JP5191030B2 - 半導体歪みゲージ - Google Patents
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所定の導電型の半導体基板上面又は表面に不純物を拡散させて反対導電型の拡散抵抗領域若しくは拡散抵抗体を形成する。その拡散抵抗体の周囲に、チャネルの発生を防止するための半導体基板と同じ導電型の高濃度不純物拡散層を形成する。該半導体基板上面又は表面を保護膜で覆い、上記拡散抵抗領域の一部及び高濃度不純物拡散層の一部の上面に於ける保護膜部分、すなわち上記電極と接続する部分に於ける保護膜をエッチングして除去する。そして、アルミニウム等の導体膜によって電極を形成して外部回路と接続可能にする。
ほかの構成要素は前述した実施例1と同一であり、同一番号、同一符号を付し、その説明を省略する。
図4はP型拡散抵抗領域16をハーフブリッジ構成としたもので、P型の抵抗体を用いているので正(+)側電極9aと高濃度N型不純物拡散層17とを接続したものである。拡散抵抗領域がN型の抵抗体を用いる場合には負(−)側電極9bとP型高濃度不純物拡散層(図示せず)を接続すればよい。また、中間に位置する中間電極9cを正(+)電極9aとし、高濃度N型不純物拡散層17と接続するようにしても実施可能である。
図5は図4と同じ導電型の半導体基板であるが、高濃度N型不純物拡散層の形状が異なった実施例である。高濃度N型不純物拡散層18をP型拡散抵抗領域16の形状に合わせて折り曲げて形成したものである。
図6は図に示すように所定の導電型の半導体基板6、12と、該半導体基板6、12の表面に形成された該半導体基板6、12とは反対導電型の拡散抵抗領域19と、該拡散抵抗領域19の4箇所に設けられた電極9a、9b、9c、9cとを備えた半導体歪みゲージにおいて、P型拡散抵抗領域19をロ字状に形成したフルブリッジ構成として高濃度N型不純物拡散層20a、20bをP型拡散抵抗領域19の外側と内側にそれぞれ形成し、この形成された外側と内側のそれぞれの高濃度N型不純物拡散層20a、20bと正(+)側電極9aとを接続したものである。
なお、図4ないし図6に示す実施例の他の構成要素は前述した実施例1同一であり、その説明を省略する。
(1)所定の導電型の半導体基板すなわち、N型又はP型単結晶シリコン基板6、12の表面に該半導体基板とは反対導電型のP型又はN型の拡散抵抗領域7、13となる不純物拡散層を形成する。
(2)当該P型又はN型の拡散抵抗領域7、13の周囲に当該一つの半導体基板と同一導電型であって該半導体基板よりも不純物が高濃度にドープされた高濃度N型又はP型不純物拡散層10、15を形成する。この高濃度N型又はP型不純物拡散層10、15はP型又はN型の拡散抵抗領域7、13と5μm程度の間隔を置いて形成するとよい。高濃度N型又はP型不純物拡散層10、15とP型又はN型の拡散抵抗領域7、13との間隔が広がると半導体歪みゲージの出力の抵抗値を安定させるという効果がなくなるので3mm程度までの範囲にするとよい。
(3)当該半導体基板の表面に保護膜8を形成する。
(4)上記P型又はN型拡散抵抗領域7、13の2箇所の一部と上記高濃度N型又はP型不純物拡散層10、15の一部の上面に於ける前記保護膜8を除去する。
(5)一方が保護膜8の除去されたP型又はN型拡散抵抗領域7、13の1箇所と接続され、他方が保護膜8の除去された高濃度N型又はP型不純物拡散層10、15およびP型又はN型拡散抵抗領域7、13の別の箇所に接続される2つの電極9a、9bを形成する。
7 P型拡散抵抗領域(P型拡散抵抗体)
8 保護膜
9a 正(+)側電極
9b 負(−)側電極
9c 中間電極
10 高濃度N型不純物拡散層
11 高濃度P型不純物拡散層
12 P型単結晶シリコン基板(半導体基板)
13 N型拡散抵抗領域(N型拡散抵抗体)
14 高濃度N型不純物拡散層
15 高濃度P型不純物拡散層
16 P型拡散抵抗領域(P型拡散抵抗体)
17 高濃度N型不純物拡散層
18 高濃度N型不純物拡散層
19 P型拡散抵抗領域(P型拡散抵抗体)
20a 高濃度N型不純物拡散層(外側)
20b 高濃度N型不純物拡散層(内側)
Claims (3)
- 所定の導電型の半導体基板と、該半導体基板の表面にロ字状に形成された該半導体基板とは反対導電型の拡散抵抗領域と、フルブリッジ構成となるように該拡散抵抗領域の4箇所に設けられた電極とを備えた半導体歪みゲージにおいて、前記半導体基板よりも高濃度に不純物がドープされた前記半導体基板と同一導電型であって、前記拡散抵抗領域の外側及び内側の周囲に高濃度不純物拡散層を備え、前記電極のいずれか一つが該高濃度不純物拡散層の内側及び外側に伸びて形成されて前記拡散抵抗領域と前記高濃度不純物拡散層とが接続され、前記電極には該拡散抵抗領域から該高濃度不純物拡散層へのリークが発生しないような電圧が印加されることを特徴とする半導体歪みゲージ。
- 前記拡散抵抗領域の一部に前記半導体基板とは反対導電型の高濃度不純物拡散層を形成すると共に前記電極に接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体歪みゲージ。
- 前記拡散抵抗領域と前記高濃度不純物拡散層との間隔が5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体歪みゲージ。
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