JPH10242450A - 電荷転送装置、その製造方法 - Google Patents
電荷転送装置、その製造方法Info
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- JPH10242450A JPH10242450A JP9047646A JP4764697A JPH10242450A JP H10242450 A JPH10242450 A JP H10242450A JP 9047646 A JP9047646 A JP 9047646A JP 4764697 A JP4764697 A JP 4764697A JP H10242450 A JPH10242450 A JP H10242450A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電荷転送装置の電極上の絶縁膜を増加させる
ことなく電極間の間隙を短縮する。 【解決手段】 第一の絶縁膜上に電極を形成する第一第
二の導電膜を積層させてから第二の絶縁膜を形成し、第
二の絶縁膜と第二の導電膜を同一形状にパターニングす
る。この上に第三の絶縁膜を形成してエッチバックによ
り第二の絶縁膜と第二の導電膜との側壁部のみに残存さ
せ、第二の絶縁膜と第三の絶縁膜とをマスクとしたエッ
チングにより第一の導電膜を複数に分離する。エッチバ
ックにより残存させる第三の絶縁膜の横幅を第二の絶縁
膜と第二の導電膜との膜厚の合計とできるので、電極上
に位置する第二の絶縁膜の膜厚を増加させることなく、
第三の絶縁膜の横幅を増加させることができる。
ことなく電極間の間隙を短縮する。 【解決手段】 第一の絶縁膜上に電極を形成する第一第
二の導電膜を積層させてから第二の絶縁膜を形成し、第
二の絶縁膜と第二の導電膜を同一形状にパターニングす
る。この上に第三の絶縁膜を形成してエッチバックによ
り第二の絶縁膜と第二の導電膜との側壁部のみに残存さ
せ、第二の絶縁膜と第三の絶縁膜とをマスクとしたエッ
チングにより第一の導電膜を複数に分離する。エッチバ
ックにより残存させる第三の絶縁膜の横幅を第二の絶縁
膜と第二の導電膜との膜厚の合計とできるので、電極上
に位置する第二の絶縁膜の膜厚を増加させることなく、
第三の絶縁膜の横幅を増加させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単層電極構造の電
荷転送装置と、その製造方法に関し、特に電荷転送電極
の材料層として異なる二層の導電膜を積層して狭い電極
間隔を実現した電荷転送装置、その製造方法に関する。
荷転送装置と、その製造方法に関し、特に電荷転送電極
の材料層として異なる二層の導電膜を積層して狭い電極
間隔を実現した電荷転送装置、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、微細加工技術の進歩に伴い、単層
の電極材料を用いてこれをエッチング加工することで狭
い電極間距離を有する単層電極構造の電荷転送装置が形
成可能となった。単層電極構造の電荷転送装置では、電
極間の重なり部分がないことから、層間容量が小さく、
また、電極間の絶縁の問題が無いという利点がある。ま
た、層間膜を形成するために電極を酸化する必要がない
ため、電極材料として多結晶シリコンのほかに金属膜や
そのシリサイド膜を用いることができ、電極の低抵抗化
が図れるという利点もある。
の電極材料を用いてこれをエッチング加工することで狭
い電極間距離を有する単層電極構造の電荷転送装置が形
成可能となった。単層電極構造の電荷転送装置では、電
極間の重なり部分がないことから、層間容量が小さく、
また、電極間の絶縁の問題が無いという利点がある。ま
た、層間膜を形成するために電極を酸化する必要がない
ため、電極材料として多結晶シリコンのほかに金属膜や
そのシリサイド膜を用いることができ、電極の低抵抗化
が図れるという利点もある。
【０００３】現在の半導体製造プロセスで広く用いられ
ているフォトリソグラフィー技術を用いると約０．６μ
ｍの電極間距離を安定して形成することができる。しか
し、電極間距離は電荷転送特性に影響を及ぼし、理想的
には０．２μｍ以下の電極間距離を形成するのが望まし
い。そこで、プロセス上の工夫によって狭い電極間距離
を実現する方法が考え出された。
ているフォトリソグラフィー技術を用いると約０．６μ
ｍの電極間距離を安定して形成することができる。しか
し、電極間距離は電荷転送特性に影響を及ぼし、理想的
には０．２μｍ以下の電極間距離を形成するのが望まし
い。そこで、プロセス上の工夫によって狭い電極間距離
を実現する方法が考え出された。
【０００４】ここで、従来の埋め込みチャネル単層電極
構造の電荷転送装置の製造方法を、図５ないし図７を参
照して以下に説明する（参考文献：テレビジョン学会誌
Ｖｏｌ．５０，Ｎｏ．２，ｐｐ．２３４−２４０（１
９９６））。なお、図５ないし図７は製造工程に於ける
断面図である。
構造の電荷転送装置の製造方法を、図５ないし図７を参
照して以下に説明する（参考文献：テレビジョン学会誌
Ｖｏｌ．５０，Ｎｏ．２，ｐｐ．２３４−２４０（１
９９６））。なお、図５ないし図７は製造工程に於ける
断面図である。
【０００５】まず、図５(ａ)に示すように、ｐ型半導体
基板２０１内に反対導伝型のｎ型半導体領域２０２を形
成し、熱酸化を施すことにより前記ｎ型半導体層２０２
の表面に第一の酸化膜２０３を形成する。つぎに、同図
(ｂ)に示すように、電荷転送電極材料である多結晶シリ
コン２０４とタングステンシリサイド膜２０５を各々お
よそ０．１μｍの膜厚に順次堆積させてから、同図(ｃ)
に示すように、第二の酸化膜２０６をおよそ０．２μｍ
の膜厚に形成する。
基板２０１内に反対導伝型のｎ型半導体領域２０２を形
成し、熱酸化を施すことにより前記ｎ型半導体層２０２
の表面に第一の酸化膜２０３を形成する。つぎに、同図
(ｂ)に示すように、電荷転送電極材料である多結晶シリ
コン２０４とタングステンシリサイド膜２０５を各々お
よそ０．１μｍの膜厚に順次堆積させてから、同図(ｃ)
に示すように、第二の酸化膜２０６をおよそ０．２μｍ
の膜厚に形成する。
【０００６】さらに、図６(ａ)に示すように、フォトリ
ソグラフィー法により形成したフォトレジストをマスク
にして第二の酸化膜２０６をエッチング加工してから、
同図(ｂ)に示すように、その全面に第三の酸化膜２０７
をおよび０．２μｍの膜厚に形成する。そして、同図
(ｃ)に示すように、第三の酸化膜２０７をエッチバック
することにより、第二の酸化膜２０６の側壁部に側壁酸
化膜２０８を形成する。
ソグラフィー法により形成したフォトレジストをマスク
にして第二の酸化膜２０６をエッチング加工してから、
同図(ｂ)に示すように、その全面に第三の酸化膜２０７
をおよび０．２μｍの膜厚に形成する。そして、同図
(ｃ)に示すように、第三の酸化膜２０７をエッチバック
することにより、第二の酸化膜２０６の側壁部に側壁酸
化膜２０８を形成する。
【０００７】ついで、図７(ａ)に示すように、第二の酸
化膜２０６および側壁酸化膜２０８をマスクとして多結
晶シリコン２０４とタングステンシリサイド膜２０５を
エッチング分離し、およそ０．２μｍの電極間距離を有
する電荷転送電極２０９を形成する。続いて、同図(ｂ)
に示すように、層間絶縁膜２１０を形成してから、同図
(ｃ)に示すように、電荷転送電極２０９を金属配線２１
１にて接続することにより、単層電極構造の電荷転送装
置２００が完成する。
化膜２０６および側壁酸化膜２０８をマスクとして多結
晶シリコン２０４とタングステンシリサイド膜２０５を
エッチング分離し、およそ０．２μｍの電極間距離を有
する電荷転送電極２０９を形成する。続いて、同図(ｂ)
に示すように、層間絶縁膜２１０を形成してから、同図
(ｃ)に示すように、電荷転送電極２０９を金属配線２１
１にて接続することにより、単層電極構造の電荷転送装
置２００が完成する。
【０００８】上述した電荷転送装置２００の製造方法に
よると、タングステンシリサイド膜２０５上の第二の酸
化膜２０６をパターニングしてから第三の酸化膜２０７
を形成し、これをエッチバックすることによりタングス
テンシリサイド膜２０５上で第二の酸化膜２０６の側壁
部に第三の酸化膜２０８を残存させているので、隣接す
る第三の酸化膜２０８の間隙を安定にフォトリソグラフ
ィー技術の限界以下とすることができ、複数の電荷転送
電極２０９の間隔を極めて狭くすることができる。
よると、タングステンシリサイド膜２０５上の第二の酸
化膜２０６をパターニングしてから第三の酸化膜２０７
を形成し、これをエッチバックすることによりタングス
テンシリサイド膜２０５上で第二の酸化膜２０６の側壁
部に第三の酸化膜２０８を残存させているので、隣接す
る第三の酸化膜２０８の間隙を安定にフォトリソグラフ
ィー技術の限界以下とすることができ、複数の電荷転送
電極２０９の間隔を極めて狭くすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の単層電
極構造の電荷転送装置２００では、複数の電荷転送電極
２０９の間隔を極めて狭くするため、エッチバックによ
り第二の酸化膜２０６の側壁部に第三の酸化膜２０８を
残存させている。
極構造の電荷転送装置２００では、複数の電荷転送電極
２０９の間隔を極めて狭くするため、エッチバックによ
り第二の酸化膜２０６の側壁部に第三の酸化膜２０８を
残存させている。
【００１０】しかし、このようにエッチバックにより第
二の酸化膜２０６の側壁部に第三の酸化膜２０８を残存
させると、この第三の酸化膜２０８の横幅を第二の酸化
膜２０６の膜厚以上とすることができない。このため、
上述した電荷転送装置２００では、更に電荷転送電極２
０９の間隙を短縮するためには、第二の酸化膜２０６の
膜厚を増加させる必要がある。
二の酸化膜２０６の側壁部に第三の酸化膜２０８を残存
させると、この第三の酸化膜２０８の横幅を第二の酸化
膜２０６の膜厚以上とすることができない。このため、
上述した電荷転送装置２００では、更に電荷転送電極２
０９の間隙を短縮するためには、第二の酸化膜２０６の
膜厚を増加させる必要がある。
【００１１】しかし、これでは電荷転送電極２０９上に
厚い酸化膜２０６，２０８が形成されるため、層間絶縁
膜２１０の電極間隔部分での段差被覆性が劣化し、その
上に形成する金属配線２１１の段切れや電荷転送電極２
０９と金属配線２１１との間の絶縁耐圧の劣化等を引き
起すことになる。
厚い酸化膜２０６，２０８が形成されるため、層間絶縁
膜２１０の電極間隔部分での段差被覆性が劣化し、その
上に形成する金属配線２１１の段切れや電荷転送電極２
０９と金属配線２１１との間の絶縁耐圧の劣化等を引き
起すことになる。
【００１２】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、製造プロセスで用いられているフォトリ
ソグラフィー法による加工法よりも小さくなるように、
狭い電極間隔を形成する単層電極構造の電荷転送装置
と、その製造方法において、層間絶縁膜の電極間隔部分
での段差被覆性を劣化させることなく、更に電極間隔を
短縮できるようにすることを目的とする。
たものであり、製造プロセスで用いられているフォトリ
ソグラフィー法による加工法よりも小さくなるように、
狭い電極間隔を形成する単層電極構造の電荷転送装置
と、その製造方法において、層間絶縁膜の電極間隔部分
での段差被覆性を劣化させることなく、更に電極間隔を
短縮できるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の電荷転送装置
は、半導体基板と、該半導体基板の上面の略全域に形成
された第一の絶縁膜と、該第一の絶縁膜の上面の複数位
置に形成された複数の第一の導電膜と、該第一の導電膜
の各々の上面に幅狭に形成された第二の導電膜と、該第
二の導電膜の各々の上面に同幅に形成された第二の絶縁
膜と、該第二の絶縁膜と前記第二の導電膜との側壁部に
形成された第三の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜の上面か
ら前記第一の導電膜の上面まで形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜を介して前記第一の導電膜と前記第二
の導電膜との少なくとも一方に接続された金属配線と、
を具備している。
は、半導体基板と、該半導体基板の上面の略全域に形成
された第一の絶縁膜と、該第一の絶縁膜の上面の複数位
置に形成された複数の第一の導電膜と、該第一の導電膜
の各々の上面に幅狭に形成された第二の導電膜と、該第
二の導電膜の各々の上面に同幅に形成された第二の絶縁
膜と、該第二の絶縁膜と前記第二の導電膜との側壁部に
形成された第三の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜の上面か
ら前記第一の導電膜の上面まで形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜を介して前記第一の導電膜と前記第二
の導電膜との少なくとも一方に接続された金属配線と、
を具備している。
【００１４】従って、上述のような構造の電荷転送装置
を製造する場合、第二の絶縁膜とともに第二の導電膜も
パターニングし、そこに形成した第三の絶縁膜をエッチ
バックにより側壁部に残存させることが可能である。そ
の場合、この第三の絶縁膜の横幅を第二の絶縁膜と第二
の導電膜との膜厚の合計とすることができ、この第二の
導電膜は第一の導電膜とともに電極を形成するので、こ
の電極上に位置する第二の絶縁膜の膜厚を増加させるこ
となく、第三の絶縁膜の横幅を増加させることができ
る。
を製造する場合、第二の絶縁膜とともに第二の導電膜も
パターニングし、そこに形成した第三の絶縁膜をエッチ
バックにより側壁部に残存させることが可能である。そ
の場合、この第三の絶縁膜の横幅を第二の絶縁膜と第二
の導電膜との膜厚の合計とすることができ、この第二の
導電膜は第一の導電膜とともに電極を形成するので、こ
の電極上に位置する第二の絶縁膜の膜厚を増加させるこ
となく、第三の絶縁膜の横幅を増加させることができ
る。
【００１５】なお、本発明では半導体基板の表面に各種
層膜を順次積層する方向を上方として上面なる用語を使
用しているが、これは説明を簡略化するために便宜的に
使用しているものであり、実際の装置の製造時や使用時
の方向を制限するものではない。また、第二の絶縁膜と
第二の導電膜との側壁部とは、これらの層膜の側方に壁
状に位置する部分を意味しており、同時に第一の導電膜
上に位置することも意味している。
層膜を順次積層する方向を上方として上面なる用語を使
用しているが、これは説明を簡略化するために便宜的に
使用しているものであり、実際の装置の製造時や使用時
の方向を制限するものではない。また、第二の絶縁膜と
第二の導電膜との側壁部とは、これらの層膜の側方に壁
状に位置する部分を意味しており、同時に第一の導電膜
上に位置することも意味している。
【００１６】上述のような電荷転送装置における他の発
明としては、第一の導電膜が多結晶シリコンからなり、
第二の導電膜が高融点金属からなる。または、第一の導
電膜が多結晶シリコンからなり、第二の導電膜が高融点
金属のシリサイドからなる。従って、上述のように電荷
転送装置を製造する場合、第二の絶縁膜をマスクとして
第二の導電膜をエッチングする際、第一の導電膜をエッ
チングストッパとすることができる。
明としては、第一の導電膜が多結晶シリコンからなり、
第二の導電膜が高融点金属からなる。または、第一の導
電膜が多結晶シリコンからなり、第二の導電膜が高融点
金属のシリサイドからなる。従って、上述のように電荷
転送装置を製造する場合、第二の絶縁膜をマスクとして
第二の導電膜をエッチングする際、第一の導電膜をエッ
チングストッパとすることができる。
【００１７】なお、本発明で云う高融点金属とは、電極
の材料となる導電性を具備して融点が充分に高い金属で
あれば良く、例えば、タングステン、モリブデン、チタ
ン等を許容し、そのシリサイドとしては、タングステン
シリサイド、モリブデンシリサイド、チタンシリサイド
等を許容する。
の材料となる導電性を具備して融点が充分に高い金属で
あれば良く、例えば、タングステン、モリブデン、チタ
ン等を許容し、そのシリサイドとしては、タングステン
シリサイド、モリブデンシリサイド、チタンシリサイド
等を許容する。
【００１８】本発明の電荷転送装置の製造方法は、半導
体基板上に第一の絶縁膜を形成する工程と、該第一の絶
縁膜上に第一の導電膜と第二の導電膜とを順次形成する
工程と、該第二の導電膜上に第二の絶縁膜を形成する工
程と、該第二の絶縁膜および前記第二の導電膜を同一マ
スクを用いてパターニングする工程と、前記第二の絶縁
膜および前記第二の導電膜のパターニング後に全体の上
面に第三の絶縁膜を形成する工程と、該第三の絶縁膜を
エッチバックにより前記第二の絶縁膜および前記第二の
導電膜の側壁部のみに残存させる工程と、前記第二の絶
縁膜および前記第三の絶縁膜をマスクとしたエッチング
により前記第一の導電膜を複数に切断分離する工程と、
第一の導電膜と前記第二の導電膜との少なくとも一方に
層間絶縁膜を介して金属配線を接続する工程と、を具備
している。
体基板上に第一の絶縁膜を形成する工程と、該第一の絶
縁膜上に第一の導電膜と第二の導電膜とを順次形成する
工程と、該第二の導電膜上に第二の絶縁膜を形成する工
程と、該第二の絶縁膜および前記第二の導電膜を同一マ
スクを用いてパターニングする工程と、前記第二の絶縁
膜および前記第二の導電膜のパターニング後に全体の上
面に第三の絶縁膜を形成する工程と、該第三の絶縁膜を
エッチバックにより前記第二の絶縁膜および前記第二の
導電膜の側壁部のみに残存させる工程と、前記第二の絶
縁膜および前記第三の絶縁膜をマスクとしたエッチング
により前記第一の導電膜を複数に切断分離する工程と、
第一の導電膜と前記第二の導電膜との少なくとも一方に
層間絶縁膜を介して金属配線を接続する工程と、を具備
している。
【００１９】従って、第二の絶縁膜とともに第二の導電
膜もパターニングし、そこに形成した第三の絶縁膜をエ
ッチバックにより側壁部に残存させているので、この第
三の絶縁膜の横幅を第二の絶縁膜と第二の導電膜との膜
厚の合計とすることができる。そして、この第二の導電
膜は第一の導電膜とともに電極を形成するので、この電
極上に位置する第二の絶縁膜の膜厚を増加させることな
く、第三の絶縁膜の横幅を増加させることができる。
膜もパターニングし、そこに形成した第三の絶縁膜をエ
ッチバックにより側壁部に残存させているので、この第
三の絶縁膜の横幅を第二の絶縁膜と第二の導電膜との膜
厚の合計とすることができる。そして、この第二の導電
膜は第一の導電膜とともに電極を形成するので、この電
極上に位置する第二の絶縁膜の膜厚を増加させることな
く、第三の絶縁膜の横幅を増加させることができる。
【００２０】上述のような電荷転送装置の製造方法にお
ける他の発明としては、第一の導電膜を多結晶シリコン
で形成し、第二の導電膜を高融点金属で形成する。また
は、第一の導電膜を多結晶シリコンで形成し、第二の導
電膜を高融点金属のシリサイドで形成する。従って、第
二の絶縁膜をマスクとして第二の導電膜をエッチングす
る際、第一の導電膜をエッチングストッパとすることが
できる。
ける他の発明としては、第一の導電膜を多結晶シリコン
で形成し、第二の導電膜を高融点金属で形成する。また
は、第一の導電膜を多結晶シリコンで形成し、第二の導
電膜を高融点金属のシリサイドで形成する。従って、第
二の絶縁膜をマスクとして第二の導電膜をエッチングす
る際、第一の導電膜をエッチングストッパとすることが
できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図４を参照して以下に説明する。なお、図１は本実施
の形態の電荷転送装置を示す断面図、図２ないし図４
は、本実施の形態の電荷転送装置の製造方法を示す工程
図である。
し図４を参照して以下に説明する。なお、図１は本実施
の形態の電荷転送装置を示す断面図、図２ないし図４
は、本実施の形態の電荷転送装置の製造方法を示す工程
図である。
【００２２】まず、本実施の形態の電荷転送装置２００
の構造を図１を参照して以下に説明する。本実施の形態
の電荷転送装置２００は、電荷転送電極の材料層として
異なる二層の導電膜を積層した構造の、埋め込みチャネ
ル型の単層電極構造の電荷転送装置である。
の構造を図１を参照して以下に説明する。本実施の形態
の電荷転送装置２００は、電荷転送電極の材料層として
異なる二層の導電膜を積層した構造の、埋め込みチャネ
ル型の単層電極構造の電荷転送装置である。
【００２３】本実施の形態の電荷転送装置２００では、
ｐ型半導体基板１０１の上層部内に反対導伝型のｎ型半
導体領域１０２が形成されており、その上面の全域に第
一の絶縁膜として第一の酸化膜１０３が形成されてい
る。
ｐ型半導体基板１０１の上層部内に反対導伝型のｎ型半
導体領域１０２が形成されており、その上面の全域に第
一の絶縁膜として第一の酸化膜１０３が形成されてい
る。
【００２４】この第一の酸化膜１０３の上面の複数位置
には、第一の導電膜である多結晶シリコン１０４が形成
されており、この複数の多結晶シリコン１０４の各々の
上面には、より幅狭の第二の導電膜としてタングステン
シリサイド１０５が個々に形成されている。このように
個々に積層された複数の前記多結晶シリコン１０４と複
数の前記タングステンシリサイド１０５とにより、複数
の電荷転送電極１０９が形成されている。
には、第一の導電膜である多結晶シリコン１０４が形成
されており、この複数の多結晶シリコン１０４の各々の
上面には、より幅狭の第二の導電膜としてタングステン
シリサイド１０５が個々に形成されている。このように
個々に積層された複数の前記多結晶シリコン１０４と複
数の前記タングステンシリサイド１０５とにより、複数
の電荷転送電極１０９が形成されている。
【００２５】複数の前記タングステンシリサイド１０５
の各々の上面には、同幅の第二の絶縁膜として第二の酸
化膜１０６が個々に形成されており、この第二の酸化膜
１０６と前記タングステンシリサイド１０５との側面で
前記多結晶シリコン１０４の上面の位置には、第三の絶
縁膜として側壁酸化膜１０８が形成されている。
の各々の上面には、同幅の第二の絶縁膜として第二の酸
化膜１０６が個々に形成されており、この第二の酸化膜
１０６と前記タングステンシリサイド１０５との側面で
前記多結晶シリコン１０４の上面の位置には、第三の絶
縁膜として側壁酸化膜１０８が形成されている。
【００２６】前記第二の酸化膜１０６の上面から前記多
結晶シリコン１０４の上面まで層間絶縁膜１１０が形成
されており、この層間絶縁膜１１０を介して前記電荷転
送電極１０９に金属配線１１１が接続されている。
結晶シリコン１０４の上面まで層間絶縁膜１１０が形成
されており、この層間絶縁膜１１０を介して前記電荷転
送電極１０９に金属配線１１１が接続されている。
【００２７】つぎに、上述のような構造の電荷転送装置
２００の製造方法を図２ないし図４を参照して以下に順
次説明する。まず、図２(ａ)に示すように、前記ｐ型半
導体基板１０１内に反対導伝型のｎ型半導体領域１０２
を形成し、熱酸化を施すことにより前記ｎ型半導体層１
０２の表面に前記第一の酸化膜１０３を形成する。
２００の製造方法を図２ないし図４を参照して以下に順
次説明する。まず、図２(ａ)に示すように、前記ｐ型半
導体基板１０１内に反対導伝型のｎ型半導体領域１０２
を形成し、熱酸化を施すことにより前記ｎ型半導体層１
０２の表面に前記第一の酸化膜１０３を形成する。
【００２８】ついで、同図(ｂ)に示すように、前記第一
の酸化膜１０３上に前記多結晶シリコン１０４と前記タ
ングステンシリサイド１０５とを、各々およそ０．１μ
ｍの膜厚に順次堆積させてから、同図(ｃ)に示すよう
に、その上面に前記第二の酸化膜１０６をおよそ０．１
μｍの膜厚に形成する。
の酸化膜１０３上に前記多結晶シリコン１０４と前記タ
ングステンシリサイド１０５とを、各々およそ０．１μ
ｍの膜厚に順次堆積させてから、同図(ｃ)に示すよう
に、その上面に前記第二の酸化膜１０６をおよそ０．１
μｍの膜厚に形成する。
【００２９】さらに、図３(ａ)に示すように、フォトリ
ソグラフィー法により形成したフォトレジストをマスク
(図示せず)にして、前記第二の酸化膜１０６と前記タン
グステンシリサイド１０５を同時にエッチング加工す
る。つぎに、同図(ｂ)に示すように、装置全面に前記第
三の酸化膜１０７をおよそ０．２μｍの膜厚に形成して
から、この第三の酸化膜１０７をエッチバックすること
により、同図(ｃ)に示すように、前記第二の酸化膜１０
６と前記タングステンシリサイド１０５との側壁部に前
記第三の酸化膜１０７を側壁酸化膜１０８として残存さ
せる。
ソグラフィー法により形成したフォトレジストをマスク
(図示せず)にして、前記第二の酸化膜１０６と前記タン
グステンシリサイド１０５を同時にエッチング加工す
る。つぎに、同図(ｂ)に示すように、装置全面に前記第
三の酸化膜１０７をおよそ０．２μｍの膜厚に形成して
から、この第三の酸化膜１０７をエッチバックすること
により、同図(ｃ)に示すように、前記第二の酸化膜１０
６と前記タングステンシリサイド１０５との側壁部に前
記第三の酸化膜１０７を側壁酸化膜１０８として残存さ
せる。
【００３０】ついで、前記第二の酸化膜１０６および前
記側壁酸化膜１０８をマスクとして前記多結晶シリコン
１０４をエッチング分離し、図４(ａ)に示すように、お
よそ０．２μｍの電極間距離を有する前記電荷転送電極
１０９を前記多結晶シリコン１０４と前記タングステン
シリサイド１０５とで形成する。続いて、同図(ｂ)に示
すように、前記層間絶縁膜１１０を形成してから、同図
(ｃ)に示すように、前記電荷転送電極１０９を金属配線
１１１にて接続することにより、埋め込みチャネル単層
電極構造の電荷転送装置２００が完成する。
記側壁酸化膜１０８をマスクとして前記多結晶シリコン
１０４をエッチング分離し、図４(ａ)に示すように、お
よそ０．２μｍの電極間距離を有する前記電荷転送電極
１０９を前記多結晶シリコン１０４と前記タングステン
シリサイド１０５とで形成する。続いて、同図(ｂ)に示
すように、前記層間絶縁膜１１０を形成してから、同図
(ｃ)に示すように、前記電荷転送電極１０９を金属配線
１１１にて接続することにより、埋め込みチャネル単層
電極構造の電荷転送装置２００が完成する。
【００３１】本実施の形態の電荷転送装置２００は、上
述のように第二の酸化膜２０６とともにタングステンシ
リサイド２０５もパターニングし、これらの上面に形成
した第三の酸化膜１０７をエッチバックにより側壁酸化
膜１０８として残存させているので、この側壁酸化膜１
０８の横幅は第二の酸化膜２０６とタングステンシリサ
イド２０５との膜厚の合計となる。そして、このタング
ステンシリサイド２０５が電荷転送電極２０９の一部な
ので、電荷転送電極２０９上に位置する第二の酸化膜２
０６の膜厚を増加させることなく、側壁酸化膜１０８の
横幅を増加させて電荷転送電極２０９の間隙を短縮する
ことができる。
述のように第二の酸化膜２０６とともにタングステンシ
リサイド２０５もパターニングし、これらの上面に形成
した第三の酸化膜１０７をエッチバックにより側壁酸化
膜１０８として残存させているので、この側壁酸化膜１
０８の横幅は第二の酸化膜２０６とタングステンシリサ
イド２０５との膜厚の合計となる。そして、このタング
ステンシリサイド２０５が電荷転送電極２０９の一部な
ので、電荷転送電極２０９上に位置する第二の酸化膜２
０６の膜厚を増加させることなく、側壁酸化膜１０８の
横幅を増加させて電荷転送電極２０９の間隙を短縮する
ことができる。
【００３２】そして、上述のように電荷転送電極２０９
の間隔を短縮するために電荷転送電極２０９上に形成す
る第二の酸化膜２０６を厚く形成する必要がないため、
層間絶縁膜２１０が良好な段差被覆性を実現でき、層間
絶縁膜２１０上に形成する金属配線２１１の段切れや電
荷転送電極２０９と金属配線２１１との間の絶縁耐圧の
劣化等も防止できる。さらに、最小の間隔で対向してい
る電荷転送電極１０９の側壁酸化膜１０８の面積も減少
するため、電荷転送電極１０９間の寄生容量も軽減する
ことができる。
の間隔を短縮するために電荷転送電極２０９上に形成す
る第二の酸化膜２０６を厚く形成する必要がないため、
層間絶縁膜２１０が良好な段差被覆性を実現でき、層間
絶縁膜２１０上に形成する金属配線２１１の段切れや電
荷転送電極２０９と金属配線２１１との間の絶縁耐圧の
劣化等も防止できる。さらに、最小の間隔で対向してい
る電荷転送電極１０９の側壁酸化膜１０８の面積も減少
するため、電荷転送電極１０９間の寄生容量も軽減する
ことができる。
【００３３】しかも、電荷転送電極２０９を形成する第
一の導電膜が多結晶シリコン２０４からなり、第二の導
電膜がタングステンシリサイド２０５からなるので、第
二の酸化膜２０６をマスクとしてタングステンシリサイ
ド２０５をエッチングする際、多結晶シリコン２０４を
エッチングストッパとすることができる。このため、正
確に残膜厚を制御することができ、電荷転送電極２０９
の間隔のばらつきを小さくできるという利点がある。
一の導電膜が多結晶シリコン２０４からなり、第二の導
電膜がタングステンシリサイド２０５からなるので、第
二の酸化膜２０６をマスクとしてタングステンシリサイ
ド２０５をエッチングする際、多結晶シリコン２０４を
エッチングストッパとすることができる。このため、正
確に残膜厚を制御することができ、電荷転送電極２０９
の間隔のばらつきを小さくできるという利点がある。
【００３４】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では、埋め込み型の電荷転送
装置２００を例示したが、表面型の電荷転送装置にも本
発明は同様に適用できる。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では、埋め込み型の電荷転送
装置２００を例示したが、表面型の電荷転送装置にも本
発明は同様に適用できる。
【００３５】また、上記形態では、電荷転送電極２０９
の第二の導電膜としてタングステンシリサイドを例示し
たが、第二の導電膜の材料としては、モリブデンシリサ
イド、チタンシリサイド等の高融点金属のシリサイド、
もしくはタングステン、モリブデン、チタン等の高融点
金属も利用することが可能である。
の第二の導電膜としてタングステンシリサイドを例示し
たが、第二の導電膜の材料としては、モリブデンシリサ
イド、チタンシリサイド等の高融点金属のシリサイド、
もしくはタングステン、モリブデン、チタン等の高融点
金属も利用することが可能である。
【００３６】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００３７】請求項１記載の発明の電荷転送装置は、半
導体基板と、該半導体基板の上面の略全域に形成された
第一の絶縁膜と、該第一の絶縁膜の上面の複数位置に形
成された複数の第一の導電膜と、該第一の導電膜の各々
の上面に幅狭に形成された第二の導電膜と、該第二の導
電膜の各々の上面に同幅に形成された第二の絶縁膜と、
該第二の絶縁膜と前記第二の導電膜との側壁部に形成さ
れた第三の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜の上面から前記
第一の導電膜の上面まで形成された層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜を介して前記第一の導電膜と前記第二の導電膜
との少なくとも一方に接続された金属配線と、を具備し
ていることにより、上述のような構造の電荷転送装置を
製造する場合、エッチバックにより第二の導電膜の側壁
部に第三の絶縁膜を残存させることができるので、その
横幅を第二の絶縁膜と第二の導電膜との膜厚の合計とす
ることができ、この第二の導電膜は第一の導電膜ととも
に電極を形成するので、この電極上に位置する第二の絶
縁膜の膜厚を増加させることなく、第三の絶縁膜の横幅
を増加させて電荷転送電極の間隙を短縮することがで
き、電荷転送電極上の第二の絶縁膜の膜厚を減少させる
ことができるので、層間絶縁膜の電極間隔部分での段差
被覆性を向上させることができ、その上に形成する金属
配線の段切れや電荷転送電極と金属配線との間の絶縁耐
圧の劣化等を改善することができ、最小の間隔で対向し
ている二層の導電膜からなる電荷転送電極の側壁部の絶
縁膜の面積も減少できるので、電荷転送電極間の寄生容
量を軽減することもできる。
導体基板と、該半導体基板の上面の略全域に形成された
第一の絶縁膜と、該第一の絶縁膜の上面の複数位置に形
成された複数の第一の導電膜と、該第一の導電膜の各々
の上面に幅狭に形成された第二の導電膜と、該第二の導
電膜の各々の上面に同幅に形成された第二の絶縁膜と、
該第二の絶縁膜と前記第二の導電膜との側壁部に形成さ
れた第三の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜の上面から前記
第一の導電膜の上面まで形成された層間絶縁膜と、該層
間絶縁膜を介して前記第一の導電膜と前記第二の導電膜
との少なくとも一方に接続された金属配線と、を具備し
ていることにより、上述のような構造の電荷転送装置を
製造する場合、エッチバックにより第二の導電膜の側壁
部に第三の絶縁膜を残存させることができるので、その
横幅を第二の絶縁膜と第二の導電膜との膜厚の合計とす
ることができ、この第二の導電膜は第一の導電膜ととも
に電極を形成するので、この電極上に位置する第二の絶
縁膜の膜厚を増加させることなく、第三の絶縁膜の横幅
を増加させて電荷転送電極の間隙を短縮することがで
き、電荷転送電極上の第二の絶縁膜の膜厚を減少させる
ことができるので、層間絶縁膜の電極間隔部分での段差
被覆性を向上させることができ、その上に形成する金属
配線の段切れや電荷転送電極と金属配線との間の絶縁耐
圧の劣化等を改善することができ、最小の間隔で対向し
ている二層の導電膜からなる電荷転送電極の側壁部の絶
縁膜の面積も減少できるので、電荷転送電極間の寄生容
量を軽減することもできる。
【００３８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の電
荷転送装置であって、第一の導電膜が多結晶シリコンか
らなり、第二の導電膜が高融点金属からなることによ
り、上述のように電荷転送装置を製造する場合、第二の
絶縁膜をマスクとして第二の導電膜をエッチングする
際、第一の導電膜をエッチングストッパとすることがで
きるので、正確に残膜厚を制御することができ、電荷転
送電極の間隔のばらつきを小さくすることができる。
荷転送装置であって、第一の導電膜が多結晶シリコンか
らなり、第二の導電膜が高融点金属からなることによ
り、上述のように電荷転送装置を製造する場合、第二の
絶縁膜をマスクとして第二の導電膜をエッチングする
際、第一の導電膜をエッチングストッパとすることがで
きるので、正確に残膜厚を制御することができ、電荷転
送電極の間隔のばらつきを小さくすることができる。
【００３９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の電
荷転送装置であって、第一の導電膜が多結晶シリコンか
らなり、第二の導電膜が高融点金属のシリサイドからな
ることにより、上述のように電荷転送装置を製造する場
合、第二の絶縁膜をマスクとして第二の導電膜をエッチ
ングする際、第一の導電膜をエッチングストッパとする
ことができるので、正確に残膜厚を制御することがで
き、電荷転送電極の間隔のばらつきを小さくすることが
できる。
荷転送装置であって、第一の導電膜が多結晶シリコンか
らなり、第二の導電膜が高融点金属のシリサイドからな
ることにより、上述のように電荷転送装置を製造する場
合、第二の絶縁膜をマスクとして第二の導電膜をエッチ
ングする際、第一の導電膜をエッチングストッパとする
ことができるので、正確に残膜厚を制御することがで
き、電荷転送電極の間隔のばらつきを小さくすることが
できる。
【００４０】請求項４記載の発明の電荷転送装置の製造
方法は、半導体基板上に第一の絶縁膜を形成する工程
と、該第一の絶縁膜上に第一の導電膜と第二の導電膜と
を順次形成する工程と、該第二の導電膜上に第二の絶縁
膜を形成する工程と、該第二の絶縁膜および前記第二の
導電膜を同一マスクを用いてパターニングする工程と、
前記第二の絶縁膜および前記第二の導電膜のパターニン
グ後に全体の上面に第三の絶縁膜を形成する工程と、該
第三の絶縁膜をエッチバックにより前記第二の絶縁膜お
よび前記第二の導電膜の側壁部のみに残存させる工程
と、前記第二の絶縁膜および前記第三の絶縁膜をマスク
としたエッチングにより前記第一の導電膜を複数に切断
分離する工程と、第一の導電膜と前記第二の導電膜との
少なくとも一方に層間絶縁膜を介して金属配線を接続す
る工程と、を具備していることにより、エッチバックに
より第二の導電膜の側壁部に残存させる第三の絶縁膜の
横幅を第二の絶縁膜と第二の導電膜との膜厚の合計とす
ることができ、この第二の導電膜は第一の導電膜ととも
に電極を形成するので、この電極上に位置する第二の絶
縁膜の膜厚を増加させることなく、第三の絶縁膜の横幅
を増加させて電荷転送電極の間隙を短縮することがで
き、電荷転送電極上の第二の絶縁膜の膜厚を減少させる
ことができるので、層間絶縁膜の電極間隔部分での段差
被覆性を向上させることができ、その上に形成する金属
配線の段切れや電荷転送電極と金属配線との間の絶縁耐
圧の劣化等を改善することができ、最小の間隔で対向し
ている二層の導電膜からなる電荷転送電極の側壁部の絶
縁膜の面積も減少できるので、電荷転送電極間の寄生容
量を軽減することもできる。
方法は、半導体基板上に第一の絶縁膜を形成する工程
と、該第一の絶縁膜上に第一の導電膜と第二の導電膜と
を順次形成する工程と、該第二の導電膜上に第二の絶縁
膜を形成する工程と、該第二の絶縁膜および前記第二の
導電膜を同一マスクを用いてパターニングする工程と、
前記第二の絶縁膜および前記第二の導電膜のパターニン
グ後に全体の上面に第三の絶縁膜を形成する工程と、該
第三の絶縁膜をエッチバックにより前記第二の絶縁膜お
よび前記第二の導電膜の側壁部のみに残存させる工程
と、前記第二の絶縁膜および前記第三の絶縁膜をマスク
としたエッチングにより前記第一の導電膜を複数に切断
分離する工程と、第一の導電膜と前記第二の導電膜との
少なくとも一方に層間絶縁膜を介して金属配線を接続す
る工程と、を具備していることにより、エッチバックに
より第二の導電膜の側壁部に残存させる第三の絶縁膜の
横幅を第二の絶縁膜と第二の導電膜との膜厚の合計とす
ることができ、この第二の導電膜は第一の導電膜ととも
に電極を形成するので、この電極上に位置する第二の絶
縁膜の膜厚を増加させることなく、第三の絶縁膜の横幅
を増加させて電荷転送電極の間隙を短縮することがで
き、電荷転送電極上の第二の絶縁膜の膜厚を減少させる
ことができるので、層間絶縁膜の電極間隔部分での段差
被覆性を向上させることができ、その上に形成する金属
配線の段切れや電荷転送電極と金属配線との間の絶縁耐
圧の劣化等を改善することができ、最小の間隔で対向し
ている二層の導電膜からなる電荷転送電極の側壁部の絶
縁膜の面積も減少できるので、電荷転送電極間の寄生容
量を軽減することもできる。
【００４１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の電
荷転送装置の製造方法であって、第一の導電膜を多結晶
シリコンで形成し、第二の導電膜を高融点金属で形成す
ることにより、第二の絶縁膜をマスクとして第二の導電
膜をエッチングする際、第一の導電膜をエッチングスト
ッパとすることができるので、正確に残膜厚を制御する
ことができ、電荷転送電極の間隔のばらつきを小さくす
ることができる。
荷転送装置の製造方法であって、第一の導電膜を多結晶
シリコンで形成し、第二の導電膜を高融点金属で形成す
ることにより、第二の絶縁膜をマスクとして第二の導電
膜をエッチングする際、第一の導電膜をエッチングスト
ッパとすることができるので、正確に残膜厚を制御する
ことができ、電荷転送電極の間隔のばらつきを小さくす
ることができる。
【００４２】請求項６記載の発明は、請求項４記載の電
荷転送装置の製造方法であって、第一の導電膜を多結晶
シリコンで形成し、第二の導電膜を高融点金属のシリサ
イドで形成することにより、第二の絶縁膜をマスクとし
て第二の導電膜をエッチングする際、第一の導電膜をエ
ッチングストッパとすることができるので、正確に残膜
厚を制御することができ、電荷転送電極の間隔のばらつ
きを小さくすることができる。
荷転送装置の製造方法であって、第一の導電膜を多結晶
シリコンで形成し、第二の導電膜を高融点金属のシリサ
イドで形成することにより、第二の絶縁膜をマスクとし
て第二の導電膜をエッチングする際、第一の導電膜をエ
ッチングストッパとすることができるので、正確に残膜
厚を制御することができ、電荷転送電極の間隔のばらつ
きを小さくすることができる。
【図１】本発明の実施の形態の電荷転送装置の積層構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】電荷転送装置の製造方法の最初の部分を示す工
程図である。
程図である。
【図３】電荷転送装置の製造方法の続きの部分を示す工
程図である。
程図である。
【図４】電荷転送装置の製造方法の最後の部分を示す工
程図である。
程図である。
【図５】一従来例の電荷転送装置の製造方法の最初の部
分を示す工程図である。
分を示す工程図である。
【図６】電荷転送装置の製造方法の続きの部分を示す工
程図である。
程図である。
【図７】電荷転送装置の製造方法の最後の部分を示す工
程図である。
程図である。
１００ 電荷転送装置 １０１ ｐ型半導体基板 １０２ ｎ型半導体領域 １０３ 第一の酸化膜 １０４ 多結晶シリコン １０５ タングステンシリサイド １０６ 第二の酸化膜 １０７ 第三の酸化膜 １０８ 側壁酸化膜 １０９ 電荷転送電極 １１０ 層間絶縁膜 １１１ 金属配線 ２００ 電荷転送装置 ２０１ ｐ型半導体基板 ２０２ ｎ型半導体領域 ２０３ 第一の絶縁膜である第一の酸化膜 ２０４ 第一の導電膜である多結晶シリコン ２０５ 第二の導電膜であるタングステンシリサイド ２０６ 第二の絶縁膜である第二の酸化膜 ２０７ 第三の絶縁膜である第三の酸化膜 ２０８ 第三の絶縁膜である側壁酸化膜 ２０９ 電荷転送電極 ２１０ 層間絶縁膜 ２１１ 金属配線
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板と、 該半導体基板の上面の略全域に形成された第一の絶縁膜
と、 該第一の絶縁膜の上面の複数位置に形成された複数の第
一の導電膜と、 該第一の導電膜の各々の上面に幅狭に形成された第二の
導電膜と、 該第二の導電膜の各々の上面に同幅に形成された第二の
絶縁膜と、 該第二の絶縁膜と前記第二の導電膜との側壁部に形成さ
れた第三の絶縁膜と、 前記第二の絶縁膜の上面から前記第一の導電膜の上面ま
で形成された層間絶縁膜と、 該層間絶縁膜を介して前記第一の導電膜と前記第二の導
電膜との少なくとも一方に接続された金属配線と、を具
備していることを特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項２】 第一の導電膜が多結晶シリコンからな
り、第二の導電膜が高融点金属からなることを特徴とす
る請求項１記載の電荷転送装置。 - 【請求項３】 第一の導電膜が多結晶シリコンからな
り、第二の導電膜が高融点金属のシリサイドからなるこ
とを特徴とする請求項１記載の電荷転送装置。 - 【請求項４】 半導体基板上に第一の絶縁膜を形成する
工程と、 該第一の絶縁膜上に第一の導電膜と第二の導電膜とを順
次形成する工程と、 該第二の導電膜上に第二の絶縁膜を形成する工程と、 該第二の絶縁膜および前記第二の導電膜を同一マスクを
用いてパターニングする工程と、 前記第二の絶縁膜および前記第二の導電膜のパターニン
グ後に全体の上面に第三の絶縁膜を形成する工程と、 該第三の絶縁膜をエッチバックにより前記第二の絶縁膜
および前記第二の導電膜の側壁部のみに残存させる工程
と、 前記第二の絶縁膜および前記第三の絶縁膜をマスクとし
たエッチングにより前記第一の導電膜を複数に切断分離
する工程と、 第一の導電膜と前記第二の導電膜との少なくとも一方に
層間絶縁膜を介して金属配線を接続する工程と、を具備
していることを特徴とする電荷転送装置の製造方法。 - 【請求項５】 第一の導電膜を多結晶シリコンで形成
し、第二の導電膜を高融点金属で形成することを特徴と
する請求項４記載の電荷転送装置の製造方法。 - 【請求項６】 第一の導電膜を多結晶シリコンで形成
し、第二の導電膜を高融点金属のシリサイドで形成する
ことを特徴とする請求項４記載の電荷転送装置の製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9047646A JPH10242450A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 電荷転送装置、その製造方法 |
| KR1019980006956A KR100269508B1 (ko) | 1997-03-03 | 1998-03-03 | 전하전송전극용 이중 전도층을 가진 단층-전극형의 전하결합소자 |
| US09/535,734 US6165908A (en) | 1997-03-03 | 2000-03-27 | Single-layer-electrode type charge coupled device having double conductive layers for charge transfer electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9047646A JPH10242450A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 電荷転送装置、その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242450A true JPH10242450A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12781022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9047646A Pending JPH10242450A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 電荷転送装置、その製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| US (1) | US6165908A (ja) |
| JP (1) | JPH10242450A (ja) |
| KR (1) | KR100269508B1 (ja) |
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Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2805848B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP3392440B2 (ja) * | 1991-12-09 | 2003-03-31 | 株式会社東芝 | 多層導体層構造デバイス |
| JP3560990B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2004-09-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP3394308B2 (ja) * | 1994-01-25 | 2003-04-07 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
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1997
- 1997-03-03 JP JP9047646A patent/JPH10242450A/ja active Pending
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- 1998-03-03 KR KR1019980006956A patent/KR100269508B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-27 US US09/535,734 patent/US6165908A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR100269508B1 (ko) | 2000-10-16 |
| US6165908A (en) | 2000-12-26 |
| KR19980079845A (ko) | 1998-11-25 |
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