JP4194295B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法に関するものであり、特に単層構造の電荷転送電極の電極間絶縁膜の微細化および高品質化を図った固体撮像素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
エリアセンサ等に用いられるCCD固体撮像素子は、光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数隣接して配置され、順次駆動される。
【0003】
電荷転送電極を有する固体撮像素子は、撮影画素数の増加の要求により微細化が進むと、斜めからの入射光に対して集光できる面積が少なくなり、感度が低下するという問題がある。そのため、光電変換部以外の領域の厚さをできるだけ薄くすることが求められている。また、光電変換部以外の領域は、遮光膜を形成する必要があるため、できるだけ平坦にするのが好ましい。
【0004】
そのため、電荷転送電極を重なり合うことなく配置したいわゆる単層配線電極を有する固体撮像素子が提案されている。この固体撮像素子は、隣接する電荷転送電極の間に電極間絶縁膜が配置され、電荷転送電極の材料としては、多結晶シリコン等のシリコン系導電材料が用いられる。
【0005】
一方、固体撮像素子は、大型化および画素数の増加に伴って信号電荷の高速転送が必要となっており、単層構造の電荷転送電極を高速パルスで駆動する場合、隣接する電荷転送電極の電極間距離(ギャップ)を狭く形成する(0.1μm以下)必要がある。また、電極間の絶縁は、高い電気的耐圧が要求される。
【0006】
このような電極パターンを得るためには平坦な表面でEB直描法を用いるなど、高価なステッパを使用する必要があり、また、電極パターンを得ることができたとしても、微細な電極間領域に絶縁膜を充填するのは極めて困難であり、耐圧劣化の原因ともなって、実用上は不可能であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供することを目的とする。また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面の絶縁膜上に、複数の電荷転送電極が形成されたものであって、隣接する前記電荷転送電極は、電極間絶縁膜によって分離されるとともに、互いに重なることなく配置されており、前記電極間絶縁膜は、隣接する前記電荷転送電極の一方の側壁から成膜された絶縁膜で構成したものである。
【0009】
このような構成とすると、電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供することができる。また、表面の平坦化を図ることができ、この上層に配線構造を形成するような場合にも効率よくパターン形成を行うことが可能となる。
【0010】
本発明の固体撮像素子における前記電極間絶縁膜によって形成される前記電荷転送電極間の間隔は、0.1μm以下である。電荷転送電極間の間隔が0.1μm以下の場合、電極間に絶縁膜を充填するのは極めて困難であるが、電極間絶縁膜を、隣接する前記電荷転送電極の一方の側壁から成膜するので、電荷転送電極間の間隔を0.1μm以下とすることができる。したがって、高速パルスによる駆動も可能な低抵抗で信頼性の高い固体撮像素子を提供することができる。
【0011】
本発明の固体撮像素子における前記電荷転送電極は、前記電極間絶縁膜の上端と同一表面となるように構成されているものである。このような構成とすると、最大限に電極導体を充填することができ、低抵抗化を図ることができる上、表面の平坦化を図ることができる。
【0012】
本発明の固体撮像素子における前記電荷転送電極は、シリコン系材料からなる導電性膜を含むものである。
【0013】
本発明の固体撮像素子における前記電荷転送電極は、シリコン系材料からなるシリコン系導電性膜と、この上層に形成された金属を含む導電性膜との多層構造膜で構成されるものである。このような構成とすると、さらに電極の低抵抗化を図ることが可能となる。
【0014】
本発明の固体撮像素子における前記導電性膜は、タングステンを含むものである。このような構成とすると、低抵抗化を図ることができるとともに、タングステンによって遮光機能を得ることができ、低コストで信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
【0015】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板表面の第1の絶縁膜上に、複数の電荷転送電極が形成された固体撮像素子の製造方法であって、前記第1の絶縁膜上に、前記電荷転送電極の少なくとも一部を構成する第1の導電性膜を形成する第1の導電性膜形成工程と、この上層に前記第1の導電性膜を構成する材料に対してエッチング選択性を有する材料からなるエッチングストッパ層を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記第1の導電性膜および前記エッチングストッパ層とをパターニングし、前記第1の導電性膜と前記エッチングストッパ層との2層構造パターンを形成する工程と、前記2層構造パターンを覆うように、基板表面全体に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記2層構造パターンの側壁にのみ前記第2の絶縁膜を残すように前記第2の絶縁膜を垂直方向に、異方性エッチングする側壁絶縁膜形成工程と、この上層に、前記2層構造パターン全体を覆って表面が平坦となるまで、前記電荷転送電極の少なくとも一部を構成する第2の導電性膜を形成する第2の導電性膜形成工程と、前記エッチングストッパが露呈するまで、前記第2の導電性膜をエッチバックするエッチバック工程と、前記エッチングストッパを除去するエッチングストッパ除去工程とを含み、前記第1の絶縁膜が、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との3層構造の絶縁膜であり、前記エッチング選択性を有する材料が窒化シリコンであり、前記第2の絶縁膜が酸化シリコン膜である。
【0016】
この方法によれば、1個おきに形成した電荷転送電極の側壁に、異方性エッチングを用いて電極間絶縁膜を形成するので、微細でかつ信頼性の高い固体撮像素子を容易に形成できる。また、電極間絶縁膜を、直接熱酸化によって形成するのではなく、側壁絶縁膜として自己整合的に形成するため、低温での形成が可能な上、解像限界を超えた微細幅のパターンや微細溝への埋め込みが不要である。
また、前記第2の絶縁膜として酸化シリコン膜を利用しており、酸化シリコン膜は、導電性不純物を含まないため、薄い膜圧でも電気的耐圧を高くすることができる。
【0017】
また、前記側壁絶縁膜形成工程は、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして異方性エッチングを行う工程を含むものである。係る構成によれば、基板表面の第1の絶縁膜をエッチングストッパとして異方性エッチングを行うようにしているため、第1の絶縁膜の膜減りが防止され、耐圧特性の低下を防止することが可能となる。
【0018】
本発明の製造方法においては、前記第1および第2の導電性膜は、多結晶シリコン膜を利用するものである。
【0019】
本発明の製造方法における前記エッチバック工程は、化学的研磨法(CMP)法によるものである。
【0021】
本発明の製造方法は、前記エッチングストッパ除去工程の後、さらに、前記側壁絶縁膜の上端よりも低い位置まで、前記第1および第2の導電性膜の表面をエッチングするエッチング工程と、表面全体に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記側壁絶縁膜の頂面が露呈するまで前記金属膜をエッチバックし、表面を平坦化する平坦化工程とを含むものである。
【0022】
このような構成とすると、導電性膜を多結晶シリコン膜などで形成する場合、抵抗値の低減が難しいが、この上層に金属膜を容易に積層することができ、低抵抗で信頼性の高い電荷転送電極を形成することが可能となる。
【0023】
このように本発明によれば、異方性エッチングを用いて第1層の電荷転送電極の側壁に形成した絶縁膜を電極間絶縁膜とし、さらにこれらの間に第2層の電荷転送電極形成しているため、表面の平坦化を図ることができるとともに、デバイスの高さを低減することができ、フォトリソ工程やエッチング工程での加工マージンが広がり、高価なステッパなどの半導体製造装置を用いることなく高歩留まりの固体撮像素子を得ることが可能となる。また高品質の絶縁膜を電極間絶縁膜として用いているため、電気的耐圧の改善を図ることが出来歩留まりが向上する。さらに、微細な幅の電極間領域に絶縁材料を埋め込む必要がなく、電気的耐圧の低下を防止することができ、歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
【0025】
(第1の実施の形態)
図1に本発明の第1の実施の形態の固体撮像素子の概略構成を示す。図1(a)は、その電荷転送電極までを示す概略平面図であり、図1(b)は、A−A断面図である。図1に示すように、シリコン基板1には、複数のフォトダイオード30が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送電極40が、フォトダイオード30の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送電極40によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネル(図示せず)は、電荷転送電極40が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。なお、図1(a)においては、電極間絶縁膜3の内、フォトダイオード領域と電荷転送電極40との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。
【0026】
図1(b)に示すように、シリコン基板1内には、フォトダイオード30、電荷転送チャネル(図示せず)、チャネルストップ領域31、電荷読み出し領域(図示せず)が形成され、シリコン基板1表面には、絶縁膜(以下、ゲート絶縁膜と記述する。)2が形成される。ゲート絶縁膜2表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜3と多結晶シリコン膜4a、4bからなる電荷転送電極40が形成される。電極間絶縁膜3は、多結晶シリコン膜4a、4bの一方、例えば多結晶シリコン膜4aの側壁から成膜されるものである。
【0027】
固体撮像素子の上方には、フォトダイオード30部分を除いて遮光膜50が設けられ、さらにカラーフィルタ60、マイクロレンズ(図示せず)が設けられる。また、電荷転送電極40と遮光膜50との間、および遮光膜50とカラーフィルタ60との間は、絶縁性物質が充填される。電荷転送電極40および電極間絶縁膜3を除いて従来のものと同様であるので説明を省略する。また、図1では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、インターライン型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【0028】
次に、図2を用いてこの固体撮像素子の製造工程について説明する。まず、図2(a)に示すように、n型のシリコン基板1表面に、膜厚15nmの酸化シリコン膜と、膜厚50nmの窒化シリコン膜と、膜厚10nmの酸化シリコン膜を形成し、3層構造のゲート絶縁膜2を形成する。続いてこのゲート絶縁膜2上に、Heで希釈したSiH4とPH3との混合ガスを反応性ガスとして用いた減圧CVD法により、膜厚0.4μmの高濃度ドープの多結晶シリコン膜4aを形成する。このときの基板温度は600〜700℃とする。続いて、減圧CVD法によりエッチングストッパ層となる酸化シリコン膜6を形成し、そしてこの上層にTHMRと称する東京応化製のレジストを厚さ0.8〜1.4μmとなるように塗布する。
【0029】
そして、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、パターン幅0.5μmのレジストパターンRを形成する。このとき解像限界が0.5μmであった。
【0030】
この後、図2(b)に示すように、HBrとO2との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりレジストパターンRをマスクとし、ゲート絶縁膜2をエッチングストッパとして多結晶シリコン膜4aと酸化シリコン膜6とを選択的にエッチング除去したのち、レジストパターンRを剥離除去する。ここではECRあるいはICPなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【0031】
続いて、図2(c)に示すように、、TEOSとO2との混合ガスを用いた減圧CVD法により膜厚30nmの酸化シリコン膜からなる第2の絶縁膜3aを形成する。
【0032】
そして図2(d)に示すように、異方性エッチングにより、垂直方向にのみエッチングを進行させ、多結晶シリコン膜4aの側壁にのみ第2の絶縁膜(酸化シリコン膜)3aを残すようにエッチングを行い、側壁絶縁膜からなる電極間絶縁膜3を形成する。
【0033】
次に、図2(e)に示すように、SiH4とPH3の混合ガスを用いた減圧CVD法により膜厚0.4〜1.4μmの高濃度ドープの多結晶シリコン膜4bを形成する。
【0034】
そして、図2(f)に示すように、基板表面をCMPにより研磨し、さらに化学的エッチングにより、電極間絶縁膜3の上面が露呈するまでエッチングして、多結晶シリコン膜4a、4bとからなる電荷転送電極を個々に分離する。そして、この上層に絶縁膜、遮光膜などを形成して、図1に示したような固体撮像素子を得る。
【0035】
この方法によれば、電極間絶縁膜としての絶縁膜のパターンを形成する際に異方性エッチングを用いた側壁残しにより、微細でかつ信頼性の高い電極間絶縁膜が容易に形成される。したがって、解像限界よりも小さな、微細な電極間絶縁膜を有する固体撮像素子を形成することが可能となる。
【0036】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。第1の実施の形態では、電荷転送電極の導電層を多結晶シリコン膜1層で形成したが、第2の実施の形態では、電荷転送電極の低抵抗化を図るために、表面側に金属を含む導電膜を形成した2層構造としている。
【0037】
図3に、本発明の第2の実施の形態の固体撮像素子の概略構成を示す。図3は、図1(a)と対応する断面図であり、多結晶シリコン膜4a、4bの上層に、タングステン膜5などの導電膜が積層されている。導電膜としては、タングステンシリサイドでもよく、また、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、あるいはこれらのシリサイド、あるいはアルミニウムなどを利用してもよい。他の部分については図1の固体撮像素子と同様であるので、説明を省略する。
【0038】
図4(a)ないし(h)にその工程図を示すが、図4(a)ないし(e)の工程は、第1の実施の形態の工程図を示す図2(a)ないし(e)と同様であるので、説明を省略する。
【0039】
この後、図4(f)に示すように、HBrとO2との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより多結晶シリコン膜4a、4bの表面をエッチング除去し、電極間絶縁膜3の頂部を上端面よりも低い位置まで露呈させる。そして、図4(g)に示すように、多結晶シリコン膜4a、4bの上層に、WF6とH2とを用いた減圧CVD法により、膜厚500〜600nmのタングステン膜5を形成する。このときの基板温度は500℃であった。このとき、基板表面の凹凸はなく平坦な表面となっている。
【0040】
続いて、図4(h)に示すように、CF4とO2との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、電極間絶縁膜3の頂面が露呈し、基板表面が平坦となるようにエッチバックし、多結晶シリコン膜4a、4b、タングステン膜5からなる電荷転送電極を個々に分離する。そして、この上層に絶縁膜、遮光膜などを形成して、図1に示したような固体撮像素子を得る。なお、この場合、タングステン膜5が充分な遮光効果が得られる程度の厚さとすることにより、遮光膜を省略することも可能である。
【0041】
(第3の実施の形態)
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。第1および第2の実施の形態では、多結晶シリコン膜4aのパターニングのためのマスクあるいはエッチバックの際のエッチングストッパ層として、酸化シリコン膜6を用いたが、酸化シリコン膜に限定されることなく窒化シリコン膜でもよいし、クロム薄膜などの金属膜でもよい。下層の多結晶シリコン膜および、上層に形成する多結晶シリコン膜とのエッチング選択性をもつ材料であればよい。
【0042】
(第4の実施の形態)
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。第2の実施の形態では、多結晶シリコン膜4a、4bの表面を、電極間絶縁膜3の上端面よりも低い位置まで除去した後、多結晶シリコン膜4a、4bの上層に、タングステン膜5を形成したが、第4の実施の形態は、多結晶シリコン膜4a、4bを形成後、タングステン膜5a、5bを形成するものである。
【0043】
次に、この固体撮像素子の製造工程について、図5(a)ないし(f)を用いて説明する。まず、図5(a)に示すように、n型のシリコン基板1表面に、膜厚15nmの酸化シリコン膜と、膜厚50nmの窒化シリコン膜と、膜厚10nmの酸化シリコン膜を形成し、3層構造のゲート絶縁膜2を形成する。続いて、このゲート絶縁膜2上に、SiH4とPH3との混合ガスを反応性ガスとして用いた減圧CVD法により、膜厚0.4μmの高濃度ドープの多結晶シリコン膜4aを形成し、さらに、WF6を用いたCVD法によりタングステン膜5aを形成する。このときの基板温度は500℃とする。
【0044】
続いて、減圧CVD法により酸化シリコン膜6を形成し、そしてこの上層にFDURと称する東京応化製のレジストを厚さ0.8〜1.4μmとなるように塗布する。そしてフォトリソグラフィにより、所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、パターン幅0.35μmのレジストパターンRを形成する。このとき解像限界が0.35μmであった。
【0045】
この後、図5(b)に示すように、Cl2とO2との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりレジストパターンRをマスクとして、酸化シリコン膜6とタングステンシリサイド膜4bとをパターニングした後、ゲート絶縁膜2をエッチングストッパとして多結晶シリコン膜4aを選択的にエッチング除去し、さらに、レジストパターンRを剥離除去する。ここではECRあるいはICPなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【0046】
次いで、図5(c)に示すように、TEOSとO2との混合ガスを用いた減圧CVD法により膜厚30nmの酸化シリコン膜からなる第3の絶縁膜3aを形成する。
【0047】
そして、図5(d)に示すように、異方性エッチングにより、垂直方向にのみエッチングを進行させ、多結晶シリコン膜4aとタングステンシリサイド膜5aの側壁にのみ第3の絶縁膜3aを残すようにエッチングを行い、側壁絶縁膜からなる電極間絶縁膜3を形成する。
【0048】
続いて、図5(e)に示すように、SiH4とPH3の混合ガスを用いたCVD法により膜厚0.3μmの高濃度ドープの多結晶シリコン膜4bを形成し、さらにWF6を用いたCVD法によりタングステン膜5bを形成する。そして、図5(f)に示すように、エッチバックにより、第2の絶縁膜6が露呈するまで異方性エッチングを行う。
【0049】
なお、第4の実施の形態におけるタングステン膜5a、5bに換えて、タングステンシリサイド膜を利用してもよい。また、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、あるいはこれらのシリサイド、あるいはアルミニウムなども利用できる。
【0050】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供することが可能となる。また、電荷転送電極の低抵抗化により電極の高さをさらに低くすることができ、かつ表面の平坦化を図ることができるため、色むなどの段差に起因する光学特性不良を低減することが可能となる。さらに、高速転送が可能となるためスミアなどの光学特性を改善することができ、高品質で信頼性の高いCCDを得ることが可能となる。
【0051】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の固体撮像素子の概略構成を示す図
【図2】本発明の第1の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図
【図3】本発明の第2の実施の形態の固体撮像素子の概略構成を示す図
【図4】本発明の第2の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図
【図5】本発明の第4の実施の形態の固体撮像素子製造工程を示す図
【符号の説明】
1・・・シリコン基板
2・・・第1の絶縁膜(ゲート絶縁膜)
3a・・・第2の絶縁膜(酸化シリコン膜)
3・・・電極間絶縁膜
4a、4b・・・多結晶シリコン膜
5a、5b、5・・・タングステン膜
6・・・酸化シリコン膜
30・・・フォトダイオード
31・・・チャネルストップ領域
40・・・電荷転送電極
50・・・遮光膜
Claims (4)
- 半導体基板表面の第1の絶縁膜上に、複数の電荷転送電極が形成された固体撮像素子の製造方法であって、
前記第1の絶縁膜上に、前記電荷転送電極の少なくとも一部を構成する第1の導電性膜を形成する第1の導電性膜形成工程と、
この上層に前記第1の導電性膜を構成する材料に対してエッチング選択性を有する材料からなるエッチングストッパ層を形成する工程と、
フォトリソグラフィにより前記第1の導電性膜および前記エッチングストッパ層とをパターニングし、前記第1の導電性膜と前記エッチングストッパ層との2層構造パターンを形成する工程と、
前記2層構造パターンを覆うように、基板表面全体に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記2層構造パターンの側壁にのみ前記第2の絶縁膜を残すように前記第2の絶縁膜を垂直方向に、異方性エッチングする側壁絶縁膜形成工程と、
この上層に、前記2層構造パターン全体を覆って表面が平坦となるまで、前記電荷転送電極の少なくとも一部を構成する第2の導電性膜を形成する第2の導電性膜形成工程と、
前記エッチングストッパが露呈するまで、前記第2の導電性膜をエッチバックするエッチバック工程と、
前記エッチングストッパを除去するエッチングストッパ除去工程とを含み、
前記側壁絶縁膜形成工程は、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして異方性エッチングを行う工程を含み、
前記第1の絶縁膜が、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との3層構造の絶縁膜であり、
前記エッチング選択性を有する材料が窒化シリコンであり、
前記第2の絶縁膜が酸化シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の製造方法であって、
前記第1および第2の導電性膜は、多結晶シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1または2記載の製造方法であって、
前記エッチバック工程は、化学的研磨法(CMP)法によるものである固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1ないし3のいずれか1項記載の製造方法であって、
前記エッチングストッパ除去工程の後、
さらに、前記側壁絶縁膜の上端よりも低い位置まで、前記第1および第2の導電性膜の表面をエッチングするエッチング工程と、
表面全体に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記側壁絶縁膜の頂面が露呈するまで前記金属膜をエッチバックし、表面を平坦化する平坦化工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
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