JPS5886744A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に係り、特に半導体集積回路の配線
に関するものである。

最近の半導体集積回路は集積度の向上に伴ない微細加工
及び多層配線構造が型費になって睡でいる。一般に金属
配線を用いた集積回路の配線は下部の導電層の凹凸の上
を走らなければならず段差のカバレジが悪いと断線を引
き起こす為層間絶縁物で段差を緩和する方法が用いられ
ている。

従来の配線構造を図を用いて具体的に説明する。

第１図は一般に金属配線を用いた場合の集積回路の配線
断面図である。１１はシリコン基板またはポリシリ配線
などの導電１一部であり、１２は酸化シリコン嗅などの
配線層間絶縁物であり、１３は金属配線である。図にお
いて配線層間絶縁物の上に金属配線を形成する構造は今
後の高集積化に伴なう多層構造には不利である。なぜな
ら金属配線の多層化を考えた場合に、下層の金属配線と
配線層間絶縁物の段差を上層の金属配線が横断する時に
この上層の金属配線が段切れを起こす原因となるからで
ある。従来上層と下層の間に第２の配線層間絶縁物、例
えばリンガラス層を一形成しこれを高温熱処理により下
層の段差を緩和す、：Ｉなどの方法がとられてきた。し
かし下層がＡｔなどの耐熱性に乏しい金属を用いた場合
は上記の方法を採ることができない。

本発明の目的は配線層間絶縁物上に形成された金属配線
とこの金属配線の上にある配線層間絶縁物によって形成
される段差を無くすことのできる半導体集積回路装置を
提供するものである。

上記目的を達成するために本発明の構造は配線１ｍ間絶
縁物上に碑を作りそこに金属配線を埋め込むことにより
配線）−を自己整合的に形成して段差を無くすことを特
徴とするものである。

次に図を用いて本発明の実施例を具体的に説明する。

第２図（ａ）　、　（ｂ）は第１の実施例である。第２
図（ａ）は金属配線パターンにそってフォトレジストを
使ってエツチングをした図である。図で２１はシリコン
基板であり、２２は二酸化シリコンの配線層間絶縁物で
あシ、２３はフォトレジストである。

第２図（ｂ）はレジスト上に真空蒸着方法によシ全面に
アルミの金ｗ４層を形成しリフトオフ法によりフォトレ
ジストの剥離と同時に配線部分以外のアルミニウムを剥
離することにより得られた第１の方法である。なお、第
２図（ｂ）で２４はアルミの金属層である。第３図（ａ
）〜（Ｃ）は第２の実施例である。

第３図（ａ）は金属配線パターンにそって層間絶縁物を
エツチングしその上にアルミニウムの金属１−を形成し
、さらにその上にフォトレジストを全面に塗布した図で
ある。図で３１はシリコン基板であり、３２は配線層間
絶縁物であり、３３はアルミの金属１−であシ、３４は
フォトレジストである。

第３図（ｂ）は配線層間絶縁物のエツチング開孔上のア
ルミニウム上のレジストは厚く、他の周辺のアルミニウ
ム上には薄く形成されるのを利用して周辺金属部が表面
に出るまでフォトレジストをエツチングしたものである
。第３図（Ｃ）はレジスｉｆマスクにしてアルミの金属
層をエツチングし、最後にレジストを剥離して得られた
第２の方法である。

以上述べたように本発明の半導体装置を使えば配線層間
絶縁物上に形成された金属配線とこの金属配線の上にあ
る配線層間絶縁物によって形成される段差を無くすこと
ができ、しかも高集積化に伴なう多層構造を可能にする
ことは容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の製造方法による集積回路の配線断面図で
あり、第２図（ａ）　、　（ｂ）及び第３図（ａ）　〜
（Ｃ）は本発明の半導体装置の実施例である。 なお図において、１１．２１．３１・・・・・・シリコ
ン基板、１２，２２．３２・・・・・・配線層間絶縁物
、１３．２４．３３・・・・・・アルミの金属層ｌｉｔ
、２３゜３４・・・・・・フォトレジスト、である。 ヌ／・図　　２８ （ａ） ４ （１）） χ　２　図 （ａ） と／）） （Ｃ） 篤３Ｐ４１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも１層の導電配線層と、該導電配線層より下部
   に存在する他の導電配線層から該導電配線層を絶縁する
   ための絶縁層を有する半導体集積回路装置において、該
   絶縁層に溝部が設けられ。 該溝部に該導電配線１＠の端部がほぼ一致して埋め込ま
   れていることを特徴とする半導体集積回路装置。