RU2028682C1 - Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий - Google Patents
Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2028682C1 RU2028682C1 SU4905071A RU2028682C1 RU 2028682 C1 RU2028682 C1 RU 2028682C1 SU 4905071 A SU4905071 A SU 4905071A RU 2028682 C1 RU2028682 C1 RU 2028682C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tantalum
- film
- manufacture
- aluminium alloy
- oxygen
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Использование: микроэлектроника, технология изготовления прецизионных тонкопленочных резисторов. Сущность изобретения: пленку (П) на основе сплава тантал - алюминий с содержанием тантала 40 - 60 ат.% осаждают методом катодного распыления мишеней тантала и алюминия в атмосфере кислорода. Парциальное давление кислорода поддерживают равным (6,65-7,98)×10-2 , а осаждение П осуществляют со скоростью Далее проводят отжиг в вакууме при температуре (650 - 900)°С. Указанные технологические режимы обеспечивают получение П с удельным сопротивлением до 5000 мк Ом. см и температурным коэффициентом сопротивления не более ± 5·10-5град-1
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении прецизионных тонкопленочных резисторов.
Известен способ повышения удельного сопротивления и стабильности пленок тантала-алюминия при легировании их азотом [1]. Недостатком способа является наличие ярко выраженной "сильной" зависимости температурного коэффициента сопротивления (ТКС) этих пленок от парциального давления азота.
Наиболее близким техническим решением, выбранным за прототип, является способ изготовления резистивных слоев сплава Та-Аl методом катодного распыления, включающий распыление мишени Та-Аl в атмосфере кислорода и последующий отжиг при температуре 400-500оС [2].
Недостатком способа являются низкие значения удельного сопротивления (до 100 Ом/□ (≈200 мк Ом.см).
Целью изобретения является улучшение электрофизических свойств пленки путем повышения удельного сопротивления при сохранении малых значений ТКС.
Необходимый эффект достигается образованием после вакуумного отжига при температуре 650-900оС смеси фаз: гексагональной типа (Та-Аl)2О и аморфной с высоким удельным сопротивлением (4000-5000) мкОм.см и низким ТКС ± 5 х 10-5 град-1. Уменьшение содержания тантала менее 40 ат.%, скорости роста менее 3 /с, увеличение парциального давления кислорода более 7,98 х 10-2 Па приводят к амортизации пленки, увеличению удельного сопротивления, сопровождаемого резким увеличением отрицательного ТКС. Увеличение содержания тантала более 60 ат. %, скорости осаждения пленки более 4 /с и уменьшение давления кислорода менее 6,65 х 10-2 Па по свойствам приближают пленку к прототипу. Отжиг пленок при температуре менее 650оС не обеспечивает регулировки ТКС, отжиг при температуре более 900оС способствует активному их окислению.
Вакуумная камера модернизированной установки УРМ 3.279.050 откачивается до давления 6,65 х 10-4 Па, проводится нагрев подложек до температуры 250оС. Затем осуществляют напуск кислорода до давления 7 х 10-2 Па и аргона, так что общее давление смеси газов поддерживается постоянным и составляет 9,31 х 10-1 Па. Пленка наносится методом магнетронного сораспыления при следующих параметрах процесса. Ток мишени тантала 1,5 А, ток мишени алюминия 1,5 А. После нанесения пленки отжигались в вакуумной печи РZ-803 при температуре 700оС. Удельное сопротивление полученных таким способом пленок составило 4500 мкОм. см, ТКС ≈1 х 10-5 град-1. Лучшие значения удельного сопротивления и ТКС пленок прототипа составили соответственно 60 мкОм.см и ТКС 1 х 10-4град-1.
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ СПЛАВА ТАНТАЛ - АЛЮМИНИЙ, включающий катодное распыление мишеней тантала и алюминия в атмосфере кислорода, осаждение пленки на подложку и последующий ее отжиг в вакууме, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров пленок путем повышения величины удельного сопротивления и уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления, парциальное давление кислорода при распылении мишеней поддерживают равным (6,65 - 7,98) · 10- 2 Па, осаждение пленки осуществляют со скоростью при этом содержание тантала в пленке выбирают и поддерживают в диапазоне 40 - 60 ат.%, а отжиг проводят при 650 - 900oС.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4905071 RU2028682C1 (ru) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4905071 RU2028682C1 (ru) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2028682C1 true RU2028682C1 (ru) | 1995-02-09 |
Family
ID=21557042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4905071 RU2028682C1 (ru) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2028682C1 (ru) |
-
1991
- 1991-01-24 RU SU4905071 patent/RU2028682C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1. Патент Японии N 55-5841, кл. H 01C 7/00, 1980. * |
2. Патент ФРГ N 2356419, кл. H 01C 17/12, 1979. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0245900B1 (en) | Layered film resistor with high resistance and high stability | |
US4414274A (en) | Thin film electrical resistors and process of producing the same | |
US4201649A (en) | Low resistance indium oxide coatings | |
US4298505A (en) | Resistor composition and method of manufacture thereof | |
US4063211A (en) | Method for manufacturing stable metal thin film resistors comprising sputtered alloy of tantalum and silicon and product resulting therefrom | |
US4000055A (en) | Method of depositing nitrogen-doped beta tantalum | |
JPS5955001A (ja) | 抵抗およびその製造方法 | |
Sato | Nucleation properties of magnetron-sputtered tantalum | |
JPH0772346B2 (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
RU2028682C1 (ru) | Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий | |
US6217722B1 (en) | Process for producing Ti-Cr-Al-O thin film resistors | |
US4338145A (en) | Chrome-tantalum alloy thin film resistor and method of producing the same | |
JPH1088332A (ja) | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 | |
CH688169A5 (de) | Elektrische Widerstandsschicht. | |
Koltai et al. | Segregation phenomena in thin NiCr layers | |
US3644188A (en) | Anodizable cermet film components and their manufacture | |
Schiller et al. | Cr Si resistive films produced by magnetron-plasmatron sputtering | |
JP2628591B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
WO2022210428A1 (ja) | Cr-Si系膜 | |
CN116695081B (zh) | 一种复合非晶碳薄膜压敏材料及其制备方法 | |
Ojha | The deposition of cermet films from a powder target by RF sputtering | |
US3315208A (en) | Nitrogen stabilized titanium thin film resistor and method of making same | |
JP4742758B2 (ja) | 薄膜抵抗体及びその製造方法 | |
EP2100313B1 (en) | High resistivity thin film composition and fabrication method | |
JPH06275409A (ja) | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070125 |