JP6908355B2 - 応力センサ - Google Patents

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Description

本発明は、応力センサに関する。
従来、ダイヤフラムを用いて圧力又は応力等を検出するセンサが知られている。例えば、特許文献1には、ダイヤフラムに加えられる圧力を、ダイヤフラムの撓みに基づいて検出する圧力センサが開示されている。
特開2015−143713号公報
しかしながら、ダイヤフラムを用いた応力センサにおいて、応力の検出能力が必ずしも高くない場合がある。
かかる点に鑑みてなされた本発明の目的は、検出能力を向上できる応力センサを提供することにある。
本発明の形態に係る応力センサは、
ダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの面上に配置され、外周部に切欠き部を有する感応膜と、
前記ダイヤフラムにおいて、前記切欠き部による応力変化が生じる前記感応膜の外縁部の下側に位置する検出部と、を備え
前記ダイヤフラムは(001)面に平行な面を有する単結晶Si基板であり、前記ダイヤフラムの面に前記感応膜が<110>方向に配置され、前記切欠き部は、<100>方向に形成される。
本発明の一実施形態に係る応力センサによれば、検出能力を向上できる。
本発明の第1の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。 図1に示す応力センサのL1−L1線に沿った断面図である。 ガス分子が感応膜に吸着された際の図2に示す範囲Aの拡大図である。 本発明の第2の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。 本発明の第3の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。 図5に示す応力センサのL2−L2線に沿った断面図である。 本発明の第4の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造に用いるSOI基板の概略構造を示す断面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、本発明に係る実施形態では、ダイヤフラムの面上に配置された膜(感応膜)への物質の吸着によって、ダイヤフラムが変形し、ダイヤフラムに応力が生じるものとして説明する。また、以下の説明で用いられる図は模式的なものである。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る応力センサ1の概略構成を示す上面図であり、図2は、図1に示す応力センサ1のL1−L1線に沿った断面図である。なお、本明細書では、z軸正方向が上側、z軸負方向が下側であるとして、以下説明する。
応力センサ1は、ダイヤフラム10と、外周部に切欠き部30,31,32,33を有する感応膜20と、4個のピエゾ抵抗素子(検出部)40,41,42,43とを備える。感応膜20は、ダイヤフラム10の上面に配置される。応力センサ1は、感応膜20が流体中の特定の物質を吸着することにより、特定の物質を検出する。応力センサ1には、例えば上面側から気体が吹きかけられる。応力センサ1は、吹きかけられた気体中に、検出対象となる特定のガス分子が含まれるか否かを検出できる。応力センサ1は、例えばSOI(Silicon on Insulator)基板を用いて製造される。応力センサ1の製造方法の一例については後述する。
ダイヤフラム10は、変形可能な部材である。ダイヤフラム10は、例えば、薄い基板である。以下では、ダイヤフラム10は、Si基板であるものとする。Si基板は、単結晶のn型のSi基板であり、図1及び図2では、図1に示すxy平面に平行な面(z軸に垂直な面)がSi(100)面となる。また、ダイヤフラム10において、x軸方向は[110]方向、y軸方向は[1−10]方向及びz軸方向は[001]方向である。ダイヤフラム10は、図1に示すように、上面側から見て矩形状としてもよい。ダイヤフラム10は、その周囲において、ダイヤフラム10よりも厚い基板と一体として構成されている。ダイヤフラム10は、上面に配置された感応膜20が変形すると、感応膜20の変形の度合いに応じて変形する。
また、ダイヤフラム10は、図2に示すように、薄膜部11を有していてもよい。薄膜部11は、ダイヤフラム10の他の部分よりも薄い部分である。図1には、上面側から見たときの薄膜部11の形状が破線で示されている。薄膜部11は、上面側から見ると、矩形状である。薄膜部11は、図1に示すように、xy平面における薄膜部11の領域内に、感応膜20及びピエゾ抵抗素子40〜43が含まれるように形成される。これにより、ダイヤフラム10では、感応膜20が配置される部分のz軸方向の厚さは、感応膜20が配置されない部分のz軸方向の厚さよりも、薄くなる。なお、薄膜部11は、xy平面おいてその領域内に感応膜20を含むことができれば、図1に示すような矩形状でなくてもよく、任意の形状であってもよい。
感応膜20は、その外周部に4個の切欠き部30〜33、切欠き部30〜33によって区切られる4個の延在部21,22,23,24、及び、延在部21〜24の先端に位置する4個の外縁部25,26,27,28を有する。この切欠き部30〜33により、本実施形態では、延在部21〜24は矩形状であり、従って、感応膜20は十字形状である。また、各延在部21〜24は、互いに交わる端部を有している。言い換えれば、感応膜20は、ダイヤフラム10の中央部から四方に延びている。また、各延在部21〜24がダイヤフラム10の[−110]方向、[−1−10]方向、[1−10]方向及び[110]方向(以下、まとめて「<110>」と表記する)に対応するように、感応膜20は、ダイヤフラム10の上面に配置される。感応膜20は、検出対象となる物質がその表面に吸着されると、その物質との物理的な接触又はその物質との化学反応等によって、伸縮等して変形する。感応膜20には、検出対象となる物質に応じた材料が用いられる。ダイヤフラム10及び感応膜20の厚さは、感応膜20に用いられる材料、検出対象となる物質等を考慮して適宜選択することができる。一例として、感応膜20の材料は、例えば、ポリスチレン、クロロプレンゴム、ポリメチルメタクリレート又はニトロセルロース等が挙げられる。
本実施形態において、切欠き部30〜33は、図1に示すように、上面側から見ると、矩形状である。切欠き部30〜33は、ダイヤフラム10の[−100]方向、[0−10]方向、[100]方向及び[010]方向(以下、まとめて「<100>」方向と表記する)に対応するように、感応膜20の外周部に形成される。
ピエゾ抵抗素子40〜43は、自身が受ける応力によって抵抗値が変化する。ピエゾ抵抗素子40〜43は、p型Siであり、n型のSi基板であるダイヤフラム10にボロン(B)を拡散させることで形成される。ピエゾ抵抗素子40〜43は、例えば、帯状である。ピエゾ抵抗素子40〜43は、ダイヤフラム10の<110>方向に配置されるように、ダイヤフラム10上に配置される。すなわち、ピエゾ抵抗素子40〜43の長手方向は、ダイヤフラム10の<110>方向に沿って設けられる。ここで、ピエゾ抵抗係数(ピエゾ抵抗素子が受ける応力と、その応力によって変化するピエゾ抵抗素子の抵抗値との間の比例係数)は、結晶方位に依存し、Si(100)面において<110>方向で最大となり、<100>方向で最小となる。従って、ピエゾ抵抗素子40〜43は、受ける応力によって変化する抵抗値が最大となるように、ピエゾ抵抗係数が最大となる方向に配置される。なお、本明細書において、ダイヤフラム10上に配置されるとは、平板状のダイヤフラム10の上面に配置された状態と、図2に示すようにダイヤフラム10の上面側においてダイヤフラム10に埋め込まれた状態とを含む。ピエゾ抵抗素子40〜43は、ダイヤフラム10上において、応力変化領域に位置する。以下、応力変化領域について説明する。
応力変化領域とは、検出対象となる物質が感応膜20に吸着された際に、切欠き部30〜33の存在に起因したダイヤフラム10の変形に伴い応力が大きく変化する領域である。本実施形態では、ダイヤフラム10の<100>方向に対応するように切欠き部30〜33が形成されているため、感応膜20が変形すると、ダイヤフラム10は、感応膜20の延在部21〜24によって<110>方向が主に変形するようになる。さらに、詳細は後述するが、ダイヤフラム10の変形の度合いは、切欠き部30〜33によって区切られる感応膜20の延在部21〜24の先端に位置する外縁部25〜28の付近でより大きくなる。つまり、応力変化領域は、例えば、外縁部25〜28及び外縁部25〜28の近辺を含む領域となる。外縁部25〜28の近辺は、上面視において、外縁部25〜28を基準に、外縁部25〜28の内側の領域と外側の領域とを含む。応力変化領域は、後述する図3において、一例として領域Dとして示されている。本実施形態では、図1に示すように、4個のピエゾ抵抗素子40〜43は、上面視において外縁部25〜28の下側に、等間隔に配置されている。
また、ピエゾ抵抗素子40〜43は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。応力センサ1は、ピエゾ抵抗素子40〜43で構成されたホイートストンブリッジ回路から、ピエゾ抵抗素子40〜43の抵抗値の変化を電気信号として検出することで、検出対象となる物質の感応膜20への吸着を検出できる。なお、ホイートストンブリッジ回路は、必ずしも4個のピエゾ抵抗素子40〜43の全てを用いて構成する必要はなく、ピエゾ抵抗素子40〜43の何れか1個、2個又は3個を用いて構成してもよい。また、ピエゾ抵抗素子40〜43の何れか1個、2個又は3個を用いてホイートストンブリッジ回路を構成する際には、応力センサ1は、ホイートストンブリッジ回路に用いられる個数のピエゾ抵抗素子を、ダイヤフラム10上に備えるようにしてもよい。
なお、ピエゾ抵抗素子40〜43は、図1に示す例では、上面視においての外縁部25〜28の下側に位置し、かつ薄膜部11の内側に位置しているが、ピエゾ抵抗素子40〜43は応力変化領域に位置していればよい。従って、ピエゾ抵抗素子40〜43は、外縁部25〜28の外側又は内側に位置していてもよいし、薄膜部11の外側に位置していてもよい。なお、応力集中の観点では、ピエゾ抵抗素子40〜43は、外縁部25〜28の外側に位置する部分が、内側に位置する部分よりも大きいとよい。すなわち、例えば、ピエゾ抵抗素子40〜43において、外縁部25〜28の外側に位置する平面形状の面積が、外縁部25〜28の内側に位置する平面形状の面積よりも大きくてもよい。また、ピエゾ抵抗素子40〜43は、図1及び図2では、ダイヤフラム10の上面側に位置しているが、ダイヤフラム10の内部又は下面側に位置していてもよい。
また、本実施形態では、応力センサ1は4個のピエゾ抵抗素子40〜43を備えるが、応力センサ1が備えるピエゾ抵抗素子の個数は4個に限られない。応力センサ1は、検出対象となる物質を検出可能な任意の個数のピエゾ抵抗素子を備えていればよい。
また、ダイヤフラム10に生じる応力を検出する検出部として、ピエゾ抵抗素子の代わりに、他の圧電素子が用いられていてもよい。
次に、外縁部25〜28とダイヤフラム10に生じる応力との関係について図3を参照して説明する。図3は、ガス分子2が感応膜20に吸着された際の図2に示す範囲Aの拡大図である。なお、ガス分子2は、応力センサ1を用いて検出する対象のガス分子を模式的に示すものである。
図3に示すように、ガス分子2が感応膜20に吸着されると、感応膜20が変形する。感応膜20の変形に伴い、ダイヤフラム10において感応膜20が配置された領域も変形する。一方、ダイヤフラム10において感応膜20が配置されていない領域は、感応膜20による変形が生じにくい。このように、外縁部26を基準に外縁部の外側(図3の領域B)と内側(図3の領域C)とで、感応膜20の影響を受けやすい領域Cと、受けにくい領域Bとが形成される。
具体的には、ダイヤフラム10の領域Cは、感応膜20の中心側が上側に盛り上がった凸形状に変形する。一方、ダイヤフラム10の領域Bは、感応膜20の変形の影響をあまり受けないため、変形しにくく、例えばxy平面に対してほぼ平行なままである。このとき、領域Cと領域Bとの境界付近に存在する領域Dでは、図3に示すように、ダイヤフラム10が大きく変形する。そのため、領域Dでは、ダイヤフラム10の変形の度合いが大きくなり、当該箇所に生じる応力が大きくなる。そして、このように大きな応力が生じやすい領域Dにピエゾ抵抗素子40〜43が配置されているため、検出対象となる物質が感応膜20に吸着された際におけるピエゾ抵抗素子40〜43の変形も大きくなる。そのため、ピエゾ抵抗素子40〜43の抵抗値も、大きく変化しやすくなる。
加えて、ダイヤフラム10の感応膜20が配置される部分に薄膜部11を設ける場合、検出対象となる物質が感応膜20に吸着された際、ダイヤフラム10の感応膜20が配置された領域Cの変形の度合いは、薄膜部11を設けない場合と比較して、より大きくなる。従って、応力変化領域に生じる応力もより大きくなる。
さらに、ダイヤフラム10に薄膜部11を設けた場合、感応膜20が配置される領域Cのダイヤフラム10のz軸方向の厚さは、感応膜20が配置されない領域Bのダイヤフラム10のz軸方向の厚さより小さくなる。これにより、ガス分子2が感応膜20に吸着された際、領域Cは、感応膜20の影響をより受けやすくなる。従って、領域Dでは、ダイヤフラム10の変形の度合いがより大きくなり、当該箇所に生じる応力もより大きくなる。
以上のように、第1の実施形態に係る応力センサでは、検出対象となる物質が感応膜20に吸着された際に、応力変化領域におけるダイヤフラム10の変形の度合いが、感応膜20が切欠き部30〜33を有しない場合と比較して、大きくなる。そのため、応力変化領域に生じる応力もより大きくなる。従って、応力変化領域に位置するピエゾ抵抗素子40〜43の抵抗値の変化もより大きくなる。これにより、応力センサ1では、検出対象となる物質が感応膜20に吸着された際に、ダイヤフラム10に生じる応力の検出能力を向上させることができる。従って、応力センサ1では、検出対象となる物質の検出能力を向上させることができる。
(第2の実施形態)
図4は、本発明の第2の実施形態に係る応力センサ1aの概略構成を示す上面図である。なお、図4に示す構成要素において、図1及び図2に示す構成要素と同一の構成要素は、同一符号を付し、その説明を省略する。
応力センサ1aは、ダイヤフラム10と、感応膜20aと、ピエゾ抵抗素子40〜43とを備える。感応膜20aは、外周部に4個の切欠き部30a,31a,32a,33a、切欠き部30a〜33aによって区切られる4個の延在部21a,22a,23a,24a、及び、延在部21a〜24aの先端に位置する4個の外縁部25a,26a,27a,28aを有する。
本実施形態において、切欠き部30a〜33aは、図4に示すように、上面側から見ると、くさび形状である。なお、くさび形状とは、先端に向かうにつれて幅が小さくなる形状を指している。本実施形態では、くさび形状は、三角形である。この切欠き部30a〜33aによって、本実施形態では、延在部21a〜24aは、それぞれ、外縁部25a〜28aに向かうにつれて幅が広くなる形状となる。
このように、切欠き部30a〜33aをくさび形状にすると、ダイヤフラム10の<110>方向に対応するように配置される感応膜20aの延在部21a〜24aの表面積が大きくなる。従って、感応膜20が変形した際、ダイヤフラム10における<110>方向の変形の度合いがより大きくなり、応力変化領域に生じる応力もより大きくなる。
第2の実施形態に係る応力センサ1aにおいて、その他の構成及び効果は、第1の実施形態に係る応力センサ1と同様である。
(第3の実施形態)
図5は、本発明の第3の実施形態に係る応力センサ1bの概略構成を示す上面図であり、図6は、図5に示す応力センサのL2−L2線に沿った断面図である。なお、図5及び図6に示す構成要素において、図1及び図2に示す構成要素と同一の構成要素は、同一符号を付し、その説明を省略する。
応力センサ1bは、外周部に切欠き部30〜33を有するダイヤフラム10bと、外周部に切欠き部30〜33を有する感応膜20bと、ピエゾ抵抗素子40〜43とを備える。
ダイヤフラム10bは、その外周部に4個の切欠き部30〜33を有する。本実施形態において、ダイヤフラム10bと感応膜20bとの切欠き部30〜33は、同一の形状に切欠かれている。すなわち、図5に示すように、上面視において、ダイヤフラム10bと感応膜20bとの切欠き部30〜33の切欠き線は、一致する。ただし、ダイヤフラム10bと感応膜20bとの切欠き部は、それぞれ異なる形状であってもよい。
このような構成とすることで、検出対象となる物質が上面側から応力センサ1に対して吹きかけられた際、感応膜20bに吸着されなかった物質は切欠き部30〜33を通過する。そのため、応力センサ1bによれば、感応膜20bに吸着されなかった被検物が、応力センサ1bの上面に滞ることを防ぐことができる。
加えて、応力センサ1bにおいて、ダイヤフラム10bの感応膜20bが配置されない下面上に、第2感応膜が配置されてもよい。これにより、切欠き部30〜33を通過した検出対象となる物質がダイヤフラム10bの下面側に流れ込み、第2感応膜に吸着され得る。第2感応膜が、検出対象となる物質を吸着した際に、上面側の感応膜20bとは反対方向に変形する性質を有する場合には、ダイヤフラム10bの変形の度合いがより大きくなる。
第3の実施形態に係る応力センサ1bにおいて、その他の構成及び効果は、第1の実施形態に係る応力センサ1と同様である。
(第4の実施形態)
図7は、本発明の第4の実施形態に係る応力センサ1cの概略構成を示す上面図である。なお、図7に示す構成要素において、図5に示す構成要素と同一の構成要素は、同一符号を付し、その説明を省略する。
応力センサ1cは、ダイヤフラム10cと、感応膜20cと、ピエゾ抵抗素子40〜43とを備える。ダイヤフラム10c及び感応膜20cは、それぞれ、その外周部に4個の切欠き部30c,31c,32c,33cを有する。本実施形態において、ダイヤフラム10cと感応膜20cとの切欠き部30c〜33cは、同一の形状に切欠かれている。すなわち、図7に示すように、上面視において、ダイヤフラム10cと感応膜20cとの切欠き部30c〜33cの切欠き線は、一致する。ただし、ダイヤフラム10cと感応膜20cとの切欠き部は、それぞれ異なる形状であってもよい。
本実施形態において、切欠き部30c〜33cは、図7に示すように、上面側から見ると、くさび形状である。本実施形態でも、くさび形状は、第2の実施形態と同様に、三角形である。この切欠き部30c〜33cによって、本実施形態でも、延在部21c〜24cは、それぞれ、外縁部25c〜28cに向かうにつれて幅が広くなる形状となる。
このように、切欠き部30c〜33cをくさび形状にすると、ダイヤフラム10cの〈110〉方向に対応するように配置される感応膜20cの延在部21c〜24cの表面積が大きくなる。従って、感応膜20cが変形した際、ダイヤフラム10cにおける<110>方向の変形の度合いがより大きくなり、応力変化領域に生じる応力もより大きくなる。
第4の実施形態に係る応力センサ1cにおいて、その他の構成及び効果は、第3の実施形態に係る応力センサ1bと同様である。
(第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程)
次に、本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造工程の一例について、図8〜図14を参照して説明する。なお、図8〜図14に示す各構成要素において、同一の構成要素には同一符号を付す。
(1)SOI基板の準備
まず、応力センサの製造に用いるSOI基板を準備する。図8に、本発明の第1〜第4の実施形態に係る応力センサの製造に用いるSOI基板の概略構造を示す。図8に示すように、SOI基板100は、第1基板110と、SiO層111と、第2基板112とを備える。第1基板110及び第2基板112は、Si基板である。第1基板110は、ダイヤフラムとして機能させるものであり、第2基板112よりも薄い。SOI基板100では、第2基板112上にSiO層111が配置され、SiO層111上に第1基板110が配置されている。SOI基板100は、例えばいわゆる貼り合わせ法によって製造される。なお、以下では、第1基板110はn型であるとする。
(2)拡散配線(高ドープ層)の形成
次に、図8に示すSOI基板100に、拡散配線を形成する。図9に示すように、第1基板110上にマスクパターン200を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン200の開口部に高濃度のボロン(B)を注入し、拡散配線41a,41b,43a,43bを形成する。
(3)ピエゾ抵抗素子(低ドープ層)の形成
図9に示すマスクパターン200を除去した後、ピエゾ抵抗素子40〜43を形成する。図10に示すように、第1基板110上にマスクパターン201を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン201の開口部に低濃度のボロン(B)を注入し、ピエゾ抵抗素子40〜43を形成する。
(4)金属配線の形成
図10に示すマスクパターン201を除去し、所定のパターンの絶縁層310a,310bを積層した後、アルミニウム等の金属配線を形成する。図11(a)に示すように、第1基板110上の全面にスパッタによって金属(例えばアルミニウム)を堆積させ、金属層300(例えばアルミニウム層)を形成する。次に、図11(b)に示すように、金属層300上にマスクパターン202を形成する。その後、図11(c)に示すように、マスクパターン202により保護されていない金属層300をエッチングすることにより、金属配線300a,300bを形成する。金属配線300a等及び拡散配線41a等による接続によって、ピエゾ抵抗素子40〜43は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。
(5)切欠き部の形成
図11(c)に示すマスクパターン202を除去した後、第3及び第4の実施形態に係る応力センサの場合は、切欠き部30〜33等を形成する。まず、図12(a)に示すように、第1基板110上にマスクパターン203を形成する。その後、図12(b)に示すように、マスクパターン203を介したドライエッチングにより切欠き部30〜33を形成した後、マスクパターン203を除去する。なお、この際、SiO層111がストップ層の役割を果たすように、予めドライエッチングの条件を設定する。なお、応力センサが切欠き部を有さない場合には、この工程を飛ばして、次の工程に進んでもよい。
(6)ダイヤフラムの形成
SOI基板100の上下を反転させた後、ダイヤフラムを形成する。図13(a)に示すように、第2基板112上にマスクパターン204を形成した後、マスクパターン204により保護されていない第2基板112を、ドライエッチングして凹部400を形成する。このとき、SiO層111がストップ層の役割を果たすように、予めドライエッチングの条件を設定する。その後、ドライエッチングの条件を変更し、図13(b)に示すように、SiO層111を除去してダイヤフラム10Aを形成する。なお、第1〜第4の実施形態において多様なダイヤフラムについて説明したが、図13(b)では、ダイヤフラム10Aと表記している。
(7)感応膜の形成
図13(b)に示すマスクパターン204を除去し、さらにSOI基板100の上下を反転させた後、感応膜20Aを形成する。図14に示すように、感応膜材料をダイヤフラム10A上に塗布した後、乾燥させて感応膜20Aを形成する。なお、第1〜第4の実施形態において多様な感応膜について説明したが、図14では、感応膜20Aと表記している。
なお、ここでは第1基板110がn型であるとして説明したが、例えば第1基板110がp型である場合には、上記(2)拡散配線(高ドープ層)の形成及び(3)ピエゾ抵抗素子(低ドープ層)の形成において、ボロン(B)に替えてリン(P)を注入する。
本発明を諸図面や実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形や修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形や修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部、各ステップ等に含まれる機能等は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部やステップ等を1つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。
1,1a,1b,1c 応力センサ
2 ガス分子
10,10A,10b,10c ダイヤフラム
11 薄膜部
20,20A,20a,20b,20c 感応膜
21,22,23,24 延在部
25,26,27,28 外縁部
30,31,32,33,30a,31a,32a,33a,30c,31c,32c,33c 切欠き部
40,41,42,43 ピエゾ抵抗素子(検出部)
41a,41b,43a,43b 拡散配線
100 SOI基板
110 第1基板
111 SiO
112 第2基板
200,201,202,204 マスクパターン
300 金属層
300a,300b 金属配線
310a,310b 絶縁層
400 凹部

Claims (10)

  1. ダイヤフラムと、
    前記ダイヤフラムの面上に配置され、外周部に切欠き部を有する感応膜と、
    前記ダイヤフラムにおいて、前記切欠き部による応力変化が生じる前記感応膜の外縁部の下側に位置する検出部と、を備え
    前記ダイヤフラムは(001)面に平行な面を有する単結晶Si基板であり、前記ダイヤフラムの面に前記感応膜が<110>方向に配置され、前記切欠き部は、<100>方向に形成される応力センサ。
  2. 前記切欠き部は、矩形状である、請求項1に記載の応力センサ。
  3. 前記切欠き部は、くさび形状である請求項1に記載の応力センサ。
  4. 前記ダイヤフラムは、該ダイヤフラムにおける他の部分より薄い薄膜部を有し、
    該薄膜部に、前記感応膜が位置しており、前記検出部が埋込まれている、請求項1から3の何れか一項に記載の応力センサ。
  5. 前記ダイヤフラムは、外周部に切欠き部を有する、請求項1から4の何れか一項に記載の応力センサ。
  6. 前記ダイヤフラムが有する前記切欠き部は、矩形状である、請求項5に記載の応力センサ。
  7. 前記ダイヤフラムが有する前記切欠き部は、くさび形状である、請求項5に記載の応力センサ。
  8. 前記ダイヤフラムにおいて前記感応膜が配置された面とは異なる他の面上に配置された第2感応膜をさらに備える、請求項5から7の何れか一項に記載の応力センサ。
  9. 前記検出部は、前記感応膜の外側に位置する部分が、内側に位置する部分よりも大きい、請求項1から8の何れか一項に記載の応力センサ。
  10. 前記検出部はピエゾ抵抗素子を含んで構成される、請求項1から9の何れか一項に記載の応力センサ。
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