CN103891047B - 可变电容元件以及高频器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的高频器件包括天线线圈、可变电容元件以及RFIC。可变电容元件由电容器电极(PT1、PT2)之间夹有强电介质膜(FS2)的电容器部构成，电容值根据施加在电容器电极之间的控制电压而变化。并且，在电容器部的上部层叠形成有由具有不同电阻值的多个电阻元件构成的控制电压施加电路(14R)、以及对可变电容元件施加控制电压的可变电容元件部的电阻元件(14B)。由此，构成一种带控制电压施加电路的可变电容元件及高频器件，能够消除有源元件所引起的失真、以及伴随电路结构的复杂化而产生的IC尺寸大型化的问题，并能确保对于下落等冲击的可靠性。

Description

可变电容元件以及高频器件
技术领域
本发明涉及经由电磁场信号与对方侧设备进行通信的するRFID(RadioFrequency Identification：无线射频识别)系统、近距离无线通信(NFC：Near FieldCommunication：近场通信)系统所使用的带控制电压施加电路的可变电容元件以及高频器件。
背景技术
NFC是利用13MHz频带的近距离无线通信标准之一，有望搭载到以移动通信终端为代表的各种终端中。通常，在利用NFC的移动通信终端中，NFC用的RFIC内置在终端主体内，该NFC用的RFIC与同样内置在终端主体内的NFC用的天线线圈相连接。此外，上述天线线圈连接有电容元件，使得在通信频率下发生谐振，由该电容元件和天线线圈构成天线电路。并且，由该天线电路与NFC用RFIC等构成无线通信模块(以下称为“NFC模块”)。
虽然NFC模块的通信频率预先决定，但由于其使用条件、制造偏差，应当匹配的天线电路的谐振频率会有稍许不同。例如在读写器模式和卡片模式下，作为天线电路的谐振电路的电路结构会改变。因此，为了在任一模式下都维持规定的谐振频率，需要根据模式来调整上述谐振电路。此外，随着NFC模块的搭载环境的不同，使用条件会产生变化。例如根据NFC模块的附近是否存在金属等，天线电路的谐振频率会产生变化。
在NFC模块的天线的频带足够宽的情况下，不需要根据上述使用条件的不同进行微调，但伴随着近年来终端的小型化，难以确保足够的天线尺寸，若天线尺寸变小，则无法获得天线带宽。因此，需要进行调整，使谐振频率达到最优值。
作为谐振频率的调整方法，已知利用能根据施加电压改变电容值的可变电容元件来构成天线电路的电容器的技术(参照专利文献1)。此外，专利文献2示出通过选择性地连接多个电容器来切换整体的电容值的电路。
图9是专利文献2所示的通信电路的示例。这里，非接触IC部47由非接触IC芯片、具有电容器Cin、并联电容器C1～C3、开关SW1～SW3的天线并联电容器部、以及天线L1构成。电容器Cin及并联电容器C1～C3所具有的电容值为固定值。SW1～SW3是对并联电容器C1～C3的连接的通/断进行切换的电路。在将非接触IC部47组装至移动电话1以后，非易失性存储器搭载的控制IC62与非接触IC部47相连接。控制IC62对非接触IC部47的开关SW1～SW3进行控制，从而切换开关SW1～SW3的通/断。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2009-290644号公报
专利文献2：日本专利特开2010-147743号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在具备可变电容二极管、切换电路的情况下，需要设置用于另外搭载这些有源元件的空间，除此以外，由于是有源元件，因此容易产生失真，导致谐振频率可能产生变化。此外，为了切换多个电容器，并以微小的步长调整电容值，需要多个电容器以及切换用开关。因此，存在电路结构复杂化、IC的尺寸也变大的问题。
此外，虽然也可以采用利用微调电容器来机械地设定电容值的结构，但由于需要机械的控制来改变其电容值，因此RFID器件容易复杂化、大型化，而且无法确保对于下落等冲击的可靠性。
本发明的目的在于提供一种带控制电压施加电路的可变电容元件及高频器件，能够消除有源元件所引起的失真、以及伴随电路结构的复杂化而产生的IC尺寸的大型化的问题，并能确保对于下落等冲击的可靠性。
解决技术问题所采用的技术方案
(1)本发明的高频器件如以下那样构成。
包括：天线线圈；可变电容元件，该可变电容元件改变包含所述天线线圈的天线电路的谐振频率；以及RFIC，该RFIC与所述可变电容元件相连接，其特征在于，
所述可变电容元件包括：强电介质电容器，该强电介质电容器在电容器电极之间夹有强电介质膜，且电容值根据施加在所述电容器电极之间的控制电压值而变化；以及控制电压施加电路，该控制电压施加电路构成有由具有不同电阻值的多个电阻元件所构成的电阻分压电路，并对所述可变电容元件施加控制电压。
利用该结构，不使用有源元件即开关，因此没有失真的问题，而且，伴随着电路结构的简化，IC尺寸也小型化。而且容易确保对于下落等冲击的可靠性。
(2)优选为所述多个电阻元件的各电阻元件的第一端与所述控制电压施加电路相连接，第二端分别与所述RFIC的IO端子相连接。
利用该结构，能以简单的电路生成施加给可变电容元件的控制电压，能有效地消除电路结构的复杂化。
(3)优选为所述多个电阻元件为设置在基板上的电阻图案，形成各电阻图案，使得所述多个电阻元件的电阻值以这些电阻值中最低的电阻值为基准，且与该基准的比率为2的幂次方。
利用该结构，能以相对较少数量的IO端子来使控制数据的值与对可变电容元件的控制电压呈线性关系，能容易地以固定的分辨率设定多级。
(4)优选为所述可变电容元件及所述控制电压施加电路通过薄膜工艺形成在所述基板上，所述多个电阻元件通过同一工艺形成在所述基板上的同一层。
利用该结构，减少了元器件数量，数据传输线的走线也变得非常简单，实现了通信电路的小型轻量化。而且，即使上述各电阻元件的电阻值整体产生偏移，即绝对值产生偏移，各电阻元件之间的比率也较为稳定。因此，电阻分压电路的分压比恒定，能始终对可变电容元件施加规定且稳定的控制电压。
(5)优选为所述可变电容元件包括并联连接在所述强电介质电容器两端的多个RF电阻元件，这些RF电阻元件设置在与所述多个电阻元件不同的层上。
利用该结构，能独立地将RF电阻元件与电阻分压用的电阻元件设定为最优的电阻值。
(6)本发明的可变电容元件的特征在于，具有在电容器电极之间夹有强电介质膜的强电介质电容器，
包括控制电压施加电路，该控制电压施加电路与所述强电介质电容器相连接，包括具有不同电阻值的多个电阻元件，以施加使所述强电介质电容器的施加电压值发生多种变化的控制电压。
利用该结构，不使用有源元件即开关，因此没有失真的问题，而且，伴随着电路结构的简化，IC尺寸也小型化。而且容易确保对于下落等冲击的可靠性。
发明效果
根据本发明使用在电容器电极之间夹有强电介质膜的强电介质电容器作为用于对天线线圈的谐振频率进行控制的可变电容元件，并使用具有不同电阻值的多个电阻元件作为用于对该强电介质电容器施加控制电压的控制电压施加电路，因此能实现尽管较为小型、但也不容易产生失真的、频率特性稳定且可靠性较高的带控制电压施加电路的可变电容元件及高频器件。此外，由于无需向微调电容器那样使用需要机械控制的可变电容元件，因此能实现尽管小型、但对于下落等冲击的可靠性较高的带控制电压施加电路的可变电容元件以及高频器件。
附图说明
图1是具备本发明的可变电容元件及高频器件的通信电路101的电路图。
图2是构成在RFIC11与天线线圈13之间的电路的细节图。
图3是可变电容元件14内部的整体电路图。
图4是表示由图3所示的端口P21～P25所形成的5比特值与电阻分压比之间的关系的图。
图5是可变电容元件14的主要部分的剖视图。
图6(A)是可变电容元件部的电阻元件14B的电阻膜图案，图6(B)是控制电压施加电路14R的电阻膜图案。
图7是可变电容元件内置RFIC110的三视图。
图8是将可变电容元件内置RFIC110搭载在安装用再布线基板20上的状态下的剖视图。
图9是专利文献2所示的通信电路的电路图。
具体实施方式
图1是具备本发明的带控制电压施加电路的可变电容元件及高频器件的通信电路101的电路图。该通信电路101为NFC模块的一个示例。通信电路101包括RFIC11、控制IC12、天线线圈13、以及可变电容元件14。由可变电容元件14和RFIC11构成可变电容元件内置RFIC110。这里，可变电容元件14为带控制电压施加电路的可变电容元件。由可变电容元件内置RFIC110和天线线圈13构成的电路相当于本发明的“高频器件”。
RFIC11包括GPIO(General Purpose Input/Output：通用输入/输出)的IO端子11P。同样，控制IC12包括GPIO的IO端子12P。
RFIC11进行基带信号与高频信号之间的转换。该控制IC对RFIC11进行控制，输入并输出包含通信数据的数据。
可变电容元件14包括控制端子14P。该可变电容元件14包括根据控制电压而确定了电容值的电容元件、以及对输入到控制端子的电压进行分压来产生上述控制电压的电阻分压电路。
RFIC11的两个RX端子(接收信号端子)与可变电容元件14及天线线圈13的并联电路相连接。
RFIC11的IO端子11P与控制IC12的IO端子12P通过信号线15A进行连接，可变电容元件14的控制端子14P与信号线15A、15B相连接。
RFIC11和控制IC12经由数据传输线16进行通信信号的输入输出。控制IC12经由信号线15A进行RFIC11的各种设定等的控制。此外，RFIC11或控制IC12经由信号线15A、15B向可变电容元件14提供控制数据。
可变电容元件14与天线线圈13一同构成LC并联谐振电路即天线电路，将天线电路的谐振频率设定为规定频率。天线线圈13与通信对象的天线进行电磁场耦合来进行用于近距离通信的收发。
图2是构成在上述RFIC11与天线线圈13之间的电路的细节图。该图2中，也示出了与RFIC11的两个TX端子(发送信号端子)相连接的电路。在图2中，天线线圈13具有作为辐射元件的功能，利用与通信对象侧线圈天线的电磁耦合来与通信对象侧线圈天线进行无线信号的交换。该天线线圈13通过将环状电极图案卷绕多匝或多层而形成。
电容器C21、C22是RFIC11与天线线圈13的耦合度调整用的元件。此外，电感器L11、L22以及电容器C11、C12、C20构成发送滤波器。例如在通信电路以卡片模式工作的情况下，RFIC11被动工作，因此根据输入到RX端子的信号来生成电源电压，并读取接收信号，在发送时对与TX端子相连接的电路(负载)进行负载调制。此外，例如在通信电路以读写器模式工作的情况下，RFIC11主动工作，因此在发送时打开RX端子并从RX端子发送发送信号，在接收时打开TX端子并从RX端子输入接收信号。由此，根据工作模式，通信电路的从RFIC11观察天线线圈13一侧的阻抗会产生变化。如之后所示那样，对可变电容元件14进行控制，使得天线电路的谐振频率根据工作模式达到最优(使从RFIC11观察天线线圈一侧时的阻抗匹配)。
另外，天线线圈13的两端与接地之间分别连接有ESD保护元件17A、17B。
图3是上述可变电容元件14内部的整体电路图。可变电容元件14包括控制电压施加电路14R以及可变电容部14C。可变电容部14C根据施加在P13-P14之间的电压来确定端口P11-P12之间的电容值。控制电压施加电路14R的端口P21～P25连接有图1所示的RFIC11的GPIO端口(GPIO0～GPIO4)。这些端口P21～P25与电阻元件R21～R25的一端相连接，电阻元件R21～R25的另一端进行公共连接并与端口P13相连接。
图1所示的RFIC11将GPIO端口即IO端子11P选择性地设定为高电平(电源电压)或低电平(接地电压)。因此，根据RFIC11的各IO端子的电平，电阻元件R21～R25起到作为电阻分压电路的作用，并向可变电容部14C的端口P13施加与该分压比和电源电压相对应的控制电压。由于可变电容部14C的端口P14接地，因此在可变电容部14C的端口P13-P14之间施加有上述控制电压。该分压的作用在后文详细阐述。
在可变电容部14C中，经由RF电阻元件R11～R17对电容元件C1～C6的两端施加控制电压。RF电阻元件R11～R17的电阻值相等。这些RF电阻元件R11～R17对电容元件C1～C6施加控制电压，并抑制施加在端口P11-P12之间的RF信号漏到端口P13、P14。电容元件C1～C6是在相对的电极之间夹入强电介质膜而得到的强电介质电容器。强电介质膜的极化量会根据所施加的电场的强度而发生变化，从而观察到的介电常数会产生变化，因此根据控制电压而确定了电容值。
图4是表示由图3所示的端口P21～P25所形成的5比特值与电阻分压比之间的关系的图。图3所示的电阻元件R21～R25的电阻值通过以下方式来进行定义：即，以这些电阻值中最低的电阻值为基准，与该基准的比率为2的幂次方。例如，将电阻元件R21、R22、R23、R24、R25的电阻值的比率定为1：2：4：8：16。例如，若R21为10kΩ，则R22为20kΩ，R25为160kΩ。
例如若端口P21为高电平，端口P22～P25均为低电平，则电阻元件R21构成电阻分压电路的上臂，电阻元件R22～R25的并联电路构成下臂。此外，例如若端口P21、P22为高电平，端口P23、P24、P25为低电平，则电阻元件R21与R22的并联电路构成电阻分压电路的上臂，电阻元件R23～R25的并联电路构成下臂。并且，由于电阻元件R21～R25的电阻值通过以下方式来进行定义：即，以这些电阻值中最低的电阻值为基准，与该基准的比率为2的幂次方，因此，上述电阻分压比能根据端口P21～P25的高电平以及低电平的组合而取到2的5次方(＝32)的值。
图4的横轴也可以说是由端口P21～P25所形成的5比特值。纵轴也可以说是与电源电压的电压比。
图5是可变电容元件14的主要部分的剖视图。图5中，基板SI是在表面形成有SiO2膜的Si基板。通过在该基板SI上按照强电介质膜FS1、电容器电极PT1、强电介质膜FS2、电容器电极PT2、强电介质膜FS3的顺序交替形成强电介质膜和Pt膜，从而构成电容器部。
这些强电介质膜FS1、FS2、FS3、以及电容器电极PT1、PT2的层叠膜的上部覆盖有耐湿保护膜PC1。该耐湿保护膜PC1的上部进一步形成有有机保护膜PC2。
有机保护膜PC2的上部形成有布线膜TI1。此外，该布线膜TI1经由接触孔与电容器电极PT1、PT2的规定部位相连接。而且，布线膜TI1形成为覆盖耐湿保护膜PC1以及有机保护膜PC2的周围。
布线膜TI1的表面形成有层间绝缘膜SR1。该层间绝缘膜SR1的表面形成有电阻膜图案RE1。该电阻膜图案RE1的表面被层间绝缘膜SR2覆盖，该层间绝缘膜SR2的表面形成有电阻膜图案RE2。该电阻膜图案RE2的表面被层间绝缘膜SR3覆盖。
这些电阻膜图案RE1、RE2的电阻膜利用薄膜工艺(利用光刻以及蚀刻技术的工艺)或厚膜工艺(利用丝网印刷等印刷技术的工艺)而形成。各电阻元件的电阻值取决于电阻膜图案的宽度、长度以及厚度。
层间绝缘膜SR3的表面形成有布线膜TI2。此外，该布线膜TI2经由形成在层间绝缘膜SR1、SR2、SR3上的接触孔与布线膜TI1相连接。
层间绝缘膜SR3的表面覆盖有阻焊剂膜SR4。并且，在该阻焊剂膜SR4的开口以及布线膜TI2的表面形成有外部连接电极EE。
上述强电介质膜FS1是针对基板SI以及耐湿保护膜PC1的密接用/防扩散用绝缘膜。此外，强电介质膜FS3是针对耐湿保护膜PC1的密接用绝缘膜。作为上述电容器电极PT1、PT2所使用的导电性材料，可以使用导电性良好且抗氧化性优异的高熔点贵金属材料，例如Pt、Au。
此外，使用具有高介电常数的电介质材料作为上述强电介质膜FS1、FS2、FS3所使用的薄膜材料。具体而言，可以使用(Ba,Sr)TiO3(BST)、SrTiO3、BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O3等钙钛矿型化合物、SrBi4Ti4O15等铋层状化合物等。
此外，布线膜TI1、TI2由Ti/Cu/Ti的三层构成，Ti层例如形成为100nm，Cu层例如形成为1000nm。
此外，外部连接电极EE由Au/Ni两层构成，第一层的Ni层例如形成为2000nm，第二层的Au层例如形成为200nm。
上述耐湿保护膜PC1防止从有机保护膜PC2释放出的水分侵入到电容器部。作为该耐湿保护膜PC1，可以使用SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2等。此外，有机保护膜PC2吸收来自外部的机械应力。作为该有机保护膜PC2，可以使用PBO(聚对苯撑苯并双噁唑)树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂等。
上述电阻膜图案RE1、RE2的电阻材料例如为镍铬合金。
图5所示的可变电容元件14的制造方法如下所示。
首先，对Si基板实施热氧化处理，形成由膜厚700nm的SiO2构成的氧化物层。该氧化物层的膜厚只要是能确保所期望的绝缘性的膜厚即可，并没有特别限定，但优选设定在500～1000nm的范围内。
接着，利用化学溶液沉积(Chemical Solution Deposition；以下称为“CSD”)法在上述氧化物层上形成膜厚50nm的密接用/防扩散用的强电介质膜FS1。该强电介质膜FS1的膜厚只要是能确保所期望的密接性/防扩散性的膜厚即可，并没有特别限定，但优选设定在10～100nm的范围内。
可用作强电介质膜FS1的几种材料如上所述，但优选使用与电容器用的强电介质膜FS2相同的材料。例如在形成BSF膜的情况下，准备例如以Ba：Sr：Ti＝7：3：10的摩尔比将Ba、Sr、Ti混合后得到的成膜原料溶液。然后，将该成膜原料溶液涂布在氧化物层1上，在400℃的热板上使其干燥，并在600℃的温度下进行30分钟的热处理使其结晶化，形成BST膜。
上述热板的温度能获得所期望的干燥特性即可，并未特别限定，但优选设定在300～400℃的范围内。此外，上述热处理的温度能实现所期望的结晶化即可，并未特别限定，但优选设定在600～700℃的范围内。此外，上述热处理的时间能实现所期望的结晶化即可，并未特别限定，但优选设定在10～60分钟之间的范围内。
接着，依次对电容器电极PT1、强电介质膜FS2、电容器电极PT2、强电介质膜FS3进行成膜。具体而言，利用RF磁控溅射法形成膜厚250nm的由Pt、Au构成的电容器电极PT1，接着，利用CSD法形成由BST等构成的膜厚100nm的强电介质膜FS2，之后，利用RF磁控溅射法形成膜厚250nm的由Pt、Au构成的电容器电极PT2。并且，利用CSD法形成由BST等构成的膜厚100nm的强电介质膜FS3。
作为上述电容器电极PT1、PT2的膜厚，只要是能确保所期望的低电阻性即可，并没有特别限定，但优选设为在100～500nm的范围内。此外，上述强电介质膜FS2的膜厚只要是能确保所期望的静电电容的膜厚即可，并没有特别限定，但优选设定在80～150nm的范围内。此外，上述强电介质膜FS3的膜厚只要是能确保所期望的密接性的膜厚即可，并没有特别限定，但优选设定在80～150nm的范围内。
接着，利用光刻技术以及干刻法(反应离子蚀刻(RIE)法)来进行电容器部各层的图案化。即，在涂布光刻胶并进行前烘后，经由光掩模对光刻胶照射紫外光，进行曝光、显像、后烘，从而将光掩模图案转印到光刻胶上。接着，利用Ar气体、CHF3气体对露出部分进行干刻。
然后，在800℃的温度下对该电容器部进行30分钟的热处理。该热处理的温度能获得所期望的热处理特性即可，并未特别限定，但优选设定在800～900℃的温度范围内。此外，该热处理的时间能实现所期望的热处理特性即可，并未特别限定，但优选设定在10～60分钟之间的范围内。
接着，利用溅射法，以覆盖电容器部的上表面及侧面以及强电介质膜FS1的侧面的方式形成膜厚600nm的由无机材料构成的耐湿保护膜PC1，接着，利用旋涂法涂布感光性树脂材料即PBO(聚对苯撑苯并双噁唑)膜，使其覆盖上述耐湿保护膜PC1，之后，在125℃的温度下进行5分钟的加热，并进行曝光、显像处理，然后在350℃下加热1小时左右，形成膜厚为6000nm的规定图案的有机保护膜PC2。
上述耐湿保护膜PC1的膜厚只要是能确保所期望的耐湿保护性的膜厚即可，并没有特别限定，但优选设定在200～1000nm的范围内。此外，上述有机保护膜PC2的膜厚只要是能确保所期望的机械应力吸收性的膜厚即可，并没有特别限定，但优选设定在2000～10000nm的范围内。
接着，将有机保护膜PC2作为掩模，使用CHF3气体，对有机保护膜PC2、耐湿保护膜PC1以及强电介质膜FS2进行干刻来形成图案，形成到达电容器电极PT1的接触孔(未图示)，并对有机保护膜PC2、耐湿保护膜PC1以及强电介质膜FS3进行干刻来形成图案，形成到达电容器电极PT2的接触孔。
接着，利用RF磁控溅射法对要成为布线膜TI1的三层金属层进行成膜，利用湿刻对该布线膜TI1进行图案化。
接着，对层间绝缘膜SR1进行旋涂，利用溅射、电子束蒸镀等薄膜工艺、或浆料涂布的厚膜工艺对要成为可变电容元件部的电阻元件14B的电阻膜进行成膜，利用剥离法使该电阻膜图案化，形成电阻膜图案RE1。
接着，对层间绝缘膜SR2进行旋涂，利用溅射、电子束蒸镀等薄膜工艺、或浆料涂布的厚膜工艺对要成为控制电压施加电路14R的电阻膜进行成膜，利用剥离法使该电阻膜图案化，形成电阻膜图案RE2。
接着，对层间绝缘膜SR3进行旋涂，形成达到布线膜TI1的接触孔。
接着，利用RF磁控溅射法对要成为布线膜TI2的三层金属层进行成膜，之后，形成该布线膜TI2作为供电膜，然后通过湿刻进行图案化。
接着，对阻焊剂膜SR4进行旋涂，在规定位置开口，通过电镀形成外部连接电极EE。
如上述那样使用强电介质电容器作为可变电容元件，使用具有不同电阻值的多个电阻图案作为偏置电压施加电路，因此能构成小型且频率特性优异的无源器件(＝带控制电压施加电路的可变电容元件)。
此外，本发明不限于上述实施方式。例如，上述实施方式所示的各层的膜厚、形成方法、形成条件等仅为例示，当然可以在不损害薄膜电容器的所期望功能的范围内进行任意变更。
此外，在上述实施方式中，对电容器部为具有一个电容产生部的单层结构的情况进行了说明，但当然也同样能应用于具有两个以上电容产生部的多层结构的情况。
图6(A)是可变电容元件部的电阻元件14B的电阻膜图案，图6(B)是控制电压施加电路14R的电阻膜图案。图6(A)中，端口P11～P14以及电阻膜图案R11～R17对应于图3所示的端口P11～P14、以及RF电阻元件R11～R17。此外，图6(B)中，端口P21～P25以及电阻膜图案R21～R25对应于图3所示的端口P21～P25、以及电阻元件R21～R25。
如图5、图6所示，利用薄膜工艺在半导体基板上形成可变电容元件以及控制电压施加电路。即，可变电容元件部与控制电压施加电路部一体形成在公共的基板上。特别是对于构成控制电压施加电路的多个电阻元件，分别利用同一工艺设置在同一层上。因此，即使各电阻元件的电阻值与所期望的电阻值产生偏差，也能抑制各电阻值的比率本身的偏差，因此，能以良好的重复性控制输出电压。另一方面，虽然可变电容元件包括并联连接在各强电介质电容器两端的多个RF电阻元件，但这些RF电阻元件设置在与构成控制电压施加电路的多个电阻图案不同的层，且这些RF电阻元件也利用同一工艺设置在同一层上。
图7是可变电容元件内置RFIC110的三视图。如图5所示，该可变电容元件内置RFIC110是从晶片上切割下的裸片。该IC的外部连接电极(焊盘)EE上形成有焊球SB。
通过在形成有天线线圈13(参照图1)的基板上安装可变电容元件内置RFIC110从而构成高频器件。
图8是将可变电容元件内置RFIC110搭载在安装用再布线基板20上的状态下的剖视图。安装用再布线基板20的下表面形成有安装用端子22，上表面形成有搭载可变电容元件内置RFIC110的电极。并且，安装用再布线基板20的内部形成有再布线用电极21。也可以将上述那样安装用再布线基板20上搭载了可变电容元件内置RFIC110的状态的模块安装在印刷布线板上。
《其它实施方式》
以上，基于具体的实施方式来说明了本发明，但是本发明并不限于该示例。
例如，可变电容元件可以单独与天线线圈并联连接，也可以对可变电容元件串联地插入电容器。此外，也可以与天线线圈串联连接。
此外，本发明的高频器件不限于RFID的读写器，也可以构成作为RFID标签。
标号说明
C11，C12，C20…电容器
C21，C22…电容器
EE…外部连接电极
FS1，FS2，FS3…强电介质膜
L11，L12…电感器
P11～P14…端口
P21～P25…端口
PC1…耐湿保护膜
PC2…有机保护膜
PT1，PT2…电容器电极
R11～R17…RF电阻元件(电阻膜图案)
R21～R25…电阻元件(电阻膜图案)
RE1，RE2…电阻膜图案
SB…焊球
SR1～SR3…层间绝缘膜
SR4…阻焊剂膜
TI1，TI2…布线膜
11…RFIC
11P…IO端子
12…控制IC
12P…IO端子
13…天线线圈
14…可变电容元件
14B…可变电容元件部的电阻元件
14C…可变电容部
14P…控制端子
14R…控制电压施加电路
15A，15B…信号线
16…数据传输线
17A，17B…ESD保护元件
20…安装用再布线基板
21…再布线用电极
22…安装用端子
101…通信电路
110…可变电容元件内置RFIC

Claims (6)

1.一种高频器件，包括：天线线圈；可变电容元件，该可变电容元件改变包含所述天线线圈的天线电路的谐振频率；以及RFIC，该RFIC与所述可变电容元件相连接，其特征在于，
所述可变电容元件包括：强电介质电容器，该强电介质电容器在电容器电极之间夹有强电介质膜，且电容值根据施加在所述电容器电极之间的控制电压值而变化；以及控制电压施加电路，该控制电压施加电路构成有由具有不同电阻值的多个电阻元件所构成的电阻分压电路，根据所述RFIC的输入输出端子的电平来决定所述电阻分压电路的分压比并对所述可变电容元件施加控制电压，
所述可变电容元件通过薄膜工艺形成在基板上，所述多个电阻元件通过同一工艺形成在所述基板上的同一层。
2.如权利要求1所述的高频器件，其特征在于，
所述多个电阻元件的各电阻元件的第一端与所述控制电压施加电路相连接，第二端分别与所述RFIC的IO端子相连接。
3.如权利要求2所述的高频器件，其特征在于，
所述多个电阻元件为设置在基板上的电阻图案，形成各电阻图案，使得所述多个电阻元件的电阻值以这些电阻值中最低的电阻值为基准，且与该基准的比率为2的幂次方。
4.如权利要求1至3中任一项所述的高频器件，其特征在于，
所述可变电容元件包括并联连接在所述强电介质电容器两端的多个RF电阻元件，这些RF电阻元件设置在与所述多个电阻元件不同的层上。
5.如权利要求1至3中任一项所述的高频器件，其特征在于，
所述多个电阻元件全部形成在所述基板上的同一层。
6.一种可变电容元件，与RFIC相连接，其特征在于，
具有在电容器电极之间夹有强电介质膜的强电介质电容器，
包括控制电压施加电路，该控制电压施加电路与所述强电介质电容器相连接，包括具有不同电阻值的多个电阻元件，根据所述RFIC的输入输出端子的电平来决定由所述多个电阻元件构成的电阻分压电路的分压比，以施加使得所述强电介质电容器的施加电压值发生多种变化的控制电压，
所述强电介质电容器及所述控制电压施加电路通过薄膜工艺形成在基板上，所述多个电阻元件通过同一工艺形成在所述基板上的同一层。
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