JPS59201874A - サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents
サーマルヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPS59201874A JPS59201874A JP58075945A JP7594583A JPS59201874A JP S59201874 A JPS59201874 A JP S59201874A JP 58075945 A JP58075945 A JP 58075945A JP 7594583 A JP7594583 A JP 7594583A JP S59201874 A JPS59201874 A JP S59201874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating resistor
- layer
- nicrsi
- thermal head
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910006091 NiCrSi Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 4
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、サーマルプリンタに用いられる薄膜型ノサー
マルヘッドに関する。
マルヘッドに関する。
発明の技術的背景およびその問題点
従来、薄膜型サーマルヘッドの発熱抵抗体としては、T
a2 N 、 NiCr 、 Taxi 、 Ta5i
02を用いるのが一般的である。これらの発熱抵抗体は
耐熱性に優れ抵抗温度係数が小さい等、良好な特性を有
しているため用いられているわけである。
a2 N 、 NiCr 、 Taxi 、 Ta5i
02を用いるのが一般的である。これらの発熱抵抗体は
耐熱性に優れ抵抗温度係数が小さい等、良好な特性を有
しているため用いられているわけである。
しかし、最近の傾向として1は、その発熱抵抗体のより
高い性能向上の要求が高まっている。例えば、1ドツト
に対するエネルギー印加時間が1〜2+7+secとい
う比較的長い印加時間から、o、5m5ec前後若しく
はそれ以下という高速性が要求されている。このため、
同じ印字品質を得るためには一度により短時間に大きな
エネルギーを付与しなければならず、かつ、寿命的にも
耐えなければならない。また、発熱抵抗体を駆動する駆
動素子の負荷を軽′減させるため同一電力を得るために
は発熱抵抗体に印加される電圧を高くし電流を小さく抑
えることが好ましく、このためには発熱抵抗体の抵抗値
も比較的高抵抗であることが望ましい。
高い性能向上の要求が高まっている。例えば、1ドツト
に対するエネルギー印加時間が1〜2+7+secとい
う比較的長い印加時間から、o、5m5ec前後若しく
はそれ以下という高速性が要求されている。このため、
同じ印字品質を得るためには一度により短時間に大きな
エネルギーを付与しなければならず、かつ、寿命的にも
耐えなければならない。また、発熱抵抗体を駆動する駆
動素子の負荷を軽′減させるため同一電力を得るために
は発熱抵抗体に印加される電圧を高くし電流を小さく抑
えることが好ましく、このためには発熱抵抗体の抵抗値
も比較的高抵抗であることが望ましい。
しかるに、前述した従来の発熱抵抗体はこれらの要求を
満足しうるものではなく、サーマルヘッド用とじ1用を
なさなくなりつつある。
満足しうるものではなく、サーマルヘッド用とじ1用を
なさなくなりつつある。
発明の目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、耐熱性
に優れ高速印字の要求に応えることのできるサーマルヘ
ッドを得ることを目的とする。
に優れ高速印字の要求に応えることのできるサーマルヘ
ッドを得ることを目的とする。
発明の概要
本発明は、発熱抵抗体としてNiCrSi系発熱抵抗体
を用いることにより、高速印字に耐え耐熱性に優れたサ
ーマルヘッドを提供できるように構成したものである。
を用いることにより、高速印字に耐え耐熱性に優れたサ
ーマルヘッドを提供できるように構成したものである。
発明の実施例
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、アルミナ等により形成された耐熱性絶縁基板(1
)上にはガラスグレーズ層(2)が厚さ40μmに形成
されている。このガラスグレーズ層(2)上には例えば
Ta2 o、による耐蝕層(3)が05μmの厚さで形
成されている。そして、耐蝕層(3)上にはNiCrS
i系発熱抵抗体(4)の層がスパッタリング法によシ0
.3μmの厚さで形成されている。この発熱抵抗体(4
)上にはその一部を露出させるべくして電極金属体(5
)層が18μmの厚さで形成されている。さらに、発熱
抵抗体(4)の表面は例えばTa20!+による耐摩耗
層(6) (、5μm厚)により覆われている。
)上にはガラスグレーズ層(2)が厚さ40μmに形成
されている。このガラスグレーズ層(2)上には例えば
Ta2 o、による耐蝕層(3)が05μmの厚さで形
成されている。そして、耐蝕層(3)上にはNiCrS
i系発熱抵抗体(4)の層がスパッタリング法によシ0
.3μmの厚さで形成されている。この発熱抵抗体(4
)上にはその一部を露出させるべくして電極金属体(5
)層が18μmの厚さで形成されている。さらに、発熱
抵抗体(4)の表面は例えばTa20!+による耐摩耗
層(6) (、5μm厚)により覆われている。
ここで、その具体的製法を第2図によシ説明する。まず
、ガラスグレーズ層(2)がコーティングされた耐熱性
絶縁基板(1)上にTa20sをスパッタリング法によ
多積層して0.5μm厚の耐蝕層(3)を形成する。
、ガラスグレーズ層(2)がコーティングされた耐熱性
絶縁基板(1)上にTa20sをスパッタリング法によ
多積層して0.5μm厚の耐蝕層(3)を形成する。
ソシて、NiCrSiをスパッタリング法により積層し
て03μm厚の発熱抵抗体(4)を形成する。ついで、
電極金属体(5)としてTi層(5%) 、 Au層(
54)、Cr層(5C) ’e各々02μm 、 1.
5μm、01μmの厚さになるように蒸着する。これに
より、第2図(α)に示すように耐熱性絶縁基板(1)
上にTa205 / NiCr3 i/ Ti / A
u/Crの積層体が形成されることになる。ついで、同
図(旬に示すようにCr 、Au 、 Ti 、 Ni
CrSiの積層体を各々のエッチャントを用いてフォト
エツチングによ9図のようなパターンを得る。このとき
、パターン部以外の面には耐蝕層(3)が露出する。さ
ラニ、パターン部において発熱抵抗体(4)上にMNさ
れているCr 、 Au 、 Tiを各々のエラチャン
l−を用いてフォトエツチングし、電極金属体(5)間
に発熱抵抗体(4)が露出するパターンを得る。これに
より、フォトエツチング工程が終了し、同図(0)に一
点鎖線で示す領域につきTa205をスゲくツタリング
して耐摩耗層(6)を形成してサーマルヘッドが形成さ
れる。
て03μm厚の発熱抵抗体(4)を形成する。ついで、
電極金属体(5)としてTi層(5%) 、 Au層(
54)、Cr層(5C) ’e各々02μm 、 1.
5μm、01μmの厚さになるように蒸着する。これに
より、第2図(α)に示すように耐熱性絶縁基板(1)
上にTa205 / NiCr3 i/ Ti / A
u/Crの積層体が形成されることになる。ついで、同
図(旬に示すようにCr 、Au 、 Ti 、 Ni
CrSiの積層体を各々のエッチャントを用いてフォト
エツチングによ9図のようなパターンを得る。このとき
、パターン部以外の面には耐蝕層(3)が露出する。さ
ラニ、パターン部において発熱抵抗体(4)上にMNさ
れているCr 、 Au 、 Tiを各々のエラチャン
l−を用いてフォトエツチングし、電極金属体(5)間
に発熱抵抗体(4)が露出するパターンを得る。これに
より、フォトエツチング工程が終了し、同図(0)に一
点鎖線で示す領域につきTa205をスゲくツタリング
して耐摩耗層(6)を形成してサーマルヘッドが形成さ
れる。
ここで、発熱抵抗体(4)を構成するNiCrSi系の
組成について検討する。第3図はこのNiCrSi系の
三元合金図を示すものであり、スパッタリング条件は初
期真空度: 6 X 1O−6Torr以下、アルコ゛
ン圧カニ 4 X 1O−3Torr 、スパッタリン
グ出力 IKWとする。耐熱性絶縁基板(1)としては
ガラスゲレース層(2)がコーティングされたアルミナ
基板とし、各サンプルの膜厚はいずれも0.3μmとす
る。この第3図において、重量%を小数字で示すとすれ
ば、A点は(Ni6oSi4o)+B点は(Ni6oC
r20SI20)、0点は(N 15Qcr40s ’
10 )、D点は(Ni20Cr50Si30)IE
Aは(CraoS i4o )、F点は(Ni2ocr
3o8 i50 ) 、 0点は(Ni4oCr+oS
iso) 、 H点は(Ni4oCr+oSiso)
、J点は(Ni4oCr+oSiso)である。そして
、図中の曲線は各点から得られた電気特性のうち比抵抗
の等高線を示す。また、温度抵抗係数はいずれも−10
〜−450ppm/’Cの範囲中の値を有している。
組成について検討する。第3図はこのNiCrSi系の
三元合金図を示すものであり、スパッタリング条件は初
期真空度: 6 X 1O−6Torr以下、アルコ゛
ン圧カニ 4 X 1O−3Torr 、スパッタリン
グ出力 IKWとする。耐熱性絶縁基板(1)としては
ガラスゲレース層(2)がコーティングされたアルミナ
基板とし、各サンプルの膜厚はいずれも0.3μmとす
る。この第3図において、重量%を小数字で示すとすれ
ば、A点は(Ni6oSi4o)+B点は(Ni6oC
r20SI20)、0点は(N 15Qcr40s ’
10 )、D点は(Ni20Cr50Si30)IE
Aは(CraoS i4o )、F点は(Ni2ocr
3o8 i50 ) 、 0点は(Ni4oCr+oS
iso) 、 H点は(Ni4oCr+oSiso)
、J点は(Ni4oCr+oSiso)である。そして
、図中の曲線は各点から得られた電気特性のうち比抵抗
の等高線を示す。また、温度抵抗係数はいずれも−10
〜−450ppm/’Cの範囲中の値を有している。
第4図は第3図におけるA、B、D、E、G。
Hの各点の組成を有する発熱抵抗体を用いて第1図に示
したサーマルヘッドを構成した場合の特性を示すもので
ある。ここで、サーマルヘッドの信頼性のポイントは耐
熱性であり、その良い評価方法としてステップストレス
試験があり、この第4図はステップストレス試験による
ものである。この試験は、サンプル素子に適当なパルス
電力を1ms e c ON 、 1.ms e c
OFFの繰返しで30分間加えた後、抵抗変化を測定し
、以下電力を増加させ、同様に各々のステップにおける
初期値からの抵抗変化分を測定を繰返し、劣化特性′l
c調べるものである。
したサーマルヘッドを構成した場合の特性を示すもので
ある。ここで、サーマルヘッドの信頼性のポイントは耐
熱性であり、その良い評価方法としてステップストレス
試験があり、この第4図はステップストレス試験による
ものである。この試験は、サンプル素子に適当なパルス
電力を1ms e c ON 、 1.ms e c
OFFの繰返しで30分間加えた後、抵抗変化を測定し
、以下電力を増加させ、同様に各々のステップにおける
初期値からの抵抗変化分を測定を繰返し、劣化特性′l
c調べるものである。
この場合の発熱抵抗体の形状は、ドツトサイズが100
μm X 180μmで膜厚は各々の発熱抵抗体の抵抗
値が150Ωになるように制御した。ここに、発熱抵抗
体の抵抗値Rは比抵抗をρ、膜厚を11抵抗体長さを看
、抵抗体幅をWとすると、R−ρ・l/ t−wから膜
厚が決まる。例えば、A点、D点は1200X、IB点
は600X1o点は3600久、F点は5oooX、
H点は7000Xとなる。
μm X 180μmで膜厚は各々の発熱抵抗体の抵抗
値が150Ωになるように制御した。ここに、発熱抵抗
体の抵抗値Rは比抵抗をρ、膜厚を11抵抗体長さを看
、抵抗体幅をWとすると、R−ρ・l/ t−wから膜
厚が決まる。例えば、A点、D点は1200X、IB点
は600X1o点は3600久、F点は5oooX、
H点は7000Xとなる。
今、第4図の結果によれば、G点、H点の組成を有する
ものが非常に良好なる特性を示すことがわかる。すなわ
ち、従来一般に飲われているTaxi。
ものが非常に良好なる特性を示すことがわかる。すなわ
ち、従来一般に飲われているTaxi。
Ta2 N 、 Ta5i02等の発熱抵抗体では1.
5w / dot付近が限界とされるが、NiCrSi
系の発熱抵抗体としその組成を適当に選べば耐熱性の優
れたサーマルヘッドを提供できることがわかる。この第
4図において、B点の組成のものが特性が悪いのは、5
00μΩcm程度と比抵抗が小さいため、所定の抵抗値
を得るために(佳その膜厚を薄くしなければならず、結
果的に体積当たシの電流密度の増大につながシ劣化が早
まるものと考察される。したがって、適正な膜厚の制御
ができる組成領域が望ましい。以上から、一応A、E、
D、F、H点付近の組成が好ましいと思われる。しかる
に、A点は同程度の膜厚を有するD点、E点の場合よシ
もその特性が劣る。ここに、A点はCrを含有していな
い点でD点、E点と組成が異なる。つまp、Crを含有
することが耐熱性を向上させるための条件の一つとも考
えられる。
5w / dot付近が限界とされるが、NiCrSi
系の発熱抵抗体としその組成を適当に選べば耐熱性の優
れたサーマルヘッドを提供できることがわかる。この第
4図において、B点の組成のものが特性が悪いのは、5
00μΩcm程度と比抵抗が小さいため、所定の抵抗値
を得るために(佳その膜厚を薄くしなければならず、結
果的に体積当たシの電流密度の増大につながシ劣化が早
まるものと考察される。したがって、適正な膜厚の制御
ができる組成領域が望ましい。以上から、一応A、E、
D、F、H点付近の組成が好ましいと思われる。しかる
に、A点は同程度の膜厚を有するD点、E点の場合よシ
もその特性が劣る。ここに、A点はCrを含有していな
い点でD点、E点と組成が異なる。つまp、Crを含有
することが耐熱性を向上させるための条件の一つとも考
えられる。
ところで、D点および0点の組成を有する発熱抵抗体を
スパッタリングにより形成する際、スパッタリング時の
初期真空度依存性が太きすぎる。
スパッタリングにより形成する際、スパッタリング時の
初期真空度依存性が太きすぎる。
一方、A点、E点、H点などの組成の場合には初期真空
度依存性が小さい。また、真空度が10゛Torr台の
低真空でスパッタリングしたときの膜の抵抗温度係数が
マイナス方向にシフトする傾向がみられ、これはCrが
酸化され易い結果ではないかと思われる。このように、
Cr−rich側の組成は真空度依存性が大きくなシ再
現性に乏しい欠点を有している。また、5i−rich
側に行くにつれて比抵抗が大きくなり、所定の抵抗値を
得るためには膜厚が厚くなってしまう。膜厚が厚くなる
ことは体積当たpの電流密度が小さくなシ好ましい傾向
であるが、高密度の発熱抵抗体を形成する際にはエツチ
ング精度について難点があ’f) 、5t−rich側
はH点付近が上限と考えられる。また、8i−rich
側になるにつれ抵抗温度係数がマイナス方向に大きくな
る傾向にあり好ましくない。
度依存性が小さい。また、真空度が10゛Torr台の
低真空でスパッタリングしたときの膜の抵抗温度係数が
マイナス方向にシフトする傾向がみられ、これはCrが
酸化され易い結果ではないかと思われる。このように、
Cr−rich側の組成は真空度依存性が大きくなシ再
現性に乏しい欠点を有している。また、5i−rich
側に行くにつれて比抵抗が大きくなり、所定の抵抗値を
得るためには膜厚が厚くなってしまう。膜厚が厚くなる
ことは体積当たpの電流密度が小さくなシ好ましい傾向
であるが、高密度の発熱抵抗体を形成する際にはエツチ
ング精度について難点があ’f) 、5t−rich側
はH点付近が上限と考えられる。また、8i−rich
側になるにつれ抵抗温度係数がマイナス方向に大きくな
る傾向にあり好ましくない。
このような検討結果によれば、第3図においてり、E、
H,J点、すなわち、(Ni2゜Cr5(ISi3J
。
H,J点、すなわち、(Ni2゜Cr5(ISi3J
。
(Ni4(ICr10Si5o) 、 (Ni2゜Cr
1oSi7゜) 、 (Ni+oCr4oSiso)の
4点で四重れた領域内の組成によシ発熱抵抗体(4)全
構成することが好ましいといえる。
1oSi7゜) 、 (Ni+oCr4oSiso)の
4点で四重れた領域内の組成によシ発熱抵抗体(4)全
構成することが好ましいといえる。
なお、これらのNiCrSi系三元素の組成にMo 、
W。
W。
Ta 、 Zr 、 Hf 、 Mn 、 Fe 、
Ti 、 Ce 、 Sm 、 La 。
Ti 、 Ce 、 Sm 、 La 。
Y 、 Nb 、 Rh 、 Rn 、 AIを一種あ
るいは二種以上の組合せで添加したところ、抵抗温度係
数および比抵抗の変動が小さく、サーマルヘッドとして
テストしたところ、特にMo 、 W 、Ta 、 Z
r 、Y 、 Ru。
るいは二種以上の組合せで添加したところ、抵抗温度係
数および比抵抗の変動が小さく、サーマルヘッドとして
テストしたところ、特にMo 、 W 、Ta 、 Z
r 、Y 、 Ru。
AIの添加の場合に耐熱性の向上が認められたものであ
る。
る。
ところで、第1図に示したNiCrSi系発熱抵抗体(
4)を有するサーマルヘッドを構成するに尚た9、発熱
抵抗体(4)、電極金属体(5)を積層形成後にフォト
エツチングにより所定のパターンを形成する際にNiC
r5 iのエツチングに難点がある。しかるに、本実施
例ではAu層(5りと発熱抵抗体(4)との間にTi層
(5a)を存在させることにより解決される。
4)を有するサーマルヘッドを構成するに尚た9、発熱
抵抗体(4)、電極金属体(5)を積層形成後にフォト
エツチングにより所定のパターンを形成する際にNiC
r5 iのエツチングに難点がある。しかるに、本実施
例ではAu層(5りと発熱抵抗体(4)との間にTi層
(5a)を存在させることにより解決される。
これh 、N ICr S iのエッチャントがフッ化
水素のものであシ、第2図に示したプロセスにおいてC
r層(5Q)、Au層(5”)を各々のエッチャントで
エツチングした後、フッ化水素系のエッチャントでTi
/NiCrSi f同時にエツチングする際、Tiとフ
ッ化水素系のエッチャントによ多発生する発生期の水素
によV) NiCrSiのエツチングが促進され、容易
にエツチングされることがわかる。このようにT1層(
5cL)を介在させることによシバターン形成が非常に
容易となる。
水素のものであシ、第2図に示したプロセスにおいてC
r層(5Q)、Au層(5”)を各々のエッチャントで
エツチングした後、フッ化水素系のエッチャントでTi
/NiCrSi f同時にエツチングする際、Tiとフ
ッ化水素系のエッチャントによ多発生する発生期の水素
によV) NiCrSiのエツチングが促進され、容易
にエツチングされることがわかる。このようにT1層(
5cL)を介在させることによシバターン形成が非常に
容易となる。
一方、Ti / NiCrSiのエツチングの際、フッ
化水素系のエッチャントを用いるためガラスグレーズ層
(2)が侵蝕される。しかるに、本実施例ではTa2
o、による耐蝕層(3)が形成されているのでカラスグ
レーズ層(2)の侵蝕は防止される。
化水素系のエッチャントを用いるためガラスグレーズ層
(2)が侵蝕される。しかるに、本実施例ではTa2
o、による耐蝕層(3)が形成されているのでカラスグ
レーズ層(2)の侵蝕は防止される。
発明の効果
本発明は、上述したように発熱抵抗体としてNiCrS
i系発熱抵抗体を用いたので、高速印字に耐え耐熱性に
優れたサーマルヘッドを提供でき、この際、発熱抵抗体
・電極金属体間にTiMを設けたので、精密なパターン
形成が可能となり、エツチングの難点を解決でき、さら
にガラスグレーズ層上に耐蝕層を設けたので、エツチン
グに際してのガラスゲlノーズ層の侵蝕を防止すること
ができるものである。。
i系発熱抵抗体を用いたので、高速印字に耐え耐熱性に
優れたサーマルヘッドを提供でき、この際、発熱抵抗体
・電極金属体間にTiMを設けたので、精密なパターン
形成が可能となり、エツチングの難点を解決でき、さら
にガラスグレーズ層上に耐蝕層を設けたので、エツチン
グに際してのガラスゲlノーズ層の侵蝕を防止すること
ができるものである。。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は縦断側
面図、第2区(0−)〜(C)(はプロセスを示すもの
で、(α)は縦i析側面図、(勺(Q)は平面図、第3
図はNiCrSiの三元合金図、第4図はステップスト
レス試験による特性図である。 1 耐熱性絶縁基板、2・ガラスグレーズ層、3 耐蝕
層、4 NiCrSi系発熱抵抗体、5 電極金属体
、5α Ti層、6 ・耐摩耗層用 願 人 東京
電気株式会社 東京芝浦電気株式会社 にも2図 (σ) 甑) ]J 剛 (C)
面図、第2区(0−)〜(C)(はプロセスを示すもの
で、(α)は縦i析側面図、(勺(Q)は平面図、第3
図はNiCrSiの三元合金図、第4図はステップスト
レス試験による特性図である。 1 耐熱性絶縁基板、2・ガラスグレーズ層、3 耐蝕
層、4 NiCrSi系発熱抵抗体、5 電極金属体
、5α Ti層、6 ・耐摩耗層用 願 人 東京
電気株式会社 東京芝浦電気株式会社 にも2図 (σ) 甑) ]J 剛 (C)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 耐熱性絶縁基板上にNiCrSi系発熱抵抗体を設
け、この発熱抵抗体の両端に電極金属体を設け、前記発
熱抵抗体の表面を覆う耐摩耗層を設けたことを特徴とす
るサーマルヘッド。 2 発熱抵抗体のNiCr8iにつき、NiCrSiの
三成分比を示す三元合金図において(N i 2oOC
r 5゜5iso) +(N140crlO8I50
) + (N120crlO8I70 )
+ (Nll0Cr40SI50)(但し、
小数字は重量係を示す)の4点に囲まれた領域内の組成
を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
サーマルヘッド。 3 耐熱性絶縁基板上にNiCrSi系発熱抵抗体を設
け、との発熱抵抗体の両端にTi膜を介して電極金属体
を設け、前記発熱抵抗体の表面を覆う耐摩耗層を設けた
ことを特徴とするサーマルヘッド。 4 耐熱性絶縁基板上にガラスグレーズ層および耐蝕層
を介してNiCrSi系発熱抵抗体を設け、この発熱抵
抗体の両端に電極金属体を設け、前記発熱抵抗体の表面
を覆う耐摩耗層を設けたことを特徴とするサーマルヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58075945A JPS59201874A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | サーマルヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58075945A JPS59201874A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | サーマルヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59201874A true JPS59201874A (ja) | 1984-11-15 |
JPH0142831B2 JPH0142831B2 (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=13590867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58075945A Granted JPS59201874A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | サーマルヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59201874A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016027692A1 (ja) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075945A patent/JPS59201874A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0142831B2 (ja) | 1989-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH062416B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 | |
JP2612580B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド及び該ヘッド用基板 | |
JP2844051B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JPS59201874A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JP3312752B2 (ja) | 薄膜サーミスタ | |
JPS61100476A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
US4845339A (en) | Thermal head containing an insulating, heat conductive layer | |
JP2021156815A (ja) | ひずみゲージ | |
JPS61260603A (ja) | 電子部品 | |
JP2000127471A (ja) | 厚膜型サーマルプリントヘッド、およびその製造方法 | |
JPH0274356A (ja) | 通電方式記録ヘッド | |
JPS61262144A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS61255001A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS6034802B2 (ja) | 熱記録装置用サーマルヘツド | |
US4742361A (en) | Thermal print head | |
JPS5975676A (ja) | 歪センサ | |
JPS6045595B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
JPH0331201B2 (ja) | ||
JPH01112702A (ja) | サーマルヘッド | |
US4751518A (en) | Heating resistor as a thermal head resistive element | |
JPS63122574A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS5853458A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS58122884A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
JPS6046028B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
JP2551773B2 (ja) | サ−マルヘツド |