JPH10125936A - ショットキーバリア半導体装置およびその製法 - Google Patents
ショットキーバリア半導体装置およびその製法Info
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- JPH10125936A JPH10125936A JP27919996A JP27919996A JPH10125936A JP H10125936 A JPH10125936 A JP H10125936A JP 27919996 A JP27919996 A JP 27919996A JP 27919996 A JP27919996 A JP 27919996A JP H10125936 A JPH10125936 A JP H10125936A
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ショットキーバリアを形成する実用的な金属
材料が限定されていても、その金属材料の固有の障壁値
と異なる障壁値を有するショットキーバリア半導体装置
およびその製法を提供する。 【解決手段】 半導体層２の表面に該半導体層と接触し
てショットキーバリアを形成する金属層３が設けられて
なるショットキーバリア半導体装置であって、前記半導
体層２と金属層３との接触面に凹凸部２ａが形成されて
いる。
材料が限定されていても、その金属材料の固有の障壁値
と異なる障壁値を有するショットキーバリア半導体装置
およびその製法を提供する。 【解決手段】 半導体層２の表面に該半導体層と接触し
てショットキーバリアを形成する金属層３が設けられて
なるショットキーバリア半導体装置であって、前記半導
体層２と金属層３との接触面に凹凸部２ａが形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板上の動作
層とする半導体層上にショットキーバリアを形成する金
属層が設けられるショットキーバリア半導体装置および
その製法に関する。さらに詳しくは、金属層が接する半
導体層の表面状態を変化させることにより、その金属材
料により一義的に定まる障壁値と異ならせた障壁値を有
するショットキーバリア半導体装置およびその製法に関
する。
層とする半導体層上にショットキーバリアを形成する金
属層が設けられるショットキーバリア半導体装置および
その製法に関する。さらに詳しくは、金属層が接する半
導体層の表面状態を変化させることにより、その金属材
料により一義的に定まる障壁値と異ならせた障壁値を有
するショットキーバリア半導体装置およびその製法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ショットキーバリアダイオード（以下、
ＳＢＤという）は、スイッチング特性が高速で、順方向
損失が小さいため、高周波用の整流回路に広く用いられ
ている。従来のＳＢＤは、たとえば図３（ａ）〜（ｂ）
に断面説明図およびその平面説明図がそれぞれ示される
ような構造になっている。
ＳＢＤという）は、スイッチング特性が高速で、順方向
損失が小さいため、高周波用の整流回路に広く用いられ
ている。従来のＳＢＤは、たとえば図３（ａ）〜（ｂ）
に断面説明図およびその平面説明図がそれぞれ示される
ような構造になっている。
【０００３】すなわち、図３において、１はたとえばシ
リコンなどからなるｎ+ 型の半導体基板で、２は半導体
基板１の上にエピタキシャル成長された、たとえばｎ-
型の動作層となる半導体層、３はモリブデン（Ｍｏ）な
どからなり、ショットキーバリアを形成する金属層、４
は金属層３の外周近傍の半導体層２の表面側にｐ型ドー
パントが拡散されて、ショットキー接合の周辺部での耐
圧を向上させるために形成されたガードリングである。
５は半導体層２の表面に熱酸化法またはＣＶＤ法などに
より形成された、たとえばＳｉＯ2 などからなる絶縁膜
である。金属層３は図３（ｂ）に平面図が示されるよう
に、周囲が絶縁膜５の上にかかるように、半導体層２の
表面の動作領域の全面に一様に設けられている。
リコンなどからなるｎ+ 型の半導体基板で、２は半導体
基板１の上にエピタキシャル成長された、たとえばｎ-
型の動作層となる半導体層、３はモリブデン（Ｍｏ）な
どからなり、ショットキーバリアを形成する金属層、４
は金属層３の外周近傍の半導体層２の表面側にｐ型ドー
パントが拡散されて、ショットキー接合の周辺部での耐
圧を向上させるために形成されたガードリングである。
５は半導体層２の表面に熱酸化法またはＣＶＤ法などに
より形成された、たとえばＳｉＯ2 などからなる絶縁膜
である。金属層３は図３（ｂ）に平面図が示されるよう
に、周囲が絶縁膜５の上にかかるように、半導体層２の
表面の動作領域の全面に一様に設けられている。
【０００４】この金属層３と半導体層２とのショットキ
ー接合により得られるＳＢＤの順方向電圧ＶF や逆方向
のリーク電流ＩR の特性は、金属材料と半導体層との固
有の障壁値φb により、図４に示されるように変化す
る。この種のショットキー接合を得るための金属材料と
しては、取扱い易さ、経済性、信頼性などの点からチタ
ン（Ｔｉ）とＭｏが実用的に用いられるが、このＴｉと
ｎ型シリコン半導体層との障壁値は０.６±０.０２ｅＶ
程度で、Ｍｏのそれは０.７±０.０２ｅＶ程度であり、
その中間の特性が要求される場合に適当な金属材料がな
く所望の特性のＳＢＤが得られない。すなわち、クロム
やタングステンなどの金属材料では、酸化しやすく、ま
たは脆くて製造工程中で割れやすいという問題があり、
実用的でない。
ー接合により得られるＳＢＤの順方向電圧ＶF や逆方向
のリーク電流ＩR の特性は、金属材料と半導体層との固
有の障壁値φb により、図４に示されるように変化す
る。この種のショットキー接合を得るための金属材料と
しては、取扱い易さ、経済性、信頼性などの点からチタ
ン（Ｔｉ）とＭｏが実用的に用いられるが、このＴｉと
ｎ型シリコン半導体層との障壁値は０.６±０.０２ｅＶ
程度で、Ｍｏのそれは０.７±０.０２ｅＶ程度であり、
その中間の特性が要求される場合に適当な金属材料がな
く所望の特性のＳＢＤが得られない。すなわち、クロム
やタングステンなどの金属材料では、酸化しやすく、ま
たは脆くて製造工程中で割れやすいという問題があり、
実用的でない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
ショットキーバリアを形成する実用的な金属材料として
は、取扱い易さや経済性などにより、ある程度限定さ
れ、そのショットキー特性もその材料により決まり、そ
の中間の特性のショットキーバリア半導体装置を得るこ
とができないという問題がある。
ショットキーバリアを形成する実用的な金属材料として
は、取扱い易さや経済性などにより、ある程度限定さ
れ、そのショットキー特性もその材料により決まり、そ
の中間の特性のショットキーバリア半導体装置を得るこ
とができないという問題がある。
【０００６】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、ショットキーバリアを形成する実用的
な金属材料が限定されていても、その金属材料の固有の
障壁値と異なる障壁値を有するショットキーバリア半導
体装置およびその製法を提供することを目的とする。
なされたもので、ショットキーバリアを形成する実用的
な金属材料が限定されていても、その金属材料の固有の
障壁値と異なる障壁値を有するショットキーバリア半導
体装置およびその製法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるショットキ
ーバリア半導体装置は、半導体層の表面に該半導体層と
接触してショットキーバリアを形成する金属層が設けら
れてなるショットキーバリア半導体装置であって、前記
金属層と接する半導体層の表面に凹凸部が形成されてい
る。
ーバリア半導体装置は、半導体層の表面に該半導体層と
接触してショットキーバリアを形成する金属層が設けら
れてなるショットキーバリア半導体装置であって、前記
金属層と接する半導体層の表面に凹凸部が形成されてい
る。
【０００８】この構造にすることにより、半導体層の金
属層と接する表面の結晶方位が不規則となり、両者間の
障壁値も不規則となるが、全体としての平均的な障壁値
は凹凸部が形成されることにより小さくなる。その結
果、同じ金属材料を使用しながら、本来の金属材料のシ
ョットキー特性と異なる特性のショットキーバリア半導
体装置が得られる。
属層と接する表面の結晶方位が不規則となり、両者間の
障壁値も不規則となるが、全体としての平均的な障壁値
は凹凸部が形成されることにより小さくなる。その結
果、同じ金属材料を使用しながら、本来の金属材料のシ
ョットキー特性と異なる特性のショットキーバリア半導
体装置が得られる。
【０００９】本発明のショットキーバリア半導体装置の
製法は、（ａ）第１導電型の半導体基板の表面に該半導
体基板より不純物濃度が低い第１導電型の半導体層を成
長し、（ｂ）該半導体層の動作領域外周部に第２導電型
の不純物を導入してガードリングを形成し、（ｃ）前記
半導体層の動作領域部の表面に化学エッチングなどの化
学処理またはサンドブラストなどの機械的処理により凹
凸部を形成し、（ｄ）該半導体層の動作領域の表面に前
記ガードリングにかかるようにショットキーバリアを形
成する金属層を設けることを特徴とする。
製法は、（ａ）第１導電型の半導体基板の表面に該半導
体基板より不純物濃度が低い第１導電型の半導体層を成
長し、（ｂ）該半導体層の動作領域外周部に第２導電型
の不純物を導入してガードリングを形成し、（ｃ）前記
半導体層の動作領域部の表面に化学エッチングなどの化
学処理またはサンドブラストなどの機械的処理により凹
凸部を形成し、（ｄ）該半導体層の動作領域の表面に前
記ガードリングにかかるようにショットキーバリアを形
成する金属層を設けることを特徴とする。
【００１０】この方法を用いることにより、所望の障壁
値を得る凹凸部を簡単に形成することができる。
値を得る凹凸部を簡単に形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明のショットキーバリア半導体装置およびその製法につ
いて説明をする。
明のショットキーバリア半導体装置およびその製法につ
いて説明をする。
【００１２】図１は本発明のショットキーバリア半導体
装置の一実施形態であるＳＢＤの断面説明図である。図
１において、１はたとえば不純物濃度が１×１０19程度
のｎ + 型のシリコンからなり、厚さがたとえば２００〜
２５０μｍ程度の半導体基板で、その上に動作層となる
不純物濃度がたとえば１×１０15程度のｎ- 型の半導体
層２が、たとえば４〜５μｍ程度の厚さに形成されてい
る。半導体層２の動作領域となる部分の外周部の表面に
ガードリング４とするｐ+ 型領域が２μｍ程度の深さに
設けられている。ガードリング４は、ショットキーバリ
アを形成する金属層３の周辺部での逆方向特性である耐
圧が中心部のそれに比して小さくなる現象があるため、
周辺部での耐圧を向上させるために形成されている。こ
のガードリング４が設けられることにより、ショットキ
ー接合周辺部での耐圧はガードリング４部のｐｎ接合に
より支配され、ｐｎ接合部での耐圧を強くすることによ
り、ショットキーバリア半導体装置の耐圧を強くするこ
とができる。
装置の一実施形態であるＳＢＤの断面説明図である。図
１において、１はたとえば不純物濃度が１×１０19程度
のｎ + 型のシリコンからなり、厚さがたとえば２００〜
２５０μｍ程度の半導体基板で、その上に動作層となる
不純物濃度がたとえば１×１０15程度のｎ- 型の半導体
層２が、たとえば４〜５μｍ程度の厚さに形成されてい
る。半導体層２の動作領域となる部分の外周部の表面に
ガードリング４とするｐ+ 型領域が２μｍ程度の深さに
設けられている。ガードリング４は、ショットキーバリ
アを形成する金属層３の周辺部での逆方向特性である耐
圧が中心部のそれに比して小さくなる現象があるため、
周辺部での耐圧を向上させるために形成されている。こ
のガードリング４が設けられることにより、ショットキ
ー接合周辺部での耐圧はガードリング４部のｐｎ接合に
より支配され、ｐｎ接合部での耐圧を強くすることによ
り、ショットキーバリア半導体装置の耐圧を強くするこ
とができる。
【００１３】本発明のＳＢＤにおいては、動作領域とな
る半導体層２の表面に凹凸部２ａが形成されている。そ
して、その凹凸部２ａが形成された表面にガードリング
４上にかかるように、チタン（Ｔｉ）またはモリブデン
（Ｍｏ）などの半導体層とショットキーバリア（ショッ
トキー接合）を形成する金属層３が設けられている。半
導体層２の表面に形成される凹凸は、その振幅がオング
ストロームのオーダで形成されており、たとえばＨＦ：
ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ＝６：４０：１００の混合液からなる
フッ酸液により３０秒程度の表面処理を行うことにより
得られる。また、このような化学処理の代りにサンドブ
ラストなどの機械的処理により前述の程度の凹凸が形成
されてもよい。この金属層３の表面には、通常のＳＢＤ
と同様に、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）など
のオーバーメタル（図示せず）が設けられ、半導体基板
１の裏面にも図示しないＮｉやＡｕなどからなる電極が
形成される。なお、５は絶縁膜である。
る半導体層２の表面に凹凸部２ａが形成されている。そ
して、その凹凸部２ａが形成された表面にガードリング
４上にかかるように、チタン（Ｔｉ）またはモリブデン
（Ｍｏ）などの半導体層とショットキーバリア（ショッ
トキー接合）を形成する金属層３が設けられている。半
導体層２の表面に形成される凹凸は、その振幅がオング
ストロームのオーダで形成されており、たとえばＨＦ：
ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ＝６：４０：１００の混合液からなる
フッ酸液により３０秒程度の表面処理を行うことにより
得られる。また、このような化学処理の代りにサンドブ
ラストなどの機械的処理により前述の程度の凹凸が形成
されてもよい。この金属層３の表面には、通常のＳＢＤ
と同様に、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）など
のオーバーメタル（図示せず）が設けられ、半導体基板
１の裏面にも図示しないＮｉやＡｕなどからなる電極が
形成される。なお、５は絶縁膜である。
【００１４】以上のように、本発明のショットキーバリ
ア半導体装置では、ショットキーバリアを形成する金属
層３が接触する半導体層２の表面に凹凸部２ａが形成さ
れ、半導体層２と金属層３との接触部が平坦面ではな
く、凸凹であることに特徴がある。
ア半導体装置では、ショットキーバリアを形成する金属
層３が接触する半導体層２の表面に凹凸部２ａが形成さ
れ、半導体層２と金属層３との接触部が平坦面ではな
く、凸凹であることに特徴がある。
【００１５】すなわち、本発明者はモリブデンよりも順
方向電圧が低くチタンよりも逆方向のリーク電流が小さ
い特性を有するＳＢＤを得るため、鋭意検討を重ねた結
果、金属層と接触する半導体層の表面に凹凸部を形成す
ることにより、金属層としてＭｏを使用し、前述のオン
グスロトロームオーダの凹凸部を形成した場合、その障
壁値が本来（平坦面のシリコン半導体層表面に形成され
た場合）の値０.７ｅＶから０.６６ｅＶ程度に低下する
ことを見出したものである。これは、一般に半導体層と
金属層との間に形成される障壁値は、相互の材料によっ
て変わるが、半導体材料の場合、その表面の（１００）
や（１１０）などの結晶方位によっても障壁値が変化す
ることが知られており、表面が凹凸にされることによ
り、種々の結晶方位が現れ、種々変化した障壁値の平均
値として作用すると考えられる。したがって、この凹凸
の粗さにより障壁値の変化の仕方が異なり、凹凸の粗さ
により所望の障壁値に制御することができる。たとえ
ば、表面粗さを１０ｎｍ程度にすれば前述のＭｏの障壁
値が０.６ｅＶ程度になり、表面粗さが１００ｎｍ程度
であれば、０.５８ｅＶ程度になった。
方向電圧が低くチタンよりも逆方向のリーク電流が小さ
い特性を有するＳＢＤを得るため、鋭意検討を重ねた結
果、金属層と接触する半導体層の表面に凹凸部を形成す
ることにより、金属層としてＭｏを使用し、前述のオン
グスロトロームオーダの凹凸部を形成した場合、その障
壁値が本来（平坦面のシリコン半導体層表面に形成され
た場合）の値０.７ｅＶから０.６６ｅＶ程度に低下する
ことを見出したものである。これは、一般に半導体層と
金属層との間に形成される障壁値は、相互の材料によっ
て変わるが、半導体材料の場合、その表面の（１００）
や（１１０）などの結晶方位によっても障壁値が変化す
ることが知られており、表面が凹凸にされることによ
り、種々の結晶方位が現れ、種々変化した障壁値の平均
値として作用すると考えられる。したがって、この凹凸
の粗さにより障壁値の変化の仕方が異なり、凹凸の粗さ
により所望の障壁値に制御することができる。たとえ
ば、表面粗さを１０ｎｍ程度にすれば前述のＭｏの障壁
値が０.６ｅＶ程度になり、表面粗さが１００ｎｍ程度
であれば、０.５８ｅＶ程度になった。
【００１６】前述の凹凸による障壁値の変化は、金属材
料がＭｏではなく、Ｔｉの場合でも同様に凹凸部が形成
されることにより低くなり、Ｔｉより低い障壁値のショ
ットキーバリア半導体装置を得ることができる。
料がＭｏではなく、Ｔｉの場合でも同様に凹凸部が形成
されることにより低くなり、Ｔｉより低い障壁値のショ
ットキーバリア半導体装置を得ることができる。
【００１７】つぎに、このＳＢＤの製法について、図２
を参照しながら説明をする。
を参照しながら説明をする。
【００１８】まず、図２（ａ）に示されるように、不純
物濃度が１×１０19程度と高く、厚さが５００μｍ程度
のｎ型の半導体基板１の表面に不純物濃度が１×１０14
〜１×１０16程度のｎ- 型半導体層２を４〜５μｍ程度
エピタキシャル成長して堆積する。その後、熱酸化法な
どにより動作領域の外周部に開口部を有するマスク１１
を形成し、ボロンなどのｐ型不純物をたとえば１１８０
℃程度で１〜５時間程度拡散しガードリング４を形成す
る。
物濃度が１×１０19程度と高く、厚さが５００μｍ程度
のｎ型の半導体基板１の表面に不純物濃度が１×１０14
〜１×１０16程度のｎ- 型半導体層２を４〜５μｍ程度
エピタキシャル成長して堆積する。その後、熱酸化法な
どにより動作領域の外周部に開口部を有するマスク１１
を形成し、ボロンなどのｐ型不純物をたとえば１１８０
℃程度で１〜５時間程度拡散しガードリング４を形成す
る。
【００１９】つぎに、図２（ｂ）に示されるように、動
作領域の半導体層２およびガードリング４の一部が露出
するように、絶縁膜５をパターニングし、ＨＦ：ＨＮＯ
3 ：Ｈ2 Ｏ＝６：４０：１００の割合で調製された処理
液により半導体層２の露出した表面に３０秒程度の化学
処理をする。その結果、半導体層２の表面にオングスト
ロームオーダの凹凸部２ａが形成される。なお、この凹
凸部２ａの形成は、処理液による化学処理に限定される
ものではなく、サンドブラストなどの機械的処理によっ
て形成してもよい。
作領域の半導体層２およびガードリング４の一部が露出
するように、絶縁膜５をパターニングし、ＨＦ：ＨＮＯ
3 ：Ｈ2 Ｏ＝６：４０：１００の割合で調製された処理
液により半導体層２の露出した表面に３０秒程度の化学
処理をする。その結果、半導体層２の表面にオングスト
ロームオーダの凹凸部２ａが形成される。なお、この凹
凸部２ａの形成は、処理液による化学処理に限定される
ものではなく、サンドブラストなどの機械的処理によっ
て形成してもよい。
【００２０】つぎに、全面にＭｏなどのショットキーバ
リアを形成する金属層３を、たとえば真空蒸着により、
０.０１〜１μｍ程度成膜し、絶縁膜５の表面にかかる
ようにパターニングすることにより、図１に示されるよ
うな断面構造のＳＢＤが得られる。その後、図示されな
いＡｇまたはＡｌを真空蒸着などにより金属層３の表面
に成膜し、また半導体基板１の裏面にＡｕまたはＮｉな
どの電極材料を蒸着し各チップにダイシングすることに
より、ＳＢＤのチップが形成される。
リアを形成する金属層３を、たとえば真空蒸着により、
０.０１〜１μｍ程度成膜し、絶縁膜５の表面にかかる
ようにパターニングすることにより、図１に示されるよ
うな断面構造のＳＢＤが得られる。その後、図示されな
いＡｇまたはＡｌを真空蒸着などにより金属層３の表面
に成膜し、また半導体基板１の裏面にＡｕまたはＮｉな
どの電極材料を蒸着し各チップにダイシングすることに
より、ＳＢＤのチップが形成される。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ショットキーバリアを
形成する金属層と接する半導体層の表面に凹凸部が設け
られているため、本来のその金属層の障壁値より低い障
壁値が得られ、ショットキーバリアを形成する金属材料
として実用的な材料を使用しても、その材料より小さい
順方向電圧特性のショットキー特性が得られる。
形成する金属層と接する半導体層の表面に凹凸部が設け
られているため、本来のその金属層の障壁値より低い障
壁値が得られ、ショットキーバリアを形成する金属材料
として実用的な材料を使用しても、その材料より小さい
順方向電圧特性のショットキー特性が得られる。
【００２２】また、その凹凸の程度を制御することによ
り、限られた材料でも所望の特性が得られ、白金のよう
な高価な金属材料を使用しなくて、しかも酸化しにく
く、応力にも強くて扱いやすい金属材料を使用しながら
所望のショットキー特性が得られ、安価で信頼性の高い
高性能のショットキーバリア半導体装置が得られる。
り、限られた材料でも所望の特性が得られ、白金のよう
な高価な金属材料を使用しなくて、しかも酸化しにく
く、応力にも強くて扱いやすい金属材料を使用しながら
所望のショットキー特性が得られ、安価で信頼性の高い
高性能のショットキーバリア半導体装置が得られる。
【図１】本発明のショットキーバリア半導体装置の一実
施形態の説明図である。
施形態の説明図である。
【図２】図１の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図３】従来のショットキーバリア半導体装置の説明図
である。
である。
【図４】半導体層と金属層との間の障壁値と順方向電圧
ＶF および逆方向のリーク電流ＩR との関係図である。
ＶF および逆方向のリーク電流ＩR との関係図である。
１ 半導体基板 ２ 半導体層 ２ａ 凹凸部 ３ 金属層 ４ ガードリング
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体層の表面に該半導体層と接触して
ショットキーバリアを形成する金属層が設けられてなる
ショットキーバリア半導体装置であって、前記金属層と
接っする半導体層の表面に凹凸部が形成されてなるショ
ットキーバリア半導体装置。 - 【請求項２】 （ａ）第１導電型の半導体基板の表面に
該半導体基板より不純物濃度が低い第１導電型の半導体
層を成長し、（ｂ）該半導体層の動作領域外周部に第２
導電型の不純物を導入してガードリングを形成し、
（ｃ）前記半導体層の動作領域部の表面に化学処理によ
り凹凸部を形成し、（ｄ）該半導体層の動作領域の表面
に前記ガードリングにかかるようにショットキーバリア
を形成する金属層を設けることを特徴とするショットキ
ーバリア半導体装置の製法。 - 【請求項３】 請求項２記載のショットキーバリア半導
体装置の製法において、（ｃ）の凹凸形成工程を機械的
処理により行うショットキーバリア半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27919996A JPH10125936A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | ショットキーバリア半導体装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27919996A JPH10125936A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | ショットキーバリア半導体装置およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125936A true JPH10125936A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17607823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27919996A Pending JPH10125936A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | ショットキーバリア半導体装置およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125936A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2785091A1 (fr) * | 1998-09-01 | 2000-04-28 | Int Rectifier Corp | Diode de schottky |
| KR100317604B1 (ko) * | 1999-06-01 | 2001-12-22 | 곽정소 | 쇼트키 베리어 다이오드 및 그 제조방법 |
| WO2007077884A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Takashi Suzuki | 電子の波動・粒子の二重性に基づいて設計された配線構造及び電子デバイス |
| JP2015216196A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018046250A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | ダイオードの製造方法 |
| JP2022028867A (ja) * | 2012-06-06 | 2022-02-16 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-10-22 JP JP27919996A patent/JPH10125936A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPWO2007077884A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2009-06-11 | 鈴木 隆史 | 電子の波動・粒子の二重性に基づいて設計された配線構造及び電子デバイス |
| US8253246B2 (en) | 2005-12-28 | 2012-08-28 | Takashi Suzuki | Wiring structure and electronic device designed on basis of electron wave-particle duality |
| JP2022028867A (ja) * | 2012-06-06 | 2022-02-16 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US11610970B2 (en) | 2012-06-06 | 2023-03-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having a junction portion contacting a Schottky metal |
| JP2015216196A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2018046250A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | ダイオードの製造方法 |
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