DE2204420C3 - Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung - Google Patents

Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung

Info

Publication number
DE2204420C3
DE2204420C3 DE19722204420 DE2204420A DE2204420C3 DE 2204420 C3 DE2204420 C3 DE 2204420C3 DE 19722204420 DE19722204420 DE 19722204420 DE 2204420 A DE2204420 A DE 2204420A DE 2204420 C3 DE2204420 C3 DE 2204420C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sheet
weight
alloy
resistors
temperature coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19722204420
Other languages
English (en)
Other versions
DE2204420B2 (de
DE2204420A1 (de
Inventor
Benedictus Cornelis Hendrikus Fransen
Jan Hendrik Mooij
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2204420A1 publication Critical patent/DE2204420A1/de
Publication of DE2204420B2 publication Critical patent/DE2204420B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2204420C3 publication Critical patent/DE2204420C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/006Thin film resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen elektrischen Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Nickel-Chrom-Legierung mit niedrigem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und hoher Stabilität.
Metallschichtwiderstände auf der Basis von Nickel-Chrom-Legierungen sind bereits aus der Arbeit »Studies of High-Accuracy Ni-Cr Thin-Film Resistors« von Ryoichi Kaneoya in »Electronics and Communications in Japan«, 52-C (1969), Nr. 11, Seiten 162 bis 170, bekannt. Dort werden derartige Widerstände beschrieben, die durch Aufdampfen im Vakuum erhalten sind. Dabei wird angegeben, daß der Temperaturkoeffizient des Schichtwiderstandes durch Zusatz von Aluminium, Beryllium, Silicium oder Zinn zu den Nickel-Chrom-Legierungen beeinflußt wird und daß bei Zusatz gewisser Mengen dieser Elemente Schichtwiderstände mit einem niedrigen Temperaturkoeffizienten -,-, erhalten werden können. Es handelt sich hier um Schichtwiderstände auf der Basis von Nickel-Chrom-Legierungen, deren Chromgehalt zwischen 18 und 35 Gew.-% liegt. Dabei ist angegeben, daß für Si-AI-haltige und Be-AI-haltige Ni-Cr-Schiehtwiderstände der Zu- h() sammensetzungsbereich, für den der Temperaturkoeffizient annähernd gleich 0 ist, mit zunehmendem Chromgehalt abnimmt und daß sich bei einem Verhältnis zwischen Nickel- und Chromgehalt von 2 : I eine Zusammensetzung mit einem Temperaturkoeffi- b-> zienten gleich 0 schwer erzielen läßt.
Ferner wurde darauf hingewiesen, daß von den bekannten Ni-Cr-Schichtwiderständen die Si-haltigen Widerstände die größte Stabilität aufweisen, daß die Stabilität der Be-haltigen Widerstände etwas geringer, aber doch sehr hoch ist, und daß die Stabilität dieser Ni-Cr-Schichtwiderstände mit zunehmendem Al-Gehalt abnimmt Die bekannten AI-hakigen Ni-Cr-Schichtwiderstände enthalten weniger als 20 Gew.-% Cr.
Ferner wurde für die obenerwähnten bekannten Schichtwiderstände angegeben, daß verschiedene Faktoren, wie die Bedingungen, unter denen die Verdampfung stattfindet, die Verdampfungsgeschwindigkeit und die Substrattemperatur, einen großen Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Schiehtwiderstände ausüben. Es stellt sich heraus, daß namentlich der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes eines solchen bekannten Schichtwiderstandes sehr stark von der Temperatur des Substrats während des Anbringens der Widerstandsschicht auf diesem Substrat abhängig ist Bei der Herstellung von Schichtwiderständen aus Ni-Cr-Si und Ni-Cr-Be soll daher das Substrat während des Aufdampfvorganges auf einer bestimmten Temperatur und im betreffenden Fall auf 300 ± 10° C gehalten werden.
Bei der serienmäßigen Herstellung von Schichtwiderständen ist die Substrattemperatur von etwa 3000C innerhalb enger Grenzen zu halten. Dies ist bei einer Großserienfertiguifg, bei der z. B. Widerstandsschichten auf in einer sich drehenden Trommel befindlichen losen keramischen Gegenständen, z. B. Stäben, angebracht v/erden müssen, praktisch nicht möglich.
In bezug auf die Fertigungsmöglichkeiten für die bekannten Ni-Cr-Si-Schichtwiderstände mit sehr hoher Stabilität ist anzumerken, daß hier die Reproduzierbarkeit gering ist
Die Anwendung des Kathodenzerstäubungsverfahrens zur Herstellung von elektrischen Schichtwiderständen auf der Basis von Ni-Cr-Legierungen ist aus der DE-OS 20 19 091 und der DE-OS 17 65 091 bekannt. Dadurch wird zwar die Herstellung besser reproduzierbarer Schiehtwiderstände ermöglicht, das Kathodenzerstäubungsverfahren gemäß der DE-OS 17 65 091 ist jedoch dadurch, daß es mit zwei Bearbeitungsstufen arbeitet, verhältnismäßig aufwendig, was sich besonders in Massenproduktionen auswirkt, die so kostengünstig wie möglich und so effektiv wie möglich arbeiten müssen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Schichtwiderstände der eingangs genannten Art anzugeben, bei deren Herstellung die Substrattemperatur nicht auf einen Wert von etwa 3000C innerhalb enger Grenzen gehalten zu werden braucht, bei denen die Reproduzierbarkeit deutlich verbessert ist und die auf einfache Weise herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Schichtwiderstand aus einer Legierung besteht, deren Zusammensetzung in einem Zusammensetzungsbereich liegt, der in dem ternären System Ni-Cr-Al ein Sechseck ABCDEF\s\, dessen Eckpunkte durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-°/o) gegeben sind:
A: 15Ni, 25Cr, 60Al
B: 30Ni, 10 Cr, 60Al
C: 55Ni, 10 Cr, 35 Al
D: 55 Ni, 43 Cr, 2 Al
E: 30 Ni, 68 Cr1 2 Al
F: 15Ni, 68 Cr, 17 Al
In der Figur ist der erwähnte Zusammensetzungsbereich in dem ternären System Ni-Cr-Al durch das
Sechseck ABCDEFdwgesteWU
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß auf einfache und rationelle Weise Schichtwiderstände mit sehr hoher Stabilität und sehr guter Reproduzierbarkeit hergestellt werden können.
Die Herstellung von Schichtwiderständen nach der Erfindung kann auf an sich bekannte Weiss erfolgen. Dabei wird .ein Verfahren verwendet, bei dem ein Schichtwiderstand erhalten wird, der eine Zusammensetzung aufweist, die der der Legierung, von der ausgegangen wird, völlig oder nahezu völlig entspricht Bei einem Beispiel eines solchen Verfahrens wird die Widerstandsschicht mit Hilfe einer sehr schnellen und vollständigen Verdampfung der Ausgangslegierung aufgebracht Dies läßt sich dadurch erreichen, daß jeweils geringe Mengen der Legierung auf eine heiße Verdampfungsquelle gebracht werden (»flash-evaporation«). Dieses Verfahren ist z. B. in I.E.EE. Transactions on Parts, Materials and Packaging, Heft PMP-5, Nr. 3, September 1969, S. 139 und folgende, beschrieben.
Bei einem besonders geeigneten Verfahren zur Herstellung von Schichtwiderständen nach der Erfindung wird Kathodenzerstäubung angewandt Dieses an sich bekannte Verfahren ist z. B. in Proceedings of the LEEE1 Heft 52, S. 1451 bis 1452 (1964), beschrieben.
Es ist von besonderer Bedeutung, daß die Erfindung die Möglichkeit schafft, auf einfache und reproduzierbare Weise Schichtwiderstände mit einem niedrigen Temperaturkoeffizienten und hoher Stabilität serienmäßig herzustellen. Dies ist u. a. dadurch erreichbar, dari die Substratkörper die z. B. aus zylindrischen Porzellanstäben bestehen, nicht während des Anbringens der Widerstandsschichten auf eine erhöhte Temperatur gebracht zu werden brauchen, und insbesondere auch dadurch, daß die Temperatur der Substratkörper nicht innerhalb enger Grenzen gehalten zu werden braucht Es hat sich nämlich herausgestellt daß, wenn die Substratktfrper eine Temperatur zwischen etwa 20 und etwa 100° C während der Herstellung der Schichtwiderstände aufweisen, die Eigenschaften dieser Widerstände nicht oder praktisch nicht von der Temperatur der Substratkörper während der Anbringung der Widerstandsschichten abhängig sind.
Ebenso wie die bekannten N'wkel-Chrom-Schichtwiderstände sollen die Schichtwiderstände nach der Erfindung durch Erhitzung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, z. B. Luft, gealtert, d. h. stabilisiert werden. Dies kann z. B. dadurch erfolgen, daß sie 4 Stunden lang auf 300 oder 350° C in Luft erhitzt werden. Dabei ändern sich der elektrische Widerstand und der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes. Der elektrische Widerstand nimmt zu. Der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes eines nicht gealterten Schichtwiderstandes ist negativ. Bei der Alterung wird dieser Koeffizient weniger negativ, gleich Null oder positiv. Bei Alterung bei einer bestimmten Temperatur nähen sich der Temperaturkoeffizient bei fortgesetzter Erhitzung asymptotisch einem bestimmten Wert. Dieser Wert wird in großem Maße durch die Temperatur bestimmt, bei der die Alterung stattfindet Durch passende Wahl dieser Temperatur und der Dauer der Alterung können Schichtwiderstände mit dem gewünschten Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes erhalten werden. Auf diese Weise lassen sich Schichtwiderstände mit einem Temperaturkoeffizienten praktisch gleich Null herstellen. Zum Beispiel wurde ein Schichtwiderstand mit einem Temperaturkoeffizienten gleich Null und einem Flächenwiderstand von 350 Ω dadurch hergestellt daß eine Widerstandsschicht die unter Anwendung von Kathodenzerstäubung im Vakuum angebracht war und aus einer Legierung aus 33 Gew.-% Ni, 62 Gew.-% Cr und 5 Gew.-% Al bestand (siebe Nr. 1 in der Figur), und deren Flächenwiderstand sofort nach dem Aufbringen 300 Ω und deren Temperaturkoeffizient —60 ppm/" C betrug, 4 Stunden lang auf 300°C erhitzt wurde. Auf gleiche Weise wiirde ein Schichtwiderstand mit einem Temperaturkoeffizienten des elektrische. Widerstandes von + 3 ppm/" C und einem Flächenwidemand von 550 Ω auf der Basis einer Legierung aus 47,8 Gew.-% Ni1 19,9 Gew.-% Cr und 323 Gew.-% Al hergestellt (siehe Nr. 2 in der Figur). Sofort nach dem Aufbringen der Widerstandsschicht betrug der Flächenwiderstand 500 Ω und der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes -140 ppm/°C.
Ein durch Anwendung von Kathodenzerstäubung hergestellter Schichtwiderstand auf der Basis einer Legierung aus 33,6 Gew.-% Ni, 55,4 Gew.-°/o Cr und 11,0 Gew.-% Al (siehe Nr. 3 in der Figur), der sofort nach dem Anbringen einen Flächenwiderstand von 50 Ω und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes von -40 ppm/°C aufwies, wies nach 4stündiger Erhitzung in Luft bei 3000C einen Flächenwiderstand von 50,5 Ω und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes von —33 ppm/0 C auf. Ein gleicher Schichtwiderstand wies nach 4stündigiτ Erhitzung auf 350° C einen Flächen widerstand von 51 Ω und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widers < indes von - 5 ppm/" C auf.
In der nachstehenden Tabelle werden Daten über andere Beispiele gegeben.
In der Tabelle ist in den einzelnen Spalten folgendes eingetragen:
Spalte 1: Zusammensetzung der Cr-Ni-Al-Ausgangslegierungen in Gew.-%;
Spalte 2: Flächenwiderstandswerte in Ohm für die durch Kathodenzerstäubung hergestellten Widerstandsschichten;
Spalte 3: Temperaturkoeffizient der Widerstandsschichten in ppm/0C;
Spalte 4: Dauer der Alterung in Stunden;
Spalte 5: Alterungstemperatur in 0C;
Spalte 6: Flächenwiderstandswerte in Ohm nach der Alterung;
Spalte 7: Temperaturkoeffizient in ppm/°C nach der Alterung.
I i-Al 11,2 2 3 70 4 5 6 7
Cr - N 28,3 - 14.5 63
64,5- 53,3 - 260 4 350 290 _ ς
32,2 - 405 4 325 58?
I ortsel/iiMii 2 22 04 420 5 b 7
I
Cr-Ni-Al
277
456
130
.1 4 350
350
325
-5
-7
-6
5O.7-3I.8-I7.5
46.7 - 28,4 - 24,9
55,3-33,6-11,0
-67
- 125
-44
4
4
4
333
630
134
Zur Bestimmung der Stabilität von Schichtwiderständen nach der Erfindung wurden diese Widerstände während 1000 Stunden in Luft auf 1500C erhitzt. Dabei stellte sich heraus, daß die Widerstandswerte sich praktisch nicht oder nur in derart geringem Maße änderten, daß die praktische Anwendbarkeit im Re^slfsü nicht bssinträchti"! wird.
Es wurde gefunden, daß insbesondere mit Legierungen, deren Zusammensetzungen in einem Zusammensetzungsbereich liegen, der in dem ternären System Ni-Cr-Al ein Viereck CDEG ist, dessen Eckpunkte durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-%) gegeben sind
C: 55 Ni, 10Cr und 35 Al; D: 55 Ni, 43Cr und 2Al; E: 30 Ni, 68 Cr und 2 Al; G: 30 Ni, 35 Cr und 35 Al,
Schichtwiderstände erhalten werden können, die nach Stabilisierung, z. B. durch -istündige Erhitzung in Luft auf 300 bis 35O°C, einen sehr niedrigen Temperaturko-20 effizienten des elektrischen Widerstandes und eine sehr hohe Stabilität aufweisen.
In der Figur sind einige weitere Zusammensetzungen angegeben, aus denen Schichtwiderstände nach der Erfindung hergestellt sind, und zwar:
Nr. 4: 36,6 Gew.
Nr. 5: 31,8 Gew.
Nr. 6: 28,3 Gew.
Nr. 7: 28,4 Gew.
Nr. 8: 53,3 Gew.
Nr. 9: 35,0 Gew.
-% Ni, 60,9 Gew.-% Cr und 2,5 Gew.-% Al; -% Ni, 50,7 Gew.-% Cr und '7,5 Gew.-% AI; -% Ni, 60,5 Gew.-% Cr und 11,2 Gew.-% Al; -% Ni, 46,7 Gew.-% Cr und 24,9 Gew.-% Al; -% Ni, 32,2 Gew.-% Cr und 14,5 Gew.-% Al, und -% Ni, 24,8 Gew.-% Cr und 40,2 Gew.-% Al.
Hierzu I Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Nickel-Chrom-Legierung mit niedrigem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und hoher Stabilität, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtwiderstand aus einer Legierung besteht, deren Zusammensetzung in einem Zusammensetzungsbereich liegt, der in dem ternären System Ni-Cr-Al ein Sechseck ABCDEF ist, dessen Eckpunkte durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-%) gegeben sind:
A: 15 Ni, 25 Cr, 60 Al
B: 30 Ni, 10 Cr, 60 Al
C: 55 Ni, 10 Cr, 35 Al
D-. 55 Ni, 43 Cr, 2 AI
E: 50 Ni, 68 Cr, 2 Al
F: 15 Ni, 68Cr, 17 A!
Z Elektrischer Schichtwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Schichtwiderstand aus einer Legierung besteht deren Zusammensetzung in einem Zusammensetzungsbereich liegt der in dem als ternär betrachteten System Ni-Cr-Al ein Viereck CDEG ist dessen Eckpunkte durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-%) gegeben sind:
C: 5CNi, 10 Cr und 35 Al; Jo
D-. 55 Ni, 43 Cr und 2 Al;
E: 30 Ni, 68 Cr und 2 AI;
G: 30 Ni, 35 Cr uml 35 Al.
20
DE19722204420 1971-02-20 1972-01-31 Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung Expired DE2204420C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7102290A NL7102290A (de) 1971-02-20 1971-02-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2204420A1 DE2204420A1 (de) 1972-09-07
DE2204420B2 DE2204420B2 (de) 1980-02-14
DE2204420C3 true DE2204420C3 (de) 1980-10-09

Family

ID=19812529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722204420 Expired DE2204420C3 (de) 1971-02-20 1972-01-31 Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS5334320B1 (de)
BE (1) BE779583A (de)
CA (1) CA954200A (de)
DE (1) DE2204420C3 (de)
FR (1) FR2125578B1 (de)
GB (1) GB1338735A (de)
IT (1) IT949131B (de)
NL (1) NL7102290A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4298505A (en) * 1979-11-05 1981-11-03 Corning Glass Works Resistor composition and method of manufacture thereof
NL8601432A (nl) * 1986-06-04 1988-01-04 Philips Nv Metaalfilmweerstanden.
DE3714998A1 (de) * 1987-05-06 1988-11-17 Bosch Gmbh Robert Ein-ausgabeschaltung fuer mikroprozessoren
US4837550A (en) * 1987-05-08 1989-06-06 Dale Electronics, Inc. Nichrome resistive element and method of making same
CH688169A5 (de) * 1994-01-13 1997-05-30 Rmt Reinhardt Microtech Ag Elektrische Widerstandsschicht.
JP2000500295A (ja) * 1996-09-13 2000-01-11 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 薄膜抵抗及び薄膜抵抗用の抵抗材料

Also Published As

Publication number Publication date
BE779583A (fr) 1972-08-18
DE2204420B2 (de) 1980-02-14
FR2125578B1 (de) 1977-07-15
JPS5334320B1 (de) 1978-09-20
FR2125578A1 (de) 1972-09-29
NL7102290A (de) 1972-08-22
GB1338735A (en) 1973-11-28
IT949131B (it) 1973-06-11
DE2204420A1 (de) 1972-09-07
CA954200A (en) 1974-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2752559C3 (de) Dickschichtvaristor
DE1194539B (de) Widerstandsglasurmasse
DE2651890A1 (de) Verfahren zum verbessern der stabilitaet gesinterter zinkoxid-varistoren
DE3039927A1 (de) Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung
DE2007419B2 (de) Widerstandsmasse
DE2052148C3 (de) Widerstandsmasse und deren Verwendung
DE2058253A1 (de) Masse zur Herstellung elektrischer Elemente
DE2204420C3 (de) Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung
DE4026061C1 (de)
DE3200901A1 (de) Verfahren zum herstellen eines temperaturempfindslichen bauelements
DE2641884B2 (de) Gettervorrichtung
DE4034555A1 (de) Verfahren zur herstellung von dickfilmwiderstaenden
DE1903561C3 (de) Widerstandsmasse
DE3101015C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Cermet-Widerstandsschicht, insbesondere für Potentiometer
DE2846577C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Widerstandsmaterial und durch dieses Verfahren hergestellte Widerstandskörper
DE3247224A1 (de) Zusammensetzungen fuer widerstaende und daraus hergestellte widerstaende
DE2445659C2 (de) Metalloxid-Varistor
DE2627930A1 (de) Verfahren zur herstellung von dickfilm-varistoren aus metalloxiden
DE3814653A1 (de) Verbessertes nichrom-widerstandselement und verfahren zu dessen herstellung
DE2946679A1 (de) Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben
DE2115814C3 (de) Widerstandspaste und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Dickschichtwiderstandes
DE3614947C2 (de) Thermokopf und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0770204B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Sensors zum Erfassen einer Temperatur und/oder einer Strömung
DE2835562A1 (de) Material fuer einen glasartigen elektrischen widerstand und verfahren zu dessen herstellung
DE3134584C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee