JPS61272968A - 化合物半導体素子 - Google Patents
化合物半導体素子Info
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- JPS61272968A JPS61272968A JP60114222A JP11422285A JPS61272968A JP S61272968 A JPS61272968 A JP S61272968A JP 60114222 A JP60114222 A JP 60114222A JP 11422285 A JP11422285 A JP 11422285A JP S61272968 A JPS61272968 A JP S61272968A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は高速半導体素子又は発光又は受光素子として
使用される化合物半導体素子に関する。
使用される化合物半導体素子に関する。
金（Ａｕ）、インジウム（Ｉｎ）等の金属材料は容易に
半導体中に拡散して半導体の特性を劣化させる。
半導体中に拡散して半導体の特性を劣化させる。
このためＡｕやＩｎ等の金属を電極どする場合％Ａｕや
Ｉｎ等の金属の拡散の障壁となる金ａｔ−，半導体とＡ
ｕやＩｎ等の金属層との間に被着する必要がある。
Ｉｎ等の金属の拡散の障壁となる金ａｔ−，半導体とＡ
ｕやＩｎ等の金属層との間に被着する必要がある。
従来のシリコンを用いた半導体では、ニッケル（Ｎｉ）
又は白金（Ｐｔ）が障壁用金属として用いられてきた。
又は白金（Ｐｔ）が障壁用金属として用いられてきた。
しかし、Ｎｉ 、Ｐｔは高融点金属であるため、電子ビ
ーム蒸着か、スパッタ法でしか実用的な被着法がなかつ
友。ところで、熱的に不安定で。
ーム蒸着か、スパッタ法でしか実用的な被着法がなかつ
友。ところで、熱的に不安定で。
酸又はアルカリに弱いものが多い化合物半導体において
は、電子ビーム蒸着法では蒸着時に入る酸化膜中の損傷
を回復できない、スパッタ法ではリフトオフ法が使えず
エツチングでしかパターンが形成できないという欠点が
あるため、Ｎｉ、Ｐｔは使用できない場合が多かった。
は、電子ビーム蒸着法では蒸着時に入る酸化膜中の損傷
を回復できない、スパッタ法ではリフトオフ法が使えず
エツチングでしかパターンが形成できないという欠点が
あるため、Ｎｉ、Ｐｔは使用できない場合が多かった。
また、これ以外のチタニウム（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）
ではＡｕ、Ｉｎに対、する障壁効果が少なく％ １００
℃以下でしか、金属被着後のプロセスが行なえないとい
う欠点があった。
ではＡｕ、Ｉｎに対、する障壁効果が少なく％ １００
℃以下でしか、金属被着後のプロセスが行なえないとい
う欠点があった。
本発明は上記の欠点を解決し、リフトオフ法で抵抗加熱
性蒸着ができ、しかもＡｕ等の半導体中に深い準位を形
成する金属の拡散を防ぐことのできる金ｍｔ−半導体素
゛子に被着可能とした化合物半導体素子を提供するもの
である。
性蒸着ができ、しかもＡｕ等の半導体中に深い準位を形
成する金属の拡散を防ぐことのできる金ｍｔ−半導体素
゛子に被着可能とした化合物半導体素子を提供するもの
である。
本発明は高純度ニッケルクロム合金を、半導体基板とＡ
ｕ等の金！Ｆ４Ｗｊとの間に設け、抵抗加熱蒸着法等で
も容易に形成可能とした化合物半導体素子である。
ｕ等の金！Ｆ４Ｗｊとの間に設け、抵抗加熱蒸着法等で
も容易に形成可能とした化合物半導体素子である。
本発明によ５Ａｕ、Ｉｎ等の半導体特性及びダイオード
特性劣化を起こす金属の拡散が防げ、半導体装置の従来
より高温での製作、使用が可能と々った。
特性劣化を起こす金属の拡散が防げ、半導体装置の従来
より高温での製作、使用が可能と々った。
第１図は本発明を用いたダイオードの断面図である。ア
ンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）基板上にＺｎを拡散
し、ＰＩＦｊｔ形成した後、低温ＣＶＤ法にてＳ ｉ
０２膜を形成した。その後５ｉｏ２膜をエツチングし、
しかる後、ポジ形レジストを用い、リフトオフ法にてＮ
ｌとＣｒの比が８０チ及び２０チのニッケルークロム合
金ｆ Ａ ｕ ｆ抵抗加熱蒸着し、電極を形成した。こ
の後２００℃で１時間加熱し九後のダイオード特性ｔ−
調べた結果、第２図の曲線２１のようになった。尚比較
の尭為に従来のクロム及び金を用いて電極を形成し、そ
の後２００℃で１時間加熱した後のダイオード特性（２
々を第２図に合せて記載し友、この第２図からである。
ンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）基板上にＺｎを拡散
し、ＰＩＦｊｔ形成した後、低温ＣＶＤ法にてＳ ｉ
０２膜を形成した。その後５ｉｏ２膜をエツチングし、
しかる後、ポジ形レジストを用い、リフトオフ法にてＮ
ｌとＣｒの比が８０チ及び２０チのニッケルークロム合
金ｆ Ａ ｕ ｆ抵抗加熱蒸着し、電極を形成した。こ
の後２００℃で１時間加熱し九後のダイオード特性ｔ−
調べた結果、第２図の曲線２１のようになった。尚比較
の尭為に従来のクロム及び金を用いて電極を形成し、そ
の後２００℃で１時間加熱した後のダイオード特性（２
々を第２図に合せて記載し友、この第２図からである。
本発明のダイオードの対熱性が向上したことが判る。
ニッケルクロム合金は実施例に示す様な基板に直接接触
する必要はな（、Ｃｒ等を第一層目に蒸着した上に蒸着
してもよい５また。ニッケルクロム合金上にはＡ ｔ＋
だけでなく、ＴＩ等を蒸着した後ＡＵＬを被着しても良
い、また、本発明における最上層の金［層はＡｕ以外％
Ｔｎ、Ａｔ等の金属にも有効である。
する必要はな（、Ｃｒ等を第一層目に蒸着した上に蒸着
してもよい５また。ニッケルクロム合金上にはＡ ｔ＋
だけでなく、ＴＩ等を蒸着した後ＡＵＬを被着しても良
い、また、本発明における最上層の金［層はＡｕ以外％
Ｔｎ、Ａｔ等の金属にも有効である。
第１図はこの発明を用い念ダイオードの断面図、第２図
は２０００でベークしたときの従来法と、本発明のダイ
オード特性を示し九図である。 １１・・・ｎ形Ｉｎ８ｂ基板％ １２・・・Ｐ領域、１
３・・・ニッケルクロム合金層、１４・・・Ａｕ層、１
５・・・Ｓ ｉ ０２膜。
は２０００でベークしたときの従来法と、本発明のダイ
オード特性を示し九図である。 １１・・・ｎ形Ｉｎ８ｂ基板％ １２・・・Ｐ領域、１
３・・・ニッケルクロム合金層、１４・・・Ａｕ層、１
５・・・Ｓ ｉ ０２膜。
Claims (1)
- 化合物半導体を用いた半導体素子において、ダイオード
上に接する金属層としてニクロム層を用い、そのニクロ
ム層を含む多層膜を電極とすることを特徴とする化合物
半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114222A JPS61272968A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114222A JPS61272968A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 化合物半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272968A true JPS61272968A (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=14632287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60114222A Pending JPS61272968A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 化合物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199681A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| DE10329364A1 (de) * | 2003-06-30 | 2005-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP60114222A patent/JPS61272968A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199681A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| DE10329364A1 (de) * | 2003-06-30 | 2005-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10329364B4 (de) * | 2003-06-30 | 2007-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
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