JP5348565B2 - 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ - Google Patents
誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5348565B2 JP5348565B2 JP2010523721A JP2010523721A JP5348565B2 JP 5348565 B2 JP5348565 B2 JP 5348565B2 JP 2010523721 A JP2010523721 A JP 2010523721A JP 2010523721 A JP2010523721 A JP 2010523721A JP 5348565 B2 JP5348565 B2 JP 5348565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- layer
- capacitor
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 135
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- -1 Pb (Zr Chemical class 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
4、21a、21b キャパシタ部
5、7 電極層
6 誘電体層
8 絶縁層
11、33、61 基板配線
12、47、62、63 電極配線、
15、41、45 上部外部電極(第1の外部電極)
17 下部外部電極(第2の外部電極)
24、26、28、30 電極層
25、27、29 誘電体層
42、46、64 薄膜抵抗
49、52、54、56、58 電極層
50、53、55、57、59 誘電体層
Claims (9)
- 導電性基板の一方の主面側に少なくとも一つの第1の外部電極を形成し、前記導電性基板の他方の主面側に第2の外部電極を形成した誘電体薄膜キャパシタの製造方法であって、
誘電体層の上下両面に電極層が形成された少なくとも一つ以上の容量発生部を有するキャパシタ部を前記導電性基板の前記一方の主面上に形成するキャパシタ部形成工程と、
前記キャパシタ部を絶縁層で被覆する絶縁層形成工程と、
前記電極層のうちの一方の極となるべき電極層と前記導電性基板とを電気的に接続する基板配線を形成する配線形成工程とを有すると共に、
前記絶縁層形成工程が、前記キャパシタ部を被覆するようにスパッタ法により無機絶縁層を形成する無機絶縁層形成工程を含み、
さらに、前記キャパシタ形成工程と前記配線形成工程との間であって、前記無機絶縁層形成工程の前に、前記キャパシタ部を酸素含有雰囲気中で熱処理する熱処理工程を含んでいることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタの製造方法。 - 前記基板配線の少なくとも一部を前記絶縁層上に形成することを特徴とする請求項1記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記キャパシタ部と電気的に接続された薄膜抵抗を形成する薄膜抵抗形成工程を前記熱処理工程と前記配線形成工程との間に有していることを特徴とする請求項1記載又は請求項2記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記薄膜抵抗形成工程は、前記薄膜抵抗を平坦状に形成することを特徴とする請求項3記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
- 導電性基板の一方の主面側に少なくとも一つの第1の外部電極が形成されると共に、前記導電性基板の他方の主面側に第2の外部電極が形成された誘電体薄膜キャパシタであって、
誘電体層の上下両面に電極層を有する少なくとも一つ以上の容量発生部を備えたキャパシタ部が、前記導電性基板の前記一方の主面上に形成されると共に、
前記電極層のうちの一方の極となるべき電極層が、基板配線及び前記導電性基板を介して前記第2の外部電極と電気的に接続され、かつ、他方の極となるべき電極層が、前記第1の外部電極と電気的に接続され、
前記キャパシタ部は、無機絶縁層を含む絶縁層で被覆されると共に、前記無機絶縁層の形成前に酸素含有雰囲気中で熱処理されてなり、
少なくとも前記基板配線は、前記熱処理後に形成されることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ。 - 前記基板配線の少なくも一部が前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項5記載の誘電体薄膜キャパシタ。
- 薄膜抵抗が、前記他方の極となるべき電極層と電気的に接続されるように形成されていることを特徴とする請求項5又は請求項6記載の誘電体薄膜キャパシタ。
- 前記薄膜抵抗は、キャパシタ部上に形成されていることを特徴とする請求項7記載の誘電体薄膜キャパシタ。
- 前記薄膜抵抗は、平坦状に形成されていることを特徴とする請求項7又は請求項8記載の誘電体薄膜キャパシタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010523721A JP5348565B2 (ja) | 2008-08-04 | 2009-05-13 | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200958 | 2008-08-04 | ||
JP2008200958 | 2008-08-04 | ||
JP2010523721A JP5348565B2 (ja) | 2008-08-04 | 2009-05-13 | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ |
PCT/JP2009/002090 WO2010016171A1 (ja) | 2008-08-04 | 2009-05-13 | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010016171A1 JPWO2010016171A1 (ja) | 2012-01-12 |
JP5348565B2 true JP5348565B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=41663400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010523721A Expired - Fee Related JP5348565B2 (ja) | 2008-08-04 | 2009-05-13 | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5348565B2 (ja) |
CN (1) | CN102113113A (ja) |
WO (1) | WO2010016171A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103219318B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-07-08 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种耐高温的微波内匹配晶体管用mim电容及其制造方法 |
JP5924461B1 (ja) * | 2014-08-06 | 2016-05-25 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
CN208061869U (zh) * | 2015-10-02 | 2018-11-06 | 株式会社村田制作所 | 薄膜型lc部件以及其安装结构 |
US10468187B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-11-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thin-film ceramic capacitor having capacitance forming portions separated by separation slit |
KR101912282B1 (ko) | 2016-08-05 | 2018-10-29 | 삼성전기 주식회사 | 박막 커패시터 |
CN109923630B (zh) * | 2016-11-02 | 2023-04-28 | 株式会社村田制作所 | 电容器 |
JP7039982B2 (ja) * | 2017-12-13 | 2022-03-23 | 富士電機株式会社 | 抵抗素子及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022464A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH1041485A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10321803A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜コンデンサ |
-
2009
- 2009-05-13 WO PCT/JP2009/002090 patent/WO2010016171A1/ja active Application Filing
- 2009-05-13 CN CN2009801311664A patent/CN102113113A/zh active Pending
- 2009-05-13 JP JP2010523721A patent/JP5348565B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022464A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH1041485A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10321803A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜コンデンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010016171A1 (ja) | 2010-02-11 |
JPWO2010016171A1 (ja) | 2012-01-12 |
CN102113113A (zh) | 2011-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4525947B2 (ja) | 薄膜キャパシタの製造方法 | |
JP5348565B2 (ja) | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ | |
JP5344197B2 (ja) | 誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
JP5376186B2 (ja) | 誘電体薄膜素子、アンチヒューズ素子及び誘電体薄膜素子の製造方法 | |
JPH05299578A (ja) | 半導体装置およびその製法 | |
US7026680B2 (en) | Thin film capacitive element, method for producing same and electronic device | |
JP5803731B2 (ja) | 薄膜素子 | |
JP5299158B2 (ja) | 誘電体薄膜素子 | |
JP5267251B2 (ja) | 薄膜コンデンサ、及び薄膜コンデンサの製造方法 | |
WO2016021529A1 (ja) | 複合電子部品 | |
JP2009010114A (ja) | 誘電体薄膜キャパシタ | |
JP5098422B2 (ja) | 薄膜電子部品 | |
US11114248B2 (en) | Thin film capacitor and manufacturing method thereof | |
JP2003060054A (ja) | 強誘電体キャパシタを有する半導体装置 | |
JP2005203680A (ja) | インターポーザキャパシタの製造方法 | |
JP4864313B2 (ja) | 薄膜キャパシタ基板、その製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6516020B2 (ja) | 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 | |
JP2007221156A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6232845B2 (ja) | 配線接続構造およびこの配線接続構造を有する誘電体薄膜キャパシタ | |
JP2019071388A (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2014179533A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5348565 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |