JPS62291101A - 金属皮膜抵抗器 - Google Patents
金属皮膜抵抗器Info
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- JPS62291101A JPS62291101A JP62134990A JP13499087A JPS62291101A JP S62291101 A JPS62291101 A JP S62291101A JP 62134990 A JP62134990 A JP 62134990A JP 13499087 A JP13499087 A JP 13499087A JP S62291101 A JPS62291101 A JP S62291101A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
-
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
この発明は、抵抗材料としてニッケル合金を有する電気
金属皮膜抵抗器及びその製造方法Ｇこ関する。
金属皮膜抵抗器及びその製造方法Ｇこ関する。
このような抵抗器には、英国特許第１３３８７３５号明
細書で、重量％表示で １５≦Ｎｉ ≦５５ １０≦Ｃｒ≦６８ 及び ２＜Ａｌ＜６０ の糾成を有するＮ１−Ｃｒ−Ａ １合金を抵抗材料とＵ
２で有するものが知られている。
細書で、重量％表示で １５≦Ｎｉ ≦５５ １０≦Ｃｒ≦６８ 及び ２＜Ａｌ＜６０ の糾成を有するＮ１−Ｃｒ−Ａ １合金を抵抗材料とＵ
２で有するものが知られている。
合金を基体表面上にスパッタリングにより設け、次いで
これを酸素含を雰囲気中での加熱により安定化させて製
造するこれらの抵抗器は、約５オームから１メガオーム
までの範囲内の場合、工業的規模で優秀に実現されてい
る。これらは、−５５〜＋Ｉ５５℃の温度範囲で±２５
Ｘ １０−６７ ’Ｃの間の値の電気抵抗温度係数を
有する。
これを酸素含を雰囲気中での加熱により安定化させて製
造するこれらの抵抗器は、約５オームから１メガオーム
までの範囲内の場合、工業的規模で優秀に実現されてい
る。これらは、−５５〜＋Ｉ５５℃の温度範囲で±２５
Ｘ １０−６７ ’Ｃの間の値の電気抵抗温度係数を
有する。
５オームより低い値を有する、この材料の抵抗器は、成
る程スパッタリングによりつくることができるが、しか
しその場合、０．５オームの抵抗器を得るためには、極
めて長時間、例えば、１０時間スパッタすることが必要
であり、この目的のためには４００００個あたり８ＫＨ
の電力が必要である。実際」二これは、許されない。こ
のため、核形成基体」−に無電解ニッケルめっき浴によ
り析出させたニッケルーリンを抵抗材料として使用する
努力がなされた。スパッタリングにより製造される５オ
ームより高い抵抗器に適用される要求品質は、これらの
無電解ニッケルめっき抵抗器によっては決して実現する
ことができない。
る程スパッタリングによりつくることができるが、しか
しその場合、０．５オームの抵抗器を得るためには、極
めて長時間、例えば、１０時間スパッタすることが必要
であり、この目的のためには４００００個あたり８ＫＨ
の電力が必要である。実際」二これは、許されない。こ
のため、核形成基体」−に無電解ニッケルめっき浴によ
り析出させたニッケルーリンを抵抗材料として使用する
努力がなされた。スパッタリングにより製造される５オ
ームより高い抵抗器に適用される要求品質は、これらの
無電解ニッケルめっき抵抗器によっては決して実現する
ことができない。
高電力（＞ ｌ Ｗ）が散逸される用途の抵抗体は、動
作巾約３００℃の温度に達することがある。しかし、こ
れらは、前記動作温度に数回上がり、しばらくその温度
に保たれ、その後再び室温に冷却される使用を長期繰り
返した後でも安定のままでなければならない。低オーム
抵抗器の他の種類は、いわゆる精密抵抗器である。これ
らの抵抗器は、±２５Ｘ１０−６／’Ｃの間の抵抗温度
係数値を持たねばならない。
作巾約３００℃の温度に達することがある。しかし、こ
れらは、前記動作温度に数回上がり、しばらくその温度
に保たれ、その後再び室温に冷却される使用を長期繰り
返した後でも安定のままでなければならない。低オーム
抵抗器の他の種類は、いわゆる精密抵抗器である。これ
らの抵抗器は、±２５Ｘ１０−６／’Ｃの間の抵抗温度
係数値を持たねばならない。
更に、スパッタリングにより設けられる層は、磨滅に対
する高い抵抗を有しなければならない。
する高い抵抗を有しなければならない。
実際のところ、スパッタリングは、回転ドラム中で行わ
れ、その中で被覆すべき支持体が自由に動くことができ
、若干の力で互いにこすり合わされる。層が磨滅抵抗の
低い材料より成る場合、これは、磨滅の結果としてスパ
ッタリング時間が長くなり、更に析出の均一性が損なわ
れるため製品の外観が低下することを意味する。
れ、その中で被覆すべき支持体が自由に動くことができ
、若干の力で互いにこすり合わされる。層が磨滅抵抗の
低い材料より成る場合、これは、磨滅の結果としてスパ
ッタリング時間が長くなり、更に析出の均一性が損なわ
れるため製品の外観が低下することを意味する。
スパッタリングにより設けるべき既知の抵抗材料、例え
ば、」−記Ｎ１−Ｃｒ−Ａ １合金も、しかしまた旧−
Ｃｒ又はＮｉ−Ｃｕ合金もこれらのすべての要求を満た
すことはできない。
ば、」−記Ｎ１−Ｃｒ−Ａ １合金も、しかしまた旧−
Ｃｒ又はＮｉ−Ｃｕ合金もこれらのすべての要求を満た
すことはできない。
例えば、Ｎｉ−Ｃｒは、Ｎ１−Ｃｒ−Ａ １合金より低
いレヘルの抵抗率を有するが約１４０ ｘ １０− ’
／ ’ｃの抵抗温度係数を有する。両合金は、磨滅抵
抗がむしろ低い。
いレヘルの抵抗率を有するが約１４０ ｘ １０− ’
／ ’ｃの抵抗温度係数を有する。両合金は、磨滅抵
抗がむしろ低い。
他の２元系合金、ＮｉＣｕ、は、抵抗率が低いが、これ
も使用できない。ＮｉＣｕ （３０×７０重量％）は、
マグネトロンスパッタリング装置によりスパッタするこ
とができるが、１００〜１５０ Ｘｌ０−６／’Ｃの抵
抗温度係数を有し、その上熟成の際大きな変化をするこ
とが分かった。磨滅が高い結果としてスパッタリング時
に多量のほこりがドラム中で発生し、層のセラミックス
に対する接着力が乏しい。
も使用できない。ＮｉＣｕ （３０×７０重量％）は、
マグネトロンスパッタリング装置によりスパッタするこ
とができるが、１００〜１５０ Ｘｌ０−６／’Ｃの抵
抗温度係数を有し、その上熟成の際大きな変化をするこ
とが分かった。磨滅が高い結果としてスパッタリング時
に多量のほこりがドラム中で発生し、層のセラミックス
に対する接着力が乏しい。
この発明は、−５５〜＋１５０℃の温度範囲で５０×１
０−６／’Ｃより低く 、２５Ｘ１０−’／’Ｃより低
くさえある抵抗温度係数の絶対値を有し、自由に動く抵
抗支持体上にドラム中でスパッタする製造方法に対して
許容しうる値の磨滅抵抗を有する低抵抗値用抵抗材料を
従供する。
０−６／’Ｃより低く 、２５Ｘ１０−’／’Ｃより低
くさえある抵抗温度係数の絶対値を有し、自由に動く抵
抗支持体上にドラム中でスパッタする製造方法に対して
許容しうる値の磨滅抵抗を有する低抵抗値用抵抗材料を
従供する。
この発明に従えば、１０オームより低い抵抗値及び−５
５〜＋１５０ ”Ｃの範囲での５０ Ｘｌ０−６／”Ｃ
より低い抵抗温度係数の絶対値用の皮膜抵抗器は、抵抗
材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２重量％の
アルミニウム含量を有し、残りがニッケルであり、全部
で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けないニッケル
とアルミニウムの合金より成ることを特徴とする。
５〜＋１５０ ”Ｃの範囲での５０ Ｘｌ０−６／”Ｃ
より低い抵抗温度係数の絶対値用の皮膜抵抗器は、抵抗
材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２重量％の
アルミニウム含量を有し、残りがニッケルであり、全部
で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けないニッケル
とアルミニウムの合金より成ることを特徴とする。
精密抵抗器として使用するためには、抵抗温度係数の絶
対値が一５５℃〜＋１５０℃の範囲で２５×１０−”／
’Ｃより小さいことが要求される。抵抗器の好ましい例
に従えば、これは、ニッケルとアルミニウムの合金が少
なくとも１６．５重量％多くとも１８．５重量％のアル
ミニウム含量を有する場合に達成される。
対値が一５５℃〜＋１５０℃の範囲で２５×１０−”／
’Ｃより小さいことが要求される。抵抗器の好ましい例
に従えば、これは、ニッケルとアルミニウムの合金が少
なくとも１６．５重量％多くとも１８．５重量％のアル
ミニウム含量を有する場合に達成される。
抵抗層は、スパッタリングにより、好ましくはマグネト
ロンスパッタリングにより設けられる。
ロンスパッタリングにより設けられる。
抵抗器のすぐれた安定性は、既知の方法で酸素含有雰囲
気中、例えば空気中、３００℃以トの温度で熟成するこ
とにより得られる。
気中、例えば空気中、３００℃以トの温度で熟成するこ
とにより得られる。
この発明に従う多数の型の抵抗器の製造を、以下に例に
よっていっそう詳細に説明する。
よっていっそう詳細に説明する。
１ 、７ｍｍの直径と６ｍｍの長さを有する多数の磁器
棒がＡＰ、含量の異なるＮｉＡｌ！ターゲントを用いて
回転ドラムを有するマグネトロンスパッタリング装置中
でこの合金の層により被覆された。ＮｉＡ １層を設け
た後、抵抗器を種々の温度で３時間熟成した。
棒がＡＰ、含量の異なるＮｉＡｌ！ターゲントを用いて
回転ドラムを有するマグネトロンスパッタリング装置中
でこの合金の層により被覆された。ＮｉＡ １層を設け
た後、抵抗器を種々の温度で３時間熟成した。
このようにして得られた／ｌ含量１９．２％を有する旧
−Ａｐ、抵抗体は、０．７６オームの抵抗値を有し、こ
の値は、３時間３５０℃Ｔ：Ｐ成後０．８６オームに増
加した。＋２５〜＋１５０℃の範囲内の抵抗温度係数（
ＴＣＲ）は、４０Ｘ１０−６／’Ｃであった。
−Ａｐ、抵抗体は、０．７６オームの抵抗値を有し、こ
の値は、３時間３５０℃Ｔ：Ｐ成後０．８６オームに増
加した。＋２５〜＋１５０℃の範囲内の抵抗温度係数（
ＴＣＲ）は、４０Ｘ１０−６／’Ｃであった。
１７．２％のＡＩ！、含量を有する抵抗体は、１．１オ
ームの抵抗値と２５〜１５０℃の範囲の温度係数−２２
ＸＩＯ−６／’Ｃを有していた。３時間３００℃で熟成
後、抵抗値は、１．２オームに増加し、−５５〜」−２
５℃の範囲内のＴＣＰは、＋５ｘ１０６／”Ｃで＋２５
〜−１−１５０℃の範囲内のそれは、−１７ｘｌＯ−６
／’ｃであった。
ームの抵抗値と２５〜１５０℃の範囲の温度係数−２２
ＸＩＯ−６／’Ｃを有していた。３時間３００℃で熟成
後、抵抗値は、１．２オームに増加し、−５５〜」−２
５℃の範囲内のＴＣＰは、＋５ｘ１０６／”Ｃで＋２５
〜−１−１５０℃の範囲内のそれは、−１７ｘｌＯ−６
／’ｃであった。
この発明の組成範囲外のＡＰ ］４．２％を有するＮ１
−Ａ Ｉ！体は、１．１オームの、３００℃で３時間熟
成後１．３オームに増加する抵抗値と、２５〜１５０℃
の範囲のＴＣＲ３５０Ｘｌ０−６／’Ｃとを有していた
。
−Ａ Ｉ！体は、１．１オームの、３００℃で３時間熟
成後１．３オームに増加する抵抗値と、２５〜１５０℃
の範囲のＴＣＲ３５０Ｘｌ０−６／’Ｃとを有していた
。
２２重量％より高いＡｎ含量を有するＮ１−Ａ ｉ抵抗
体の場合も、同様に使用にならない高いＴＣ＋？値が得
られた。
体の場合も、同様に使用にならない高いＴＣ＋？値が得
られた。
得られた抵抗器について多くの試験を行った。
全抵抗体の＋７０℃での寿命試験の結果、抵抗値の変化
は、１０００時間後±１７４％内にとどまることがわか
った。
は、１０００時間後±１７４％内にとどまることがわか
った。
抵抗体を＋１５５℃に３０分間置き、次いで一５５℃に
３０分間置くことを５サイクル繰り返す温度変化試験で
、抵抗値の変化は、全抵抗体について±１７４％以内で
あった。
３０分間置くことを５サイクル繰り返す温度変化試験で
、抵抗値の変化は、全抵抗体について±１７４％以内で
あった。
ＮｉＣｒ又はＮｉＣｕに基づく既知の蒸着金属皮膜抵抗
器では、これらの試験で抵抗値の一層大きな変化が認め
られた。
器では、これらの試験で抵抗値の一層大きな変化が認め
られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、抵抗材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２
重量％のアルミニウム含量を有し、残りがニッケルであ
り、全部で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けない
ニッケルとアルミニウムの合金より成ることを特徴とす
る抵抗材料としてニッケル合金を有する電気金属皮膜抵
抗器。 ２、抵抗材料が少なくとも１６．５重量％多くとも１８
．５重量％のアルミニウム含量を有するニッケルとアル
ミニウムの合金より成る特許請求の範囲第１項記載の金
属皮膜抵抗器。 ３、抵抗材料が少なくとも１４．５重量％多くとも２２
重量％のアルミニウム含量を有し、残りがニッケルであ
り、全部で最高２．５重量％しか相溶性汚染を受けない
ニッケルとアルミニウムの合金より成る電気金属皮膜抵
抗器を製造するにあたり、金属皮膜をマグネトロンスパ
ッタリングにより設けることを特徴とする金属皮膜抵抗
器の製造方法。 ４、抵抗材料が少なくとも１６．５重量％多くとも１８
．５重量％のアルミニウム含量を有するニッケルとアル
ミニウムの合金より成る特許請求の範囲第３項記載の方
法。 ５、設けた金属皮膜を少なくとも３００℃の温度で酸素
含有雰囲気中加熱することにより熟成する特許請求の範
囲第３項又は第４項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8601432A NL8601432A (nl) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | Metaalfilmweerstanden. |
| NL8601432 | 1986-06-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291101A true JPS62291101A (ja) | 1987-12-17 |
| JP2571227B2 JP2571227B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=19848115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134990A Expired - Fee Related JP2571227B2 (ja) | 1986-06-04 | 1987-06-01 | 金属皮膜抵抗器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774491A (ja) |
| EP (1) | EP0248476B1 (ja) |
| JP (1) | JP2571227B2 (ja) |
| KR (1) | KR970004565B1 (ja) |
| AT (1) | ATE66315T1 (ja) |
| CA (1) | CA1291885C (ja) |
| DE (1) | DE3772108D1 (ja) |
| NL (1) | NL8601432A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170146A (en) * | 1991-08-01 | 1992-12-08 | Motorola, Inc. | Leadless resistor |
| US5680092A (en) * | 1993-11-11 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip resistor and method for producing the same |
| US6830627B1 (en) * | 1999-03-23 | 2004-12-14 | International Business Machines Corporation | Copper cleaning compositions, processes and products derived therefrom |
| US6225684B1 (en) | 2000-02-29 | 2001-05-01 | Texas Instruments Tucson Corporation | Low temperature coefficient leadframe |
| US6892443B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-05-17 | Vishay Intertechnology | Method of manufacturing a resistor |
| US10177506B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-01-08 | API Technologies Corporation | Connecting conductor |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5658203A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film resistor |
| JPS575302A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistance thin film |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7102290A (ja) * | 1971-02-20 | 1972-08-22 | ||
| US3872419A (en) * | 1972-06-15 | 1975-03-18 | Alexander J Groves | Electrical elements operable as thermisters, varisters, smoke and moisture detectors, and methods for making the same |
| US3904461A (en) * | 1972-10-02 | 1975-09-09 | Bendix Corp | Method of manufacturing solderable thin film microcircuit with stabilized resistive films |
| US4529958A (en) * | 1983-05-02 | 1985-07-16 | Dale Electronics, Inc. | Electrical resistor |
-
1986
- 1986-06-04 NL NL8601432A patent/NL8601432A/nl not_active Application Discontinuation
-
1987
- 1987-05-15 US US07/050,827 patent/US4774491A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-26 DE DE8787200987T patent/DE3772108D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-26 AT AT87200987T patent/ATE66315T1/de active
- 1987-05-26 EP EP87200987A patent/EP0248476B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-28 KR KR1019870005322A patent/KR970004565B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-06-01 JP JP62134990A patent/JP2571227B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-01 CA CA000538444A patent/CA1291885C/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JPS5658203A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film resistor |
| JPS575302A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistance thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970004565B1 (ko) | 1997-03-29 |
| NL8601432A (nl) | 1988-01-04 |
| EP0248476A1 (en) | 1987-12-09 |
| KR880000991A (ko) | 1988-03-30 |
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| JP2571227B2 (ja) | 1997-01-16 |
| DE3772108D1 (de) | 1991-09-19 |
| CA1291885C (en) | 1991-11-12 |
| ATE66315T1 (de) | 1991-08-15 |
| US4774491A (en) | 1988-09-27 |
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