JP2006145462A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 抵抗素子30は、支持基板10上に形成した酸化膜20上に形成されている。当該抵抗素子30は、ピエゾ抵抗体31、リード32及び両パッド33でもって構成されており、ピエゾ抵抗体31及びリード32は、半導体材料にボロンを注入して形成されている。ここで、当該ボロンの濃度は、ピエゾ抵抗体31及びリード32の各深さ方向において略一定となっている。
【選択図】 図1
Description
基板(10)と、
この基板上に形成される絶縁膜(20)と、
半導体材料に不純物成分を拡散させて形成したピエゾ抵抗体(31、41)を有するように絶縁膜上に形成される抵抗素子(30、40)とを備えている。
抵抗素子は、ピエゾ抵抗体から延出するように絶縁膜上に形成してなるリード(32、42)を有しており、
当該リードは、その深さ方向において略一定の濃度となるように上記不純物成分を半導体材料に拡散させて形成されていることを特徴とする。
上記不純物成分の濃度は、ピエゾ抵抗体及びリードの各面方向のうち少なくとも当該ピエゾ抵抗体とリードとの境界において、略一定であることを特徴とする。
抵抗素子のピエゾ抵抗体及びリードは、半導体単結晶に不純物成分を拡散させて形成されていることを特徴とする。
リードは、ピエゾ抵抗効果を発現し難い結晶面方向に形成されていることを特徴とする。
(第1実施形態)
図1は、本発明に係る圧力センサの一実施形態を示しており、この圧力センサは、例えば、自動車に搭載の内燃機関の燃焼室内の圧力を検出するために用いられる。
1.ピエゾ抵抗体及びリードの形成工程
不純物成分、例えば、ボロンを、1×1019(atom/cm3)の濃度にて、イオン注入装置(図示しない)により、活性層63にその表面から裏面に向けて注入する。次に、活性層63のうち、左右両側抵抗素子30の各ピエゾ抵抗体31及び上下両側抵抗素子40の各ピエゾ抵抗体41となる部位をレジストにて被覆した後、ボロンを、1×1020(atom/cm3)の濃度にて、イオン注入装置により、レジストで被覆されていない活性層63に対し、その表面から裏面に向けて注入する。その後、当該レジストを剥離する。
2.貼り合わせSOI基板の凹部の形成工程
上述のようにピエゾ抵抗体及びリードを形成した後は、支持基板61に対しその裏面側から水酸化テトラメチルアンモニウムでもってエッチングを施す。ここで、エッチング量を275(μm)とする。これにより、支持基板61において凹部69が形成される。これに伴い、支持基板61に250(μm)の厚さの上記ダイアフラムが形成される。ここで、当該凹部69が上述した凹部11に相当する。
3.酸化膜の形成工程
次に、酸化膜70を、300(nm)の厚さでもって、上述のように形成した両抵抗素子30のピエゾ抵抗体31及び両リード32並びに両抵抗素子40のピエゾ抵抗体41及び両リード42を被覆するように、中間酸化膜62上に形成する(図7参照)。
4.酸化膜のエッチング工程
酸化膜70にエッチングを施して上述した保護膜50の複数の開口部51に相当する複数の開口部71を形成する(図8参照)。
5.パッドの形成工程
複数の導体膜80を、それぞれ、酸化膜70の各開口部71を通し各対応リードの延出端部上にパターニング形成する(図9参照)。なお、当該複数の導体膜80は、上述した複数のパッド33、43に相当する。
(第2実施形態)
次に、本発明に係る圧力センサの第2実施形態について説明する。この第2実施形態では、上記第1実施形態にて述べた圧力センサの左右両側抵抗素子30の各ピエゾ抵抗体31及び各リード32並びに上下両側抵抗素子40の各ピエゾ抵抗体41及び各リード42において、ボロンの濃度は、当該ピエゾ抵抗体及びリードの面方向において略一定となっている。
(第3実施形態)
次に、本発明に係る圧力センサの第3実施形態について説明する。この第3実施形態では、上記第1実施形態にて述べた圧力センサにおいて、各抵抗素子30のピエゾ抵抗体31及び両リード32並びに各抵抗素子40のピエゾ抵抗体41及び両リード42が、その各深さ方向において略一定の濃度でもって、ボロンを、半導体単結晶に拡散して形成されている。その他の構成は上記第1実施形態と同様である。
(第4実施形態)
次に、本発明に係る圧力センサの第4実施形態について説明する。この第4実施形態では、上記第3実施形態にて述べた圧力センサの左右両側抵抗素子30の各ピエゾ抵抗体31及び各リード32並びに上下両側抵抗素子40の各ピエゾ抵抗体41及び各リード42において、その各面方向においても、ボロンの濃度は、上記第2実施形態と同様に略一定となっている。その他の構成は上記第3実施形態と同様である。
(1)上記第2或いは第4の実施形態において、互いに一体となっているピエゾ抵抗体とリードとの間の少なくとも境界におけるボロンの濃度の差が一定範囲以内にあれば、上記第2或いは第4の実施形態と同様の作用効果が達成され得る。
(2)上記第1或いは第3の実施形態において、ボロンの濃度は、ピエゾ抵抗体のみにおいて略一定になるようにしてもよい。
(3)活性層に注入する不純物成分は、ボロンに限ることなく、例えば、ガリウムやインジウム等であってもよい。また、活性層をN型とする場合には、不純物成分は、ヒ素やリンであってもよい。
(4)貼り合わせSOI基板に代えて、半導体材料からなる支持基板上に酸化膜を形成した基板を採用し、当該酸化膜上に各上記抵抗素子を形成するようにしてもよい。
(5)支持基板10において凹所11の形成を廃止してもよい。
(6)エッチングストップ機能を発揮する絶縁膜を、上記第1実施形態にて述べた貼り合わせSOI基板の支持基板内に形成してなる新たなSOI基板を用いて、上記第1実施形態にて述べた製造工程でもって圧力センサを製造してもよい。
31、41…ピエゾ抵抗体、32、42…リード。
Claims (5)
- 基板と、
この基板上に形成される絶縁膜と、
半導体材料に不純物成分を拡散させて形成したピエゾ抵抗体を有するように前記絶縁膜上に形成される抵抗素子とを備えている圧力センサにおいて、
前記不純物成分の濃度は、前記ピエゾ抵抗体の深さ方向において略一定であることを特徴とする圧力センサ。 - 前記抵抗素子は、当該ピエゾ抵抗体から延出するように前記絶縁膜上に形成してなるリードを有しており、
当該リードは、その深さ方向において略一定の濃度となるように前記不純物成分を前記半導体材料に拡散させて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記不純物成分の濃度は、前記ピエゾ抵抗体及び前記リードの各面方向のうち少なくとも当該ピエゾ抵抗体とリードとの境界において、略一定であることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記抵抗素子の前記ピエゾ抵抗体及び前記リードは、半導体単結晶に前記不純物成分を拡散させて形成されていることを特徴とする請求項2或いは3に記載の圧力センサ。
- 前記リードは、ピエゾ抵抗効果を発現し難い結晶面方向に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の圧力センサ。
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