囲以外の遮光性
物質１２が除去されたものを遮光性物質１２とし、遮光
性物質形成工程の後期工程で図９（ｂ）に示されるよう
に、遮光性物質１２の表面に露出している部分に対して
選択的に付加部分としての遮光性物質１２´を溝部が完
全に覆われるように付加形成する。これにより、溝部の
側壁部分の絶縁膜１１の全部が遮光性物質１２，１２´
により覆われることになり、光が絶縁膜１１を通して電
荷転送領域６に達することを充分に防止できる。

【００５５】ところで、実施例４の固体撮像素子を実施
例３の固体撮像素子に適用させて製造する場合、金属膜
１０を上下層に比べ中の層のエッチレートが速くなるよ
うな多層膜で形成し、これをサイドエッチングすること
により金属膜１０の側壁に窪みを設ければ良い。このよ
うな条件を満たす多層膜とエッチング条件との組み合わ
せは数多く存在する。例えば金属膜１０を３層構造とし
た場合、一番下の層を例えば１Ｅ１８ａｔｍ／ｃｍ³低
リン濃度ポリシリコンとし、中間層を例えば３Ｅ２０ａ
ｔｍ／ｃｍ³高リン濃度ポリシリコンとし、最上層をタ
ングステン膜とした上、これらをパターニングした後、
希硝酸溶液等でサイドエッチをかける。この際、中間層
の高リン濃度ポリシリコンが一番速くエッチングされる
ので、側壁部に窪みを生じる。次に、絶縁膜１１及び遮
光性物質１２を実施例３の場合と同様に形成し、最終的
に図９（ｂ）に示されるような付加部分の遮光性物質１
２´を形成すれば良い。

【００５６】尚、ここでも固体撮像素子における遮光性
物質１２，１２´も、実施例２の場合と同様に、絶縁膜
１１における隣接するもの同士の間に形成された溝部を
埋設する場合と絶縁膜１１における溝部及びそれと反対
側の電荷転送電極９，金属膜１０の側壁近傍（電極周
囲）箇所のものに設ける場合との何れにも適用すること
ができる。

【００５７】以上に説明した実施例１〜４の固体撮像素
子では、電荷転送電極９及び金属膜１０の周囲に自己整
合的に遮光性物質１２，１２´を形成できるので、フォ
トダイオードの面積を広くとれることになり、この結果
として感度が上がると共に、スミヤを低減することがで
きる。又、電荷転送電極９及び金属膜１０上に別途に遮
光膜を形成する必要がなく、これによって段差が少ない
構造で工程数を削減した上で各固体撮像素子を低コスト
で製造できる。ここで「自己整合的に」とは、ゲート絶
縁膜上の全面に遮光性物質を形成した後、異方性エッチ
バック法により電荷転送電極の電極周囲以外の遮光性物
質を除去する工程で形成することである。

【００５８】図１０は、本発明の実施例５に係る固体撮
像素子の基本構成を示したもので、（ａ）はその局部平
面図に関するもの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´方向にお
ける側面断面図に関するものである。この固体撮像素子
は、実施例２のものと比べて絶縁膜１１における金属膜
１０上の所定箇所にコンタクト開口部１４が設けられ、
絶縁膜１１上にはコンタクト開口部１４において金属膜
１０を介して電荷転送電極９と電気的に接続される遮光
性物質１２と同様な材質による２本以上の配線１６が配
備された点が相違している。

【００５０】このような固体撮像素子を製造する場合、
遮光性物質形成工程で絶縁膜１１における金属膜１０上
の所定箇所にコンタクト開口部１４を設けてから絶縁膜
１１上にコンタクト開口部１４において金属膜１０を介
して電荷転送電極９と電気的に接続される２本以上の遮
光性物質１２と同様な材質による配線１６を電荷転送電
極１０上に配備すれば良い。即ち、製造に際しては基本
的に実施例２の場合と同様に絶縁膜１１を形成した後、
遮光膜を堆積してパターニングすることによって遮光性
物質１２と同様な材質による配線１６を配備することに
なる。

【００６０】一般に、順次転送型のＣＣＤの場合には１
つの画素に３個又は４個の電荷転送電極が必要となるた
め、ここでの金属膜１０のように外部と接続する配線１
６が必要になる。金属膜１０上に配線１６を形成した場
合、配線１６が遮光膜の役目を兼ねていると、配線１６
を２本以上にすれば配線１６間ギャップから光が電荷転
送領域６に漏れ込んでスミヤを発生するが、実施例５の
構造では金属膜１０及び遮光性物質１２により遮光が行
われるので、金属膜１０上に２本以上の配線１６を設け
てもスミヤには影響を及ばさない。

【００６１】因みに、図１０（ａ）示される金属膜１０
の端部は配線１６を遮光膜とする構成になっているが、
これに代えて実施例４の付加部分の遮光性物質１２´の
ように他の遮光性物質によって遮光する構成にすること
もできる。

【００６２】

【発明の効果】以上に述べた通り、本発明によれば、遮
光性を有する第１の電荷転送電極上にこれとは材質が異
なる第２の電荷転送電極（金属膜）を形成して成る電極
多層構造による電荷転送多層電極における隣接するもの
同士の間を含む電極周囲に遮光性物質を自己整合的に設
ける構成とすることにより、第１の電荷転送電極及び第
２の電荷転送電極上に別途に遮光膜を設ける必要が無く
なってフォトダイオードの面積を広くとることができる
と共に、ギャップから光が電荷結合素子の電荷転送領域
に漏れ込むことによるスミヤの発生を低減することがで
きるため、製造工数が削減されて構造上において段差が
少なく平坦性が確保されて感度が上がるようになり、結
果として特性・性能の向上及び小型化・軽量化が計られ
た固体撮像素子を容易に生産性良く低コストで製造でき
るようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る固体撮像素子の基本構
成を示したもので、（ａ）はその局部平面図に関するも
の，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´方向における側面断面図
に関するもの，（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ´方向における
側面断面図に関するもの，（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ´方
向における側面断面図に関するもの，（ｅ）は（ａ）の
Ｄ−Ｄ´方向における側面断面図に関するものである。

【図２】図１に示す固体撮像素子の要部製造工程（遮光
性物質形成工程）を図１（ａ）のＤ−Ｄ´方向（上下フ
ォトダイオードに挟まれた部分）における側面断面図に
より工程順に示したもので、（ａ）は初期工程に関する
もの，（ｂ）は中期工程に関するもの，（ｃ）は後期工
程に関するものである。

【図３】図２（ｃ）の後期工程でのエッチングの形態を
変更した場合の側面断面図を示したものである。

【図４】本発明の実施例２に係る固体撮像素子の基本構
成を示したもので、（ａ）はその局部平面図に関するも
の，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´方向における側面断面図
に関するもの，（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ´方向における
側面断面図に関するもの，（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ´方
向における側面断面図に関するものである。

【図５】図４に示す固体撮像素子の要部製造工程（絶縁
膜形成工程及び遮光性物質形成工程）を図４（ａ）のＤ
−Ｄ´方向（上下フォトダイオードに挟まれた部分）に
おける側面断面図により工程順に示したもので、（ａ）
は初期工程に関するもの，（ｂ）は中期工程に関するも
の，（ｃ）は後期工程に関するものである。

【図６】本発明の実施例３に係る固体撮像素子の基本構
成を示した局部平面図である。

【図７】図６に示す固体撮像素子の要部製造工程を図６
のＤ−Ｄ´方向（上下フォトダイオードに挟まれた部
分）における側面断面図により工程順に示したもので、
（ａ）は電荷転送多層電極形成工程でのエッチング前期
工程に関するもの，（ｂ）は電荷転送多層電極形成工程
でのエッチング後期工程に関するもの，（ｃ）は絶縁膜
形成工程に関するもの，（ｄ）は遮光性物質形成工程の
前期工程に関するもの，（ｅ）は遮光性物質形成工程の
後期工程に関するものである。

【図８】本発明の実施例４に係る固体撮像素子の基本構
成を示した局部平面図である。

【図９】図８に示す固体撮像素子の要部製造工程を図８
のＤ−Ｄ´方向（上下フォトダイオードに挟まれた部
分）における側面断面図により工程順に示したもので、
（ａ）は遮光性物質形成工程の前期工程に関するもの，
（ｂ）は遮光性物質形成工程の後期工程に関するもので
ある。

【図１０】本発明の実施例５に係る固体撮像素子の基本
構成を示したもので、（ａ）はその局部平面図に関する
もの，（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´方向における側面断面
図に関するものである。

【図１１】従来の固体撮像素子の基本構成を示したもの
で、（ａ）はその局部平面図に関するもの，（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ´方向における側面断面図に関するも
の，（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ´方向における側面断面図
に関するもの，（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ´方向における
側面断面図に関するものである。

【図１２】図１１に示す固体撮像素子の製造工程を同図
（ａ）のＤ−Ｄ´方向における側面断面図により工程順
に示したもので、（ａ）は初期工程に関するもの，
（ｂ）は中期工程に関するもの，（ｃ）は後期工程に関
するものである。

【符号の説明】１シリコン基板２ｐ^-領域３ｐ⁺ 素子分離領域４光電変換領域５ｐ型領域６電荷転送領域７ｐ⁺ 領域８ゲート絶縁膜９電荷転送電極１０金属膜１１絶縁膜１２，１２´ 遮光性物質１３フォトレジスト１４コンタクト開口部１５遮光膜１６配線

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の表面近傍に局部的に設けら
れた光電変換領域及び電荷転送領域を有する電荷結合素
子を含む固体撮像素子において、前記光電変換領域及び前記電荷転送領域を覆って前記半
導体基板の表面上に設けられた絶縁体から成るゲート絶
縁膜と、前記ゲート絶縁膜上における前記電荷転送領域
の真上部分を含む領域に設けられると共に、遮光性を有
する複数の第１の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電
荷転送電極とは材質が異なる第２の電荷転送電極が設け
られて成る電極多層構造による電荷転送多層電極と、前
記ゲート絶縁膜上で少なくとも前記複数の第１の電荷転
送電極及び前記第２の電荷転送電極における隣接するも
の同士の間を含む電極周囲に自己整合的に設けられた遮
光性物質とを有することを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】請求項１記載の固体撮像素子において、
前記複数の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転送
電極の側面と前記遮光性物質との間には、該第２の電荷
転送電極の表面を覆って前記ゲート絶縁膜上に連続的に
形成されるように絶縁膜が設けられたことを特徴とする
固体撮像素子。
【請求項３】半導体基板の表面近傍に局部的に設けら
れた光電変換領域及び電荷転送領域を有する電荷結合素
子を含む固体撮像素子において、前記光電変換領域及び前記電荷転送領域を覆って前記半
導体基板の表面上に設けられた絶縁体から成るゲート絶
縁膜と、前記ゲート絶縁膜上における前記電荷転送領域
の真上部分を含む領域に設けられると共に、遮光性を有
する複数の第１の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電
荷転送電極とは材質が異なる第２の電荷転送電極が設け
られて成る電極多層構造による電荷転送多層電極と、前
記ゲート絶縁膜上で少なくとも前記複数の第１の電荷転
送電極及び前記第２の電荷転送電極における隣接するも
の同士の間を含む電極周囲に設けられた遮光性物質とを
有し、前記複数の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転送
電極の側面と前記遮光性物質との間には、該第２の電荷
転送電極の表面を覆って前記ゲート絶縁膜上に連続的に
形成されるように絶縁膜が設けられたことを特徴とする
固体撮像素子において、前記第２の電荷転送電極及び前記絶縁膜における側壁部
分の断面は、曲線で形成されたことを特徴とする固体撮
像素子。
【請求項４】半導体基板の表面近傍に局部的に設けら
れた光電変換領域及び電荷転送領域を有する電荷結合素
子を含む固体撮像素子において、前記光電変換領域及び前記電荷転送領域を覆って前記半
導体基板の表面上に設けられた絶縁体から成るゲート絶
縁膜と、前記ゲート絶縁膜上における前記電荷転送領域
の真上部分を含む領域に設けられると共に、遮光性を有
する複数の第１の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電
荷転送電極とは材質が異なる第２の電荷転送電極が設け
られて成る電極多層構造による電荷転送多層電極と、前
記ゲート絶縁膜上で少なくとも前記複数の第１の電荷転
送電極及び前記第２の電荷転送電極における隣接するも
の同士の間を含む電極周囲に設けられた遮光性物質とを
有し、前記複数の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転送
電極の側面と前記遮光性物質との間には、該第２の電荷
転送電極の表面を覆って前記ゲート絶縁膜上に連続的に
形成されるように絶縁膜が設けられたことを特徴とする
固体撮像素子において、前記遮光性物質は、少なくとも前記複数の第１の電荷転
送電極及び前記第２の電荷転送電極の隣接するもの同士
の間の側面に初期的に形成された第１の部分の表面上に
前記絶縁膜の表面上を含むように選択的に第２の部分が
残部として付加形成されて成ることを特徴とする固体撮
像素子。
【請求項５】請求項２〜４の何れか一つに記載の固体
撮像素子において、前記遮光性物質は、前記絶縁膜にお
ける隣接するもの同士の間に形成された溝部を埋設して
成る第１の部分と、前記第１の部分及び前記絶縁膜にお
ける前記溝部と反対側の前記複数の第１の電荷転送電極
及び前記第２の電荷転送電極の側壁近傍箇所のものに設
けられた部分を含む第２の部分との何れかに設けられた
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】請求項２〜５の何れか一つに記載の固体
撮像素子において、前記絶縁膜における前記第２の電荷
転送電極上の所定箇所にはコンタクト開口部が設けら
れ、前記絶縁膜上には前記コンタクト開口部において前
記第２の電荷転送電極を介して前記複数の第１の電荷転
送電極と電気的に接続されると共に、前記遮光性物質と
同様な材質による２本以上の配線が配備されたことを特
徴とする固体撮像素子。
【請求項７】半導体基板の第１導電型領域の表面近傍
に局部的に第２導電型の光電変換領域及び電荷転送領域
を形成して電荷結合素子を得る素子形成工程と、前記光
電変換領域及び前記電荷転送領域を覆って前記半導体基
板の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜を形成するゲ
ート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜上における前
記電荷転送領域の真上部分を含む領域に遮光性を有する
複数の第１の電荷転送電極を形成してから該複数の第１
の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電荷転送電極とは
材質が異なる第２の電荷転送電極を形成して電極多層構
造による電荷転送多層電極を形成する電荷転送多層電極
形成工程と、前記ゲート絶縁膜上で少なくとも前記複数
の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転送電極にお
ける隣接するもの同士の間を含む電極周囲に自己整合的
に遮光性物質を埋設する遮光性物質形成工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】半導体基板の第１導電型領域の表面近傍
に局部的に第２導電型の光電変換領域及び電荷転送領域
を形成して電荷結合素子を得る素子形成工程と、前記光
電変換領域及び前記電荷転送領域を覆って前記半導体基
板の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜を形成するゲ
ート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜上における前
記電荷転送領域の真上部分を含む領域に遮光性を有する
複数の第１の電荷転送電極を形成してから該複数の第１
の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電荷転送電極とは
材質が異なる第２の電荷転送電極を形成して電極多層構
造による電荷転送多層電極を形成する電荷転送多層電極
形成工程と、前記ゲート絶縁膜上で少なくとも前記複数
の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転送電極にお
ける隣接するもの同士の間を含む電極周囲に遮光性物質
を埋設する遮光性物質形成工程とを有することを特徴と
する固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送多
層電極形成工程では、前記電極多層構造を形成するため
の前記複数の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転
送電極のパターニングに際してエッチング条件のサイド
エッチ性を途中で切り替えることによって該複数の第１
の電荷転送電極及び該第２の電荷転送電極の隣接するも
の同士の間に形成される溝部表面に部分的に凹凸を形成
して該溝部の断面を曲線にすることを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。
【請求項９】半導体基板の第１導電型領域の表面近傍
に局部的に第２導電型の光電変換領域及び電荷転送領域
を形成して電荷結合素子を得る素子形成工程と、前記光
電変換領域及び前記電荷転送領域を覆って前記半導体基
板の表面上に絶縁体から成るゲート絶縁膜を形成するゲ
ート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜上における前
記電荷転送領域の真上部分を含む領域に遮光性を有する
複数の第１の電荷転送電極を形成してから該複数の第１
の電荷転送電極上にそれぞれ該第１の電荷転送電極とは
材質が異なる第２の電荷転送電極を形成して電極多層構
造による電荷転送多層電極を形成する電荷転送多層電極
形成工程と、前記ゲート絶縁膜上で少なくとも前記複数
の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転送電極にお
ける隣接するもの同士の間を含む電極周囲に遮光性物質
を埋設する遮光性物質形成工程とを有することを特徴と
する固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送多
層電極形成工程では、前記電極多層構造を形成するため
に前記複数の第１の電荷転送電極及び前記第２の電荷転
送電極を異なる形状にして該複数の第１の電荷転送電極
及び該第２の電荷転送電極の隣接するもの同士の間に溝
部を形成する溝部形成工程と、前記複数の第１の電荷転
送電極及び前記第２の電荷転送電極のうちの少なくとも
一方をサイドエッチングして前記溝部表面に部分的に凹
凸を形成して該溝部の断面を曲線にする溝部エッチング
工程とを実行することを特徴とする固体撮像素子の製造
方法。
【請求項１０】請求項７〜９の何れか一つに記載の固
体撮像素子の製造方法において、前記複数の第１の電荷
転送電極及び前記第２の電荷転送電極を絶縁膜で覆う絶
縁膜形成工程をさらに有し、前記遮光性物質形成工程で
は、前記絶縁膜における少なくとも隣接するもの同士の
間を含む電極周囲に前記遮光性物質を埋設することを特
徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項１１】請求項１０記載の固体撮像素子の製造
方法において、前記絶縁膜形成工程では、前記絶縁膜を
前記第２の電荷転送電極の表面を覆って前記ゲート絶縁
膜上に連続的に形成することを特徴とする固体撮像素子
の製造方法。
【請求項１２】請求項１０又は１１記載の固体撮像素
子の製造方法において、前記遮光性物質形成工程では、
前記遮光性物質を少なくとも複数の第１の電荷転送電極
及び第２の電荷転送電極の隣接するもの同士の間の側面
に初期的に第１の部分を形成してから前記絶縁膜の表面
上を含むように該第１の部分の表面上に選択的に第２の
部分を残部として付加形成することを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。
【請求項１３】請求項１０〜１２の何れか一つに記載
の固体撮像素子の製造方法において、前記遮光性物質形
成工程では、前記絶縁膜における前記第２の電荷転送電
極上の所定箇所にコンタクト開口部を設けてから該絶縁
膜上に該コンタクト開口部において該第２の電荷転送電
極を介して前記複数の第１の電荷転送電極と電気的に接
続されるように前記遮光性物質と同様な材質による配線
を配備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。