SU841071A1 - Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ - Google Patents
Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ Download PDFInfo
- Publication number
- SU841071A1 SU841071A1 SU792711216A SU2711216A SU841071A1 SU 841071 A1 SU841071 A1 SU 841071A1 SU 792711216 A SU792711216 A SU 792711216A SU 2711216 A SU2711216 A SU 2711216A SU 841071 A1 SU841071 A1 SU 841071A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film
- manufacturing thin
- film circuits
- substrate
- electrical contacts
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Изобретение относитс к микроэлектронике , оптоэлектронике и может быть использовано при изготовлении фоторезисторов , Известен способ изготовлени тонкопленочных схем, включающий изготовление гребенчатых электродов из метал лических лент t укрепление их, на изолирующей подложке, нанесение фотопроводника ме щу гребенчатыми электродами 1 . Недостатками этого способа вл ютс низка разрешакмда способность и низкое качество электрического контакта между, электродами и фотопроводНИКОМ тонкопленочной cxeNKJi, изготовленной данньпл способом, большое количество технологических операций в св зи с необходимостью создани гребенчатых электродов, выполненных из металлических лент, и их укреплением на изолирующей подложке. . Известен способ изготовлени тонкопленочных схем, включающий последовательное нанесение на подложку из стекла фоточувствительной пленки и пленки металла, нанесение сетки из воска с заданным рисунком и избирател ное травление. Этот способ позвол ет улучшить качество электрического контакта изготовленной тонкопленочной схемы Однако он обладает низкой разреша ющей способностью, содержит большое количество различных технологических операций в св зи с необходимостью нанесени на фоточувствительную пленку пленки металла, сетки из воска с заданным рисунком и избирательного травлени . Известен также способ изготовлени тонкопленочных схем на основе полупроводниковых соединений типа А , включающий нанесение на подложку полу проводниковой пленки и формирование электрических контактов к ней с использованием маски из фоторезиста. Способ включает нанесение на подложку фоточувствительной пленки соединени л нанесение поверх фоточувствительнрй пленки металлической плен ки; создание контактной маски из фоторезиста; селективное травление металлической пленки дл формировани электрода. Способ обладает высокой разрешачипей способностью . Однако он также содержит большое количество технологических операций в св зи с необходимостью нанесени
Claims (2)
- Формула изобретения1. Способ изготовления тонкопленочных схем на основе полупроводниковых соединений типа A*' Bvl, включающий нанесение на подложку полупроводниковой пленки и формирование электрических контактов к ней с использованием маски из фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических свойств контактов, удешевления способа при одновременном упрощении технологии, электрические контакты формируют бомбардировкой ионами аргона незащищенных фоторезистом участков поверхности полупроводниковой пленки.
- 2. Способ поп. 1, отличающийся тем, что бомбардировку ионами ведут до уменьшения поверхностного сопротивления в 10^-10ь раз, по сравнению с исходным.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792711216A SU841071A1 (ru) | 1979-01-10 | 1979-01-10 | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792711216A SU841071A1 (ru) | 1979-01-10 | 1979-01-10 | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU841071A1 true SU841071A1 (ru) | 1981-06-23 |
Family
ID=20804553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792711216A SU841071A1 (ru) | 1979-01-10 | 1979-01-10 | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU841071A1 (ru) |
-
1979
- 1979-01-10 SU SU792711216A patent/SU841071A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4662064A (en) | Method of forming multi-level metallization | |
| US4389429A (en) | Method of forming integrated circuit chip transmission line | |
| JPS6097675A (ja) | 自己整合形ゲートを備えた薄膜トランジスタの製造法 | |
| US5041191A (en) | Diffusion barrier for thin film hybrid circuits | |
| SU841071A1 (ru) | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ | |
| US3794536A (en) | Dielectric circuit forming process | |
| JPS5812315A (ja) | 薄膜コイルの製造方法 | |
| US3568305A (en) | Method for producing a field effect device | |
| JPS5669843A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US4407859A (en) | Planar bubble memory circuit fabrication | |
| KR970008265A (ko) | 금속이 코팅된 3극 필드 에미터 제조방법 | |
| JPS5820157B2 (ja) | 回路板の形成方法 | |
| JPS56148845A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| GB1102832A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of thin film modules | |
| JPS56147434A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0117253B2 (ru) | ||
| JPS5952804A (ja) | 膜抵抗体の製造方法 | |
| KR960008523B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
| JPS6115330A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6261334A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6143484A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPS5843540A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPS6250461A (ja) | スパツタリングによる薄膜の堆積法 | |
| JPS57199238A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH05218212A (ja) | 半導体装置の製造方法 |