JPS6281002A - 薄膜白金温度センサ - Google Patents
薄膜白金温度センサInfo
- Publication number
- JPS6281002A JPS6281002A JP22070685A JP22070685A JPS6281002A JP S6281002 A JPS6281002 A JP S6281002A JP 22070685 A JP22070685 A JP 22070685A JP 22070685 A JP22070685 A JP 22070685A JP S6281002 A JPS6281002 A JP S6281002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- platinum
- oxide film
- metal oxide
- temperature sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は白金薄膜の抵抗温度変化を利用する温度センサ
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
従来の薄膜白金温度センサは、絶縁基板上に所定のパタ
ーンの白金薄膜が配設され、それに電極リード線が接続
されて構成されている（特開昭６７−１６３２３１号公
報）。
ーンの白金薄膜が配設され、それに電極リード線が接続
されて構成されている（特開昭６７−１６３２３１号公
報）。
発明が解決しようとする問題点
この温度センサは、感熱要素が白金の薄膜素子であるた
め、白金線や白金ブレース抵抗体を使用した温度センサ
に比べて量産が容易となり、また小型化でき石という利
点を有している。
め、白金線や白金ブレース抵抗体を使用した温度センサ
に比べて量産が容易となり、また小型化でき石という利
点を有している。
しかしながら、白金薄膜が絶縁基板たとえばセラミック
基板上に真空蒸着法またはスパッタリング法などで直接
形成されているため、感熱要素である白金薄膜素子が絶
縁基板から剥離しやすいという問題点を有していること
が判明した。これは、白金薄膜素子の基板に対する付着
力が弱く、基板表面の凹凸による機械的な付着力があっ
ても、実使用上まだ十分でないためである。
基板上に真空蒸着法またはスパッタリング法などで直接
形成されているため、感熱要素である白金薄膜素子が絶
縁基板から剥離しやすいという問題点を有していること
が判明した。これは、白金薄膜素子の基板に対する付着
力が弱く、基板表面の凹凸による機械的な付着力があっ
ても、実使用上まだ十分でないためである。
本発明はこのような問題点を解決した薄膜湿度センサを
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明においては、絶縁基板と所定パターンの白金薄膜
素子との間に金属酸化物膜上たはそれと金属膜とを配置
するとともに、この金属酸化物膜上に白金薄膜を形成し
ている。
素子との間に金属酸化物膜上たはそれと金属膜とを配置
するとともに、この金属酸化物膜上に白金薄膜を形成し
ている。
作用
白金薄膜素子と金属酸化物膜との付着強度は、絶縁基板
表面に対する白金薄膜素子の付着強度に比べて大きく、
実用上剥離現象を生じるおそれがない。また、金属酸化
物膜と絶縁基板との閘に金属膜が介在させる構造にする
と、大きな付着強度を保持しつつ、金属膜表面を酸化さ
せることで前記金属酸化膜を容易に形成できる。
表面に対する白金薄膜素子の付着強度に比べて大きく、
実用上剥離現象を生じるおそれがない。また、金属酸化
物膜と絶縁基板との閘に金属膜が介在させる構造にする
と、大きな付着強度を保持しつつ、金属膜表面を酸化さ
せることで前記金属酸化膜を容易に形成できる。
実施例
以下、本発明の実施例について、第１図および第２図を
用いて説明するヶ 第１図において、１はシリコン基板、２はその表面に形
成されたシリコン酸化物膜で、これらによって絶縁基板
３が構成されている。４は金属酸化物膜、６は白金薄膜
素子で、シリコン酸化物膜２上に薄膜製造技術を用いて
順次形成され、かつ所定のパターンに仕上げられている
。
用いて説明するヶ 第１図において、１はシリコン基板、２はその表面に形
成されたシリコン酸化物膜で、これらによって絶縁基板
３が構成されている。４は金属酸化物膜、６は白金薄膜
素子で、シリコン酸化物膜２上に薄膜製造技術を用いて
順次形成され、かつ所定のパターンに仕上げられている
。
白金薄膜素子６の厚さは０．５〜２μｍであり、金属酸
化物膜４の厚さは１ｏｏ〜１ｏＯｏ人とした。金属酸化
物膜４としてはクロム、タンタル。
化物膜４の厚さは１ｏｏ〜１ｏＯｏ人とした。金属酸化
物膜４としてはクロム、タンタル。
モリブデンおよびニッケルのうちの一つまたは二つ以上
の金属の酸化物で構成される。
の金属の酸化物で構成される。
この薄膜白金温度センサにおいては、絶縁基板１と白金
薄膜素子６との間に金属酸化物膜４を配置し、かつ金属
酸化物膜４上に白金薄膜素子６を形成しているため、白
金薄膜素子６の付着強度が増大し、実使用時、白金薄膜
素子６が剥離するというおそれが解消された。
薄膜素子６との間に金属酸化物膜４を配置し、かつ金属
酸化物膜４上に白金薄膜素子６を形成しているため、白
金薄膜素子６の付着強度が増大し、実使用時、白金薄膜
素子６が剥離するというおそれが解消された。
第２図に示す実施例は、上記実施例においてさらに金属
酸化物膜４と絶縁基板３との間に金属膜６を介在させた
ものである。
酸化物膜４と絶縁基板３との間に金属膜６を介在させた
ものである。
これによれば、金属膜６を絶縁基板３上に形成したのち
、その表面を酸化することで、金属酸化物膜４を容易に
形成することができる。そして、熱処理を施しても、金
属膜６の金属原子が金属酸化物膜４によって白金薄膜素
子６へ拡散するのが阻止されるので、特性の安定した温
度センサを得ることができる。熱論、金属膜６の存在に
よっても、白金薄膜素子６と絶縁基板３との間の付着力
が、第１図に示した実施例と同等であることは、言うま
でもないことである。
、その表面を酸化することで、金属酸化物膜４を容易に
形成することができる。そして、熱処理を施しても、金
属膜６の金属原子が金属酸化物膜４によって白金薄膜素
子６へ拡散するのが阻止されるので、特性の安定した温
度センサを得ることができる。熱論、金属膜６の存在に
よっても、白金薄膜素子６と絶縁基板３との間の付着力
が、第１図に示した実施例と同等であることは、言うま
でもないことである。
上述の実施例では絶縁基板３としてシリコン基板１上に
シリコン酸化物膜２を設けたものを例示しているが、こ
れに代えてセラミック基板やガラス基板を使用した場合
も同等の効果を得ることができる。
シリコン酸化物膜２を設けたものを例示しているが、こ
れに代えてセラミック基板やガラス基板を使用した場合
も同等の効果を得ることができる。
発明の効果
以上のように、本発明の薄膜白金温度センサにおいては
、白金薄膜素子と絶縁基板との間に金属酸化物膜、また
は金属酸化物膜と金属膜とを配設し、かつ、この金属酸
化物膜上に白金薄膜素子を形成しているため、白金薄膜
素子の付着力が増大し、それが剥離するおそれはなくな
る。そして、金属膜を使用している場合には、その表面
を酸化することで容易に金属酸化物膜を形成することが
できる。
、白金薄膜素子と絶縁基板との間に金属酸化物膜、また
は金属酸化物膜と金属膜とを配設し、かつ、この金属酸
化物膜上に白金薄膜素子を形成しているため、白金薄膜
素子の付着力が増大し、それが剥離するおそれはなくな
る。そして、金属膜を使用している場合には、その表面
を酸化することで容易に金属酸化物膜を形成することが
できる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の薄膜白金温度セ
ンサの実施例の断面図である。 ３・・・・・・絶縁基板、４・・・・・・金属酸化物膜
、６・・・・・・白金薄膜素子、６・・・・・・金属膜
。
ンサの実施例の断面図である。 ３・・・・・・絶縁基板、４・・・・・・金属酸化物膜
、６・・・・・・白金薄膜素子、６・・・・・・金属膜
。
Claims (2)
- （１）絶縁基板と白金薄膜素子との間に金属酸化物膜、
または金属酸化物膜と金属膜とを配設するとともに、前
記白金薄膜素子を前記金属酸化物膜上に形成してなる薄
膜白金温度センサ。 - （２）絶縁基板が表面にシリコン酸化物膜を有するシリ
コン基板、セラミック基板、またはガラス基板である特
許請求の範囲第１項に記載の薄膜白金温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22070685A JPS6281002A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄膜白金温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22070685A JPS6281002A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄膜白金温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281002A true JPS6281002A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16755222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22070685A Pending JPS6281002A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄膜白金温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281002A (ja) |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22070685A patent/JPS6281002A/ja active Pending
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