DE2204420C3 - Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung - Google Patents
Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-LegierungInfo
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- H01C7/006—Thin film resistors
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Description
Die Erfindung betrifft einen elektrischen Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen
Nickel-Chrom-Legierung mit niedrigem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und hoher
Stabilität.
Metallschichtwiderstände auf der Basis von Nickel-Chrom-Legierungen
sind bereits aus der Arbeit »Studies of High-Accuracy Ni-Cr Thin-Film Resistors«
von Ryoichi Kaneoya in »Electronics and Communications in Japan«, 52-C (1969), Nr. 11, Seiten
162 bis 170, bekannt. Dort werden derartige Widerstände
beschrieben, die durch Aufdampfen im Vakuum erhalten sind. Dabei wird angegeben, daß der Temperaturkoeffizient
des Schichtwiderstandes durch Zusatz von Aluminium, Beryllium, Silicium oder Zinn zu den
Nickel-Chrom-Legierungen beeinflußt wird und daß bei Zusatz gewisser Mengen dieser Elemente Schichtwiderstände
mit einem niedrigen Temperaturkoeffizienten -,-, erhalten werden können. Es handelt sich hier um
Schichtwiderstände auf der Basis von Nickel-Chrom-Legierungen, deren Chromgehalt zwischen 18 und 35
Gew.-% liegt. Dabei ist angegeben, daß für Si-AI-haltige
und Be-AI-haltige Ni-Cr-Schiehtwiderstände der Zu- h()
sammensetzungsbereich, für den der Temperaturkoeffizient annähernd gleich 0 ist, mit zunehmendem
Chromgehalt abnimmt und daß sich bei einem Verhältnis zwischen Nickel- und Chromgehalt von 2 : I
eine Zusammensetzung mit einem Temperaturkoeffi- b->
zienten gleich 0 schwer erzielen läßt.
Ferner wurde darauf hingewiesen, daß von den bekannten Ni-Cr-Schichtwiderständen die Si-haltigen
Widerstände die größte Stabilität aufweisen, daß die Stabilität der Be-haltigen Widerstände etwas geringer,
aber doch sehr hoch ist, und daß die Stabilität dieser
Ni-Cr-Schichtwiderstände mit zunehmendem Al-Gehalt abnimmt Die bekannten AI-hakigen Ni-Cr-Schichtwiderstände
enthalten weniger als 20 Gew.-% Cr.
Ferner wurde für die obenerwähnten bekannten Schichtwiderstände angegeben, daß verschiedene Faktoren,
wie die Bedingungen, unter denen die Verdampfung stattfindet, die Verdampfungsgeschwindigkeit und
die Substrattemperatur, einen großen Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Schiehtwiderstände
ausüben. Es stellt sich heraus, daß namentlich der Temperaturkoeffizient des elektrischen
Widerstandes eines solchen bekannten Schichtwiderstandes sehr stark von der Temperatur des Substrats
während des Anbringens der Widerstandsschicht auf diesem Substrat abhängig ist Bei der Herstellung von
Schichtwiderständen aus Ni-Cr-Si und Ni-Cr-Be
soll daher das Substrat während des Aufdampfvorganges auf einer bestimmten Temperatur und im betreffenden
Fall auf 300 ± 10° C gehalten werden.
Bei der serienmäßigen Herstellung von Schichtwiderständen ist die Substrattemperatur von etwa 3000C
innerhalb enger Grenzen zu halten. Dies ist bei einer Großserienfertiguifg, bei der z. B. Widerstandsschichten
auf in einer sich drehenden Trommel befindlichen losen keramischen Gegenständen, z. B. Stäben, angebracht
v/erden müssen, praktisch nicht möglich.
In bezug auf die Fertigungsmöglichkeiten für die bekannten Ni-Cr-Si-Schichtwiderstände mit sehr hoher
Stabilität ist anzumerken, daß hier die Reproduzierbarkeit gering ist
Die Anwendung des Kathodenzerstäubungsverfahrens zur Herstellung von elektrischen Schichtwiderständen
auf der Basis von Ni-Cr-Legierungen ist aus der DE-OS 20 19 091 und der DE-OS 17 65 091 bekannt.
Dadurch wird zwar die Herstellung besser reproduzierbarer
Schiehtwiderstände ermöglicht, das Kathodenzerstäubungsverfahren gemäß der DE-OS 17 65 091 ist
jedoch dadurch, daß es mit zwei Bearbeitungsstufen arbeitet, verhältnismäßig aufwendig, was sich besonders
in Massenproduktionen auswirkt, die so kostengünstig wie möglich und so effektiv wie möglich arbeiten
müssen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Schichtwiderstände der eingangs genannten Art anzugeben, bei
deren Herstellung die Substrattemperatur nicht auf einen Wert von etwa 3000C innerhalb enger Grenzen
gehalten zu werden braucht, bei denen die Reproduzierbarkeit deutlich verbessert ist und die auf einfache
Weise herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Schichtwiderstand aus einer Legierung besteht,
deren Zusammensetzung in einem Zusammensetzungsbereich liegt, der in dem ternären System Ni-Cr-Al
ein Sechseck ABCDEF\s\, dessen Eckpunkte durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-°/o) gegeben
sind:
A: 15Ni, 25Cr, 60Al
B: 30Ni, 10 Cr, 60Al
C: 55Ni, 10 Cr, 35 Al
D: 55 Ni, 43 Cr, 2 Al
E: 30 Ni, 68 Cr1 2 Al
F: 15Ni, 68 Cr, 17 Al
In der Figur ist der erwähnte Zusammensetzungsbereich
in dem ternären System Ni-Cr-Al durch das
Sechseck ABCDEFdwgesteWU
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß auf einfache und rationelle
Weise Schichtwiderstände mit sehr hoher Stabilität und sehr guter Reproduzierbarkeit hergestellt werden
können.
Die Herstellung von Schichtwiderständen nach der Erfindung kann auf an sich bekannte Weiss erfolgen.
Dabei wird .ein Verfahren verwendet, bei dem ein Schichtwiderstand erhalten wird, der eine Zusammensetzung
aufweist, die der der Legierung, von der ausgegangen wird, völlig oder nahezu völlig entspricht
Bei einem Beispiel eines solchen Verfahrens wird die Widerstandsschicht mit Hilfe einer sehr schnellen und
vollständigen Verdampfung der Ausgangslegierung aufgebracht Dies läßt sich dadurch erreichen, daß
jeweils geringe Mengen der Legierung auf eine heiße Verdampfungsquelle gebracht werden (»flash-evaporation«).
Dieses Verfahren ist z. B. in I.E.EE. Transactions
on Parts, Materials and Packaging, Heft PMP-5, Nr. 3, September 1969, S. 139 und folgende, beschrieben.
Bei einem besonders geeigneten Verfahren zur Herstellung von Schichtwiderständen nach der Erfindung
wird Kathodenzerstäubung angewandt Dieses an sich bekannte Verfahren ist z. B. in Proceedings of the
LEEE1 Heft 52, S. 1451 bis 1452 (1964), beschrieben.
Es ist von besonderer Bedeutung, daß die Erfindung die Möglichkeit schafft, auf einfache und reproduzierbare
Weise Schichtwiderstände mit einem niedrigen Temperaturkoeffizienten und hoher Stabilität serienmäßig
herzustellen. Dies ist u. a. dadurch erreichbar, dari
die Substratkörper die z. B. aus zylindrischen Porzellanstäben bestehen, nicht während des Anbringens der
Widerstandsschichten auf eine erhöhte Temperatur gebracht zu werden brauchen, und insbesondere auch
dadurch, daß die Temperatur der Substratkörper nicht innerhalb enger Grenzen gehalten zu werden braucht
Es hat sich nämlich herausgestellt daß, wenn die Substratktfrper eine Temperatur zwischen etwa 20 und
etwa 100° C während der Herstellung der Schichtwiderstände aufweisen, die Eigenschaften dieser Widerstände
nicht oder praktisch nicht von der Temperatur der Substratkörper während der Anbringung der Widerstandsschichten
abhängig sind.
Ebenso wie die bekannten N'wkel-Chrom-Schichtwiderstände
sollen die Schichtwiderstände nach der Erfindung durch Erhitzung in einer sauerstoffhaltigen
Atmosphäre, z. B. Luft, gealtert, d. h. stabilisiert werden. Dies kann z. B. dadurch erfolgen, daß sie 4 Stunden lang
auf 300 oder 350° C in Luft erhitzt werden. Dabei ändern sich der elektrische Widerstand und der Temperaturkoeffizient
des elektrischen Widerstandes. Der elektrische Widerstand nimmt zu. Der Temperaturkoeffizient des
elektrischen Widerstandes eines nicht gealterten Schichtwiderstandes ist negativ. Bei der Alterung wird
dieser Koeffizient weniger negativ, gleich Null oder positiv. Bei Alterung bei einer bestimmten Temperatur
nähen sich der Temperaturkoeffizient bei fortgesetzter Erhitzung asymptotisch einem bestimmten Wert. Dieser
Wert wird in großem Maße durch die Temperatur bestimmt, bei der die Alterung stattfindet Durch
passende Wahl dieser Temperatur und der Dauer der Alterung können Schichtwiderstände mit dem gewünschten
Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes erhalten werden. Auf diese Weise lassen
sich Schichtwiderstände mit einem Temperaturkoeffizienten praktisch gleich Null herstellen. Zum Beispiel
wurde ein Schichtwiderstand mit einem Temperaturkoeffizienten gleich Null und einem Flächenwiderstand
von 350 Ω dadurch hergestellt daß eine Widerstandsschicht die unter Anwendung von Kathodenzerstäubung
im Vakuum angebracht war und aus einer Legierung aus 33 Gew.-% Ni, 62 Gew.-% Cr und 5
Gew.-% Al bestand (siebe Nr. 1 in der Figur), und deren Flächenwiderstand sofort nach dem Aufbringen 300 Ω
und deren Temperaturkoeffizient —60 ppm/" C betrug,
4 Stunden lang auf 300°C erhitzt wurde. Auf gleiche Weise wiirde ein Schichtwiderstand mit einem Temperaturkoeffizienten
des elektrische. Widerstandes von + 3 ppm/" C und einem Flächenwidemand von 550 Ω
auf der Basis einer Legierung aus 47,8 Gew.-% Ni1 19,9 Gew.-% Cr und 323 Gew.-% Al hergestellt (siehe Nr. 2
in der Figur). Sofort nach dem Aufbringen der Widerstandsschicht betrug der Flächenwiderstand
500 Ω und der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes -140 ppm/°C.
Ein durch Anwendung von Kathodenzerstäubung hergestellter Schichtwiderstand auf der Basis einer
Legierung aus 33,6 Gew.-% Ni, 55,4 Gew.-°/o Cr und 11,0
Gew.-% Al (siehe Nr. 3 in der Figur), der sofort nach
dem Anbringen einen Flächenwiderstand von 50 Ω und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes
von -40 ppm/°C aufwies, wies nach 4stündiger Erhitzung in Luft bei 3000C einen Flächenwiderstand
von 50,5 Ω und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes von —33 ppm/0 C auf. Ein
gleicher Schichtwiderstand wies nach 4stündigiτ Erhitzung
auf 350° C einen Flächen widerstand von 51 Ω und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widers
< indes von - 5 ppm/" C auf.
In der nachstehenden Tabelle werden Daten über andere Beispiele gegeben.
In der Tabelle ist in den einzelnen Spalten folgendes eingetragen:
Spalte 1: Zusammensetzung der Cr-Ni-Al-Ausgangslegierungen
in Gew.-%;
Spalte 2: Flächenwiderstandswerte in Ohm für die durch Kathodenzerstäubung hergestellten
Widerstandsschichten;
Spalte 3: Temperaturkoeffizient der Widerstandsschichten in ppm/0C;
Spalte 4: Dauer der Alterung in Stunden;
Spalte 5: Alterungstemperatur in 0C;
Spalte 6: Flächenwiderstandswerte in Ohm nach der Alterung;
Spalte 7: Temperaturkoeffizient in ppm/°C nach der
Alterung.
I | i-Al | 11,2 | 2 | 3 | — | 70 | 4 | 5 | 6 | 7 |
Cr - N | 28,3 - | 14.5 | — | 63 | ||||||
64,5- | 53,3 - | 260 | 4 | 350 | 290 | _ ς | ||||
32,2 - | 405 | 4 | 325 | 58? | ||||||
I ortsel/iiMii | 2 | 22 04 | 420 | 5 | b | 7 |
I
Cr-Ni-Al |
277 456 130 |
.1 | 4 | 350 350 325 |
-5 -7 -6 |
|
5O.7-3I.8-I7.5 46.7 - 28,4 - 24,9 55,3-33,6-11,0 |
-67 - 125 -44 |
4 4 4 |
333 630 134 |
|||
Zur Bestimmung der Stabilität von Schichtwiderständen nach der Erfindung wurden diese Widerstände
während 1000 Stunden in Luft auf 1500C erhitzt. Dabei stellte sich heraus, daß die Widerstandswerte sich
praktisch nicht oder nur in derart geringem Maße änderten, daß die praktische Anwendbarkeit im
Re^slfsü nicht bssinträchti"! wird.
Es wurde gefunden, daß insbesondere mit Legierungen, deren Zusammensetzungen in einem Zusammensetzungsbereich
liegen, der in dem ternären System Ni-Cr-Al ein Viereck CDEG ist, dessen Eckpunkte
durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-%) gegeben sind
C: 55 Ni, 10Cr und 35 Al; D: 55 Ni, 43Cr und 2Al;
E: 30 Ni, 68 Cr und 2 Al; G: 30 Ni, 35 Cr und 35 Al,
Schichtwiderstände erhalten werden können, die nach Stabilisierung, z. B. durch -istündige Erhitzung in Luft
auf 300 bis 35O°C, einen sehr niedrigen Temperaturko-20
effizienten des elektrischen Widerstandes und eine sehr hohe Stabilität aufweisen.
In der Figur sind einige weitere Zusammensetzungen angegeben, aus denen Schichtwiderstände nach der
Erfindung hergestellt sind, und zwar:
Nr. 4: | 36,6 Gew. |
Nr. 5: | 31,8 Gew. |
Nr. 6: | 28,3 Gew. |
Nr. 7: | 28,4 Gew. |
Nr. 8: | 53,3 Gew. |
Nr. 9: | 35,0 Gew. |
-% Ni, 60,9 Gew.-% Cr und 2,5 Gew.-% Al; -% Ni, 50,7 Gew.-% Cr und '7,5 Gew.-% AI;
-% Ni, 60,5 Gew.-% Cr und 11,2 Gew.-% Al;
-% Ni, 46,7 Gew.-% Cr und 24,9 Gew.-% Al; -% Ni, 32,2 Gew.-% Cr und 14,5 Gew.-% Al, und
-% Ni, 24,8 Gew.-% Cr und 40,2 Gew.-% Al.
Hierzu I Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Nickel-Chrom-Legierung
mit niedrigem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und hoher Stabilität, dadurch
gekennzeichnet, daß der Schichtwiderstand aus einer Legierung besteht, deren
Zusammensetzung in einem Zusammensetzungsbereich liegt, der in dem ternären System Ni-Cr-Al
ein Sechseck ABCDEF ist, dessen Eckpunkte durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in
Gew.-%) gegeben sind:
A: 15 Ni, 25 Cr, 60 Al
B: 30 Ni, 10 Cr, 60 Al
C: 55 Ni, 10 Cr, 35 Al
D-. 55 Ni, 43 Cr, 2 AI
E: 50 Ni, 68 Cr, 2 Al
F: 15 Ni, 68Cr, 17 A!
Z Elektrischer Schichtwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Schichtwiderstand
aus einer Legierung besteht deren Zusammensetzung in einem Zusammensetzungsbereich liegt
der in dem als ternär betrachteten System Ni-Cr-Al ein Viereck CDEG ist dessen Eckpunkte
durch die nachstehenden Zusammensetzungen (in Gew.-%) gegeben sind:
C: 5CNi, 10 Cr und 35 Al; Jo
D-. 55 Ni, 43 Cr und 2 Al;
E: 30 Ni, 68 Cr und 2 AI;
G: 30 Ni, 35 Cr uml 35 Al.
20
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