JPH03152974A - ショットキバリアダイオード - Google Patents
ショットキバリアダイオードInfo
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- JPH03152974A JPH03152974A JP29274989A JP29274989A JPH03152974A JP H03152974 A JPH03152974 A JP H03152974A JP 29274989 A JP29274989 A JP 29274989A JP 29274989 A JP29274989 A JP 29274989A JP H03152974 A JPH03152974 A JP H03152974A
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- barrier
- alloy layer
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Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000796 S alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシヨ・ソトキバリアダイオードに関し、特に高
周波帯の微少信号の検波等に最適な障壁電位の低いショ
ットキバリアダイオード（以下、ローバリアシコツ１〜
キダイオードと呼ぶ）に関する。
周波帯の微少信号の検波等に最適な障壁電位の低いショ
ットキバリアダイオード（以下、ローバリアシコツ１〜
キダイオードと呼ぶ）に関する。
［、従来の技術〕
従来、この種のローバリアショットキダイオードは、第
３図に示ずようにｎ型低抵抗シリコン基板９」二に所定
の不純物濃度、厚さを有するｎ型エピタキシャル層１０
が形成されたシリコンウェハース上にシリコン酸化膜３
などによって所定の大きさのショットキ窓が形成され、
このショットキ窓で露出したシリコン表面にＴｉ薄膜を
蒸着等により形成した後、その上にへ！薄膜６等の電極
用金属を形成して構成され、最終的な熱工程を経てＴｉ
薄膜はＴｉショットキバリア金属層１１となる。
３図に示ずようにｎ型低抵抗シリコン基板９」二に所定
の不純物濃度、厚さを有するｎ型エピタキシャル層１０
が形成されたシリコンウェハース上にシリコン酸化膜３
などによって所定の大きさのショットキ窓が形成され、
このショットキ窓で露出したシリコン表面にＴｉ薄膜を
蒸着等により形成した後、その上にへ！薄膜６等の電極
用金属を形成して構成され、最終的な熱工程を経てＴｉ
薄膜はＴｉショットキバリア金属層１１となる。
このようなｒｌ型シリコンとＴｉショットキバリア金属
層１１の障壁電位は０．４．５ｅＶ稈度でローバリアシ
ョットキダイオードとして広く利用されている。
層１１の障壁電位は０．４．５ｅＶ稈度でローバリアシ
ョットキダイオードとして広く利用されている。
上述した従来のローバリアショットキダイオードは、シ
リコン表面に直接ＴＩを付着しているために、シリコン
表面の清浄度等により、その電流電圧特性のばらつきが
大きいという欠点を有していた。
リコン表面に直接ＴＩを付着しているために、シリコン
表面の清浄度等により、その電流電圧特性のばらつきが
大きいという欠点を有していた。
また、Ｔｉとｎ型シリコンとは４００〜４５０℃という
比較的低い温度で合金化が進み、ＴｉＳｉ合金層とｎ型
シリコンとの界面で新たな障壁が形成されるため障壁電
位が高くなる（通常、Ｔｉ５ｉ−ｎ型シリコンの障壁電
位は０．５５〜０．６ｅＶ程度になる）という欠点を有
している。
比較的低い温度で合金化が進み、ＴｉＳｉ合金層とｎ型
シリコンとの界面で新たな障壁が形成されるため障壁電
位が高くなる（通常、Ｔｉ５ｉ−ｎ型シリコンの障壁電
位は０．５５〜０．６ｅＶ程度になる）という欠点を有
している。
〔課題を解決するための手段１
本発明のローバリアショットキダイオードは、ｐ型低抵
抗シリコン基板上に所定の不純物濃度。
抗シリコン基板上に所定の不純物濃度。
厚さを有するｐ型エピタキシャル層が形成されたシリコ
ンウェハースにおいて、所定のショットキ障壁を形成す
るための絶縁膜例えばシリコン酸化膜によりショットキ
窓を有し、Ｔａ蒸着および熱処理によりショットキ窓部
分に形成されたＴａＳｉ合金層およびＴ ａ Ｓ ｉ合
金層上に所定の大きさに形成された少なくともＴ１を含
む金属層とから構成された電極を有している。
ンウェハースにおいて、所定のショットキ障壁を形成す
るための絶縁膜例えばシリコン酸化膜によりショットキ
窓を有し、Ｔａ蒸着および熱処理によりショットキ窓部
分に形成されたＴａＳｉ合金層およびＴ ａ Ｓ ｉ合
金層上に所定の大きさに形成された少なくともＴ１を含
む金属層とから構成された電極を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。ｐ型低
抵抗シリコン基板１上に所定の濃度と厚さを有するｐ型
エピタキシャル層２が形成されたシリコンウェハースに
所定の厚さの絶縁膜例えばシリコン酸化膜３を形成する
。
抵抗シリコン基板１上に所定の濃度と厚さを有するｐ型
エピタキシャル層２が形成されたシリコンウェハースに
所定の厚さの絶縁膜例えばシリコン酸化膜３を形成する
。
その後、所定の大きさのショットキ窓をシリコン酸化膜
３のエツチングにより形成し、１０００〜１５００人の
Ｔａを蒸着により付着した後、６００〜６５０℃の温度
にて熱処理を施す。この時、Ｔａとシリコンが接触して
いるショットキ窓の部分がＴ ａ Ｓ ｉ合金層４とし
て形成される。
３のエツチングにより形成し、１０００〜１５００人の
Ｔａを蒸着により付着した後、６００〜６５０℃の温度
にて熱処理を施す。この時、Ｔａとシリコンが接触して
いるショットキ窓の部分がＴ ａ Ｓ ｉ合金層４とし
て形成される。
その後、シリコン酸化膜３上のＴａをエツチング除去し
、合金層４上に密着の良好なＴｉ薄膜５、さらにその」
二にボンディング用のＡｐ薄膜６を形成し、電極を構成
する。
、合金層４上に密着の良好なＴｉ薄膜５、さらにその」
二にボンディング用のＡｐ薄膜６を形成し、電極を構成
する。
この時、熱処理によって形成されたＴａＳｉ合金層４が
新しいシリコン界面でショットキバリアを形成するため
、′Ｆａ Ｓ ｉとｎ型シリコンの障壁を持ったローバ
リアシコツ１−キダイオードか形成される。通常、Ｔａ
Ｓｉとｎ型シリコンの障壁は、０．４５ｅＶである。
新しいシリコン界面でショットキバリアを形成するため
、′Ｆａ Ｓ ｉとｎ型シリコンの障壁を持ったローバ
リアシコツ１−キダイオードか形成される。通常、Ｔａ
Ｓｉとｎ型シリコンの障壁は、０．４５ｅＶである。
第２図は第２の実施例の断面図であり、ガラス封止型パ
ッケージに用いるバンブ電極を有したチ・ツブに適用し
た例である。
ッケージに用いるバンブ電極を有したチ・ツブに適用し
た例である。
第１の実施例と同様に形成されたＴ ａ Ｓ ＋合金層
４上に、所定の大きさのＴｉ薄膜５およびＡ ｕ薄膜７
を蒸着等で形成した後、この上に部分メツキ法によりＡ
ｇバンプ８を形成し、バンブ電極を構成したものである
。
４上に、所定の大きさのＴｉ薄膜５およびＡ ｕ薄膜７
を蒸着等で形成した後、この上に部分メツキ法によりＡ
ｇバンプ８を形成し、バンブ電極を構成したものである
。
通常、ガラス封止型パッケージは、封止工程で６００〜
６５０℃という高温が必要である。このことから、従来
のＴｉ−ｎ型シリコンショットキダイオードのように耐
熱性に弱いものは、低価格のガラス封止型パッケージを
使用出来なかったが、本実施例のＴａＳ ｉ−ｎ型シリ
コンショッ１〜キダイオードは、６００〜６５０℃でＴ
ａ Ｓ ｉ合金層を形成しているため、十分ガラス封
止温度に耐えることが可能となり、低価格なローバリア
シジブ１〜キダイオードを供給することが可能となる。
６５０℃という高温が必要である。このことから、従来
のＴｉ−ｎ型シリコンショットキダイオードのように耐
熱性に弱いものは、低価格のガラス封止型パッケージを
使用出来なかったが、本実施例のＴａＳ ｉ−ｎ型シリ
コンショッ１〜キダイオードは、６００〜６５０℃でＴ
ａ Ｓ ｉ合金層を形成しているため、十分ガラス封
止温度に耐えることが可能となり、低価格なローバリア
シジブ１〜キダイオードを供給することが可能となる。
以上説明したように本発明は、ｐ型シリコン上に付着さ
せたＴ ａ Ｓ を合金層をショットキバリア金属とし
て使用することにより、シリコンとショットキバリア金
属との界面を初期のシリコン表面より深いところに形成
するため、非常に特性の安定したショットキバリアを形
成することが出来る。
せたＴ ａ Ｓ を合金層をショットキバリア金属とし
て使用することにより、シリコンとショットキバリア金
属との界面を初期のシリコン表面より深いところに形成
するため、非常に特性の安定したショットキバリアを形
成することが出来る。
また、Ｔ ａ Ｓ ｉ合金層は６００〜６５０℃という
高温で形成されることから、従来に比べ耐熱性を大きく
改善できるという効果がある。
高温で形成されることから、従来に比べ耐熱性を大きく
改善できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本発明のローバリアショツＩ・キダイ
オードの第１．第２の実施例の断面図、第３図は従来の
ローバリアショッＩ−キダイオードの断面図である。 １・・・ｎ型低抵抗シリコン基板、２・・・ｎ型エピタ
キシャル層、３・・・シリコン酸１ヒ膜、４・・・Ｔ
：＋、 Ｓ ｉ合金層、５・・・Ｔｉ薄膜、６・・・Ａ
ｅ薄膜、７・・・Ａ ＩＪ薄膜、８・・・Ａｇバンプ、
９・・・ｎ型低抵抗シリコン基板、１０・・ｎ型エピタ
キシャル層、１１ ・Ｔｉショットキバリア金属層。
オードの第１．第２の実施例の断面図、第３図は従来の
ローバリアショッＩ−キダイオードの断面図である。 １・・・ｎ型低抵抗シリコン基板、２・・・ｎ型エピタ
キシャル層、３・・・シリコン酸１ヒ膜、４・・・Ｔ
：＋、 Ｓ ｉ合金層、５・・・Ｔｉ薄膜、６・・・Ａ
ｅ薄膜、７・・・Ａ ＩＪ薄膜、８・・・Ａｇバンプ、
９・・・ｎ型低抵抗シリコン基板、１０・・ｎ型エピタ
キシャル層、１１ ・Ｔｉショットキバリア金属層。
Claims (1)
- ｐ型低抵抗シリコン基板上に所定の不純物濃度、厚さ
を有するｐ型エピタキシャル層が形成されたシリコンウ
ェハースにおいて、所定のショットキ障壁を形成するた
めの絶縁膜によりショットキ窓を有し、Ｔａ蒸着および
熱処理により前記ショットキ窓部分に形成されたＴａＳ
ｉ合金層および前記ＴａＳｉ合金層上に所定の大きさに
形成された少なくともＴｉを含む金属層から構成された
電極を有することを特徴とするショットキバリアダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29274989A JPH03152974A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ショットキバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29274989A JPH03152974A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ショットキバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152974A true JPH03152974A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17785839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29274989A Pending JPH03152974A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ショットキバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03152974A (ja) |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP29274989A patent/JPH03152974A/ja active Pending
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