JPH04223367A - 薄膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体の製造方法Info
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- JPH04223367A JPH04223367A JP41439890A JP41439890A JPH04223367A JP H04223367 A JPH04223367 A JP H04223367A JP 41439890 A JP41439890 A JP 41439890A JP 41439890 A JP41439890 A JP 41439890A JP H04223367 A JPH04223367 A JP H04223367A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路などに用いら
れる薄膜抵抗体の製造方法に関する。
れる薄膜抵抗体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜抵抗体の一般的な製造方法は次のと
おりである。まず半導体基板上に、窒化物からなる絶縁
膜が形成され、この絶縁膜上に、真空蒸着、スパッタリ
ング等により、窒化物からなる抵抗膜が形成される。そ
の後、この抵抗膜は所望の抵抗値を得るため、エッチン
グによりパターンニングされる。次に抵抗膜の端部から
絶縁膜にまたがるように、電極が形成される。
おりである。まず半導体基板上に、窒化物からなる絶縁
膜が形成され、この絶縁膜上に、真空蒸着、スパッタリ
ング等により、窒化物からなる抵抗膜が形成される。そ
の後、この抵抗膜は所望の抵抗値を得るため、エッチン
グによりパターンニングされる。次に抵抗膜の端部から
絶縁膜にまたがるように、電極が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の製造方法による
と、抵抗膜はエッチングによりパターンニングされるが
、抵抗膜は窒化物からなり、難溶解性を示すため、エッ
チャントとしては酸化力の強い酸を使用しなければなら
ない。しかし抵抗膜と半導体基板の間に形成される絶縁
膜も窒化物からなり、難溶解性であり、抵抗膜と性質が
似ているため、選択エッチングが困難であり、抵抗膜が
エッチングされる際に絶縁膜もエッチングされる。その
ため電極形成時に、電極の一部が半導体基板に接触し、
所望の抵抗値が得られず、薄膜抵抗体の歩留りが悪くな
るという問題がある。
と、抵抗膜はエッチングによりパターンニングされるが
、抵抗膜は窒化物からなり、難溶解性を示すため、エッ
チャントとしては酸化力の強い酸を使用しなければなら
ない。しかし抵抗膜と半導体基板の間に形成される絶縁
膜も窒化物からなり、難溶解性であり、抵抗膜と性質が
似ているため、選択エッチングが困難であり、抵抗膜が
エッチングされる際に絶縁膜もエッチングされる。その
ため電極形成時に、電極の一部が半導体基板に接触し、
所望の抵抗値が得られず、薄膜抵抗体の歩留りが悪くな
るという問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜抵抗体の製
造方法は、半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と
、前記絶縁膜の表面に金属膜を形成し、これをエッチン
グにより所望の形状とする工程と、前記金属膜および前
記絶縁膜の表面に抵抗膜を形成し、その後前記金属膜を
除去して、金属膜上の抵抗膜をリフトオフする工程と、
前記抵抗膜に接するように、電極を形成する工程とを備
えたことを特徴とする。
造方法は、半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と
、前記絶縁膜の表面に金属膜を形成し、これをエッチン
グにより所望の形状とする工程と、前記金属膜および前
記絶縁膜の表面に抵抗膜を形成し、その後前記金属膜を
除去して、金属膜上の抵抗膜をリフトオフする工程と、
前記抵抗膜に接するように、電極を形成する工程とを備
えたことを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の薄膜抵抗体の製造方法においては、リ
フトオフ法により、抵抗膜を所望の形状とすることがで
き、電極の一部が半導体基板に接触することを防止でき
る。
フトオフ法により、抵抗膜を所望の形状とすることがで
き、電極の一部が半導体基板に接触することを防止でき
る。
【０００６】
【実施例】以下図面に従い、本発明にかかる薄膜抵抗体
の製造方法の一実施例を説明する。
の製造方法の一実施例を説明する。
【０００７】まず、窒化珪素からなる絶縁膜１は、ガリ
ウム砒素からなる半導体基板１の表面に、ＰＥ−ＣＶＤ
法を使用して形成される。（図１）
ウム砒素からなる半導体基板１の表面に、ＰＥ−ＣＶＤ
法を使用して形成される。（図１）
【０００８】この絶縁膜１の表面に、アルミニウムなど
の金属膜３を真空蒸着により形成し、リン酸を用いたエ
ッチングにより金属膜３を所望の形状とする。（図２、
図３）
の金属膜３を真空蒸着により形成し、リン酸を用いたエ
ッチングにより金属膜３を所望の形状とする。（図２、
図３）
【０００９】次に絶縁膜１および金属膜３の全面に、窒
化タンタルからなる抵抗膜４を、スパッタリングにより
５００〜１０００オングストロームの厚さに形成し、素
子をリン酸に入れることで金属膜３をリフトオフさせ、
抵抗膜４をパターンニングする。（図４、図５）
化タンタルからなる抵抗膜４を、スパッタリングにより
５００〜１０００オングストロームの厚さに形成し、素
子をリン酸に入れることで金属膜３をリフトオフさせ、
抵抗膜４をパターンニングする。（図４、図５）
【００
１０】最後に抵抗膜４の端部から絶縁膜１にまたがるよ
うに、電極５を真空蒸着により形成する。電極５はチタ
ン、金の二層、あるいはチタン、白金、金、の三層から
なり、チタンは５００〜１０００オングストローム、白
金は３００〜７００オングストローム、金は２０００〜
５０００オングストロームの膜厚とする。（図６）
１０】最後に抵抗膜４の端部から絶縁膜１にまたがるよ
うに、電極５を真空蒸着により形成する。電極５はチタ
ン、金の二層、あるいはチタン、白金、金、の三層から
なり、チタンは５００〜１０００オングストローム、白
金は３００〜７００オングストローム、金は２０００〜
５０００オングストロームの膜厚とする。（図６）
【００１１】尚本発明の製造方法による薄膜抵抗体は、
通常最上層に窒化珪素からなる保護膜を形成し、使用さ
れる。
通常最上層に窒化珪素からなる保護膜を形成し、使用さ
れる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の薄膜抵抗体の製造方法によれば
、電極の一部が半導体基板に接触することがなく、抵抗
膜の膜厚を均一に保て、所望の抵抗値が得られ、また薄
膜抵抗体の歩留りを向上することができる。
、電極の一部が半導体基板に接触することがなく、抵抗
膜の膜厚を均一に保て、所望の抵抗値が得られ、また薄
膜抵抗体の歩留りを向上することができる。
【図１】本発明にかかる薄膜抵抗体の製造方法の一実施
例を示し、半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程の
断面図である。
例を示し、半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程の
断面図である。
【図２】本発明にかかる薄膜抵抗体の製造方法の一実施
例を示し、絶縁膜の表面に金属膜を形成する工程の断面
図である。
例を示し、絶縁膜の表面に金属膜を形成する工程の断面
図である。
【図３】本発明にかかる薄膜抵抗体の製造方法の一実施
例を示し、金属膜を所望の形状とする工程の断面図であ
る。
例を示し、金属膜を所望の形状とする工程の断面図であ
る。
【図４】本発明にかかる薄膜抵抗体の製造方法の一実施
例を示し、金属膜および絶縁膜の表面に抵抗膜を形成す
る工程の断面図である。
例を示し、金属膜および絶縁膜の表面に抵抗膜を形成す
る工程の断面図である。
【図５】本発明にかかる薄膜抵抗体の製造方法の一実施
例を示し、金属膜を除去して、金属膜上の抵抗膜をリフ
トオフする工程の断面図である。
例を示し、金属膜を除去して、金属膜上の抵抗膜をリフ
トオフする工程の断面図である。
【図６】本発明にかかる薄膜抵抗体の製造方法の一実施
例を示し、抵抗膜に接するように電極を形成する工程の
断面図である。
例を示し、抵抗膜に接するように電極を形成する工程の
断面図である。
１ 絶縁膜
２ 半導体基板
３ 金属膜
４ 抵抗膜
５ 電極
Claims (1)
- 半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁
膜の表面に金属膜を形成し、これをエッチングにより、
所望の形状とする工程と、前記金属膜および前記絶縁膜
の表面に抵抗膜を形成し、その後前記金属膜を除去して
、金属膜上の抵抗膜をリフトオフする工程と、前記抵抗
膜に接するように、電極を形成する工程と、を備えたこ
とを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41439890A JPH04223367A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41439890A JPH04223367A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223367A true JPH04223367A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18522884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41439890A Pending JPH04223367A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04223367A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011099382A1 (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体装置の製造方法 |
| CN102655077A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 精工电子有限公司 | 半导体装置的制造方法 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP41439890A patent/JPH04223367A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011099382A1 (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体装置の製造方法 |
| JP5348252B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2013-11-20 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体装置の製造方法 |
| CN102655077A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 精工电子有限公司 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2012186227A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
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