JPS6262041B2 - - Google Patents
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- JPS6262041B2 JPS6262041B2 JP55109416A JP10941680A JPS6262041B2 JP S6262041 B2 JPS6262041 B2 JP S6262041B2 JP 55109416 A JP55109416 A JP 55109416A JP 10941680 A JP10941680 A JP 10941680A JP S6262041 B2 JPS6262041 B2 JP S6262041B2
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- pattern
- film
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、白金膜測温抵抗体の薄膜形成と抵抗
パターンの製造法に関するものである。
パターンの製造法に関するものである。
一般に、白金薄膜抵抗体の製造は、セラミツク
基板、ガラス基板、シリコンウエハー等の基体上
全面に白金膜を形成した後に、熱酸等によるエツ
チング加工でパターンを形成する方法が一般的に
行われている。しかし、白金は周知のようにきわ
めて安定な物質であり、膜厚が厚くなるとフオト
レジスト等の保護膜が高温度の熱酸に剥れやすい
ために、エツチングにより白金膜パターンが形成
されるより前に保護膜が剥れてしまい、必要な膜
厚の白金膜画像を得ることが困難である。そこ
で、第１の白金膜を基体上全面に堆積し、この上
にフオトレジスト等の保護膜パターンを形成した
後、電気メツキで必要な場所に第２の白金堆積膜
を作り、フオトレジスト等の保護膜の除去を行い
がその後全面エツチングにより必要な白金膜パタ
ーンを得る方法が、膜厚が厚い場合の白金膜パタ
ーンを得るために行われる一般的な方法である。
基板、ガラス基板、シリコンウエハー等の基体上
全面に白金膜を形成した後に、熱酸等によるエツ
チング加工でパターンを形成する方法が一般的に
行われている。しかし、白金は周知のようにきわ
めて安定な物質であり、膜厚が厚くなるとフオト
レジスト等の保護膜が高温度の熱酸に剥れやすい
ために、エツチングにより白金膜パターンが形成
されるより前に保護膜が剥れてしまい、必要な膜
厚の白金膜画像を得ることが困難である。そこ
で、第１の白金膜を基体上全面に堆積し、この上
にフオトレジスト等の保護膜パターンを形成した
後、電気メツキで必要な場所に第２の白金堆積膜
を作り、フオトレジスト等の保護膜の除去を行い
がその後全面エツチングにより必要な白金膜パタ
ーンを得る方法が、膜厚が厚い場合の白金膜パタ
ーンを得るために行われる一般的な方法である。
これを図面により説明すると、第１図ａ〜ｅが
白金膜パターンを得る工程を示している。同図ａ
では基体１上に数百Å程度の第１の白金膜２が堆
積してあり、同図ｂではフオトレジスト等の保護
膜３によりパターンを形成してある。同図ｃは電
気メツキにより必要な場所に第２の白金膜４が堆
積されている状態を示し、同図ｄでは保護膜が除
去されている。そして、同図ｅでは全面エツチン
グにより不必要部分の白金膜を除去し、必要な白
金膜パターンを得た状態を示している。
白金膜パターンを得る工程を示している。同図ａ
では基体１上に数百Å程度の第１の白金膜２が堆
積してあり、同図ｂではフオトレジスト等の保護
膜３によりパターンを形成してある。同図ｃは電
気メツキにより必要な場所に第２の白金膜４が堆
積されている状態を示し、同図ｄでは保護膜が除
去されている。そして、同図ｅでは全面エツチン
グにより不必要部分の白金膜を除去し、必要な白
金膜パターンを得た状態を示している。
この方法によると、最終のエツチング工程にお
いて得られた白金膜パターンもエツチングされて
おり、特性に悪影響を与えるという問題がある。
また、他の方法として白金膜を全面に堆積した
後、レーザトリミング等の方法でパターンを形成
することも行われている。しかし、この場合は必
要パターンが曲線を含むかあるいは直線だけであ
つても交叉角度が多岐であつたりすると、パター
ン形成が困難になるという問題を有している。
いて得られた白金膜パターンもエツチングされて
おり、特性に悪影響を与えるという問題がある。
また、他の方法として白金膜を全面に堆積した
後、レーザトリミング等の方法でパターンを形成
することも行われている。しかし、この場合は必
要パターンが曲線を含むかあるいは直線だけであ
つても交叉角度が多岐であつたりすると、パター
ン形成が困難になるという問題を有している。
本発明は、白金膜パターンで形成した白金膜測
温抵抗体の製造法に関するもので、必要なパター
ン上をエツチングすることなく、またレーザトリ
ミング等による後処理を不必要とすることを目的
とするものである。
温抵抗体の製造法に関するもので、必要なパター
ン上をエツチングすることなく、またレーザトリ
ミング等による後処理を不必要とすることを目的
とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説
明すると、第２図ａ〜ｄの順序で白金膜パターン
を形成する。まず、同図ａでは基体５上にフオト
レジスト６でパターンを形成してあり、同図ｂで
は蒸着、スパツタリング等の方法で数百Å程度の
第１の白金膜７を形成した状態を示している。同
図ｃはリフトオフ法によりフオトレジストおよび
不必要な白金膜を除去した状態を示している。同
図ｄは無電解メツキにより残された必要な部分の
第１の白金膜７上だけに第２の白金膜８を堆積
し、必要な膜厚の白金膜パターンを得た状態を示
している。
明すると、第２図ａ〜ｄの順序で白金膜パターン
を形成する。まず、同図ａでは基体５上にフオト
レジスト６でパターンを形成してあり、同図ｂで
は蒸着、スパツタリング等の方法で数百Å程度の
第１の白金膜７を形成した状態を示している。同
図ｃはリフトオフ法によりフオトレジストおよび
不必要な白金膜を除去した状態を示している。同
図ｄは無電解メツキにより残された必要な部分の
第１の白金膜７上だけに第２の白金膜８を堆積
し、必要な膜厚の白金膜パターンを得た状態を示
している。
ここで、第１の白金膜７の厚さを約700Å、第
２の白金膜８の厚さを約5000Åとし、抵抗値を
100Ωとした時の抵抗温度係数は3800ppm/℃
（125℃／25℃）であつた。
２の白金膜８の厚さを約5000Åとし、抵抗値を
100Ωとした時の抵抗温度係数は3800ppm/℃
（125℃／25℃）であつた。
第３図ａ〜ｅは本発明の他の実施例の工程を示
している。まず、同図ａでは基体９上にスパツタ
リング等の方法で、数百Å程度の第１の白金膜１
０を形成してある。同図ｂは第１の白金膜１０上
にフオトレジスト１１でパターンを形成した状態
を示し、同図ｃはエツチングにより不必要な部分
の白金膜を除去した状態を示している。同図ｄは
フオトレジストを除去した状態を示し、同図ｅは
残された必要な部分の第１の白金膜１０上だけに
無電解メツキにより第２の白金膜１２を堆積して
必要な膜厚の白金膜パターンを得た状態を示して
いる。
している。まず、同図ａでは基体９上にスパツタ
リング等の方法で、数百Å程度の第１の白金膜１
０を形成してある。同図ｂは第１の白金膜１０上
にフオトレジスト１１でパターンを形成した状態
を示し、同図ｃはエツチングにより不必要な部分
の白金膜を除去した状態を示している。同図ｄは
フオトレジストを除去した状態を示し、同図ｅは
残された必要な部分の第１の白金膜１０上だけに
無電解メツキにより第２の白金膜１２を堆積して
必要な膜厚の白金膜パターンを得た状態を示して
いる。
この本発明の方法によると、無電解メツキ終了
時点で必要膜厚でもつて必要パターンが得られ、
レーザトリミング等による修正が不必要であり、
また必要パターン上をエツチングすることもない
ために、良好な特性が得られるものである。
時点で必要膜厚でもつて必要パターンが得られ、
レーザトリミング等による修正が不必要であり、
また必要パターン上をエツチングすることもない
ために、良好な特性が得られるものである。
第１図ａ〜ｅは従来例における白金膜測温抵抗
体の製造工程を示す説明図、第２図ａ〜ｄおよび
第３図ａ〜ｅはそれぞれ本発明に係る白金膜測温
抵抗体の製造工程を示す説明図である。 ５，９……基体、７，１０……第１白金膜、
８，１２……第２白金膜。
体の製造工程を示す説明図、第２図ａ〜ｄおよび
第３図ａ〜ｅはそれぞれ本発明に係る白金膜測温
抵抗体の製造工程を示す説明図である。 ５，９……基体、７，１０……第１白金膜、
８，１２……第２白金膜。
Claims (1)
- １ 基体上全面に第１の白金膜パターンを形成し
た後、このパターン上に第２の白金膜を堆積した
ことを特徴とする白金膜測温抵抗体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10941680A JPS5734306A (en) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | Method of producing platinum film temperature measuring resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10941680A JPS5734306A (en) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | Method of producing platinum film temperature measuring resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734306A JPS5734306A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6262041B2 true JPS6262041B2 (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=14509689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10941680A Granted JPS5734306A (en) | 1980-08-09 | 1980-08-09 | Method of producing platinum film temperature measuring resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5734306A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435107U (ja) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547445Y2 (ja) * | 1987-01-12 | 1993-12-14 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3434940A (en) * | 1966-07-21 | 1969-03-25 | Mc Donnell Douglas Corp | Process for making thin-film temperature sensors |
| JPS5286150A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-18 | Hitachi Ltd | Method of forming pattern for thinnfilm resistors |
-
1980
- 1980-08-09 JP JP10941680A patent/JPS5734306A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3434940A (en) * | 1966-07-21 | 1969-03-25 | Mc Donnell Douglas Corp | Process for making thin-film temperature sensors |
| JPS5286150A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-18 | Hitachi Ltd | Method of forming pattern for thinnfilm resistors |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435107U (ja) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734306A (en) | 1982-02-24 |
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