JPH031566A - 薄膜抵抗の形成方法 - Google Patents
薄膜抵抗の形成方法Info
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- JPH031566A JPH031566A JP13490389A JP13490389A JPH031566A JP H031566 A JPH031566 A JP H031566A JP 13490389 A JP13490389 A JP 13490389A JP 13490389 A JP13490389 A JP 13490389A JP H031566 A JPH031566 A JP H031566A
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路内における抵抗として利用で
きる薄膜抵抗の形成方法に関するものである。
きる薄膜抵抗の形成方法に関するものである。
従来の技術
近年、高度情報化社会の発達により、衛生通信等にみら
れる数〜数十ＧＨｚ帯を用いたアナログ通信や、高速演
算処理を行うスーパーコンピューター等のデジタル信号
処理の分野において、半導体素子の高速化、低消費電力
化、高集積化等の性能向上のための開発がさかんに行わ
れている。
れる数〜数十ＧＨｚ帯を用いたアナログ通信や、高速演
算処理を行うスーパーコンピューター等のデジタル信号
処理の分野において、半導体素子の高速化、低消費電力
化、高集積化等の性能向上のための開発がさかんに行わ
れている。
半導体素子の集積化では、回路設計上、能動素子として
の半導体素子と共に、受動素子としての抵抗等が必要と
なる。半導体集積回路（以下ＩＣと略す）内において、
抵抗は半導体素子層の一部を用いて、もしくはニクロム
等の抵抗体による薄膜抵抗を用いて形成される。
の半導体素子と共に、受動素子としての抵抗等が必要と
なる。半導体集積回路（以下ＩＣと略す）内において、
抵抗は半導体素子層の一部を用いて、もしくはニクロム
等の抵抗体による薄膜抵抗を用いて形成される。
後者の薄膜抵抗は、前者の半導体素子層の一部を用いた
場合に比べ寄生容量が低減される他、プロセス安定性に
すぐれ、かつトリミング等の修正手段が可能であるため
高精度のＩＣに用いられている。
場合に比べ寄生容量が低減される他、プロセス安定性に
すぐれ、かつトリミング等の修正手段が可能であるため
高精度のＩＣに用いられている。
以下図面を参照しながら、従来の薄膜抵抗の形成方法の
一例について説明する。
一例について説明する。
第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）は、従来
（Ｄ 薄膜抵抗（７） 形成方法を配線パターン形成を
含む各工程ごとに示した構造断面図である。
（Ｄ 薄膜抵抗（７） 形成方法を配線パターン形成を
含む各工程ごとに示した構造断面図である。
第２図（ａ）、ら）、 （Ｃ）、 （ｄ）において、１
は半導体装置が形成される半導体装置基板、２は薄膜抵
抗となる抵抗体、３は前記抵抗体２に配線パターン４を
形成するためのレジスト、５は前記レジスト３の残痕を
除去するための酸素プラズマ、６は前記配線パターン４
形成時に前記レジスト３上に形成された蒸着金属である
。
は半導体装置が形成される半導体装置基板、２は薄膜抵
抗となる抵抗体、３は前記抵抗体２に配線パターン４を
形成するためのレジスト、５は前記レジスト３の残痕を
除去するための酸素プラズマ、６は前記配線パターン４
形成時に前記レジスト３上に形成された蒸着金属である
。
以上の構成による従来の薄膜抵抗の形成方法について、
以下に説明する。
以下に説明する。
まず、半導体装置基板１上全面にニクロム膜を加熱蒸着
法により形成後、フォトレジストをマスクとしたエツチ
ングにより薄膜抵抗となる抵抗体２を形成する（第２図
（ａ））。次に、配線を形成するためのパターンをレジ
スト３により形成後、前記パターンの開口部における前
記レジスト３の残痕を酸素プラズマ５により除去する（
第２図（ｂ））。
法により形成後、フォトレジストをマスクとしたエツチ
ングにより薄膜抵抗となる抵抗体２を形成する（第２図
（ａ））。次に、配線を形成するためのパターンをレジ
スト３により形成後、前記パターンの開口部における前
記レジスト３の残痕を酸素プラズマ５により除去する（
第２図（ｂ））。
次に配線用金属を加熱蒸着法により全面に蒸着し、配線
パターン４ならびに前記レジスト３上に蒸着金属６を形
成する（第２図（Ｃ））。次に、リフトオフ法により前
記蒸着金属６を前記レジスト３とともに除去し、薄膜抵
抗ならびにその配線が完成する（第２図（ｄ））。（例
えば、柳井久義監修、半導体ハンドブック第２版、第３
３５頁〜第３３６頁、オーム社発行 参照） 以上のように、薄膜抵抗となる抵抗体２は、レジスト３
の開口部に形成される配線パターン４により配線される
。
パターン４ならびに前記レジスト３上に蒸着金属６を形
成する（第２図（Ｃ））。次に、リフトオフ法により前
記蒸着金属６を前記レジスト３とともに除去し、薄膜抵
抗ならびにその配線が完成する（第２図（ｄ））。（例
えば、柳井久義監修、半導体ハンドブック第２版、第３
３５頁〜第３３６頁、オーム社発行 参照） 以上のように、薄膜抵抗となる抵抗体２は、レジスト３
の開口部に形成される配線パターン４により配線される
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような方法では、配線パターン４の
形成に際し、レジスト３の開口部における前記レジスト
３の残痕を除去するために必要とされる酸素プラズマ５
のため、前記抵抗体２の前記レジスト３による露呈部す
なわち前記配線パターン４との接触部が、酸化もしくは
ダメージを受け、高接触抵抗を生じたり薄膜抵抗として
の抵抗値のばらつきを生じたりするという課題を有して
いた。
形成に際し、レジスト３の開口部における前記レジスト
３の残痕を除去するために必要とされる酸素プラズマ５
のため、前記抵抗体２の前記レジスト３による露呈部す
なわち前記配線パターン４との接触部が、酸化もしくは
ダメージを受け、高接触抵抗を生じたり薄膜抵抗として
の抵抗値のばらつきを生じたりするという課題を有して
いた。
本発明は上記課題に鑑み、抵抗体の表面に酸化しにくい
金属被膜を形成し、配線等のパターンを形成後前記パタ
ーンによって被覆されていない前記金属被膜を除去する
ことにより、酸素プラズマ照射後においても薄膜抵抗と
しての抵抗値が接触抵抗などにより増加したり、ばらつ
くことのない薄膜抵抗の形成方法を提供するものである
。
金属被膜を形成し、配線等のパターンを形成後前記パタ
ーンによって被覆されていない前記金属被膜を除去する
ことにより、酸素プラズマ照射後においても薄膜抵抗と
しての抵抗値が接触抵抗などにより増加したり、ばらつ
くことのない薄膜抵抗の形成方法を提供するものである
。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明°の薄膜抵抗の形成
方法は、集積回路における薄膜抵抗を形成するにあたり
、抵抗体の表面にイオン化傾向の小さい金属からなる金
属被膜を形成し、前記金属被膜を部分的に被覆するパタ
ーンを形成し、前記金属被膜の露呈部を除去する工程を
有するものである。
方法は、集積回路における薄膜抵抗を形成するにあたり
、抵抗体の表面にイオン化傾向の小さい金属からなる金
属被膜を形成し、前記金属被膜を部分的に被覆するパタ
ーンを形成し、前記金属被膜の露呈部を除去する工程を
有するものである。
作用
本発明では、上記した方法によって、酸素プラズマ照射
等のプロセス後においても薄膜抵抗としての抵抗値が安
定し、ＩＣの生産効率を向上させることが出来る。
等のプロセス後においても薄膜抵抗としての抵抗値が安
定し、ＩＣの生産効率を向上させることが出来る。
実施例
以下、本発明の一実施例の薄膜抵抗の形成方法について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）、 （ｅ
）は、本発明の一実施例における薄膜抵抗の形成方法を
各工程ごとに示した構造断面図である。
）は、本発明の一実施例における薄膜抵抗の形成方法を
各工程ごとに示した構造断面図である。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）、 （ｅ
）において、１１は半導体装置が形成される半導体装置
基板、１２は薄膜抵抗となる抵抗体、１３は金属被膜、
１４は配線パターン１５を形成するためのレジスト、１
６は前記レジスト１４の残痕を除去するための酸素プラ
ズマ、１７は前記配線パターン１５形成時に前記レジス
ト１４上に形成された蒸着金属、１８は前記配線パター
ン１５による前記金属被膜１３の露呈部を除去するため
のイオンビームである。
）において、１１は半導体装置が形成される半導体装置
基板、１２は薄膜抵抗となる抵抗体、１３は金属被膜、
１４は配線パターン１５を形成するためのレジスト、１
６は前記レジスト１４の残痕を除去するための酸素プラ
ズマ、１７は前記配線パターン１５形成時に前記レジス
ト１４上に形成された蒸着金属、１８は前記配線パター
ン１５による前記金属被膜１３の露呈部を除去するため
のイオンビームである。
以上のように構成された本発明の一実施例における薄膜
抵抗の形成方法について、以下に説明する。
抵抗の形成方法について、以下に説明する。
まず、半導体装置基板１１上にフォトレジストからなる
薄膜抵抗パターンを形成し、全面にニクロムと金からな
る積層薄膜を加熱蒸着法により形成する。次に、前記フ
ォトレジストを用いたりフトオフ法により、前記ニクロ
ムからなる抵抗体１２と前記金からる金属被膜１３との
積層薄膜パターンを形成する（第１図（ａ））。
薄膜抵抗パターンを形成し、全面にニクロムと金からな
る積層薄膜を加熱蒸着法により形成する。次に、前記フ
ォトレジストを用いたりフトオフ法により、前記ニクロ
ムからなる抵抗体１２と前記金からる金属被膜１３との
積層薄膜パターンを形成する（第１図（ａ））。
次に、配線を形成するためのパターンをレジスト１４に
より形成後、前記パターンの開口部における前記レジス
ト１４の残痕を酸素プラズマ１６により除去する（第１
図（ロ））、次に配線用金属を加熱蒸着法により全面に
蒸着し、配線パターン１５ならびに前記レジスト１４上
に蒸着金属１７を形成する（第１図（Ｃ））。
より形成後、前記パターンの開口部における前記レジス
ト１４の残痕を酸素プラズマ１６により除去する（第１
図（ロ））、次に配線用金属を加熱蒸着法により全面に
蒸着し、配線パターン１５ならびに前記レジスト１４上
に蒸着金属１７を形成する（第１図（Ｃ））。
次に、リフトオフ法により前記蒸着金属１７を前記レジ
スト１４とともに除去する（第１図（ｄ））。さらに、
前記配線パターン１５による前記金属被膜１３の露呈部
を、アルゴンのイオンビーム１８によす除去し、薄膜抵
抗ならびにその配線パターンが完成する（第１図（ｅン
）。
スト１４とともに除去する（第１図（ｄ））。さらに、
前記配線パターン１５による前記金属被膜１３の露呈部
を、アルゴンのイオンビーム１８によす除去し、薄膜抵
抗ならびにその配線パターンが完成する（第１図（ｅン
）。
以上のように本実施例によれば、抵抗体１２における配
線パターン１５との接触部が、イオン化傾向の小さい金
属すなわち酸化されに（い金属である金からなる金属被
膜１３で被覆されているため、酸素プラズマ１６の照射
後においても、前記接続部における酸化もしくはダメー
ジが軽減される。
線パターン１５との接触部が、イオン化傾向の小さい金
属すなわち酸化されに（い金属である金からなる金属被
膜１３で被覆されているため、酸素プラズマ１６の照射
後においても、前記接続部における酸化もしくはダメー
ジが軽減される。
これにより、薄膜抵抗としての抵抗値が安定し、ＩＣの
生産効率を向上させることが出来る。
生産効率を向上させることが出来る。
なお、本実施例では抵抗体１２をニクロムとしたが、抵
抗体１２はＩＣ内における薄膜抵抗材料ならば何でもよ
く、例えば、窒化タンタル等でもよい。
抗体１２はＩＣ内における薄膜抵抗材料ならば何でもよ
く、例えば、窒化タンタル等でもよい。
また、本実施例では金属被膜１３を金としたが、金属被
膜１３はイオン化傾向の小さい金属すなわち酸化されに
くい金属であればよく、白金またはイリジウムまたはパ
ラジウム等でもよい。
膜１３はイオン化傾向の小さい金属すなわち酸化されに
くい金属であればよく、白金またはイリジウムまたはパ
ラジウム等でもよい。
さらに、本実施例では配線パターン１５による金属被膜
１３の露呈部の除去を、アルゴンのイオンビーム１８に
より行ったが、金属被膜１３の露呈部の除去は湿式エツ
チングとしてもよい。
１３の露呈部の除去を、アルゴンのイオンビーム１８に
より行ったが、金属被膜１３の露呈部の除去は湿式エツ
チングとしてもよい。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜抵抗の形成方法は、集積回路
における薄膜抵抗を形成するにあたり、抵抗体の表面に
イオン化傾向の小さい金属からなる金属被膜を形成し、
前記金属被膜を部分的に被覆するパターンを形成し、前
記金属被膜の露呈部を除去することを特徴とする。
における薄膜抵抗を形成するにあたり、抵抗体の表面に
イオン化傾向の小さい金属からなる金属被膜を形成し、
前記金属被膜を部分的に被覆するパターンを形成し、前
記金属被膜の露呈部を除去することを特徴とする。
本発明の薄膜抵抗の形成方法を用いることにより、薄膜
抵抗としての抵抗値が安定し、ＩＣの生産効率を向上さ
せることが出来る。
抵抗としての抵抗値が安定し、ＩＣの生産効率を向上さ
せることが出来る。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （切、（ｅ）は
、本発明の一実施例における薄膜抵抗の形成方法を各工
程ごとに示した構造断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）、
（ｃ）、 （ｄ）は、従来の薄膜抵抗の形成方法を各
工程ごとに示した構造断面図である。 １．１１・・・・・・半導体装置基板、２，１２・・・
・・・抵抗体、３．１４・・・・・・レジスト、４，１
５・・・・・・配線パターン、５．１６・・・・・・酸
素プラズマ、１３・・・・・・金属被膜、１８・・・・
・・イオンビーム。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１１−−一
半導俸装置Ｋ［ ｌ２−−− ≧ Ｒ停 止３−−− 金属 被層 第 図 １−＃−場停侵装１＆仮 ？−・−匙ｌＷｈ □□□□□−一 ３−Ｌシスト □□□−斗・ ４−・−Ｉｌｉｌ！緯パターン ５−・１累プラプマ ６−０蓋部食属 □」： □□□ニ丁′
、本発明の一実施例における薄膜抵抗の形成方法を各工
程ごとに示した構造断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）、
（ｃ）、 （ｄ）は、従来の薄膜抵抗の形成方法を各
工程ごとに示した構造断面図である。 １．１１・・・・・・半導体装置基板、２，１２・・・
・・・抵抗体、３．１４・・・・・・レジスト、４，１
５・・・・・・配線パターン、５．１６・・・・・・酸
素プラズマ、１３・・・・・・金属被膜、１８・・・・
・・イオンビーム。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１１−−一
半導俸装置Ｋ［ ｌ２−−− ≧ Ｒ停 止３−−− 金属 被層 第 図 １−＃−場停侵装１＆仮 ？−・−匙ｌＷｈ □□□□□−一 ３−Ｌシスト □□□−斗・ ４−・−Ｉｌｉｌ！緯パターン ５−・１累プラプマ ６−０蓋部食属 □」： □□□ニ丁′
Claims (7)
- （１）集積回路における薄膜抵抗を形成するにあたり、
抵抗体の表面にイオン化傾向の小さい金属からなる金属
被膜を形成し、前記金属被膜を部分的に被覆するパター
ンを形成し、前記金属被膜の露呈部を除去することを特
徴とする薄膜抵抗の形成方法。 - （２）抵抗体がニクロムであることを特徴とする請求項
（１）記載の薄膜抵抗の形成方法。 - （３）抵抗体が窒化タンタルであることを特徴とする請
求項（１）記載の薄膜抵抗の形成方法。 - （４）金属被膜が金であることを特徴とする請求項（１
）記載の薄膜抵抗の形成方法。 - （５）金属被膜が白金であることを特徴とする請求項（
１）記載の薄膜抵抗の形成方法。 - （６）金属被膜がイリジウムであることを特徴とする請
求項（１）記載の薄膜抵抗の形成方法。 - （７）金属被膜がパラジウムであることを特徴とする請
求項（１）記載の薄膜抵抗の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490389A JPH031566A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 薄膜抵抗の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490389A JPH031566A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 薄膜抵抗の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031566A true JPH031566A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15139222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13490389A Pending JPH031566A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 薄膜抵抗の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031566A (ja) |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13490389A patent/JPH031566A/ja active Pending
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