JPH0821491B2 - 薄膜抵抗体の抵抗特性の調整方法 - Google Patents
薄膜抵抗体の抵抗特性の調整方法Info
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- JPH0821491B2 JPH0821491B2 JP62002132A JP213287A JPH0821491B2 JP H0821491 B2 JPH0821491 B2 JP H0821491B2 JP 62002132 A JP62002132 A JP 62002132A JP 213287 A JP213287 A JP 213287A JP H0821491 B2 JPH0821491 B2 JP H0821491B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、薄膜抵抗体の抵抗温度特性の調整方法、
特に薄膜形成後に抵抗温度特性を調整し得る方法に関す
る。
特に薄膜形成後に抵抗温度特性を調整し得る方法に関す
る。
［従来の技術］ 従来より、スパッタリング、蒸着その他の気相成長法
等の種々の薄膜形成法を用いて薄膜抵抗体が製造されて
いる。特に、III〜VI族の元素の窒化物の薄膜、すなわ
ち、窒化タンタル、窒化チタニウム、窒化ジルコニウ
ム、窒化ハフニウム、窒化ニオビウム、窒化ホウ素ある
いは窒化クロムの薄膜は高温で安定性を示し、電気的特
性にも優れている。したがって、これらの窒化物単独
で、あるいは２種以上の組合わせからなるものが、抵抗
温度係数の小さい高精度薄膜抵抗として広く利用されて
いる。
等の種々の薄膜形成法を用いて薄膜抵抗体が製造されて
いる。特に、III〜VI族の元素の窒化物の薄膜、すなわ
ち、窒化タンタル、窒化チタニウム、窒化ジルコニウ
ム、窒化ハフニウム、窒化ニオビウム、窒化ホウ素ある
いは窒化クロムの薄膜は高温で安定性を示し、電気的特
性にも優れている。したがって、これらの窒化物単独
で、あるいは２種以上の組合わせからなるものが、抵抗
温度係数の小さい高精度薄膜抵抗として広く利用されて
いる。
上記した窒化物薄膜抵抗は、たとえばガラスやセラミ
ックなどの絶縁基体上に電子ビーム蒸着、イオンビーム
蒸着、フラッシュ蒸着、カソードスパッタリング蒸着法
などの種々の方法により形成されている。その他、ホッ
トプレス、昇華再結晶法、放電反応法または気相反応法
などによっても形成可能である。
ックなどの絶縁基体上に電子ビーム蒸着、イオンビーム
蒸着、フラッシュ蒸着、カソードスパッタリング蒸着法
などの種々の方法により形成されている。その他、ホッ
トプレス、昇華再結晶法、放電反応法または気相反応法
などによっても形成可能である。
［発明が解決しようとする問題点］ 一般に、薄膜抵抗の膜質は、スパッタリングや蒸着等
の成膜時の条件により変動する。したがって、抵抗温度
特性に優れた薄膜抵抗を得ることが要求される場合に
は、成膜条件すなわち基体温度、成膜速度またはガス圧
等を正確に制御していた。しかしながら、成膜条件のわ
ずかな変動が膜質に大きく影響するため、このような制
御を正確に行なうことは難しく、また成膜条件を制御し
て抵抗温度特性に優れた薄膜を得ることができたとして
も、該条件を一定に維持することは難しい。したがっ
て、量産に際し、抵抗温度特性の均一な多量の薄膜を安
定に得ることが極めて難しかった。のみならず、成膜時
点で膜質が決定されるものであるため、一旦薄膜を形成
した後にその抵抗温度特性を改善することも困難であっ
た。
の成膜時の条件により変動する。したがって、抵抗温度
特性に優れた薄膜抵抗を得ることが要求される場合に
は、成膜条件すなわち基体温度、成膜速度またはガス圧
等を正確に制御していた。しかしながら、成膜条件のわ
ずかな変動が膜質に大きく影響するため、このような制
御を正確に行なうことは難しく、また成膜条件を制御し
て抵抗温度特性に優れた薄膜を得ることができたとして
も、該条件を一定に維持することは難しい。したがっ
て、量産に際し、抵抗温度特性の均一な多量の薄膜を安
定に得ることが極めて難しかった。のみならず、成膜時
点で膜質が決定されるものであるため、一旦薄膜を形成
した後にその抵抗温度特性を改善することも困難であっ
た。
よって、この発明の目的は、成膜時の条件を厳格に制
御せずとも抵抗温度特性に優れた薄膜抵抗の得られる方
法を提供することである。
御せずとも抵抗温度特性に優れた薄膜抵抗の得られる方
法を提供することである。
［問題点を解決するための手段］ この発明の薄膜抵抗の抵抗特性の調整方法は、予め成
膜された窒化物薄膜抵抗体に所定のイオンをイオン注入
し、窒化物薄膜抵抗体の抵抗温度特性を調整することを
特徴とするものである。
膜された窒化物薄膜抵抗体に所定のイオンをイオン注入
し、窒化物薄膜抵抗体の抵抗温度特性を調整することを
特徴とするものである。
［作用］ 上述したように成膜条件を制御することにより抵抗温
度特性の優れた薄膜抵抗体を得ることは困難であった。
そこで、本願発明者達は、成膜された薄膜抵抗体を処理
することにより抵抗温度特性の調整を行なう方法を鋭意
検討した結果、薄膜中にイオン注入を行なえば、抵抗温
度特性の変化することを見出し、この発明を成すに至っ
た。
度特性の優れた薄膜抵抗体を得ることは困難であった。
そこで、本願発明者達は、成膜された薄膜抵抗体を処理
することにより抵抗温度特性の調整を行なう方法を鋭意
検討した結果、薄膜中にイオン注入を行なえば、抵抗温
度特性の変化することを見出し、この発明を成すに至っ
た。
すなわち、この発明では、後述する実施例から明らか
なように、成膜された後にイオン注入を行なうことによ
り抵抗温度特性の改善が図られる。また、イオン注入
は、公知のイオン注入装置を用いて行なわれ、たとえば
Ar+イオン等のほか種々のイオン源を用いることができ
る。
なように、成膜された後にイオン注入を行なうことによ
り抵抗温度特性の改善が図られる。また、イオン注入
は、公知のイオン注入装置を用いて行なわれ、たとえば
Ar+イオン等のほか種々のイオン源を用いることができ
る。
次に、具体的な実施例につき説明する。
実施例 Ta2N薄膜をRFマグネトロンスパッタにより高純度アル
ミナ基板上に形成した。スパッタリング条件は、ガス
圧:1.0×10-2Torr、パワー:1200W、時間:4分、膜厚:700
Åである。次に、高純度アルミナ基板上に形成されたTa
2N膜にAr+イオンを注入した。注入エネルギは180KeVで
あり、ドーズ量は１×1016N/cm2である。次に、上記の
ようにして得られた実施例の薄膜抵抗体に接続されるよ
うにAu/NiCr膜を電子ビーム蒸着により形成し、電極と
した。膜厚は、NiCrが300Åであり、Au膜が1000Åであ
る。さらに、フォトリソグラフィにより抵抗の大きさを
0.4mm×0.5mmとした。しかる後、得られた薄膜抵抗体の
抵抗値および抵抗温度特性を測定した。測定にあたって
は、上述のようにして薄膜の形成された各基板を５個抜
き出し、その平均値を採用し、測定値とした。
ミナ基板上に形成した。スパッタリング条件は、ガス
圧:1.0×10-2Torr、パワー:1200W、時間:4分、膜厚:700
Åである。次に、高純度アルミナ基板上に形成されたTa
2N膜にAr+イオンを注入した。注入エネルギは180KeVで
あり、ドーズ量は１×1016N/cm2である。次に、上記の
ようにして得られた実施例の薄膜抵抗体に接続されるよ
うにAu/NiCr膜を電子ビーム蒸着により形成し、電極と
した。膜厚は、NiCrが300Åであり、Au膜が1000Åであ
る。さらに、フォトリソグラフィにより抵抗の大きさを
0.4mm×0.5mmとした。しかる後、得られた薄膜抵抗体の
抵抗値および抵抗温度特性を測定した。測定にあたって
は、上述のようにして薄膜の形成された各基板を５個抜
き出し、その平均値を採用し、測定値とした。
なお、比較のために、上記工程においてAr+イオン注
入のみを行なわないものを用意し、その抵抗値および抵
抗温度特性を測定した。
入のみを行なわないものを用意し、その抵抗値および抵
抗温度特性を測定した。
結果を、下記の表に示す。
上記表において、25℃における抵抗温度特性（TCR）
の値が存在しないのは、TCRを下記の式に基づいて算出
したからである。
の値が存在しないのは、TCRを下記の式に基づいて算出
したからである。
上記表の結果から、Ar+イオン注入を施した場合、薄
膜抵抗体の抵抗値自体は変動しないことがわかる。他
方、抵抗温度特性は実施例および比較例のいずれにおい
ても温度とともに変化しているが、イオン注入を行なっ
た場合には全体に＋の側にシフトしており、抵抗温度特
性が約20ppm変化していることがわかる。これに対し
て、比較例では−の側に大きくシフトしており、約100p
pm変化している。したがって、イオン注入を行なうこと
により、薄膜抵抗体の抵抗温度特性を飛躍的に改善し得
ることがわかる。よって、注入されるイオン種、イオン
エネルギの大きさ、またイオン注入量を適宜調整するこ
とにより、抵抗温度特性をある程度の範囲で任意に調整
し得ることが推測される。
膜抵抗体の抵抗値自体は変動しないことがわかる。他
方、抵抗温度特性は実施例および比較例のいずれにおい
ても温度とともに変化しているが、イオン注入を行なっ
た場合には全体に＋の側にシフトしており、抵抗温度特
性が約20ppm変化していることがわかる。これに対し
て、比較例では−の側に大きくシフトしており、約100p
pm変化している。したがって、イオン注入を行なうこと
により、薄膜抵抗体の抵抗温度特性を飛躍的に改善し得
ることがわかる。よって、注入されるイオン種、イオン
エネルギの大きさ、またイオン注入量を適宜調整するこ
とにより、抵抗温度特性をある程度の範囲で任意に調整
し得ることが推測される。
なお、上記実施例の結果から、イオン注入により抵抗
温度特性を調整し得るという技術は、薄膜抵抗のみなら
ず厚膜抵抗の特性改善にも有効であると考えられる。
温度特性を調整し得るという技術は、薄膜抵抗のみなら
ず厚膜抵抗の特性改善にも有効であると考えられる。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば成膜後にイオン注入
を行なうことにより、抵抗温度特性に優れた薄膜抵抗体
を得ることができる。したがって、成膜条件を厳格に制
御することなく簡単に抵抗温度特性を改善することがで
きる。
を行なうことにより、抵抗温度特性に優れた薄膜抵抗体
を得ることができる。したがって、成膜条件を厳格に制
御することなく簡単に抵抗温度特性を改善することがで
きる。
Claims (1)
- 【請求項１】予め成膜された窒化物薄膜抵抗体に所定の
イオンをイオン注入し、前記窒化物薄膜抵抗体の抵抗温
度特性を調整することを特徴とする薄膜抵抗体の抵抗特
性の調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62002132A JPH0821491B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 薄膜抵抗体の抵抗特性の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62002132A JPH0821491B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 薄膜抵抗体の抵抗特性の調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169705A JPS63169705A (ja) | 1988-07-13 |
| JPH0821491B2 true JPH0821491B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=11520809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62002132A Expired - Fee Related JPH0821491B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 薄膜抵抗体の抵抗特性の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821491B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4497190B2 (ja) | 2007-10-19 | 2010-07-07 | 株式会社デンソー | レーダ装置、および保持部材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50110100A (ja) * | 1974-02-12 | 1975-08-29 |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP62002132A patent/JPH0821491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63169705A (ja) | 1988-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |