KR970077070A - 텅스텐 실리사이드를 갖는 반도체소자 제조방법 - Google Patents
텅스텐 실리사이드를 갖는 반도체소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 텅스텐 실리사이드 제조방법에 관한 것으로, 포리실리콘층 상부에 텅스텐 실리사이드를 형성할 때 하부의 게이트 산화막으로 F가 침투되는 것을 해소하기 위하여 폴리실리콘층 상부에 얇은 두께의 산화막을 형성하고, 그 상부에 텅스텐층을 증착한 다음, 열처리 공정으로 상기 텅스텐층과 하부의 폴리실리콘층을 반응시켜 텅스텐 실리사이드막을 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 의해 텅스텐 실리사이드막을 형성하는 공정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자 제조방법에 있어서, 반도체기판상부에 게이트 산화막과 폴리실리콘층을 적층하는 단계와, 상기 폴리실리콘층의 표면에 얇은 두께의 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막의 상부에 텅스텐층을 증착하고, 열처리 공정으로 상기 텅스텐층과 하부의 폴리실리콘층을 반응시켜 텅스텐 실리사이드막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 20∼40Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 폴리실리콘층으로 POCl3도핑을 실시한 후 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 N2분위기와 800∼900℃의 온도 조건에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1996
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| KR100400279B1 (ko) | 2003-12-24 |
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