JPS60226160A - 薄膜抵抗装置の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗装置の製造方法Info
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- JPS60226160A JPS60226160A JP8311584A JP8311584A JPS60226160A JP S60226160 A JPS60226160 A JP S60226160A JP 8311584 A JP8311584 A JP 8311584A JP 8311584 A JP8311584 A JP 8311584A JP S60226160 A JPS60226160 A JP S60226160A
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- thin film
- photo resist
- film
- resistor
- photoresist
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は薄膜抵抗装置の製造方法に関し、特に気相成長
窒化膜上に形成される薄膜抵抗装置の製造方法に関する （従来技術） 従来、薄膜抵抗にはＮｉ−Ｃｒ 、 Ｔａ、 Ｎ 、
Ｓｉ −Ｃｒ等があるが、これらはリンガラス層を有す
る熱酸化膜上に直接にてはなく、リンガラス層を保護す
る様に気相成長窒化膜を介して形成されるが一般的であ
る。
窒化膜上に形成される薄膜抵抗装置の製造方法に関する （従来技術） 従来、薄膜抵抗にはＮｉ−Ｃｒ 、 Ｔａ、 Ｎ 、
Ｓｉ −Ｃｒ等があるが、これらはリンガラス層を有す
る熱酸化膜上に直接にてはなく、リンガラス層を保護す
る様に気相成長窒化膜を介して形成されるが一般的であ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は従来の薄膜抵抗装置の製造方法
を説明するために工程順に示した断面図である。
を説明するために工程順に示した断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板１０
１にＰ型拡散層１０２が拡散される。次いで。
１にＰ型拡散層１０２が拡散される。次いで。
Ｎ型半導体基板１０１上に熱酸化膜１０３を約５００Ｏ
Ａ 形成、Ｐ型拡散層１０２上にあけられた第１のコン
タクト用窓１０４に熱酸化膜１０５を約３０ＯＡ形成す
る。次いで、全面に気相成長窒化膜１０６を約１００Ｏ
Ａ 形成する。
Ａ 形成、Ｐ型拡散層１０２上にあけられた第１のコン
タクト用窓１０４に熱酸化膜１０５を約３０ＯＡ形成す
る。次いで、全面に気相成長窒化膜１０６を約１００Ｏ
Ａ 形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、第１のコンタクト用
窓１０４内の気相成長窒化１１１１０６を除去して第２
のコンタクト用窓１０７を形成する。
窓１０４内の気相成長窒化１１１１０６を除去して第２
のコンタクト用窓１０７を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように１半導体基板の気相成
長窒化膜上に薄膜を蒸着等によシ形成し、次いで抵抗体
となるべき薄膜上にのみホトレジスト１０８を残す。し
かる後ホトレジスト１０８の形成された領域以外の薄膜
をエツチング除去し薄膜抵抗体１０９を形成する。不要
部分の薄膜を除去する時に熱酸化膜１０５はＰ散拡散層
１０２のコンタクト部分を保護する役割を果している。
長窒化膜上に薄膜を蒸着等によシ形成し、次いで抵抗体
となるべき薄膜上にのみホトレジスト１０８を残す。し
かる後ホトレジスト１０８の形成された領域以外の薄膜
をエツチング除去し薄膜抵抗体１０９を形成する。不要
部分の薄膜を除去する時に熱酸化膜１０５はＰ散拡散層
１０２のコンタクト部分を保護する役割を果している。
次に、第１図（ｄ）に示すように、Ｐ散拡散層１０２に
第２のコンタクト窓をあける為に薄膜抵抗体１０９をホ
トレジスト膜１１０で覆い、しかる後に熱酸化膜１０５
に開孔を形成する。
第２のコンタクト窓をあける為に薄膜抵抗体１０９をホ
トレジスト膜１１０で覆い、しかる後に熱酸化膜１０５
に開孔を形成する。
次に、ホトレジスト膜１１０を除去し、アルミニウム等
の金属でＰ散拡散層１０２と薄膜抵抗体１０９とにアル
ミニウム電極を形成する。
の金属でＰ散拡散層１０２と薄膜抵抗体１０９とにアル
ミニウム電極を形成する。
以上によシ従来の薄膜抵抗装置が完成するが、上記した
ように拡散層１０２上にコンタクト窓をあけるためには
１１０のホトレジストを形成しエツチング後除去すると
いう１つのホトレジスト工程が必要であった。
ように拡散層１０２上にコンタクト窓をあけるためには
１１０のホトレジストを形成しエツチング後除去すると
いう１つのホトレジスト工程が必要であった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記したコンタクト怒をあけるための
１つのホトレジスト工程を省略し、製造工程を簡略化し
た薄膜抵抗装置の製造方法を提供することにある。
１つのホトレジスト工程を省略し、製造工程を簡略化し
た薄膜抵抗装置の製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の薄膜抵抗装置の製造方法は、−導電域の半導体
基板上に第１の酸化膜を形成する工程と。
基板上に第１の酸化膜を形成する工程と。
該第１の酸化膜の第１の所定領域を開孔する工程と％該
第１の所定領域に第２の酸化膜を形成する工程と、前記
半導体基板上に気相成長窒化膜を成長させる工程と、前
記第１の所定領域に包括された第２の所定領域に位置す
る前記気相成長窒化膜を除去する工程と、前記半導体基
板上に薄膜を形成する工程と、該薄膜の第３の所定領域
上にフォトレジストを形成する工程と、該ホトレジスト
を熱処理し前記薄膜の第３の所定領域の側面をも覆う工
程と、前記第２の所定領域に位置する前記第２の酸化膜
を除去する工程とを有して構成される。
第１の所定領域に第２の酸化膜を形成する工程と、前記
半導体基板上に気相成長窒化膜を成長させる工程と、前
記第１の所定領域に包括された第２の所定領域に位置す
る前記気相成長窒化膜を除去する工程と、前記半導体基
板上に薄膜を形成する工程と、該薄膜の第３の所定領域
上にフォトレジストを形成する工程と、該ホトレジスト
を熱処理し前記薄膜の第３の所定領域の側面をも覆う工
程と、前記第２の所定領域に位置する前記第２の酸化膜
を除去する工程とを有して構成される。
（実施例）
以下１本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する次
めに工程順に示した断面図である。本実施例の薄膜抵抗
装置の製造方法は以下の工程で実施できる。
めに工程順に示した断面図である。本実施例の薄膜抵抗
装置の製造方法は以下の工程で実施できる。
先ず、第２図（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板２０
１にＰ散拡散層２０２が拡散により形成され、Ｎ型半導
体基板２０１上に第１の酸化膜である熱酸化膜２０３を
約５０００人 形成する。次いでＰ型拡散層２０２上に
あけられたＭｌのコンタクト用窓２０４に第２の酸化膜
である熱酸化膜２０５を約３００λ形成シ７、更に全面
に気相成長窒化膜２０６を約１００ＯＡ の厚さに形成
する。
１にＰ散拡散層２０２が拡散により形成され、Ｎ型半導
体基板２０１上に第１の酸化膜である熱酸化膜２０３を
約５０００人 形成する。次いでＰ型拡散層２０２上に
あけられたＭｌのコンタクト用窓２０４に第２の酸化膜
である熱酸化膜２０５を約３００λ形成シ７、更に全面
に気相成長窒化膜２０６を約１００ＯＡ の厚さに形成
する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、第１のコンタクト窓
２０４内の所定領域の気相成長窒化膜を除去し、第２の
コンタクト用窓２０７を形成する。
２０４内の所定領域の気相成長窒化膜を除去し、第２の
コンタクト用窓２０７を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すよう、％Ｃ１Ｎｉ −Ｏｒ
等の薄膜をスパッタ法等を利用して約１００〜３００Ａ
の厚さに全面に蒸着する。しかる後抵抗体となるべき部
分にのみホトレジスト族２０８を残し。
等の薄膜をスパッタ法等を利用して約１００〜３００Ａ
の厚さに全面に蒸着する。しかる後抵抗体となるべき部
分にのみホトレジスト族２０８を残し。
次いでホトレジスト２０８をマスクとして薄膜をエツチ
ングし、薄膜抵抗体２０９を形成する。
ングし、薄膜抵抗体２０９を形成する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、１８０〜２００℃で
約１０分間熱処理し、ホトレジスト２０８を２０８′の
ようにたらす。このときホトレジスト２０８′は薄膜抵
抗体２０９の側面を完全に覆う形にする。欠いてこの状
態で第２のコンタクト用窓２０７に露出した熱酸化膜２
０５をフッ酸系のエツチング液を使用して除去する。
約１０分間熱処理し、ホトレジスト２０８を２０８′の
ようにたらす。このときホトレジスト２０８′は薄膜抵
抗体２０９の側面を完全に覆う形にする。欠いてこの状
態で第２のコンタクト用窓２０７に露出した熱酸化膜２
０５をフッ酸系のエツチング液を使用して除去する。
次に、ホトレジスト膜２０８′を除去し、アルミニウム
等の金属でＰ散拡散層２０２と薄膜抵抗体２０９とにア
ルミニウム電極を形成すれば本発明の一実施例による薄
膜抵抗装置が完成する。
等の金属でＰ散拡散層２０２と薄膜抵抗体２０９とにア
ルミニウム電極を形成すれば本発明の一実施例による薄
膜抵抗装置が完成する。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明按よれば、コンタクト上の
涜化膜を除去するための１つのホトレジスト工程は完全
に不要とな）プロセスの簡略化が達成でき、プロセス簡
略化による多くの効果が得られる。
涜化膜を除去するための１つのホトレジスト工程は完全
に不要とな）プロセスの簡略化が達成でき、プロセス簡
略化による多くの効果が得られる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は従来の薄膜抵抗装置の製造方法
を説明するため工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜
（ｄ）は本発明の一実施例を説明するために工程順に示
した断面図である。 １０１．２０１・・・・・・Ｎ型半導体基板、１０２゜
２０２・・・・・・Ｐ型拡散層、１０３，２０３・・・
・・・熱酸化膜、１０４，２０４・・・・・・第１のコ
ンタクト用窓。 １０５．２０５・・・・・・コンタクト上の熱酸化膜、
１１０６．２０６・・・・・・気相成長窒化膜、１．０
７，２２０７・・・・・・第２のコンタクト用窓、１０
８． ２０８・・・・・・薄膜抵抗形成用ボトレジス）
、２０８’・・・・・・熱処理によってパターン崩れを
生じたホトレジス）、１０９，２０９・・・・・・薄膜
抵抗体、１１０・・川・第２のコンタクト用窓をあける
為のホトレジスト。 代理人 弁５１士 内 原 音 ｈ／閃
を説明するため工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜
（ｄ）は本発明の一実施例を説明するために工程順に示
した断面図である。 １０１．２０１・・・・・・Ｎ型半導体基板、１０２゜
２０２・・・・・・Ｐ型拡散層、１０３，２０３・・・
・・・熱酸化膜、１０４，２０４・・・・・・第１のコ
ンタクト用窓。 １０５．２０５・・・・・・コンタクト上の熱酸化膜、
１１０６．２０６・・・・・・気相成長窒化膜、１．０
７，２２０７・・・・・・第２のコンタクト用窓、１０
８． ２０８・・・・・・薄膜抵抗形成用ボトレジス）
、２０８’・・・・・・熱処理によってパターン崩れを
生じたホトレジス）、１０９，２０９・・・・・・薄膜
抵抗体、１１０・・川・第２のコンタクト用窓をあける
為のホトレジスト。 代理人 弁５１士 内 原 音 ｈ／閃
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板上に第１の酸化膜を形成する工程
と、該第１の酸化膜の第１の所定領域を開孔する工程と
、該第１の所定領域に第２の酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板上に気相成長窒化膜を成長させる工程と
、前記第１の所定領域に包括された第２の所定領域に位
置する前記気相成長窒化膜を除去する工程と、前記半導
体基板上に薄膜を形成する工程と、該薄膜の第３の所定
領域上にフォトレジストを形成する工程と、該ホトレジ
ストを熱処理し前記薄膜の第３の所定領域の側面をも覆
う工程と、前記第２の所定領域に位置する前記第２の酸
化膜を除去する工程とを有することを特徴とする薄膜抵
抗装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311584A JPS60226160A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311584A JPS60226160A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226160A true JPS60226160A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13793201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8311584A Pending JPS60226160A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11034543B2 (en) | 2012-04-24 | 2021-06-15 | Curt G. Joa, Inc. | Apparatus and method for applying parallel flared elastics to disposable products and disposable products containing parallel flared elastics |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8311584A patent/JPS60226160A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11034543B2 (en) | 2012-04-24 | 2021-06-15 | Curt G. Joa, Inc. | Apparatus and method for applying parallel flared elastics to disposable products and disposable products containing parallel flared elastics |
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