JPH031567A - 薄膜抵抗 - Google Patents
薄膜抵抗Info
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- JPH031567A JPH031567A JP13493489A JP13493489A JPH031567A JP H031567 A JPH031567 A JP H031567A JP 13493489 A JP13493489 A JP 13493489A JP 13493489 A JP13493489 A JP 13493489A JP H031567 A JPH031567 A JP H031567A
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路内における抵抗として利用で
きる薄膜抵抗に関するものである。
きる薄膜抵抗に関するものである。
従来の技術
近年、高度情報化社会の発達により、衛生通信等にみら
れる数〜数十ＧＨｚ帯を用いたアナログ通信や、高速演
算処理を行うスーパーコンピューター等のデジタル信号
処理の分野において、半導体素子の高速化、低消費電力
化、高集積化等の性能向上のための開発がさかんに行わ
れている。
れる数〜数十ＧＨｚ帯を用いたアナログ通信や、高速演
算処理を行うスーパーコンピューター等のデジタル信号
処理の分野において、半導体素子の高速化、低消費電力
化、高集積化等の性能向上のための開発がさかんに行わ
れている。
半導体素子の集積化では、回路設計上、能動素子として
の半導体素子と共に、受動素子としての抵抗等が必要と
なる。半導体集積回路（以下ＩＣと略す）内において、
抵抗は半導体素子層の一部を用いて、もしくはニクロム
等の抵抗体による薄膜抵抗を用いて形成される。
の半導体素子と共に、受動素子としての抵抗等が必要と
なる。半導体集積回路（以下ＩＣと略す）内において、
抵抗は半導体素子層の一部を用いて、もしくはニクロム
等の抵抗体による薄膜抵抗を用いて形成される。
後者の薄膜抵抗は、前者の半導体素子層の一部を用いた
場合に比べ寄生容量が低減される他、プロセス安定性に
すぐれ、かつトリミング等の修正手段が可能であるため
高精度のＩＣに用いられている。
場合に比べ寄生容量が低減される他、プロセス安定性に
すぐれ、かつトリミング等の修正手段が可能であるため
高精度のＩＣに用いられている。
以下図面を参照しながら、従来の薄膜抵抗の一例につい
て説明する。
て説明する。
第２図（ａ）、ら）、 （Ｃ）、 （ｄ）は、従来の薄
膜抵抗を配線形成工程とともに示した構造断面図である
。
膜抵抗を配線形成工程とともに示した構造断面図である
。
第２図（ａ）、［有］）、 （Ｃ）、 （ｄ）において
、１は半導体装置が形成される半導体装置基板、２は薄
膜抵抗となる抵抗体、３は前記抵抗体２に配線パターン
４を形成するためのレジスト、５は前記レジスト３の残
痕を除去するための酸素プラズマ、６は前記配線パター
ン４形成時に前記レジスト３上に形成された蒸着金属で
ある。
、１は半導体装置が形成される半導体装置基板、２は薄
膜抵抗となる抵抗体、３は前記抵抗体２に配線パターン
４を形成するためのレジスト、５は前記レジスト３の残
痕を除去するための酸素プラズマ、６は前記配線パター
ン４形成時に前記レジスト３上に形成された蒸着金属で
ある。
以上の構成による従来の薄膜抵抗について、以下に説明
する。
する。
まず、半導体装置基板１上全面にニクロム膜を加熱蒸着
法により形成後、フォトレジストをマスクとしたエツチ
ングにより薄膜抵抗となる抵抗体２を形成する（第２図
（ａ））。次に、配線を形成するためのパターンをレジ
スト３により形成後、前記パターンの開口部における前
記レジスト３の残痕を酸素プラズマ５により除去する（
第２図（ｂ））。
法により形成後、フォトレジストをマスクとしたエツチ
ングにより薄膜抵抗となる抵抗体２を形成する（第２図
（ａ））。次に、配線を形成するためのパターンをレジ
スト３により形成後、前記パターンの開口部における前
記レジスト３の残痕を酸素プラズマ５により除去する（
第２図（ｂ））。
次に配線用金属を加熱蒸着法により全面に蒸着し、配線
パターン４ならびに前記レジスト３上に蒸着金属６を形
成する（第２図（Ｃ））。次に、リフトオフ法により前
記蒸着金属６を前記レジスト３とともに除去し、薄膜抵
抗ならびにその配線が完成する（第２図（ｄ））。（例
えば、柳井久義監修、半導体ハンドブック第２版、第３
３５頁〜第３３６頁、オーム社発行 参照） 以上のように、薄膜抵抗となる抵抗体２は、レジスト３
の開口部に形成される配線パターン４により配線される
。
パターン４ならびに前記レジスト３上に蒸着金属６を形
成する（第２図（Ｃ））。次に、リフトオフ法により前
記蒸着金属６を前記レジスト３とともに除去し、薄膜抵
抗ならびにその配線が完成する（第２図（ｄ））。（例
えば、柳井久義監修、半導体ハンドブック第２版、第３
３５頁〜第３３６頁、オーム社発行 参照） 以上のように、薄膜抵抗となる抵抗体２は、レジスト３
の開口部に形成される配線パターン４により配線される
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような方法では、配線パターン４の
形成に際し、レジスト３の開口部における前記レジスト
３の残痕を除去するために必要とされる酸素プラズマ５
のため、前記抵抗体２の前記レジスト３による非被覆部
すなわち前記配線パターン４との接触部が、酸化もしく
はダメージを受け、高接触抵抗を生じたり薄膜抵抗とし
ての抵抗値のばらつきを生じたりするという課題を有し
ていた。
形成に際し、レジスト３の開口部における前記レジスト
３の残痕を除去するために必要とされる酸素プラズマ５
のため、前記抵抗体２の前記レジスト３による非被覆部
すなわち前記配線パターン４との接触部が、酸化もしく
はダメージを受け、高接触抵抗を生じたり薄膜抵抗とし
ての抵抗値のばらつきを生じたりするという課題を有し
ていた。
本発明は上記課題に鑑み、抵抗体の表面に酸化しにくい
金属膜を形成することにより、酸素プラズマ照射後にお
いても薄膜抵抗としての抵抗値が増加したり、ばらつく
ことのない薄膜抵抗を提供するものである。
金属膜を形成することにより、酸素プラズマ照射後にお
いても薄膜抵抗としての抵抗値が増加したり、ばらつく
ことのない薄膜抵抗を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の薄膜抵抗は、集積
回路における薄膜抵抗であって、抵抗体と前記抵抗体の
表面を被覆するイオン化傾向の小さい金属とからなる構
造を有するものである。
回路における薄膜抵抗であって、抵抗体と前記抵抗体の
表面を被覆するイオン化傾向の小さい金属とからなる構
造を有するものである。
作用
本発明では、上記した構造によって、酸素プラズマ照射
等のプロセス後においても薄膜抵抗としての抵抗値が安
定し、ＩＣの生産効率を向上させることが出来る。
等のプロセス後においても薄膜抵抗としての抵抗値が安
定し、ＩＣの生産効率を向上させることが出来る。
実施例
以下、本発明の一実施例の薄膜抵抗について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）は、本発
明の一実施例における薄膜抵抗を配線形成工程とともに
示した構造断面図である。
明の一実施例における薄膜抵抗を配線形成工程とともに
示した構造断面図である。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）において
、１１は半導体装置が形成される半導体装置基板、１２
は金属被覆１３とともに薄膜抵抗となる抵抗体、１４は
前記金属被覆１３と前記抵抗体１２とからなる薄膜抵抗
に配線パターン１５を形成するためのレジスト、１６は
前記レジスト１４の残痕を除去するための酸素プラズマ
、１７は前記配線パターン１５形成時に前記レジスト１
４上に形成された蒸着金属である。
、１１は半導体装置が形成される半導体装置基板、１２
は金属被覆１３とともに薄膜抵抗となる抵抗体、１４は
前記金属被覆１３と前記抵抗体１２とからなる薄膜抵抗
に配線パターン１５を形成するためのレジスト、１６は
前記レジスト１４の残痕を除去するための酸素プラズマ
、１７は前記配線パターン１５形成時に前記レジスト１
４上に形成された蒸着金属である。
以上のように構成された本発明の一実施例における薄膜
抵抗について、以下に説明する。
抵抗について、以下に説明する。
まず、半導体装置基板１１上にフォトレジストからなる
薄膜抵抗パターンを形成し、全面にニクロムと金からな
る積層薄膜を加熱蒸着法により形成する。次に、前記フ
ォトレジストを用いたリフトオフ法により、前記ニクロ
ムからなる抵抗体１２と前記金からる金属被膜１３との
積層構造を有する薄膜抵抗を形成する（第１図（ａ））
。
薄膜抵抗パターンを形成し、全面にニクロムと金からな
る積層薄膜を加熱蒸着法により形成する。次に、前記フ
ォトレジストを用いたリフトオフ法により、前記ニクロ
ムからなる抵抗体１２と前記金からる金属被膜１３との
積層構造を有する薄膜抵抗を形成する（第１図（ａ））
。
次に、配線を形成するためのパターンをレジスト１４に
より形成後、前記パターンの開口部における前記レジス
トＩ４の残痕を酸素プラズマ１６により除去する（第１
図（ｂ））。次に配線用金属を加熱蒸着法により全面に
蒸着し、配線パターン１５ならびに前記レジスト１４上
に蒸着金属１７を形成する（第１図（Ｃ））。
より形成後、前記パターンの開口部における前記レジス
トＩ４の残痕を酸素プラズマ１６により除去する（第１
図（ｂ））。次に配線用金属を加熱蒸着法により全面に
蒸着し、配線パターン１５ならびに前記レジスト１４上
に蒸着金属１７を形成する（第１図（Ｃ））。
次に、リフトオフ法により前記蒸着金属１７を前記レジ
スト１４とともに除去し、薄膜抵抗ならびにその配線が
完成する（第１図（ｄ））。
スト１４とともに除去し、薄膜抵抗ならびにその配線が
完成する（第１図（ｄ））。
以上のように本実施例によれば、抵抗体１２の表面が、
イオン化傾向の小さい金属すなわち酸化されに（い金属
である金からなる金属被膜１３で被覆されているため、
酸素プラズマ１６の照射後においても、配線パターン１
５との接続部における酸化もしくはダメージが軽減され
る。
イオン化傾向の小さい金属すなわち酸化されに（い金属
である金からなる金属被膜１３で被覆されているため、
酸素プラズマ１６の照射後においても、配線パターン１
５との接続部における酸化もしくはダメージが軽減され
る。
これにより、薄膜抵抗としての抵抗値が安定し、ＩＣの
生産効率を向上させることが出来る。
生産効率を向上させることが出来る。
なお、本実施例では抵抗体１２をニクロムとしたが、抵
抗体１２はＩＣ内における薄膜抵抗材料ならば何でもよ
く、例えば、窒化タンタル等でもよい。
抗体１２はＩＣ内における薄膜抵抗材料ならば何でもよ
く、例えば、窒化タンタル等でもよい。
また、本実施例では金属被膜１３を金としたが、金属被
膜１３はイオン化傾向の小さい金属すなわち酸化されに
くい金属であればよく、白金またはイリジウムまたはパ
ラジウム等でよい。
膜１３はイオン化傾向の小さい金属すなわち酸化されに
くい金属であればよく、白金またはイリジウムまたはパ
ラジウム等でよい。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜抵抗は、集積回路における薄
膜抵抗であって、抵抗体と前記抵抗体の表面を被覆する
イオン化傾向の小さい金属とからなることを特徴とする
。
膜抵抗であって、抵抗体と前記抵抗体の表面を被覆する
イオン化傾向の小さい金属とからなることを特徴とする
。
本発明の薄膜抵抗を用いることにより、薄膜抵抗として
の抵抗値が安定し、ＩＣの生産効率を向上させることが
出来る。
の抵抗値が安定し、ＩＣの生産効率を向上させることが
出来る。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）は、本発
明の一実施例における薄膜抵抗を配線形成工程とともに
示した構造断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）
、 （ｄ）は、従来の薄膜抵抗を配線形成工程とともに
示した構造断面図である。 １．１１・・・・・・半導体装置基板、２，１２・・・
・・・抵抗体、３．１４・・・・・・レジスト、４，１
５・・・・・・配線パターン、５．１６・・・・・・酸
素プラズマ、１３・・・・・・金属被膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名区
明の一実施例における薄膜抵抗を配線形成工程とともに
示した構造断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）
、 （ｄ）は、従来の薄膜抵抗を配線形成工程とともに
示した構造断面図である。 １．１１・・・・・・半導体装置基板、２，１２・・・
・・・抵抗体、３．１４・・・・・・レジスト、４，１
５・・・・・・配線パターン、５．１６・・・・・・酸
素プラズマ、１３・・・・・・金属被膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名区
Claims (7)
- （１）集積回路における薄膜抵抗であって、抵抗体と前
記抵抗体の表面を被覆するイオン化傾向の小さい金属と
からなることを特徴とする薄膜抵抗。 - （２）抵抗体がニクロムであることを特徴とする請求項
（１）記載の薄膜抵抗。 - （３）抵抗体が窒化タンタルであることを特徴とする請
求項（１）記載の薄膜抵抗。 - （４）金属が金であることを特徴とする請求項（１）記
載の薄膜抵抗。 - （５）金属が白金であることを特徴とする請求項（１）
記載の薄膜抵抗。 - （６）金属がイリジウムであることを特徴とする請求項
（１）記載の薄膜抵抗。 - （７）金属がパラジウムであることを特徴とする請求項
（１）記載の薄膜抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13493489A JPH031567A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 薄膜抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13493489A JPH031567A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 薄膜抵抗 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031567A true JPH031567A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15139977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13493489A Pending JPH031567A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 薄膜抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031567A (ja) |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13493489A patent/JPH031567A/ja active Pending
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