JP6232845B2 - 配線接続構造およびこの配線接続構造を有する誘電体薄膜キャパシタ - Google Patents
配線接続構造およびこの配線接続構造を有する誘電体薄膜キャパシタ Download PDFInfo
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Description
本発明の第1実施形態にかかる配線接続構造を有する電子部品の一例である誘電体薄膜キャパシタ1ついて、図1および図2を参照して説明する。なお、図1は第1実施形態にかかる配線接続構造を有する誘電体薄膜キャパシタの概略断面図、図2は図1のA領域の拡大図であり、誘電体薄膜キャパシタの配線接続構造を示す。
次に、図1のA領域に示す第1の配線層16と第3の配線層19との接続配線構造について、図1および図2を参照して説明する。
次に、上記した配線接続構造の製造方法について、図3および図4を参照して説明する。なお、図3および図4それぞれは、この配線接続構造の製造方法を説明するための図であり、図3(a)〜(f)はその各工程、図4(a)および(b)は図3(f)に続く各工程を示す。
本発明の第2実施形態にかかる配線接続構造について、図5を参照して説明する。なお、図5はこの実施形態にかかる配線接続構造を説明するための図であり、第1実施形態にかかる配線接続構造を説明するために参照した図2に対応する図である。
本発明の第3実施形態にかかる配線接続構造について、図6を参照して説明する。なお、図6はこの実施形態にかかる配線接続構造を説明するための図であり、第1実施形態にかかる配線接続構造を説明するために参照した図2に対応する図である。
2 半導体基板
16 第1の配線層
17 第2の有機絶縁層(樹脂層)
18a 開口部(ビア孔)
18a1 下側開口(一方の開口)
19 第3の配線層
19a 配線電極膜
19b 下側密着膜(密着膜)
19c 上側密着膜(密着膜)
20 第2の配線層
20a 拡散防止膜
Claims (6)
- 半導体基板の一方主面に設けられた第1の配線層と、
前記第1の配線層上に形成された導電性の拡散防止膜を有する第2の配線層と、
前記第2の配線層上に一方の開口が配置されるビア孔を有し、前記半導体基板の一方主面、前記第1の配線層および前記第2の配線層を被覆する樹脂層と、
前記樹脂層に積層された配線電極膜を有する第3の配線層とを備え、
前記第1の配線層は、Auから成る第1金属で形成されるとともに、前記第3の配線層の前記配線電極膜は、CuまたはAlのいずれかから成る第2金属で形成され、
前記第3の配線層は、前記ビア孔に覗く前記第2の配線層に接続される
ことを特徴とする配線接続構造。 - 前記第2の配線層は、前記第1の配線層の表面に沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の配線接続構造。
- 前記第2の配線層は、前記ビア孔に覗く第1の部分、および、前記第1の部分以外の第2の部分のいずれもが、前記第1の配線層の表面に沿って形成されていることを特徴とする請求項2に記載の配線接続構造。
- 前記第2の配線層の前記拡散防止膜は、Ti、Cr、Ni−Cr合金のいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の配線接続構造。
- 前記第3の配線層が、前記配線電極膜と、Ti、Cr、Ni−Cr合金のいずれかにより形成された密着膜とを有する多層構造で形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の配線接続構造。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の配線接続構造を有する誘電体薄膜キャパシタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015046423A JP2015046423A (ja) | 2015-03-12 |
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JP2013175465A Active JP6232845B2 (ja) | 2013-08-27 | 2013-08-27 | 配線接続構造およびこの配線接続構造を有する誘電体薄膜キャパシタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6232845B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3067135B2 (ja) * | 1989-06-28 | 2000-07-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JPH07183377A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH07263555A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10154753A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 配線構体 |
JP2009231681A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
CN102473521A (zh) * | 2009-07-22 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 电介质薄膜元件及其制造方法 |
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2013
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015046423A (ja) | 2015-03-12 |
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