JP6407227B2 - 固体撮像装置、及び固体撮像装置を用いた撮像システム - Google Patents
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Description
本実施例の固体撮像装置について、図1乃至3を用いて説明する。
本実施例の固体撮像装置について、図4を用いて説明する。図4(a)は固体撮像装置の平面模式図であり、図4(b)は図4(a)のCD線における固体撮像装置の断面模式図である。図4(a)および図4(b)は、図2(a)および図2(b)に対応しており、それらと同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。
本実施例の固体撮像装置について、図5を用いて説明する。図5(a)は固体撮像装置の平面模式図であり、図5(b)は図5(a)のEF線における固体撮像装置の断面模式図である。図5(a)および図5(b)は、図2(a)および図2(b)、図4(a)および図4(b)に対応しており、それらと同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。
本実施例の固体撮像装置について、図6を用いて説明する。図6(a)は固体撮像装置の平面模式図であり、図6(b)は図6(a)のGH線における固体撮像装置の断面模式図であり、図6(c)は図6(a)のIJ線における固体撮像装置の断面模式図である。図6(a)は図2(a)と対応しており、図6(b)および図6(c)は図2(b)に対応している。図6(a)〜(c)において、図2(a)および図2(b)と同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。
201 光電変換部
202 電荷保持部
203 FD部
204、205 ゲート電極
212 遮光部
214 遮光部の開口
Claims (16)
- 光電変換部と、
前記光電変換部で生じた電荷を保持する電荷保持部と、
前記電荷保持部で保持された電荷が転送されるフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間と、前記電荷保持部の上に配された第1のゲート電極と、
前記電荷保持部と前記フローティングディフュージョン部との間に配された第2のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、
前記電荷保持部と前記第1のゲート電極の上に配され、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間に配された金属部を備え、
前記金属部は、少なくともタングステンとアルミニウムのどちらか一方を有する固体撮像装置。 - 前記第2のゲート電極の上に、前記第2のゲート電極へ電圧を供給するためのコンタクトプラグが配されている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記金属部は、前記第2のゲート電極側の前記金属部と前記コンタクトプラグの隙間から、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間に入射する光を抑制するために設けられている請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記金属部は、前記第2のゲート電極の上に設けられている部分と、前記第2のゲート電極の上に設けられていない部分とを有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記金属部はタングステンを有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記金属部は、前記電荷保持部と、前記第1のゲート電極と、前記第2のゲート電極の上に位置する上面を有しており、前記上面は実質的に平坦である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の上に設けられた絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の形状を踏襲した凹部を備え、
前記金属部は前記絶縁膜の凹部に設けられている請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部とは別の光電変換部と、
前記電荷保持部とは別の電荷保持部と、
前記第1のゲート電極とは別の第1のゲート電極と、
前記第2のゲート電極とは別の第2のゲート電極とを有し、
前記金属部は、前記別の第1のゲート電極と、前記別の電荷保持部を覆うように設けられている請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記金属部は、前記光電変換部の前記第1のゲート電極側の一部の上に延在している請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1のゲート電極と前記金属部とを接続するコンタクトプラグを有する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第2のゲート電極と前記金属部とを接続するコンタクトプラグを有する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部と、前記電荷保持部と、前記フローティングディフュージョン部は、半導体基板に配されており、
前記固体撮像装置は、複数の配線層を有し、
前記金属部は、前記複数の配線層よりも前記半導体基板側に配されている請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部と、前記電荷保持部と、前記フローティングディフュージョン部は、半導体基板に配されており、
前記金属部は、前記電荷保持部と前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の上に配された第1の部分と、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間に配され、前記半導体基板の表面側に前記第1の部分から延在した第2の部分と、を有することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1のゲート電極と、前記第2のゲート電極は、前記半導体基板の上に配されていることを特徴とする請求項13に記載の固体撮像装置。
- 前記電荷保持部の上に前記第1のゲート電極が配されていない領域を有し、平面視において、前記領域と前記第2の部分とが重複する請求項13に記載の固体撮像装置。
- 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの出力される信号を処理する処理部と、を有する撮像システム。
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