JP2006258678A - 熱式流量計測装置 - Google Patents

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Hiroshi Nakano
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Masamichi Yamada
雅通 山田
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恵二 半沢
Izumi Watanabe
泉 渡辺
Keiichi Nakada
圭一 中田
Takahiro Kanamaru
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Abstract

【課題】
従来の熱式流量計測装置は自動車の苛酷な環境に対する配慮が欠けていた。
【解決手段】
本発明による熱式流量計測装置の検出素子はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板に薄肉部(ダイアフラム)を形成し、薄肉部の表面には測定空気流の温度と所定の温度差に加熱される発熱体として発熱抵抗体と、発熱抵抗体の両側に温度検出手段として温度検出抵抗体と、発熱抵抗体および温度検出抵抗体から信号線を引き出す2000℃以上の融点を持つ電気伝導体で構成された配線部とパッドにより構成される。
【選択図】図1

Description

本発明は熱式の流量計測装置に係る。
発熱体と前記発熱体の両側に温度検出手段を有する熱式流量計測装置の配線部の材料に関する従来例には、特許文献1に記載された熱式空気流量センサ及び内燃機関制御装置の様に配線部にアルミニウムや金などの低融点金属を用いたものや、特許文献1に記載された熱式空気流量センサ及び内燃機関制御装置の様に配線部にポリシリコンを用いたものや、特許文献2に記載された半導体センサ装置の様に配線部に拡散抵抗を用いたものなどがある。
特開2002−48616号 特開2004−279038号
発熱体と前記発熱体の両側に温度検出手段を有する熱式流量計測装置をエンジンの吸入空気量を計測するための流量計測装置として使用する場合、流量計測装置の配置される環境は非常に苛酷になる。これは熱式流量計測装置が空気流量を計測するためには、熱式流量計測装置の検出素子の表面にエンジンの吸入空気流を直接当てる必要があるからである。このことに関して配線部にアルミニウムや金などの低融点金属を使用した従来例は配慮が欠けていた。
エンジンの吸入空気には無数のダストが含まれ、これが熱式流量計測装置の検出素子の表面に衝突することで検出素子の表面の保護膜を破壊する。特に、低融点の金属材料を配線材料とした場合、保護膜の膜質は悪く機械的にもろい。また、ガソリンに含まれる硫酸,硝酸,塩酸などの酸は保護膜を溶かすと共に、先に説明したダストの衝突による破壊箇所から内部の金属配線に到達しアルミニウムなどの金属を腐食させてしまう。
これに対して、配線部にポリシリコンや拡散抵抗を用いる従来例はシリコンが耐酸性を持つため上記課題に対しては有利であるが、シリコンは金属に比べて抵抗率が高く配線抵抗が大きくなってしまう。この配線抵抗は熱式流量計測装置の感度を低下させ、配線抵抗のバラツキは特性のズレを生じさせる。また、余計な発熱を生じさせて熱式流量計測装置の特性を悪化させる。また、シリコンにはピエゾ抵抗効果があり、取り付け応力の影響を受けると抵抗値が変動し特性の悪化を引き起こす。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、上記した過酷な使用環境でもセンサ部分が受ける損傷を抑制し、且つ、配線抵抗を低抵抗化できるようにした熱式流量計測装置を提供することにある。
上記課題を解決するためには、電流を流すことによって発熱する発熱体と前記発熱体の近傍に設けられた温度検出手段とを有する熱式流量計測素子を電気的に接続する配線部を融点が2000℃以上である電気伝導体で構成することにより達成される。
本発明によれば、熱式流量計測装置の配線抵抗を低減することで熱式流量計測装置の特性を向上すると共に、自動車の過酷な環境でも使用できる高信頼度な熱式流量計測装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
まず、本発明の第1の実施例である熱式流量計測装置を図1,図2により説明する。なお、図1は第1の実施例の熱式流量計測装置の検出素子1の平面図、図2は第1の実施例の熱式流量計測装置の検出素子1のA−A′の断面図である。
まず、本熱式流量計測装置の検出素子1の構成を図1,図2により説明する。検出素子1はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板20に絶縁膜
19を形成し、平板基板20を裏面からエッチングすることで絶縁膜19の下部に空間を形成し、平板基板20に薄肉部(ダイアフラム)2を形成する。薄肉部2の表面には測定空気流の温度と所定の温度差に加熱される発熱体として発熱抵抗体3と、発熱抵抗体3の両側に温度検出手段として温度検出抵抗体4,14を形成している。なお、発熱抵抗体3はポリシリコン薄膜,白金薄膜,ニッケル合金薄膜などで作られた抵抗体で電流を流すことで発熱する。また、温度検出抵抗体4,14もポリシリコン薄膜,白金薄膜,ニッケル合金薄膜などで作られた抵抗体で、これらの抵抗体の抵抗値が温度により変化することを利用して、温度検出抵抗体4,14が配置された場所の温度を検出する。また、発熱抵抗体3および温度検出抵抗体4,14は配線部5,6,7,15,16,17を介して、パッド8,9,10,11,12,13に接続され、外部に配線を取り出せるようにしている。また、発熱抵抗体3,温度検出抵抗体4,14,配線部5,6,7,15,16,
17は保護膜18で被覆されている。
本実施例では配線部5,6,7,15,16,17を融点が2000度以上の金属(タンタル,モリブデン,タングステンなど)あるいは、融点2000度以上が得られるシリサイド(タンタルシリサイド,モリブデンシリサイド,タングステンシリサイドなど)あるいは、融点2000度以上が得られるナイトライド(タンタルナイトライド,モリブデンナイトライド,タングステンナイトライドなど)などの電気伝導体を使用した。このことにより、保護膜18の成膜に高温の熱処理を可能にする。これにより保護膜18を緻密な膜にすることができ、強い耐酸性と強い機械強度を持つ保護膜18(シリコン酸化膜,シリコン窒化膜など)を得ることができる。また、ここで使用した配線部の材料である金属、シリサイド、ナイトライドなどの電気伝導体の抵抗率はポリシリコンに比べて1/
10〜1/100であり、配線部の配線抵抗による弊害(感度低下,特性バラツキ,発熱など)を低減することが出来る。また、配線部7,17の様に配線が太くなる部分ではスリットを設けた。これは、一般的に融点の高い電気伝導体の膜は硬く応力が大きくなる為、幅の広い配線は剥がれてしまうので、これを防ぐ為にスリットを設けた。
次に、本発明の第2の実施例である熱式流量計測装置を図3により説明する。なお、図3は第2の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図である。
本熱式流量計測装置の検出素子の断面構造は先に示した第1の実施例である熱式流量計測装置の検出素子1とほぼ同一の構造で、本検出素子はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板23に絶縁膜22を形成し、平板基板23を裏面からエッチングすることで絶縁膜22の下部に空間を形成し、平板基板23に薄肉部(ダイアフラム)27を形成する。薄肉部27の表面には測定空気流の温度と所定の温度差に加熱される発熱体として発熱抵抗体と発熱抵抗体の両側に温度検出手段として温度検出抵抗体を形成するポリシリコン薄膜24と、発熱抵抗体と温度検出抵抗体の配線部に当たる部分に融点が2000度以上の金属薄膜25(タンタル,モリブデン,タングステンなど)と、金属薄膜25から端子を取り出すパッド26と、保護膜21から構成される。
本実施例ではポリシリコン薄膜24の発熱抵抗体と温度検出抵抗体の配線部に当たる部分に金属薄膜25を積層し、熱処理を施すことで一部のポリシリコン薄膜27をシリサイド化した。本実施例の様にポリシリコン薄膜24の発熱抵抗体と温度検出抵抗体の配線部にあたる部分をシリサイド化することで、配線部の電気抵抗を低減でき、配線抵抗による弊害(感度低下,特性バラツキ,発熱など)を低減することが出来る。また、金属薄膜
25に融点が2000℃以上の材料を使用することで保護膜21を緻密にする事ができ保護膜21の耐酸性と機械的強度を向上させることができる。
次に、本発明の第3の実施例である熱式流量計測装置を図4により説明する。なお、図4は第3の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図である。
本実施例である熱式流量計測装置の検出素子の断面構造は先に示した第1の実施例である熱式流量計測装置の検出素子1とほぼ同一の構造で、本検出素子はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板30に絶縁膜29を形成し、平板基板
30を裏面からエッチングすることで絶縁膜29の下部に空間を形成し、平板基板30に薄肉部(ダイアフラム)35を形成する。薄肉部35の表面には測定空気流の温度と所定の温度差に加熱される発熱体として発熱抵抗体と発熱抵抗体の両側に温度検出手段として温度検出抵抗体を形成するポリシリコン薄膜31と、発熱抵抗体と温度検出抵抗体の配線部に当たる部分に金属薄膜32(タンタル,モリブデン,タングステンなど)と、金属薄膜32から端子を取り出すパッド34と、金属薄膜32を被覆するポリシリコン薄膜33と、保護膜28から構成される。
本実施例では金属薄膜32を酸に対して耐性のあるポリシリコン薄膜33で被覆することで金属薄膜32を保護することで、金属薄膜32が酸で腐食することを保護している。また、発熱抵抗体と温度検出抵抗体の配線部に電気抵抗率の小さい金属薄膜32を用いることで配線抵抗の低減を実現し、配線抵抗による弊害(感度低下,特性バラツキ,発熱など)を低減することが出来る。また、本実勢例の様にポリシリコン薄膜33で金属薄膜
32を保護することで、金属薄膜32をより低融点のアルミニウムや白金を使用することも可能になる。特に、アルミニウムは応力が低く柔らかいので厚い膜を作れるので配線抵抗をより低減できる。
次に、本発明の第4の実施例である熱式流量計測装置を図5により説明する。なお、図5は第4の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図である。
本実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面構造は先に示した第1の実施例である熱式流量計測装置の検出素子1とほぼ同一の構造で、本検出素子はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板38に絶縁膜37を形成し、平板基板38を裏面からエッチングすることで絶縁膜37の下部に空間を形成し、平板基板38に薄肉部(ダイアフラム)42を形成する。薄肉部42の表面には測定空気流の温度と所定の温度差に加熱される発熱体として発熱抵抗体と発熱抵抗体の両側に温度検出手段として温度検出抵抗体を形成する金属薄膜39(タンタル,モリブデン,タングステン,白金など)と、金属薄膜39から端子を取り出すパッド41と、金属薄膜39を保護するポリシリコン薄膜40と、保護膜36から構成される。
本実施例では金属薄膜39を酸に対して耐性のあるポリシリコン薄膜40で被覆することで、金属薄膜39が酸で腐食することを保護している。この為、発熱抵抗体と温度検出抵抗体に対しても金属を材料としても、酸に対する耐性を確保することができる。また、本実施例実例の様な熱式流量計測装置においては薄肉部42の断熱性が高いほど流量に対する感度が大きくなる。この為、薄肉部42を構成する膜の熱伝導率は高い程良い。この目的にポリシリコンは非常に適しており、金属系の材料の1/10の熱伝導率である。つまり、ポリシリコン薄膜40はセンサの特性を悪化させることなく、金属薄膜39を保護することができる。また、ポリシリコン薄膜40にインプラを打ち込みポリシリコン薄膜40に電気伝導性を持たせることで、静電シールドも実現でき外来ノイズに対しても強くできる。
次に、本発明の第5の実施例である熱式流量計測装置を図6により説明する。なお、図6は第5の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図である。
本実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面構造は先に示した第1の実施例である熱式流量計測装置の検出素子1とほぼ同一の構造で、本検出素子はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板48にシリコン酸化膜47,シリコン窒化膜46を成膜し、その上部に発熱抵抗体と温度検出抵抗体を構成するポリシリコン薄膜51と、その上下にシリコン酸化膜49,50がポリシリコン薄膜51を囲うように構成する。更に、その上部にシリコン窒化膜45を成膜することで、ポリシリコン薄膜51を完全にシリコン窒化膜45,46で囲う。こうすることで、ポリシリコン薄膜51の抵抗経時変化の要因である水素の侵入をシリコン窒化膜45,46で遮断することができる。(シリコン窒化膜は水素の透過率が低い材料である)そして、シリコン窒化膜45の上部にシリコン酸化膜44を成膜し、ポリシリコン薄膜51から配線を引き出すためにシリコン酸化膜44,シリコン窒化膜45,シリコン酸化膜50にコンタクトホールを開け、ここに金属配線52を設けた。なお、金属は水素の透過率が低い材料であるので、ポリシリコン薄膜51に水素が侵入することを防ぐことができる。なお、ここで金属配線52は融点が2000℃以上の金属が望ましい。これは金属配線52の保護膜43を緻密な膜にできるからである。また、金属配線52から電極を引き出すためにパッド53を設けた。また、平板基板48を裏面からエッチングすることでシリコン酸化膜47の下部に空間を形成し、平板基板48に薄肉部(ダイアフラム)54を形成した。
本実施例ではポリシリコン薄膜51をシリコン窒化膜46,45と金属配線52で周囲を完全に囲うことでポリシリコン薄膜51の抵抗変化の原因である水素の進入を防げるようした。
次に、本発明の第6の実施例である熱式流量計測装置を図7により説明する。なお、図7は第6の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図である。
本実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面構造は先に示した第6の実施例である熱式流量計測装置の検出素子とほぼ同一の構造で、金属配線の引き出し部の構造が異なるだけである。第6の実施例ではシリコン酸化膜44,シリコン窒化膜45,シリコン酸化膜50と異なる材質の膜にコンタクトホールを空けるため、コンタクトホールの断面形状にオーバーハングが生じ、金属配線52とコンタクトホールの密着性が悪くなる課題がある。この為、本実施例では金属薄膜55を設けることでこれを解消した。
次に、本発明の第7の実施例である熱式流量計測装置を図8により説明する。なお、図8は第7の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図である。
本実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面構造は先に示した第5の実施例である熱式流量計測装置の検出素子とほぼ同一の構造で、本検出素子はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板60にシリコン酸化膜59,シリコン窒化膜
58を成膜し、その上部に発熱抵抗体と温度検出抵抗体を構成するポリシリコン薄膜63と、その上下にシリコン酸化膜61,62がポリシリコン薄膜63を囲うように構成する。更に、その上部にシリコン窒化膜57を成膜することで、ポリシリコン薄膜63を完全にシリコン窒化膜57,58で囲う。こうすることで、ポリシリコン薄膜63の抵抗経時変化の要因である水素の侵入をシリコン窒化膜57,58で遮断することができる。(シリコン窒化膜は水素の透過率が低い材料である)そして、シリコン窒化膜45の上部にシリコン酸化膜56を成膜する。ポリシリコン薄膜63からの配線の引き出しはポリシリコン薄膜63の製膜後、金属配線64を配置し、金属配線64にパッド65を設けた。なお、ここで金属配線64は融点が2000℃以上の金属が望ましい。これは金属配64を構成した後にシリコン窒化膜57を成膜するが、この成膜温度が低いと、シリコン窒化膜
57の膜質が悪く水素を透過するようになる。この為、シリコン窒化膜57の膜質を良質にするためには金属配線64の融点は少なくとも2000℃以上必要になる。また、平板基板60を裏面からエッチングすることでシリコン酸化膜59の下部に空間を形成し、平板基板60に薄肉部(ダイアフラム)66を形成した。
本実施例ではポリシリコン薄膜63をシリコン窒化膜57,58と金属配線64で周囲を完全に囲うことでポリシリコン薄膜63の抵抗変化の原因である水素の進入を防げるようした。
次に、本発明の第8の実施例である熱式流量計測装置を図9により説明する。なお、図9は第7の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の平面図である。
本実施例の熱式流量計測装置の検出素子の構造は先に示した第1の実施例である熱式流量計測装置の検出素子1とほぼ同一の構造で、発熱抵抗体3の配線部67,68と、配線部67,68を引き出すためのパッド69,70を追加したものである。こうすることで、発熱抵抗体3の抵抗の測定に4点計測ができるようにして、発熱抵抗体3の抵抗値をより正確に計測できるようにした。
次に、本発明の第9の実施例である熱式流量計測装置を図10,図11,図12,図
13,図14,図15,図16,図17,図18により説明する。なお、図10は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の平面図、図11は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71のB−B′の断面図、図12は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の発熱抵抗体92に関連する部分の平面図の抜粋、図13は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の吸気温度検出抵抗90に関連する部分の平面図の抜粋、図14は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の温度差検出抵抗72,73,93,94に関連する部分の平面図の抜粋、図15は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71のダイアフラム91周辺の拡大図、図16は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71のパッド周辺の拡大図、図17は第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の配線図、図18は第9の実施例の検出部71を動作させる駆動回路である。
本実施例の熱式流量計測装置の検出素子71はシリコンやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成される平板基板109にシリコン酸化膜108,シリコン窒化膜107,シリコン酸化膜106を形成し、この上にポリシリコン薄膜を積層して、このポリシリコン薄膜をパターニングすることで発熱抵抗体92,吸気温度検出抵抗90,温度差検出抵抗72,73,93,94などを形成し、保護膜としてシリコン酸化膜105,シリコン窒化膜104,シリコン酸化膜103を形成し、この上にアルミニウム薄膜を積層し、このアルミニウム薄膜をパターニングすることで配線とパッドを形成する。
また、平板基板109を裏面からエッチングすることでシリコン酸化膜108の下部に空間を形成し、平板基板109にダイアフラム(薄肉部)91を形成する。ダイアフラム91には測定空気流の温度と所定の温度差に加熱される発熱体として発熱抵抗体92と、発熱抵抗体92の両側に温度差検出手段として温度差検出抵抗72,73,93,94を形成している。また、発熱抵抗体92の一端は引き出し配線78を介してパッド81に接続され、もう一端は固定抵抗99に接続され、発熱抵抗体92と固定抵抗99の接続点はパッド82に、また、固定抵抗99のもう一端はパッド88に接続している。また、温度差検出抵抗72,73,93,94は引き出し配線74,75,76,77,96,97,98により接続されることでブリッジ回路を構成し、温度差検出抵抗72,73,93,94の各々の接続点はパッド79,80,83,89に引き出される。なお、発熱抵抗体92,引き出し配線78,固定抵抗99,温度差検出抵抗72,73,93,94はポリシリコン薄膜をパターニングすることで形成され、引き出し配線74,75,76,
77,96,97,98はポリシリコン薄膜とアルミニウム薄膜をパターニングすることで形成している。なお、温度差検出抵抗72,73,93,94はブリッジ回路を構成することで発熱抵抗体92の両端の温度差を検出するが、この時、引き出し配線74,75,76,77,96,97,98に対象性が無いとブリッジ回路の出力に誤差を発生させる。この為、引き出し配線74,75,76,77,96,97,98はブリッジ回路が対象になるように構成している。特に、引き出し配線74,75,76,77,96,
97,98のポリシリコン薄膜の部分の抵抗値とアルミニウム薄膜の部分の抵抗値は対象性が必要で本検出部では抵抗値が同じになるようにパターンを構成している。これはポリシリコン薄膜の抵抗温度係数とアルミニウム薄膜の抵抗温度係数が大きく異なる為にポリシリコン薄膜の部分の抵抗値とアルミニウム薄膜の部分の抵抗値に対象性が無いとブリッジ回路の出力電圧に大きな温度変化をもたらすからである。また、引き出し配線74,
75,76,77,96,97,98のポリシリコン薄膜の部分とアルミニウム薄膜の部分の接続部(コンタクト、図中では黒い点として表示)も対称に成るように、接続部の大きさ・数を対象になるようにした。なお、本実施例では引き出し配線74,75,76,77,96,97,98はポリシリコン薄膜であるが、この引き出し配線74,75,
76,77,96,97,98を金属にすることで引き出し配線74,75,76,77,96,97,98の抵抗値を小さくでき、温度差検出抵抗72,73,93,94で構成されるブリッジ回路の出力を大きくできる。また、発熱抵抗体92を発熱させる為に発熱抵抗体92には大きな電流が流れ、これにより引き出し配線78にも発熱抵抗体92に流す電流と同じ大きな電流が流れ、これにより引き出し配線78が発熱し熱式流量計測装置の特性を悪化させるが、引き出し配線78を金属にすることでこの発熱を低減することもできる。
また、検出素子71の表面には吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100もポリシリコン薄膜をパターンニングすることで構成しており、それぞれの抵抗はパッド81,
84,85,86,87,88,101,102を介して外部に接続できるようになっている。また、固定抵抗100からパッド84,85,86,87までの配線長はパッド
84,85,86,87で各々異なりパッド84,85,86,87を選択することで固定抵抗100の抵抗値を微調整できるようにしている。なお、発熱抵抗体92,固定抵抗99,吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100はパッド84,85,86,87のうちのどれかとパッド102を接続することでブリッジ回路を構成する。このブリッジ回路は発熱抵抗体92の温度を検出する回路として働く。また、先に説明したパッド84,85,86,87を選択することで固定抵抗100の抵抗を微調整できるようにすることで、ブリッジ回路のバランス点を調整できるようにしている。こうすることで発熱抵抗体92,固定抵抗99,吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100の加工バラツキを吸収できるようにしている。すなわち、ブリッジ回路の出力が0になる発熱抵抗体92の温度をパッド84,85,86,87を選択することで調整できるようにしている。
また、本検出部71では温度差検出抵抗72,73,93,94によって構成されるブリッジ回路と、発熱抵抗体92,吸気温度検出抵抗90、固定抵抗99,100,95によって構成されるブリッジ回路とで電源及びグランドを完全に分離した。こうすることで大きな電流が流れる発熱抵抗体92側のブリッジ回路の電流によって、温度差検出抵抗
72,73,93,94によって構成されるブリッジ回路のグランド電圧が影響されないようにした。
次に、図18により第9の実施例の検出部71を動作させる駆動回路の説明をする。本駆動回路は検出素子71の発熱抵抗体92,固定抵抗99,吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100により構成されるブリッジ回路の出力電圧を増幅する差動増幅器112と、差動増幅器112の出力で制御され発熱抵抗体92に電流を流すトランジスタ111と、温度差検出抵抗72,73,93,94により構成されるブリッジ回路の出力電圧を増幅してセンサ出力を出力する差動増幅器110により構成される。
本駆動回路は発熱抵抗体92,固定抵抗99,吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100により構成されるブリッジ回路の出力電圧が0に成るように発熱抵抗体92に流す電流を制御する。ここで発熱抵抗体92,吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100は前述したようにポリシリコン薄膜で構成され、それぞれの抵抗体の温度に応じて各抵抗の抵抗値が変化する。この為、本ブリッジ回路の出力電圧は発熱抵抗体92,固定抵抗
99,吸気温度検出抵抗90,固定抵抗95,100の抵抗値とそれぞれの抵抗の温度に応じて変化するが、各抵抗の値を適当に選ぶことで発熱抵抗体92の温度と吸気温度検出抵抗90の温度が所定の温度差になった時に本ブリッジ回路の出力が0になるように設計しておく。こうすることで本駆動回路は発熱抵抗体92の温度と吸気温度検出抵抗90の温度が所定の温度差になるように動作する。また、発熱抵抗体92の両側の温度を温度差検出抵抗72,73,93,94により構成されるブリッジ回路で検出し、このブリッジ回路の出力電圧を差動増幅器110により増幅することで空気流量に応じたセンサ出力を得る。
第1の実施例の熱式流量計測装置の検出素子1の平面図。 第1の実施例の熱式流量計測装置の検出素子1のA−A′の断面図。 第2の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図。 第3の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図。 第4の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図。 第5の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図。 第6の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図。 第7の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の断面図。 第7の実施例の熱式流量計測装置の検出素子の平面図。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の平面図。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71のB−B′の断面図。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の発熱抵抗体92に関連する部分の平面図の抜粋。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の吸気温度検出抵抗90に関連する部分の平面図の抜粋。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の温度差検出抵抗72,73,93,94に関連する部分の平面図の抜粋。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71のダイアフラム91周辺の拡大図。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71のパッド周辺の拡大図。 第9の実施例の熱式流量計測装置の検出素子71の配線図。 第9の実施例の検出部71を動作させる駆動回路。
符号の説明
1…検出素子、2…薄肉部、3…発熱抵抗体、4,14…温度検出抵抗体、5,6,7,15,16,17…配線部、8,9,10,11,12,13…パッド、18…保護膜、19…絶縁膜、20…平板基板。

Claims (12)

  1. 流体中に配置され電流を流すことによって発熱する発熱抵抗体と、
    前記発熱抵抗体の近傍に設けられた温度検出手段と、
    前記温度検出手段と電気的に接続される配線部を有する熱式流量計測装置において、
    前記配線部が2000℃以上の融点を持つ電気伝導体であることを特徴とする熱式流量計測装置。
  2. 請求項1に記載の熱式流量計測装置において、
    前記発熱抵抗体と電気的に接続される配線部を有する熱式流量計測装置において、
    前記配線部が2000℃以上の融点を持つ電気伝導体であることを特徴とする熱式流量計測装置。
  3. 請求項1〜2に記載の熱式流量計測装置において、
    前記配線部が2000℃以上の融点を持つ金属あるいはシリサイドあるいはナイトライドであることを特徴とする熱式流量計測装置。
  4. 請求項1〜3に記載の熱式流量計測装置において、
    前記発熱抵抗体がポリシリコンで構成されることを特徴とする熱式流量計測装置。
  5. 請求項1〜4に記載の熱式流量計測装置において、
    前記温度検出手段がポリシリコン抵抗体で構成されることを特徴とする熱式流量計測装置。
  6. 請求項1〜5に記載の熱式流量計測装置において、
    前記発熱抵抗体をポリシリコンで被覆したことを特徴とする熱式流量計測装置。
  7. 請求項1〜6に記載の熱式流量計測装置において、
    前記温度検出手段をポリシリコンで被覆したことを特徴とする熱式流量計測装置。
  8. 請求項1〜7に記載の熱式流量計測装置において、
    前記配線部をポリシリコンで被覆したことを特徴とする熱式流量計測装置。
  9. 請求項1〜8に記載の熱式流量計測装置において、
    前記発熱抵抗体をシリコンナイトライドと金属で囲うことを特徴とする熱式流量計測装置。
  10. 請求項1〜9に記載の熱式流量計測装置において、
    前記温度検出手段をシリコンナイトライドと金属で囲うことを特徴とする熱式流量計測装置。
  11. 請求項6〜8に記載の熱式流量計測装置において、
    前記ポリシリコン被覆に不純物をインプラしたことを特徴とする熱式流量計測装置。
  12. 請求項1〜11に記載の熱式流量計測装置において、
    前記発熱抵抗体から2対の配線部が接続されていることを特徴とする熱式流量計測装置。
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