KR970018589A - 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 Download PDF

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KR970018589A
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김영대
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 탄탈륨 옥사이드(TaO)의 유전막을 갖는 커패시터 제조 방법에 관한 것이다. 텅스텐(W)으로 구성된 하부전극, 탄탈륨 옥사이드(TaO) 유전막, 상부전극을 구비한 반도체 메모리 장치의 커패시터에 있어서, 상기 유전막 형성후 O2어닐링(ANNEALING) 공정으로 인한 상기 하부전극의 산화를 방지하기 위해 상기 하부전극 형성시 상기 하부전극의 표면을 질화(NITRIDATION)시켜 장벽층(Barrior Layer)으로 텅스텐 나이트라이드(WN)를 형성한다.

Description

반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명에 의한 커패시터 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.

Claims (3)

  1. 텅스텐(W)으로 구성된 하부전극, 탄탈륨 옥사이드(TaO) 유전막, 상부전극을 구비한 반도체 메모리 장치의 커패시터에 있어서, 상기 유전막 형성후 O2어닐링(ANNEALING) 공정으로 인한 상기 하부전극의 산화를 방지하기 위해 상기 하부전극 형성시 상기 하부전극의 표면을 질화(NITRIDATION)시켜 장벽층(Barrior Layer)으로 WN를 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부전극 표면의 질화(NITRIDATION)시 플라즈마 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상부전극은 텅스텐(W)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100347142B1 (ko) * 2000-01-25 2002-08-03 주식회사 하이닉스반도체 유전막 제조 방법
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