JP6219977B2 - 電子部品および電子部品の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、薄膜抵抗素子を備える電子部品およびその製造方法に関する。
従来、薄膜抵抗素子を備える種々の電子部品が提供されている(例えば特許文献1参照)。例えば、図3に示す従来の電子部品500が備える薄膜抵抗素子は、絶縁層501上に形成されたNi、Cr、Siを主成分とする複数の抵抗薄膜502と、抵抗薄膜上に形成されたNiを主成分とする接続電極503とを備えている。そして、接続電極503上に形成されたAu/Pd外部電極504により薄膜抵抗素子が外部接続される。
特開2001−318014号公報(段落0005、図2など)
図3に示すように、抵抗薄膜502と外部電極504とが接続電極503を介して接続されることにより、薄膜抵抗素子(抵抗薄膜502)と外部電極504との間で抵抗値が増大するのが抑制されるので、外部電極504間において測定される薄膜抵抗素子の抵抗値のばらつきが低減される。しかしながら、比較的大きい抵抗値を有するように抵抗薄膜502が形成されると、抵抗薄膜502と接続電極503との間の接触抵抗が増大するおそれがある。この場合には、所望の抵抗値を有する薄膜抵抗素子を形成することができない。
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、所望の抵抗値を有する薄膜抵抗素子を備える電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明の電子部品は、一方主面および他方主面を有し、Ni、Cr、Siを主成分とする抵抗薄膜と、前記抵抗薄膜の前記一方主面の一部に形成され該抵抗薄膜と電気的に接続されたNiを主成分とする接続電極とを有する薄膜抵抗素子を備え、前記抵抗薄膜は、前記他方主面から前記一方主面までの全範囲にわたって、前記他方主面から前記一方主面に向かって前記Niの濃度が徐々に増え、前記抵抗薄膜は、50重量%以上、90重量%以下のSiを含んでいることを特徴としている。
このように構成された発明では、抵抗薄膜の接続電極との接続界面側におけるNiの濃度が当該界面と反対側におけるNiの濃度よりも高いので、抵抗薄膜の接続電極との接続界面側および接続電極それぞれの仕事関数を近づけることができる。そのため、抵抗薄膜および接続電極の接続界面において仕事関数の差異に起因して生じる接触抵抗が増大するのを防止することができる。したがって、抵抗薄膜の設計上の所望の抵抗値を有する薄膜抵抗素子を備える電子部品を提供することができる。
また、抵抗薄膜中のSiの含有量が多いほど、抵抗薄膜の抵抗率が増加するので、高抵抗値の薄膜抵抗素子を形成することができる。また、抵抗薄膜と接続電極との接続界面において接触抵抗の増大が防止されているので、抵抗薄膜の抵抗値が所定の高抵抗値に設定されることにより、所定の高抵抗値を精度よく備える薄膜抵抗素子を形成することができる。
また、前記抵抗薄膜の抵抗率は、10−5Ωm以上、10−1Ωm以下であるとよい。
このようにすれば、実用的な抵抗値を有する薄膜抵抗素子を備える電子部品を提供することができる。
また、第1〜第4外部電極と、前記第1、第2外部電極間に直列接続された可変容量型の薄膜キャパシタ素子と、一端が前記第3外部電極に接続された第1の前記薄膜抵抗素子と、一端が前記第4外部電極に接続された第2の前記薄膜抵抗素子とを備え、前記第1、第2の薄膜抵抗素子の他端間に前記薄膜キャパシタ素子が挿入されるように、前記第1、第2の薄膜抵抗素子それぞれの他端が前記薄膜キャパシタ素子両端のそれぞれに接続されているとよい。
このように構成すると、第1、第2外部電極を入出力端子とする可変容量型の薄膜キャパシタ素子を備える電子部品を提供することができる。すなわち、第3、第4外部電極間の電圧を調整して第1、第2の薄膜抵抗素子を介して薄膜キャパシタ素子の両端に印加される電圧を任意に調整することにより薄膜キャパシタ素子の容量を調整することができる。
また、本発明の電子部品の製造方法は、Ni、Cr、Siを主成分とする抵抗薄膜と、前記抵抗薄膜上に形成され該抵抗薄膜と電気的に接続されたNiを主成分とする接続電極とを有する薄膜抵抗素子を備える電子部品の製造方法において、Ni、Cr、Siを主成分とする混合物から成る蒸着材料を1つの蒸発源を用いて蒸発または昇華させて樹脂層上に蒸着させて前記抵抗薄膜を形成することを特徴としている。
このように構成された発明では、Ni、Cr、Siを主成分とする混合物から成る蒸着材料を1つの蒸発源を用いて蒸発または昇華させることにより、抵抗薄膜の成膜が進むに連れて、最も蒸発温度の高いNiの濃度が増大する。そのため、抵抗薄膜の成膜が進むに連れて、成膜される膜中のNiの濃度が徐々に増大する。よって、接続電極が形成される表層側に向けてNiの濃度が徐々に増大する抵抗薄膜を樹脂層上に簡単に形成することができる。したがって、抵抗薄膜の設計上の所望の抵抗値を有する薄膜抵抗素子を備える電子部品を簡単に製造することができる。
本発明によれば、抵抗薄膜の接続電極との接続界面側および接続電極それぞれの仕事関数を近づけて、抵抗薄膜および接続電極の接続界面における接触抵抗が増大するのを防止することにより、抵抗薄膜の設計上の所望の抵抗値を有する薄膜抵抗素子を備える電子部品を提供することができる
本発明の一実施形態にかかる電子部品の断面図である。 図1の電子部品の等価回路を示す図である。 従来の電子部品を示す図である。
本発明の一実施形態について図1および図2を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態にかかる電子部品の断面図、図2は図1の電子部品の等価回路を示す図である。なお、図1では、説明を簡易なものとするために、薄膜抵抗素子R2、第3、第4外部電極21,22、引出電極17,18が図示省略されている。
(構成)
電子部品100の概略構成について説明する。
電子部品100は、ガラス基板やセラミック基板、樹脂基板、Si基板などの絶縁基板1上に設けられた1個の可変容量型の薄膜キャパシタ素子Cと第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2(本発明の「薄膜抵抗素子」に相当)とを備えている。
薄膜キャパシタ素子Cは、絶縁基板1の一方面上の所定領域にPt薄膜により形成されたキャパシタ電極層2と、(Ba,Sr)TiO(以下「BST」と称する)誘電体層3と、BST誘電体層3上にPt薄膜により形成されたキャパシタ電極層4とにより形成される。
また、薄膜キャパシタ素子Cは、SiO耐湿保護膜により形成された保護層5により被覆され、保護層5上に樹脂層6が積層されている。また、樹脂層6の上面には、保護層5および樹脂層6に形成された透孔を介して薄膜キャパシタ素子Cの上側のキャパシタ電極層4に接続されたCu/Ti引出電極7と、薄膜キャパシタ素子Cの下側のキャパシタ電極層2に接続されたCu/Ti引出電極8とが形成されている。また、樹脂層6には、引出電極7,8を被覆して樹脂層9が積層されている。
第1の薄膜抵抗素子R1は、樹脂層9の一方面上の所定領域に形成されNi、Cr、Siを主成分とする抵抗薄膜10と、抵抗薄膜10上に形成され該抵抗薄膜10と電気的に接続された接続電極11,12とにより形成される。接続電極11,12はNiを主成分としてCrを含む薄膜により形成される。この実施形態では、抵抗薄膜10は、Ni、Cr、Siの混合比が重量比で1:2:7に調整されている。つまり、抵抗薄膜10全体における平均組成比(重量比)は、Ni:Cr:Si=1:2:7に調整されている。接続電極11,12は、Ni,Crの混合比が重量比で8:2に調整されている。
また、この実施形態では、抵抗薄膜10中におけるNiの濃度が、樹脂層9に密着する下面側から、接続電極11,12が形成される上面側に向けて徐々に高くなるように抵抗薄膜10が形成されている。したがって、抵抗薄膜10の厚み方向にNi濃度勾配が付されており、抵抗薄膜10のうちNiを主成分とする接続電極11,12との接続界面側におけるNiの濃度が、当該界面の反対側より高い。
なお、接続電極11により第1の薄膜抵抗素子R1の一端が形成され、接続電極12により第1の薄膜抵抗素子R1の他端が形成される。第2の薄膜抵抗素子R2も第1の薄膜抵抗素子R1と同様に、樹脂層9上に形成される。なお、この実施形態では、2個の薄膜抵抗素子R1,R2が両方ともに樹脂層9上に形成されているが、第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2が、それぞれ、異なる樹脂層上に形成されていてもよい。
また、第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2は、樹脂層9上に積層された樹脂層13により被覆されている。また、樹脂層13の上面には、樹脂層13に形成された透孔を介して第1の薄膜抵抗素子R1の一端(接続電極11)に接続されたCu/Ti引出電極14が形成されている。また、樹脂層13の上面には、樹脂層9,13に形成された透孔を介して第1の薄膜抵抗素子R1の他端(接続電極12)と引出電極8(キャパシタ電極層2)とを接続するCu/Ti引出電極15が形成されている。
また、樹脂層13の上面には、樹脂層9,13に形成された透孔を介して引出電極7(キャパシタ電極層4)に接続されたCu/Ti引出電極16が形成されている。また、図1では図示省略されているが、樹脂層13に形成された透孔を介して第2の薄膜抵抗素子R2の一端(接続電極11)に接続されたCu/Ti引出電極17が形成されている。また、図1では図示省略されているが、樹脂層9,13に形成された透孔を介して第2の薄膜抵抗素子R2の他端(接続電極12)と引出電極7(キャパシタ電極層4)とを接続するCu/Ti引出電極18が形成されている。
また、引出電極16上にAu第1外部電極19が形成され、引出電極15上にAu第2外部電極20が形成されている。また、図1では図示省略されているが、引出電極14上に第3外部電極21が形成され、引出電極17上に第4外部電極22が形成されている。そして、各引出電極14〜18と、各外部電極19〜22の端縁部分とを被覆するように樹脂により形成された保護層23が樹脂層13上に積層されている。
以上のように構成された電子部品100では、図2に示すように、第1、第2外部電極19,20間に薄膜キャパシタ素子Cが直列接続されている。また、一端が第3外部電極21に接続された第1の薄膜抵抗素子R1の他端と、一端が第4外部電極22に接続された第2の薄膜抵抗素子R2の他端との間に薄膜キャパシタ素子Cが挿入されるように、第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2それぞれの他端が薄膜キャパシタ素子Cの両端のそれぞれに接続される。具体的には、薄膜抵抗素子R1の他端(接続電極12)が薄膜キャパシタ素子Cの一端(キャパシタ電極層2)に接続され、薄膜抵抗素子R2の他端(接続電極12)が薄膜キャパシタ素子Cの他端(キャパシタ電極層4)に接続されて、第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2の他端間に薄膜キャパシタ素子Cが挿入されている。
(製造方法)
電子部品100の製造方法の一例について説明する。なお、この実施形態では、大面積の絶縁基板1が用いられて複数の電子部品100の集合体が形成された後に個片化され、電子部品100が形成される。
まず、絶縁基板1上の所定領域に下側のキャパシタ電極層2、誘電体層3、上側のキャパシタ電極層4が形成されて薄膜キャパシタ素子Cが形成され、薄膜キャパシタ素子Cを被覆する保護層5が形成される。次に、フォトリソグラフィによって透孔が形成されたポリベンゾオキサゾール系感光性絶縁膜から成る樹脂層6が形成され、樹脂層硬化のための熱処理が行われる(320℃、30分、N雰囲気)。
続いて、樹脂層6の透孔内のSiO耐湿保護膜をドライエッチングにより除去し、スパッタ法を用いて、引出電極7,8を形成するTi膜が成膜され、Cu膜が成膜される。そして、フォトリソグラフィによるエッチングによりパターン形成されて、引出電極7,8が形成される。次に、フェノール系感光性絶縁膜から成る樹脂層9が形成され、樹脂層硬化のための熱処理(200℃、60分、N雰囲気)が行われる。
次に、リフトオフレジストが形成され、Ni、Cr、Siを主成分とする混合物から成る蒸着材料が1つの蒸発源を用いて蒸発または昇華されることによって、リフトオフ法により抵抗薄膜10が蒸着形成される。続いて、リフトオフレジストが形成され、Ni、Crを含む接続電極11,12がリフトオフ法により蒸着形成される。
続いて、フォトリソグラフィによって透孔が形成されたフェノール系感光性絶縁膜から成る樹脂層13が形成され、樹脂層硬化のための熱処理(200℃、60分、N)が行われる。そして、スパッタ法を用いて、引出電極14〜18を形成するTi膜が成膜され、Cu膜が成膜される。
次に、形成されたCu/Ti膜上に所定位置に開口が設けられたレジストがパターン形成されて、めっき法により第1〜第4外部電極19〜22がCu/Ti膜上の所定位置に形成される。そして、レジストが除去された後に、フォトリソグラフィによるエッチングによりCu/Ti膜がパターン形成されて、引出電極14〜18が形成される。
そして、フォトリソグラフィによって外部電極露出部が形成されたフェノール系感光性絶縁膜からなる樹脂により保護層23が形成され、樹脂層硬化のための熱処理が行われた後に、各電子部品100ごとにダイシングにより個片化されることによって、電子部品100が完成する。
このように構成された電子部品100は、他の配線基板等にはんだやワイヤボンド等を用いて実装されることにより、第1、第2外部電極19,20を入出力端子とする可変容量素子として使用される。すなわち、第3、第4外部電極21,22間の電圧を調整して第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2を介して薄膜キャパシタ素子Cの両端に印加される電圧を任意に調整することにより薄膜キャパシタ素子Cの容量を調整することができる。
以上のように、この実施形態では、抵抗薄膜10のうち接続電極11,12との接続界面側におけるNi量が当該界面と反対側よりも多くなるように濃度勾配が付けられているので、抵抗薄膜10における平均組成比を保って抵抗体パターン自体の高抵抗率を確保しつつ、当該界面におけるNi濃度を増やして、抵抗薄膜10の接続電極11,12との接続界面側およびNiを主成分とする接続電極11,12それぞれの仕事関数を近づけることができる。仕事関数とは表面から電子を取り出すのに必要な最小エネルギーのことであり、仕事関数差が小さいほど界面のエネルギー障壁が小さくなる。そのため、抵抗薄膜10および接続電極11,12の接続界面において仕事関数の差異に起因して生じる接触抵抗が増大するのを防止することができる。したがって、抵抗薄膜10の設計上の所望の抵抗値を有する第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2を備える電子部品100を提供することができる。なお、抵抗薄膜10のうち接続電極11,12との接続界面側におけるNi濃度と当該界面と反対側におけるNi濃度との差は、接続界面における接触抵抗と接続電極全体における高い抵抗率とのバランスを考慮して、0.05〜3重量%程度が好ましい。
また、抵抗薄膜10中のSiの含有量が多いほど、抵抗薄膜10の抵抗率が増加するので、高抵抗値の第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2を形成することができるが、この実施形態では、抵抗薄膜10と接続電極11,12との接続界面において接触抵抗の増大が防止されている。したがって、抵抗薄膜10の抵抗値が所定の高抵抗値に設定されることにより、所定の高抵抗値を精度よく備える第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2を形成することができる。なお、抵抗薄膜10は、高抵抗値に形成されるように、50重量%以上、90重量%以下のSiを含んでいるとよい。
また、抵抗薄膜10の抵抗率が、10−5Ωm以上、10−1Ωm以下に設定されることにより、実用的な抵抗値を有する第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2を備える電子部品100を提供することができる。
また、Ni、Cr、Siを主成分とする混合物から成る蒸着材料を1つの蒸発源を用いて蒸発または昇華させる方法(一元真空蒸着法)により、抵抗薄膜10の成膜が進むに連れて、最も蒸発温度の高いNi(Ni:1510℃、Cr:1205℃、Si:1343℃;蒸気圧が1Paとなる温度)の濃度が増大する。そのため、抵抗薄膜10の成膜が進むに連れて、成膜される膜中のNiの濃度が徐々に増大する。よって、接続電極11,12が形成される上面側に向けてNiの濃度が徐々に増大する抵抗薄膜10を樹脂層9上に簡単に形成することができる。したがって、抵抗薄膜10の設計上の所望の抵抗値を有する第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2を備える電子部品1を簡単に製造することができる。
また、複数種類の金属成分により構成される抵抗薄膜10を多元の蒸着源を用いずに形成することができる。また、抵抗薄膜10がリフトオフ法によって蒸着形成される。したがって、低コストでパターン精度の高い抵抗薄膜10を形成することができる。
ところで、抵抗薄膜10上に接続電極11,12が形成された後に加熱処理を行い、接続電極11,12の例えばNi成分を抵抗薄膜10中に拡散させることにより、抵抗薄膜10の接続電極11,12との接続界面側におけるNiの濃度を高くして、抵抗薄膜10と接続電極11,12との接続界面における接触抵抗が増大するのを抑制することもできる。しかしながら、高温加熱により樹脂層6,9が損傷する可能性があり、樹脂層6,9が損傷しないように製法管理する必要がある。また、高温プロセスが必要になる。したがって、電子部品1の製造コストが増大する。
一方、この実施形態では、一元真空蒸着法を利用して抵抗薄膜10を形成することにより、高温プロセスを用いずに膜中のNi(金属成分)の濃度分布に勾配を生じさせた状態で抵抗薄膜10自体を形成している。したがって、抵抗薄膜を成膜した後の拡散等の加熱プロセスが不要であるので、製造コストを増大させることなく、樹脂層9の一方面上に濃度勾配を有する抵抗薄膜10を形成することができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、第1、第2外部電極19,20間に複数の薄膜キャパシタ素子Cが直列接続されていてもよい。この場合には、第1、第2の薄膜抵抗素子R1,R2の他端間に1個の薄膜キャパシタ素子Cが挿入されるように、第1の薄膜抵抗素子R1および/または第2の薄膜抵抗素子R2を必要な数だけ適宜追加すればよい。また、追加した第1の薄膜抵抗素子R1の一端は第3外部電極21に接続し、追加した第2の薄膜抵抗素子R2の一端は第4外部電極22に接続すればよい。
また、薄膜抵抗素子のみにより電子部品が形成されていてもよい。また、薄膜抵抗素子に追加して、薄膜キャパシタ素子や薄膜インダクタ素子、薄膜サーミスタ素子等の薄膜回路素子が適宜組み合わされることにより、各種の回路が構成された電子部品を提供することができる。この場合には、薄膜キャパシタ素子、薄膜インダクタ素子、薄膜サーミスタ素子の構成は、一般的な薄膜回路素子の構成を有していればよい。
また、多元の蒸発源を用いることにより、抵抗薄膜10中のNiの濃度が、抵抗薄膜10と接続電極11,12との接続界面の反対側から当該接続界面側に向けて徐々に増大するように、抵抗薄膜10が形成されていてもよい。
また、誘電体層を形成する誘電体材料は上記した例に限定されるものではない。たとえば、BaTiO、SrTiO、PbTiOなどの誘電体材料により誘電体層が形成されていてもよい。
薄膜抵抗素子を備える電子部品およびその製造方法に本発明を広く適用することができる。
9 樹脂層
10 抵抗薄膜
11,12 接続電極
19 第1外部電極
20 第2外部電極
21 第3外部電極
22 第4外部電極
100 電子部品
C 薄膜キャパシタ素子
R1 第1の薄膜抵抗素子(薄膜抵抗素子)
R2 第2の薄膜抵抗素子(薄膜抵抗素子)

Claims (3)

  1. 一方主面および他方主面を有し、Ni、Cr、Siを主成分とする抵抗薄膜と、前記抵抗薄膜の前記一方主面の一部に形成され該抵抗薄膜と電気的に接続されたNiを主成分とする接続電極とを有する薄膜抵抗素子を備え、
    前記抵抗薄膜は、前記他方主面から前記一方主面までの全範囲にわたって、前記他方主面から前記一方主面に向かって前記Niの濃度が徐々に増え、
    前記抵抗薄膜は、50重量%以上、90重量%以下のSiを含んでいることを特徴とする電子部品。
  2. 前記抵抗薄膜の抵抗率は、10−5Ωm以上、10−1Ωm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
  3. 第1〜第4外部電極と、
    前記第1、第2外部電極間に直列接続された可変容量型の薄膜キャパシタ素子と、
    一端が前記第3外部電極に接続された第1の前記薄膜抵抗素子と、
    一端が前記第4外部電極に接続された第2の前記薄膜抵抗素子とを備え、
    前記第1、第2の薄膜抵抗素子の他端間に前記薄膜キャパシタ素子が挿入されるように、前記第1、第2の薄膜抵抗素子それぞれの他端が前記薄膜キャパシタ素子両端のそれぞれに接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品。
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