JP2004119795A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】単層構造の電荷転送電極間の短ギャップ化が可能でかつ電気的耐圧が高く、低消費電力で高速駆動可能な固体撮像素子を提供する。
また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の電荷転送電極が、半導体基板表面に、同一幅で起立する壁状のパターンをなすように形成された電極間絶縁膜で囲まれた領域に配設され、前記電極間絶縁膜によって電気的分離のなされた導電性膜で構成される。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法にかかり、特に低抵抗の単層電極構造の固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エリアセンサ等に用いられる固体撮像素子は、光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
固体撮像素子においては、撮像画素数の増加が進んでいるが、画素数の増加に伴い信号電荷の高速転送、すなわち電荷転送電極の高速パルスによる駆動が必要となるため、電荷転送電極の低抵抗化が求められている。低抵抗化の方法として、電荷転送電極を多結晶シリコンなどのシリコン系導電性材料と金属シリサイドとの２層構造とすることが提案されている。
【０００４】
一方、撮影画素数の増加により光電変換部領域が狭くなる傾向にあるが、狭い領域で多くの光を集めるためには、光電変換部表面に対して電荷転送電極形成部などの光電変換部周辺の高さをより低くして電極による光のけられ（遮断）を低減することが重要である。そのため、電荷転送電極を互いに重なることなく配置したいわゆる単層構造の電荷転送電極が提案されている。電荷転送電極を単層構造とすると、段差が低減され、転送電極部上の遮光膜の被覆性が向上し、より効果的である。
【０００５】
しかし、単層構造の電荷転送電極を高速パルスで駆動する場合、隣接する電荷転送電極の電極間距離（ギャップ）を狭く形成する（０．１μｍ以下）必要がある。この程度のパターンサイズを得るためには平坦な表面でＥＢ直描法を用いるなど、高価なステッパを使用する必要があり、また、電極パターンを得ることができたとしても、微細な電極間領域に絶縁膜を充填するのは極めて困難であり、耐圧劣化の原因ともなり、実用上は充分でなかった。
【０００６】
さらに、電荷転送電極をパターニングして、溝に酸化シリコン膜などの絶縁膜を埋め込み電極間絶縁膜とする構造では、電極下へのセルフアラインでのイオン注入が不可能であった。
【０００７】
また、電荷転送電極をシリコン系導電性材料と金属シリサイドとの２層構造とした場合、タングステンやタングステンシリサイドなどの高融点金属あるいは高融点金属化合物は酸化するのが困難であり、仮に酸化できたとしても、得られた絶縁膜の（電気的）耐圧は充分でないため、電極間に酸化によって実用可能な絶縁膜を形成することは無理である。
【０００８】
微細領域に絶縁膜を隙間なく形成する方法の一例として、トレンチ内にゲート電極を形成するに先立ち、ダミー電極を形成し、熱処理を行った後、ダミー電極を除去し低融点金属を埋め込むようにした電極形成方法も提案されている（特許文献１参照）。
この方法では、ゲート電極となる低融点金属を埋め込んだ後の熱工程を回避できるため、低融点金属が収縮したりするのを防ぐことが可能となる。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−２８４５８７号公報（［００１７］、［００１８］等）。
【００１０】
しかしながらこの方法でも電極間距離が０．１μｍ程度以下と小さ苦することは不可能であった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように、高速駆動をはかるために、隣接する電荷転送電極間の電極間距離は、望ましくは０．１μｍ程度以下と小さくする必要があり、かつ高い電気的耐圧が要求される。
【００１２】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、単層構造の電荷転送電極間の短ギャップ化が可能でかつ電気的耐圧が高く、低消費電力で高速駆動可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明では、固体撮像素子の電荷転送電極が、半導体基板表面に、同一幅で起立する壁状のパターンからなる電極間絶縁膜で囲まれた領域に配設され、前記電極間絶縁膜によって電気的分離のなされた導電性膜で構成されることを特徴とする。
【００１４】
かかる構成によれば、デザインルールを越えた微細幅の電極間絶縁膜を形成することが出来る上、壁状の電極間絶縁膜で囲まれた領域に電荷転送電極が形成されているため、電極面積を最大限に大きくとることができ、低抵抗化をはかることが可能である。表面が平坦でかつ単層構造であるため、ホトダイオードの受光の遮断を防止することができ、高感度の電荷転送が可能となる。
また、表面の平坦化をはかることができるため、この上層に配線構造を形成するような場合にも効率よくパターン形成を行うことが可能となる。
【００１５】
望ましくは、前記電極表面が、電極間絶縁膜の上端面よりも突出しないように形成することにより、電極間の短絡を確実に防止することが可能となる。
【００１６】
かかる構造は、前記電極間絶縁膜によって形成される電荷転送電極間の間隔が、０．１μｍ以下である場合に特に有効である。
電荷転送電極間の間隔が０．１μｍ以下の場合、電極間に絶縁膜を充填するのは極めて困難であるが、本発明の構造の場合、壁状の電極間絶縁膜で囲まれた領域に電荷転送電極を形成しているため、効率よく信頼性の高い固体撮像素子を提供することができる。
【００１７】
望ましくは、前記電荷転送電極は表面が金属膜で被覆されており、前記金属膜の表面が、前記電極間絶縁膜の上端と同一表面となるように構成されていることを特徴とする。
【００１８】
かかる構成によれば、電極間絶縁膜の上端と同一表面となるよう導電性膜上に低抵抗の金属膜が形成されているため、表面の平坦性を維持しつつ、電極の低抵抗化を測ることが可能となる。
【００１９】
なお、ここで電荷転送電極は金属膜以外にも多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系導電性膜である場合にも有効であることはいうまでもない。
【００２０】
望ましくは、前記導電性膜は、多結晶シリコン膜と、多結晶シリコン膜の上層に形成されたタングステンシリサイド膜とで構成されたことを特徴とする。
【００２１】
かかる構成によれば、上記効果に加え、金属膜としてタングステンシリサイドを用いており、かつ基板表面の大部分を占有しているため、遮光効果が良好であり、従来必要であった遮光膜が不要となり、低コストで信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００２２】
またタングステンシリサイド膜に限定されることなく、チタン、コバルト、タンタルなどの他の金属のシリサイド膜にも適用可能である。
【００２３】
本発明の方法は、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１の薄膜からなるダミーパターンを形成する工程と、前記ダミーパターンの形成された半導体基板表面に第２の薄膜を形成し、異方性エッチングにより、前記ダミパターンの側壁に前記第２の薄膜を残留させ、電極間絶縁膜を形成する工程と、前記ダミーパターンを除去する工程と、前記電極間絶縁膜上に導電性膜を形成し、平坦化処理を行い、前記電極間絶縁膜の間に導電性膜を形成し、電荷転送電極を形成する平坦化工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
かかる構成によれば、電極間絶縁膜のパターンを形成する際に、ダミーパターンを形成し、このダミーパターンの上層に第２の薄膜として絶縁膜あるいはシリコン系導電性膜などを形成し、異方性エッチングを用いた側壁残しなどの方法によりダミーパターンに沿って側壁絶縁膜を形成し、これを電極間絶縁膜として用いるようにしているため、微細かつ緻密で信頼性の高い電極間絶縁膜が容易に形成される。
【００２５】
またこの方法では電極間絶縁膜は直接フォトリソグラフィによって形成するのではなく側壁絶縁膜として形成するため、解像限界を超えた微細幅のパターンを容易に形成することが可能となる。またこのダミーパターンは後で除去するものであって、使用するものではないため、従来の電極の側壁に形成した電極間絶縁膜に比べ自由なパターン形成が可能となる。ここで第２の薄膜としてシリコン系導電性膜を用いた場合には、側壁残しにより壁状のシリコン系導電性膜パターンを形成した後これを酸化することにより壁状の電極間絶縁膜を形成するようにしてもよい。電荷転送電極の１つおきに相当する位置にダミーパターンを形成し、このダミーパターンの側壁に絶縁膜を形成しているため、このダミーパターンをマスクとしてイオン注入を行うことができ、チャネル濃度を段階的に変える構造を容易に形成することが可能となる。加えて、電荷転送電極自体は同一工程で形成するため、電極間での特性のばらつきを抑制することができ、特性の良好な固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００２６】
望ましくは、ダミーパターンの形成に際してはゲート酸化膜をエッチングストッパとして形成すればゲート酸化膜の膜減りが防止され耐圧特性の低下を防ぐことができる。例えばダミーパターンが多結晶シリコンである場合、ゲート酸化膜とのエッチング選択比を大きく取ることができる。またダミーパターンは多結晶シリコン膜に限定されることなく、絶縁膜であってもよい。この場合は電極間絶縁膜の構成材料に対してエッチング選択性を持たせることのできる材料を用いることが大切である。
【００２７】
また、前記側壁絶縁膜形成工程では、ゲート酸化膜をエッチングストッパと
して異方性エッチングを行うようにすれば、ゲート酸化膜の膜減りが防止され、耐圧特性の低下を防止することが可能となる。例えばゲート酸化膜をＮＯ膜で形成すれば、側壁絶縁膜を酸化シリコン膜で構成した場合、ゲート酸化膜の窒化シリコン膜をエッチングストッパとして用いることができる。
【００２８】
また、ダミーパターンの形成工程を、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１のシリコン系導電性膜を形成し、フォトリソグラフィなどにより、電極間領域となる領域を選択的に除去し第１のシリコン系導電性膜パターンを形成するようにしてもよい。そしてこの第１のシリコン系導電性膜パターンを酸化し、酸化シリコン膜からなる側壁絶縁膜を形成し、異方性エッチングにより前記第１のシリコン系導電性膜パターンの側壁に酸化シリコン膜を残すようにすれば、作業性よくかつ緻密で膜質の良好な電極間絶縁膜を形成することが可能となる。また電極間絶縁膜の幅はこの熱酸化による酸化シリコン膜の膜厚で決まるため、制御性よく微細幅のパターンを形成することが可能となる。
【００２９】
また、望ましくは、この電極間絶縁膜の形成に際しては、ＣＶＤ法によりダミーパターンの上層に膜質の良好な酸化シリコン膜を形成し、こののち異方性エッチングにより前記ダミーパターンの側壁に酸化シリコン膜を残留せしめるようにすれば、低温プロセスで電極間絶縁膜を形成することが可能となる。ここでも電極間絶縁膜の幅はこの酸化シリコン膜の膜厚で決まるため、この場合も制御性よく微細幅のパターンを形成することが可能となる。
【００３０】
望ましくは、前記エッチバック工程は、化学的研磨法（ＣＭＰ）法によるものであることを特徴とする。
かかる構成によれば、ＣＭＰ法により表面平坦性の良好な固体撮像素子が形成される。
【００３１】
また平坦化工程の後、前記電極間絶縁膜の上端よりも低い位置まで、前記導電性膜の表面をエッチングするエッチングし、さらに表面全体に金属膜を形成したのち、側壁絶縁膜の頂面が露呈するまで前記金属膜をエッチバックし、表面を平坦化するようにすれば容易に作業性よく低抵抗の電荷転送電極を形成することが可能となる。
【００３２】
導電性膜を多結晶シリコン層などで形成する場合、抵抗値の低減が難しいが、この方法では、多結晶シリコン膜の上層に金属膜を容易に積層することができ、低抵抗で信頼性の高い電荷転送電極を形成することが可能となる。
望ましくは、前記金属膜は、減圧ＣＶＤ法によるタングステン膜であってもよい。かかる構成によれば、減圧ＣＶＤ法により段差被覆性の良好なタングステン膜を形成することができ、また同時に遮光効果をもたせるようにすることも可能である。
【００３３】
このように本発明によれば、異方性エッチングを用いてダミーパターンの側壁に形成した絶縁膜を電極間絶縁膜とし、これらの間に低抵抗配線材料などを埋め込み電荷転送電極としているため表面の平坦化を図ることが出来ると共に単層構造であるため、デバイスの高さを低減することができ、フォトリソ工程やエッチング工程での加工マージンが広がり、高価なステッパなどの半導体製造装置を用いることなく高歩留まりの固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００３４】
また高品質の絶縁膜を電極間絶縁膜として用いているため、電気的耐圧の改善を図ることが出来歩留まりが向上する。
さらにまた微細な幅の電極間領域に絶縁材料を埋め込む必要がなく、電気的耐圧の低下を防止することができ、歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（第１の実施の形態）
図１に、本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の概略構成を示す。図１（ａ）は、その光電変換部から電荷転送電極までを示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
この固体撮像素子は、図１（ｂ）に要部断面図を示すように、所望の素子領域の形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される多結晶シリコン膜とタングステンシリサイドとの２層構造膜からなる複数の電荷転送電極４０が、同一幅で起立する壁状のパターンをなす酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３で囲まれていることを特徴とする。ここで壁状のパターンは、基板表面と上端とでほぼ同一幅をなすように形成されている。また電荷転送電極表面は電極間絶縁膜の近傍で高く中央で少しくぼんだ形状となっている。
【００３６】
この電極間絶縁膜３は、ダミーパターンとしての多結晶シリコン膜のパターン上に減圧ＣＶＤ法によって形成した酸化シリコン膜を異方性エッチングによって側壁にのみ残したいわゆる側壁酸化膜で構成されており、リソグラフィ工程を減ることなく高精度の微細パターンを形成したものである。
【００３７】
またこの電極間絶縁膜３に囲まれた凹部に、高濃度ドープされた多結晶シリコン層からなる第１の導電性膜４ａと、この上層に形成されたタングステンシリサイド４ｂとで構成され、表面が前記電極間絶縁膜３の表面と同程度であることを特徴とするものである。
【００３８】
なお図１に示すように、シリコン基板１には、複数のフォトダイオード３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送電極４０が、フォトダイオード３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送電極４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネル３１は、図１（ａ）では図示していないが、電荷転送電極４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。なお、図１（ａ）においては、電極間絶縁膜３の内、フォトダイオード領域と電荷転送電極４０との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。
【００３９】
図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１内には、フォトダイオード３０、電荷転送チャネル３１、チャネルストップ領域３２、電荷読み出し領域３３が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と電荷転送電極４０が形成される。
【００４０】
電荷転送電極４０は、上述したとおりであるが、電荷転送電極４０の上面には層間絶縁膜としての、酸化シリコン膜５が形成される。
【００４１】
固体撮像素子の上方には、フォトダイオード３０部分を除いて遮光膜５０が設けられ、さらにカラーフィルタ６０、マイクロレンズ７０が設けられる。また、電荷転送電極４０と遮光膜５０との間、および遮光膜５０とカラーフィルタ６０との間は、絶縁性の透明樹脂等が充填される。電荷転送電極４０および電極間絶縁膜３を除いて通例のものと同様であるので説明を省略する。また、図１では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、インターライン型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【００４２】
次にこの固体撮像素子の製造工程について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。続いてこのゲート酸化膜２上に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_４とＨ_２との混合ガスを反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍの高濃度ドープの多結晶シリコン膜Ｄを形成する。このときの基板温度は５００℃とする。
続いて、この上層にＯＦＰＲと指称する東京応化製のレジストパターン（図示せず）を厚さ０．８〜１．４μｍとなるように塗布する。
【００４３】
そしてフォトリソグラフィにより、所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、パターン幅０．３５μｍのレジストパターンを形成する。このとき解像限界が０．３５μｍであった。
【００４４】
この後、図２（ｂ）に示すように、ＨＢｒとＯ_２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりレジストパターンをマスクとし、ゲート酸化膜２をエッチングストッパとして多結晶シリコン膜Ｄを選択的にエッチング除去したのち、レジストパターンを剥離除去する。ここではＥＣＲあるいはＩＣＰなどのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００４５】
そして図２（ｃ）に示すように、ＳｉＣｌ_４とＨ_２とＯ_２の混合ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により膜厚３０ｎｍの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３Ｓを形成する。
【００４６】
そして図２（ｄ）に示すように、必要に応じてこのダミーパターンである多結晶シリコン膜Ｄをマスクとしてチャネル形成のためのイオン注入を行う。このようにダミーパターンをマスクとして用いることにより、１個おきにチャネル濃度を段階的に変えるようにイオン注入を行うことができる。
【００４７】
そして図２（ｅ）に示すように、反応性イオンエッチング（異方性エッチング）により、垂直方向にのみエッチングを進行させ、電極となる領域の側壁にのみ窒化シリコン膜を残すようにエッチングを行い、幅０．１μｍの酸化シリコン膜の壁状の側壁絶縁膜からなる電極間絶縁膜３を形成する。
【００４８】
そしてこのようにして図２（ｆ）に示すように、多結晶シリコン膜Ｄをエッチング除去し、壁状の酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３で電極を形成すべき凹部を囲む形状を形成する。
【００４９】
そして、ＳｉＣｌ_４とＨ_２の混合ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により膜厚０．４〜１．４μｍの高濃度ドープの多結晶シリコン膜４ａを形成する。そしてＷＦ_６とＨ_２ＳＯ_４とを用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚５００〜６００ｎｍのタングステン膜４ｂ‘を形成する。このときの基板温度は５００℃であった。
【００５０】
そして、図２（ｇ）に示すように、ＣＭＰにより前記基板表面を研磨および化学的エッチングを行い、電極間絶縁膜３の上面が露呈するまでエッチングする。この後９００℃３０分程度の熱処理を行いタングステン膜を下層の多結晶シリコン膜と反応させタングステンシリサイド膜４ｂを形成する。
【００５１】
このようにして多結晶シリコン膜４ａと、タングステンシリサイド膜４ｂとからなる電荷転送電極を個々に分離し、この上層に減圧ＣＶＤ法により酸化シリコン膜５を形成し、図１に示したような固体撮像素子を形成することが出来る。
【００５２】
この方法によれば、電極間絶縁膜としての絶縁膜のパターンを形成する際にダミーパターン（多結晶シリコン膜Ｄ）の側壁に形成した絶縁膜を異方性エッチングによる側壁残しにより、行っており、微細でかつ信頼性の高い電極間絶縁膜が容易に形成される。従って、解像限界よりも小さな、微細な電極間絶縁膜を有する固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００５３】
なお、前記第１の実施の形態では、電荷転送電極の低抵抗化をはかるために、導電性膜の表面に金属膜を形成し、２層構造の電荷転送電極を形成するようにしたが、１層構造でもよい。
【００５４】
また電極間絶縁膜は多結晶シリコン膜などのシリコン系導電性膜を用いて同様の方法でダミーパターンの側壁に壁状のパターンとなるように形成し、ダミーパターンを除去した後、この後熱酸化を行うことにより壁状の電極間絶縁膜とすることも可能である。
【００５５】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。
ところで、前記第１の実施の形態では、ダミーパターン４０の上層にＣＶＤ法により酸化シリコン膜３Ｓを形成した（図２（ｃ））が、この例ではダミーパターン４０を図３に示すように、熱酸化することにより酸化シリコン膜３ｔを形成し、これを側壁残しにより壁状のパターンからなる電極間絶縁膜３としてもよい。前後の工程については前記第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
この方法によっても膜質の良好な電極間絶縁膜を形成することができる。
なお、この方法では側壁残しのためのエッチング工程を反応性イオンエッチングで行ったが、熱酸化の場合にはダミーパターンのまわりにのみ酸化シリコン膜が形成されているためダミーパターン上面の酸化シリコンのみを除去すればよく、ＣＭＰやエッチバックなどによってもよい。
【００５７】
また、金属膜としてはタングステンシリサイドのほか、タングステン、タンタル、チタン、モリブデン、コバルト、あるいはこれらのシリサイド、あるいはアルミニウムなどでもよい。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、デザインルールを越えた狭ギャップ化が可能となり、微細で信頼性の高い電極間絶縁膜を得ることができる。
【００５９】
また、電極面積を増大することができ、配線配線抵抗が小さく、高速転送の可能な固体撮像素子を提供することが可能となる。
【００６０】
また、平坦な表面を得ることができ感度低下のない単層電極構造の固体撮像素子を提供することが可能となる。
【００６１】
また電荷転送電極の低抵抗化により電極の高さをさらに低くすることができ、かつ表面の平坦化をはかることができるため、色むらなどの段差に起因する光学特性不良を低減することが可能となる。
また、高速転送が可能となるためスミアなどの光学特性を改善することが出来、高品質で信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００６２】
また本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、単層電極構造で微細な電極間距離を得ることが容易に可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子を示す図である。
【図２】図２（ａ）乃至（ｇ）は本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子の製造工程の一部を示す図である。
【符号の説明】
１　シリコン基板
２　ゲート酸化膜
３　電極間絶縁膜
４ａ　多結晶シリコン膜
４ｂ　タングステンシリサイド膜
５　酸化シリコン膜

Claims (10)

1. 固体撮像素子の電荷転送電極が、
   半導体基板表面に、同一幅で起立する壁状のパターンからなる電極間絶縁膜で囲まれた領域に配設され、前記電極間絶縁膜によって電気的分離のなされた導電性膜で構成されることを特徴とする固体撮像素子。
2. 前記電極表面は、電極間絶縁膜の上端面よりも突出しないように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
3. 前記電極間絶縁膜の幅は、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
4. 前記電荷転送電極は表面が金属膜で被覆されており、前記金属膜の表面が、前記電極間絶縁膜の上端と同一表面となるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。
5. 前記導電性膜は、多結晶シリコン膜と、多結晶シリコン膜の上層に形成されたタングステンシリサイド膜とで構成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子。
6. ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１の薄膜を形成し、少なくとも電極間領域となる領域を選択的に除去しダミーパターンを形成する工程と、
   前記ダミーパターンの形成された半導体基板表面に第２の薄膜を形成し、異方性エッチングにより、前記ダミパターンの側壁に前記第２の薄膜を残留させ、電極間絶縁膜を形成する工程と、
   前記ダミーパターンを除去する工程と、
   前記電極間絶縁膜上に導電性膜を形成し、平坦化処理を行い、前記電極間絶縁膜の間に導電性膜を形成し、電荷転送電極を形成する平坦化工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
7. 前記ダミーパターンの形成工程は、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１のシリコン系導電性膜を形成し、電極間領域となる領域を選択的に除去し第１のシリコン系導電性膜パターンを形成する工程を含み、
   前記電極間絶縁膜を形成する工程は、第１のシリコン系導電性膜パターンを酸化し、前記第２の薄膜として酸化シリコン膜からなる側壁絶縁膜を形成する工程と、異方性エッチングにより前記第１のシリコン系導電性膜パターンの側壁に酸化シリコン膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法。
8. 前記電極間絶縁膜を形成する工程は、ＣＶＤ法によりダミーパターンの上層に前記第２の薄膜として酸化シリコン膜を形成する工程と、
   異方性エッチングにより、異方性エッチングにより前記ダミーパターンの側壁に酸化シリコン膜を残留せしめる工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法。
9. 前記平坦化工程は、化学的研磨法（ＣＭＰ）法によるものであることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法。
10. 前記平坦化工程の後、前記電極間絶縁膜の上端よりも低い位置まで、前記導電性膜の表面をエッチングするエッチング工程を含み、
    さらに表面全体に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
    前記側壁絶縁膜の頂面が露呈するまで前記金属膜をエッチバックし、表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。

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