JPH03248572A - ポリシリコン抵抗の製造方法 - Google Patents
ポリシリコン抵抗の製造方法Info
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- JPH03248572A JPH03248572A JP4772390A JP4772390A JPH03248572A JP H03248572 A JPH03248572 A JP H03248572A JP 4772390 A JP4772390 A JP 4772390A JP 4772390 A JP4772390 A JP 4772390A JP H03248572 A JPH03248572 A JP H03248572A
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポリシリコン抵抗の製造方法に関する。
一般に、特開平１−１９９４７６号公報などで開示され
ているように、ダイヤフラムの膜部に歪抵抗をフルブリ
ッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの変形
を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する半導体圧
力センサなどの電子部品には、ポリシリコン抵抗が用い
られており、このポリシリコン抵抗は次のようにして製
造されている。これは第４図（Ａ）に示すようにプラズ
マＣＶＤ法にて半導体基板１の表面に形成された窒化シ
リコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ□）などの絶
縁膜２の表面、またはガラスなどからなる絶縁基板の表
面に、プラズマＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜３
を形成し、次に第４図（Ｂ）に示すようにアモルファス
シリコン膜３の表面にレーザーアニールを施し結晶化さ
せて抵抗層となるポリシリコン膜４を形成し、この後第
４図（Ｃ）に示すようにエツチングにてポリシリコン膜
４のパターニングを施してポリシリコン膜パターンから
なる抵抗層４ａを形成し、次に第４図（Ｄ）に示すよう
に真空１着法にてアルミニウム膜５またはアルミニウム
合金膜を藤着し、かつ第４図（Ｅ）に示すようにエツチ
ングにてアルミニウム膜５のパターニングを施してアル
ミニウム膜パターンからなる電極５ａを形成し、この後
第４図（Ｆ）に示すように電極５ａに出力取出用リード
線に接続される導電ワイヤー６を接続するとともに抵抗
層４ａを覆う保護膜７を形成するものである。そして、
第４図（Ａ）の工程においては一般に炉８内にシランガ
ス（ＳｉＨａ）を導入してプラズマＣＶＤ法にてアモル
ファスシリコン膜３を形成し、第４図（Ｂ）の工程にお
いてはアモルファスシリコン膜３の表面に例えばエキシ
マレーザ−装置９のレーザーを照射してポリシリコン膜
４を形成するようにしている。
ているように、ダイヤフラムの膜部に歪抵抗をフルブリ
ッジ接続にて形成し、圧力に応じたダイヤフラムの変形
を歪抵抗の抵抗変化に変換して圧力を検出する半導体圧
力センサなどの電子部品には、ポリシリコン抵抗が用い
られており、このポリシリコン抵抗は次のようにして製
造されている。これは第４図（Ａ）に示すようにプラズ
マＣＶＤ法にて半導体基板１の表面に形成された窒化シ
リコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ□）などの絶
縁膜２の表面、またはガラスなどからなる絶縁基板の表
面に、プラズマＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜３
を形成し、次に第４図（Ｂ）に示すようにアモルファス
シリコン膜３の表面にレーザーアニールを施し結晶化さ
せて抵抗層となるポリシリコン膜４を形成し、この後第
４図（Ｃ）に示すようにエツチングにてポリシリコン膜
４のパターニングを施してポリシリコン膜パターンから
なる抵抗層４ａを形成し、次に第４図（Ｄ）に示すよう
に真空１着法にてアルミニウム膜５またはアルミニウム
合金膜を藤着し、かつ第４図（Ｅ）に示すようにエツチ
ングにてアルミニウム膜５のパターニングを施してアル
ミニウム膜パターンからなる電極５ａを形成し、この後
第４図（Ｆ）に示すように電極５ａに出力取出用リード
線に接続される導電ワイヤー６を接続するとともに抵抗
層４ａを覆う保護膜７を形成するものである。そして、
第４図（Ａ）の工程においては一般に炉８内にシランガ
ス（ＳｉＨａ）を導入してプラズマＣＶＤ法にてアモル
ファスシリコン膜３を形成し、第４図（Ｂ）の工程にお
いてはアモルファスシリコン膜３の表面に例えばエキシ
マレーザ−装置９のレーザーを照射してポリシリコン膜
４を形成するようにしている。
上記従来技術においては、シランガス（ＳｉＨ４）を用
いてプラズマＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜３を
形成するものであるため、アモルファスシリコン膜３
（ａ−５ｉ：Ｈ）中には水素（Ｈ）が多量に含有され、
このままの状態で第４図（Ｂ）に示すレーザーアニール
を施すと、アモルファスシリコン膜３に含有する水素（
Ｈ）が表出し、ポリシリコン膜４の表面状態が甚だしく
荒れてしまうという問題があり、これを防止するために
通常はレーザーアニールを施す前に４００〜５００℃前
後で数時間の熱処理を施して水素抜きを行っている。
いてプラズマＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜３を
形成するものであるため、アモルファスシリコン膜３
（ａ−５ｉ：Ｈ）中には水素（Ｈ）が多量に含有され、
このままの状態で第４図（Ｂ）に示すレーザーアニール
を施すと、アモルファスシリコン膜３に含有する水素（
Ｈ）が表出し、ポリシリコン膜４の表面状態が甚だしく
荒れてしまうという問題があり、これを防止するために
通常はレーザーアニールを施す前に４００〜５００℃前
後で数時間の熱処理を施して水素抜きを行っている。
しかし、このような熱処理を行うことにより、製造工程
が増えるとともに熱処理時間も長くかかるため量産性が
悪いうえに、基板の材質も４００〜５００℃程度の耐熱
性を有する高価なものに限られ、コスト高になるという
問題があった。
が増えるとともに熱処理時間も長くかかるため量産性が
悪いうえに、基板の材質も４００〜５００℃程度の耐熱
性を有する高価なものに限られ、コスト高になるという
問題があった。
そこで本発明は水素抜きのための熱処理工程を省略し量
産性を向上し得るポリシリコン抵抗の製造方法を提供す
ることを目的とする。
産性を向上し得るポリシリコン抵抗の製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明のポリシリコン抵抗の製造方法は、アモルファス
シリコン膜の表面に、抵抗層が形成される所定範囲を残
してレジスト層を形成し、このレジスト層を覆うように
して前記アモルファスシリコン膜の表面にｎ型またはＰ
型のアモルファスシリコン膜を形成し、前記所定範囲以
外のレジスト層およびｎ型またはＰ型のアモルファスシ
リコン膜を除去し、所定範囲に残されたｎ型またはＰ型
のアモルファスシリコン膜にレーザーを照射してｎ型ま
たはＰ型のアモルファスシリコンを下層のアモルファス
シリコン膜中に拡散させかつ結晶化させて抵抗層となる
ポリシリコン層を形成し、アモルファスシリコン膜の表
面のポリシリコン層ヲ除去するものである。
シリコン膜の表面に、抵抗層が形成される所定範囲を残
してレジスト層を形成し、このレジスト層を覆うように
して前記アモルファスシリコン膜の表面にｎ型またはＰ
型のアモルファスシリコン膜を形成し、前記所定範囲以
外のレジスト層およびｎ型またはＰ型のアモルファスシ
リコン膜を除去し、所定範囲に残されたｎ型またはＰ型
のアモルファスシリコン膜にレーザーを照射してｎ型ま
たはＰ型のアモルファスシリコンを下層のアモルファス
シリコン膜中に拡散させかつ結晶化させて抵抗層となる
ポリシリコン層を形成し、アモルファスシリコン膜の表
面のポリシリコン層ヲ除去するものである。
また本発明のポリシリコン抵抗の製造方法は、Ｓｉ単結
晶基板の表面に、抵抗層が形成される所定範囲を残して
レジスト層を形成し、このレジスト層を覆うようにして
前記Ｓｉ単結晶基板の表面にｎ型またはＰ型のアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、前記所定範囲以外のレジスト
層およびｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を除
去し、所定範囲に残されたｎ型またはＰ型のアモルファ
スシリコン膜にレーザーを照射してｎ型またはＰ型のア
モルファスシリコンを前記Ｓｉ単結晶基板中に拡散させ
かつ結晶化させて抵抗層となるポリシリコン層を形成し
、Ｓｉ単結晶板の表面のポリシリコン層を除去するもの
である。
晶基板の表面に、抵抗層が形成される所定範囲を残して
レジスト層を形成し、このレジスト層を覆うようにして
前記Ｓｉ単結晶基板の表面にｎ型またはＰ型のアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、前記所定範囲以外のレジスト
層およびｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を除
去し、所定範囲に残されたｎ型またはＰ型のアモルファ
スシリコン膜にレーザーを照射してｎ型またはＰ型のア
モルファスシリコンを前記Ｓｉ単結晶基板中に拡散させ
かつ結晶化させて抵抗層となるポリシリコン層を形成し
、Ｓｉ単結晶板の表面のポリシリコン層を除去するもの
である。
本発明はアモルファスシリコン膜の表面またはＳｉ単結
晶基板の表面の所定範囲に形成されたＮ型またはＰ型の
アモルファスシリコン膜にレーザーを照射して拡散かつ
結晶化させることにより、抵抗層となるポリシリコン層
がアモルファスシリコン膜中またはＳｉ単結晶基板中に
形成され、アモルファスシリコン膜の表面またはＳｉ単
結晶基板の表面の水素（Ｈ）が表出し易いポリシリコン
層は除去される。
晶基板の表面の所定範囲に形成されたＮ型またはＰ型の
アモルファスシリコン膜にレーザーを照射して拡散かつ
結晶化させることにより、抵抗層となるポリシリコン層
がアモルファスシリコン膜中またはＳｉ単結晶基板中に
形成され、アモルファスシリコン膜の表面またはＳｉ単
結晶基板の表面の水素（Ｈ）が表出し易いポリシリコン
層は除去される。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１実施例を示し、先ず第１図（Ａ）
に示すようにプラズマＣＶＤ法またはスパッタリングに
て窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ□）
などの絶縁膜１）を表面に形成した基板１２、または絶
縁基板（図示せず）を用意する。
に示すようにプラズマＣＶＤ法またはスパッタリングに
て窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ□）
などの絶縁膜１）を表面に形成した基板１２、または絶
縁基板（図示せず）を用意する。
次に、第１図（Ｂ）に示すように基板１２に形成された
絶縁膜１）の表面または絶縁基板の表面に、炉１３内に
シラン（ＳｉＨ４）を導入しプラズマＣＶＤ法にて添化
物を添加しない、あるいはリン（Ｐ）が添加されたｎ型
のアモルファスシリコン膜１４を形成する。
絶縁膜１）の表面または絶縁基板の表面に、炉１３内に
シラン（ＳｉＨ４）を導入しプラズマＣＶＤ法にて添化
物を添加しない、あるいはリン（Ｐ）が添加されたｎ型
のアモルファスシリコン膜１４を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すようにレジストの塗布および
バターニングを施してアモルファスシリコン膜１４の表
面に、抵抗層が形成される所定範囲を残してレジスト層
１５を形成する。
バターニングを施してアモルファスシリコン膜１４の表
面に、抵抗層が形成される所定範囲を残してレジスト層
１５を形成する。
次に、第１図（Ｄ）に示すようにレジスト層１５を覆う
ようにしてアモルファスシリコン膜１４の表面に、炉１
３内にシラン（ＳｉＨ＋）と、ジボラン（Ｂ！Ｈｈ）な
どのボランまたはリン（Ｐ）とを導入しプラズマＣＶＤ
法にてｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を
形成する。この場合アモルファスシリコン膜１４がｎ型
である場合にはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を形
成する。
ようにしてアモルファスシリコン膜１４の表面に、炉１
３内にシラン（ＳｉＨ＋）と、ジボラン（Ｂ！Ｈｈ）な
どのボランまたはリン（Ｐ）とを導入しプラズマＣＶＤ
法にてｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を
形成する。この場合アモルファスシリコン膜１４がｎ型
である場合にはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を形
成する。
次に、第１図（Ｅ）に示すようにリフトオフにより、抵
抗層が形成される所定範囲以外のレジスト層１５および
ｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を除去す
る。
抗層が形成される所定範囲以外のレジスト層１５および
ｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を除去す
る。
次に、第１図（Ｆ）に示すように所定範囲に残されたｎ
型またＰ型のアモルファスシリコン膜１６にエキシマレ
ーザ−装置１７のレーザーを照射することにより、ｎ型
またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を下層のアモ
ルファスシリコン膜１４中に拡散させかつ結晶化させて
、アモルファスシリコン膜１４中に抵抗層となるｎ型ま
たはＰ型のポリシリコン層１８を形成する。
型またＰ型のアモルファスシリコン膜１６にエキシマレ
ーザ−装置１７のレーザーを照射することにより、ｎ型
またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を下層のアモ
ルファスシリコン膜１４中に拡散させかつ結晶化させて
、アモルファスシリコン膜１４中に抵抗層となるｎ型ま
たはＰ型のポリシリコン層１８を形成する。
次に、第１図（Ｇ）に示すようにアモルファスシリコン
膜１４の表面に残存するポリシリコン層１８をドライエ
ツチングにて除去する。
膜１４の表面に残存するポリシリコン層１８をドライエ
ツチングにて除去する。
この後、周知の適宜手段により電極、ダイヤフラムなど
を形成すればよく、例えば基板１２が受圧部となる薄い
構造の場合は第１図（Ｈ）に示すように台座１９を接着
することによりダイヤフラムを形成するとともに、アル
ミニウムパターンまたはアルミニウム合金パターンによ
り電極２０を形成し、かつ電極２０に出力取出用リード
線に接続される導電ワイヤー２１を接続するとともにプ
ラズマＣＶＤ法にて電極２０を覆うように窒化シリコン
（ＳｉＮ）などからなる保護膜２２を形成する。この場
合、アモルファスシリコン膜１４の抵抗率は約１×１０
７Ωロ程度であるのに対しポリシリコン膜１８の抵抗率
は約ｌＸｌ０−”Ω１程度となり、両者の抵抗差は極め
て大きく、電極間の抵抗値の決定に支障を来さない。
を形成すればよく、例えば基板１２が受圧部となる薄い
構造の場合は第１図（Ｈ）に示すように台座１９を接着
することによりダイヤフラムを形成するとともに、アル
ミニウムパターンまたはアルミニウム合金パターンによ
り電極２０を形成し、かつ電極２０に出力取出用リード
線に接続される導電ワイヤー２１を接続するとともにプ
ラズマＣＶＤ法にて電極２０を覆うように窒化シリコン
（ＳｉＮ）などからなる保護膜２２を形成する。この場
合、アモルファスシリコン膜１４の抵抗率は約１×１０
７Ωロ程度であるのに対しポリシリコン膜１８の抵抗率
は約ｌＸｌ０−”Ω１程度となり、両者の抵抗差は極め
て大きく、電極間の抵抗値の決定に支障を来さない。
このように本実施例においては、アモルファスシリコン
膜１４の表面の抵抗層が形成される所定範囲にｎ型また
はＰ型のアモルファスシリコン膜１６を形成し、これに
エキシマレーザ−を照射することによりアモルファスシ
リコン膜１４中に抵抗層となるｎ型またはＰ型のポリシ
リコン層１８を形成し、この後アモルファスシリコン膜
１４の表面に残存するポリシリコン層１８部分つまりア
モルファスシリコン膜１６に含有する水素（Ｈ）によっ
て表面が荒れている部分を除去するものであるため、従
来のように水素抜きのための熱処理を施すことなく信鯨
性の高い抵抗層が形成され、これによって量産性の向上
を図ることができるとともに基板の材質も高価な耐熱性
材料に限られることなく安価な材料を適宜選択して用い
ることができ、またポリイミドなどの高分子材料を基板
として用いることもできる。
膜１４の表面の抵抗層が形成される所定範囲にｎ型また
はＰ型のアモルファスシリコン膜１６を形成し、これに
エキシマレーザ−を照射することによりアモルファスシ
リコン膜１４中に抵抗層となるｎ型またはＰ型のポリシ
リコン層１８を形成し、この後アモルファスシリコン膜
１４の表面に残存するポリシリコン層１８部分つまりア
モルファスシリコン膜１６に含有する水素（Ｈ）によっ
て表面が荒れている部分を除去するものであるため、従
来のように水素抜きのための熱処理を施すことなく信鯨
性の高い抵抗層が形成され、これによって量産性の向上
を図ることができるとともに基板の材質も高価な耐熱性
材料に限られることなく安価な材料を適宜選択して用い
ることができ、またポリイミドなどの高分子材料を基板
として用いることもできる。
第２図は本発明の第２実施例を示し、第１実施例と同一
部分に同一符号を付し同一箇所の説明を省略して説明す
ると、この実施例は先ず第２図（Ａ）に示すようにＳｉ
単結晶基板１２ａを用意する。
部分に同一符号を付し同一箇所の説明を省略して説明す
ると、この実施例は先ず第２図（Ａ）に示すようにＳｉ
単結晶基板１２ａを用意する。
次に、第２図（Ｂ）に示すように第１図（Ｃ）と同様に
してレジストの塗布およびパターニングを施してＳｉ単
結晶基板１２ａの表面に抵抗層が形成される所定範囲を
残してレジスト層１５を形成する。
してレジストの塗布およびパターニングを施してＳｉ単
結晶基板１２ａの表面に抵抗層が形成される所定範囲を
残してレジスト層１５を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように第１図（Ｄ）と同様に
してレジスト層１５を覆うようにしてＳｉ単結晶基板１
２ａの表面にｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜
１６を形成する。
してレジスト層１５を覆うようにしてＳｉ単結晶基板１
２ａの表面にｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜
１６を形成する。
次に、第２図（Ｄ）に示すように第１図（Ｅ）と同様に
してリフトオフのエツチングにより、抵抗層が形成され
る所定範囲以外のレジスト層１５およびｎ型またはＰ型
のアモルファスシリコン膜１６を除去する。
してリフトオフのエツチングにより、抵抗層が形成され
る所定範囲以外のレジスト層１５およびｎ型またはＰ型
のアモルファスシリコン膜１６を除去する。
次に、第２図（Ｅ）に示すように第１図（Ｆ）と同様に
して所定範囲に残されたｎ型またはＰ型のアモルファス
シリコン膜１６にエキシマレーザ−を照射することによ
り、ｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を下
部のＳｉ単結晶基板１２ａ中に拡散させかつ結晶化させ
て、Ｓｉ単結晶基板１２ａ中に抵抗層となるｎ型または
Ｐ型のポリシリコン層１８を形成する。
して所定範囲に残されたｎ型またはＰ型のアモルファス
シリコン膜１６にエキシマレーザ−を照射することによ
り、ｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を下
部のＳｉ単結晶基板１２ａ中に拡散させかつ結晶化させ
て、Ｓｉ単結晶基板１２ａ中に抵抗層となるｎ型または
Ｐ型のポリシリコン層１８を形成する。
次に、第２図（Ｆ）に示すように第１図（Ｇ）と同様に
してＳｉ単結晶基板１２ａの表面に残存するポリシリコ
ン層１８をドライエツチングにて除去する。
してＳｉ単結晶基板１２ａの表面に残存するポリシリコ
ン層１８をドライエツチングにて除去する。
次に、第２図（Ｇ）に示すように第１図（Ｈ）と同様に
して電極２０、導電ワイヤー２１および保護膜２２を形
成する。この場合、ダイヤフラムを形成する一例として
、第３図に示すように１００結晶面を有するＳｉ単結晶
基板１２ｂを用いることにより、基板１２ｂの裏面の抵
抗層を含む中央部分を残してその周囲に保護膜２２を形
成し水酸化カリウム（ＫＯＨ）などを用いた異方性エツ
チングにて中央部分を凹状に食刻することにより薄い受
圧部を形成するようにしてもよい。
して電極２０、導電ワイヤー２１および保護膜２２を形
成する。この場合、ダイヤフラムを形成する一例として
、第３図に示すように１００結晶面を有するＳｉ単結晶
基板１２ｂを用いることにより、基板１２ｂの裏面の抵
抗層を含む中央部分を残してその周囲に保護膜２２を形
成し水酸化カリウム（ＫＯＨ）などを用いた異方性エツ
チングにて中央部分を凹状に食刻することにより薄い受
圧部を形成するようにしてもよい。
このように本実施例においては、Ｓｉ単結晶基板１２ａ
、１２ｂの表面の抵抗層が形成される所定範囲にｎ型ま
たはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を形成し、これ
にエキシマレーザ−を照射することによりＳｉ単結晶基
板１２ａ、１２ｂ中に抵抗層となるｎ型またはＰ型のポ
リシリコン層１８を形成し、この後Ｓｉ単結晶基板１２
ａ、１２ｂの表面に残存するポリ９９３フ１）８部分つ
まりアモルファスシリコン膜１６に含有する水素（Ｈ）
によって表面が荒れている部分を除去するものであるた
め、従来のように水素抜きのための熱処理を施すことな
く信頼性の高い抵抗層が形成され、これによって量産性
の向上を図ることができる。
、１２ｂの表面の抵抗層が形成される所定範囲にｎ型ま
たはＰ型のアモルファスシリコン膜１６を形成し、これ
にエキシマレーザ−を照射することによりＳｉ単結晶基
板１２ａ、１２ｂ中に抵抗層となるｎ型またはＰ型のポ
リシリコン層１８を形成し、この後Ｓｉ単結晶基板１２
ａ、１２ｂの表面に残存するポリ９９３フ１）８部分つ
まりアモルファスシリコン膜１６に含有する水素（Ｈ）
によって表面が荒れている部分を除去するものであるた
め、従来のように水素抜きのための熱処理を施すことな
く信頼性の高い抵抗層が形成され、これによって量産性
の向上を図ることができる。
なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく本発
明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である
。例えば電極、保護膜あるいはダイヤフラムの形成は適
宜方法を選択して行えばよい。
明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である
。例えば電極、保護膜あるいはダイヤフラムの形成は適
宜方法を選択して行えばよい。
本発明は、アモルファスシリコン膜の表面に、抵抗層が
形成される所定範囲を残してレジスト層を形成し、この
レジスト層を覆うようにして前記アモルファスシリコン
膜の表面にｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を
形成し、前記所定範囲以外のレジスト層およびｎ型また
はＰ型のアモルファスシリコン膜を除去し、所定範囲に
残されたｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜にレ
ーザーを照射してｎ型またはＰ型のアモルファスシリコ
ンを下層のアモルファスシリコン膜中に拡散させかつ結
晶化させて抵抗層となるポリシリコン層ヲ形成し、アモ
ルファスシリコン膜の表面のポリシリコン層を除去する
ものであり、水素抜きのための熱処理工程を処理し量産
性を向上し得るポリシリコン抵抗の製造方法を提供でき
る。
形成される所定範囲を残してレジスト層を形成し、この
レジスト層を覆うようにして前記アモルファスシリコン
膜の表面にｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を
形成し、前記所定範囲以外のレジスト層およびｎ型また
はＰ型のアモルファスシリコン膜を除去し、所定範囲に
残されたｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜にレ
ーザーを照射してｎ型またはＰ型のアモルファスシリコ
ンを下層のアモルファスシリコン膜中に拡散させかつ結
晶化させて抵抗層となるポリシリコン層ヲ形成し、アモ
ルファスシリコン膜の表面のポリシリコン層を除去する
ものであり、水素抜きのための熱処理工程を処理し量産
性を向上し得るポリシリコン抵抗の製造方法を提供でき
る。
また本発明は、Ｓｉ単結晶基板の表面に、抵抗層が形成
される所定範囲を残してレジスト層を形成し、このレジ
スト層を覆うようにして前記Ｓｉ単結晶基板の表面にｎ
型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を形成し、前記
所定範囲以外のレジスト層およびｎ型またはＰ型のアモ
ルファスシリコン膜を除去し、所定範囲に残されたｎ型
またはＰ型のアモルファスシリコン膜にレーザーを照射
してｎ型またはＰ型のアモルファスシリコンを前記Ｓｔ
単結晶基板中に拡散させかつ結晶化させて抵抗層となる
ポリシリコン層を形成し、Ｓｉ単結晶板の表面のポリシ
リコン層を除去するものであり、水素抜きのための熱処
理工程を省略し量産性を向上し得るポリシリコン抵抗の
製造方法を提供できる。
される所定範囲を残してレジスト層を形成し、このレジ
スト層を覆うようにして前記Ｓｉ単結晶基板の表面にｎ
型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を形成し、前記
所定範囲以外のレジスト層およびｎ型またはＰ型のアモ
ルファスシリコン膜を除去し、所定範囲に残されたｎ型
またはＰ型のアモルファスシリコン膜にレーザーを照射
してｎ型またはＰ型のアモルファスシリコンを前記Ｓｔ
単結晶基板中に拡散させかつ結晶化させて抵抗層となる
ポリシリコン層を形成し、Ｓｉ単結晶板の表面のポリシ
リコン層を除去するものであり、水素抜きのための熱処
理工程を省略し量産性を向上し得るポリシリコン抵抗の
製造方法を提供できる。
第１図（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第１実施例の製造工程
を示す概略説明図、第２図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の第
２実施例の製造工程を示す概略説明図、第ハ １２、１２ａ、 １２ｂ−基板 １４−アモルファスシリコン膜 １５− レジスト層 １６−ｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１８−
ポリシリコン層
を示す概略説明図、第２図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の第
２実施例の製造工程を示す概略説明図、第ハ １２、１２ａ、 １２ｂ−基板 １４−アモルファスシリコン膜 １５− レジスト層 １６−ｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜１８−
ポリシリコン層
Claims (2)
- （１）アモルファスシリコン膜の表面に、抵抗層が形成
される所定範囲を残してレジスト層を形成し、このレジ
スト層を覆うようにして前記アモルファスシリコン膜の
表面にｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜を形成
し、前記所定範囲以外のレジスト層およびｎ型またはＰ
型のアモルファスシリコン膜を除去し、所定範囲に残さ
れたｎ型またはＰ型のアモルファスシリコン膜にレーザ
ーを照射してｎ型またはＰ型のアモルファスシリコンを
下層のアモルファスシリコン膜中に拡散させかつ結晶化
させて抵抗層となるポリシリコン層を形成し、アモルフ
ァスシリコン膜の表面のポリシリコン層を除去すること
を特徴とするポリシリコン抵抗の製造方法。 - （２）Ｓｉ単結晶基板の表面に、抵抗層が形成される所
定範囲を残してレジスト層を形成し、このレジスト層を
覆うようにして前記Ｓｉ単結晶基板の表面にｎ型または
Ｐ型のアモルファスシリコン膜を形成し、前記所定範囲
以外のレジスト層およびｎ型またはＰ型のアモルファス
シリコン膜を除去し、所定範囲に残されたｎ型またはＰ
型のアモルファスシリコン膜にレーザーを照射してｎ型
またはＰ型のアモルファスシリコンを前記Ｓｉ単結晶基
板中に拡散させかつ結晶化させて抵抗層となるポリシリ
コン層を形成し、Ｓｉ単結晶板の表面のポリシリコン層
を除去することを特徴とするポリシリコン抵抗の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4772390A JPH03248572A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | ポリシリコン抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4772390A JPH03248572A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | ポリシリコン抵抗の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248572A true JPH03248572A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12783246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4772390A Pending JPH03248572A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | ポリシリコン抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248572A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5021629A (en) * | 1988-04-08 | 1991-06-04 | Nippon Piston Ring Co., Ltd. | Electric plasma arc powder welded slide layer for rotary fluid pump vane |
| JPH05206482A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-08-13 | Span Instr Inc | ピエゾ抵抗半導体センサ・ゲージ及びこれを作る方法 |
| JP2012198196A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Yokogawa Electric Corp | 半導体装置、歪ゲージ、圧力センサおよび半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP4772390A patent/JPH03248572A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5021629A (en) * | 1988-04-08 | 1991-06-04 | Nippon Piston Ring Co., Ltd. | Electric plasma arc powder welded slide layer for rotary fluid pump vane |
| JPH05206482A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-08-13 | Span Instr Inc | ピエゾ抵抗半導体センサ・ゲージ及びこれを作る方法 |
| JP2012198196A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Yokogawa Electric Corp | 半導体装置、歪ゲージ、圧力センサおよび半導体装置の製造方法 |
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