JPH04221849A - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
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- JPH04221849A JPH04221849A JP2413557A JP41355790A JPH04221849A JP H04221849 A JPH04221849 A JP H04221849A JP 2413557 A JP2413557 A JP 2413557A JP 41355790 A JP41355790 A JP 41355790A JP H04221849 A JPH04221849 A JP H04221849A
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- Japan
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- insulating film
- film
- layer
- resistance
- thin film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路などに用いられ
る薄膜抵抗体に関する。
る薄膜抵抗体に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の薄膜抵抗体を示す断面図で
ある。半導体基板１２の表面には、窒化物からなる絶縁
膜１１が形成され、この絶縁膜１１の全面に真空蒸着，
スパッタリング等により、窒化物からなる抵抗膜１３が
形成される。この抵抗膜１３は、所望の抵抗値を得るた
め、エッチングによりパターンニングされ、電極１４は
抵抗膜１３の端部から絶縁膜１１にまたがるように形成
されている。
ある。半導体基板１２の表面には、窒化物からなる絶縁
膜１１が形成され、この絶縁膜１１の全面に真空蒸着，
スパッタリング等により、窒化物からなる抵抗膜１３が
形成される。この抵抗膜１３は、所望の抵抗値を得るた
め、エッチングによりパターンニングされ、電極１４は
抵抗膜１３の端部から絶縁膜１１にまたがるように形成
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の薄膜抵抗体
の抵抗膜は、エッチングによりパターンニングされるが
、抵抗膜は窒化物からなり、難溶解性を示すため、エッ
チャントとしては酸化力の強い酸を使用しなければなら
ない。しかし抵抗膜と半導体基板の間に形成される絶縁
膜も窒化物からなり難溶解性であり、抵抗膜と性質が似
ているため、選択エッチングが困難であり、抵抗膜がエ
ッチングされる際に絶縁膜もエッチングされる。そのた
め電極形成時に、電極の一部が半導体基板に接触し、所
望の抵抗値が得られず薄膜抵抗体の歩留りが悪くなると
いう問題がある。
の抵抗膜は、エッチングによりパターンニングされるが
、抵抗膜は窒化物からなり、難溶解性を示すため、エッ
チャントとしては酸化力の強い酸を使用しなければなら
ない。しかし抵抗膜と半導体基板の間に形成される絶縁
膜も窒化物からなり難溶解性であり、抵抗膜と性質が似
ているため、選択エッチングが困難であり、抵抗膜がエ
ッチングされる際に絶縁膜もエッチングされる。そのた
め電極形成時に、電極の一部が半導体基板に接触し、所
望の抵抗値が得られず薄膜抵抗体の歩留りが悪くなると
いう問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に絶縁膜、抵抗膜が順次形成されてなる薄膜抵抗体にお
いて、前記絶縁膜は、少なくとも第１層絶縁膜、第２層
絶縁膜の二層で構成され、かつ前記抵抗膜と接する第２
絶縁膜はアルミナで構成されていることを特徴とする。
に絶縁膜、抵抗膜が順次形成されてなる薄膜抵抗体にお
いて、前記絶縁膜は、少なくとも第１層絶縁膜、第２層
絶縁膜の二層で構成され、かつ前記抵抗膜と接する第２
絶縁膜はアルミナで構成されていることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の薄膜抵抗体の絶縁膜は窒化珪素からな
る第１層絶縁膜とアルミナからなる第２層絶縁膜の二層
構造となっており、抵抗膜と接する第２層絶縁膜はアル
ミナからなり、耐酸性を有するので、抵抗膜がエッチン
グされる際に、抵抗膜のエッチャントにより、絶縁膜が
エッチングされることがなく、電極の一部が半導体基板
に接触することを防止できる。
る第１層絶縁膜とアルミナからなる第２層絶縁膜の二層
構造となっており、抵抗膜と接する第２層絶縁膜はアル
ミナからなり、耐酸性を有するので、抵抗膜がエッチン
グされる際に、抵抗膜のエッチャントにより、絶縁膜が
エッチングされることがなく、電極の一部が半導体基板
に接触することを防止できる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面図である
。窒化珪素からなる第１層絶縁膜１ａは、ガリウム砒素
からなる半導体基板２の表面に、ＰＥ−ＣＶＤ法を使用
して形成される。この窒化珪素からなる第１層絶縁膜１
ａの全面に、熱伝導性の良好なアルミナからなる第２層
絶縁膜１ｂが、真空蒸着、スパッタリング等により、５
００〜２０００オングストロームの膜厚で形成されてい
る。このように本発明の薄膜抵抗体は、絶縁膜が窒化珪
素からなる第１層絶縁膜１ａと、アルミナからなる第２
層絶縁膜１ｂの二層構造となっている。
。窒化珪素からなる第１層絶縁膜１ａは、ガリウム砒素
からなる半導体基板２の表面に、ＰＥ−ＣＶＤ法を使用
して形成される。この窒化珪素からなる第１層絶縁膜１
ａの全面に、熱伝導性の良好なアルミナからなる第２層
絶縁膜１ｂが、真空蒸着、スパッタリング等により、５
００〜２０００オングストロームの膜厚で形成されてい
る。このように本発明の薄膜抵抗体は、絶縁膜が窒化珪
素からなる第１層絶縁膜１ａと、アルミナからなる第２
層絶縁膜１ｂの二層構造となっている。
【０００７】前記アルミナからなる第２層絶縁膜の表面
に、窒化タンタルからなる抵抗膜３がスパッタリングに
より５００〜１０００オングストロームの膜厚で形成さ
れており、この抵抗膜３の表面は、所定の抵抗値を得る
ため、ファトリソグラフィーによりパターニングされて
いる。電極４は抵抗膜３の端部から第２層絶縁膜にまた
がるように、真空蒸着により形成される。電極４はチタ
ン、金の二層、あるいはチタン、白金、金の三層からな
り、チタンは５００〜１０００オングストローム、白金
は約３００〜７００オングストローム、金は２０００〜
５０００オングストロームの膜厚である。
に、窒化タンタルからなる抵抗膜３がスパッタリングに
より５００〜１０００オングストロームの膜厚で形成さ
れており、この抵抗膜３の表面は、所定の抵抗値を得る
ため、ファトリソグラフィーによりパターニングされて
いる。電極４は抵抗膜３の端部から第２層絶縁膜にまた
がるように、真空蒸着により形成される。電極４はチタ
ン、金の二層、あるいはチタン、白金、金の三層からな
り、チタンは５００〜１０００オングストローム、白金
は約３００〜７００オングストローム、金は２０００〜
５０００オングストロームの膜厚である。
【０００８】なお、本発明の薄膜抵抗体の電極４上を除
く全面に、窒化珪素からなる保護膜が形成されて使用さ
れる。
く全面に、窒化珪素からなる保護膜が形成されて使用さ
れる。
【０００９】
【発明の効果】本発明の薄膜抵抗体は抵抗膜のエッチャ
ントにより、絶縁膜がエッチングされることがないので
、抵抗膜の膜厚を均一に保つことができ、所望の抵抗値
が獲られ、薄膜抵抗体の歩留りを向上することができる
。
ントにより、絶縁膜がエッチングされることがないので
、抵抗膜の膜厚を均一に保つことができ、所望の抵抗値
が獲られ、薄膜抵抗体の歩留りを向上することができる
。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
１ａ 第１層絶縁膜
１ｂ 第２層絶縁膜
２ 半導体基板
３ 抵抗膜
４ 電極
１１ 絶縁膜
１２ 半導体基板
１３ 抵抗膜
１４ 電極
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜、抵抗膜、保護膜が順次形成され
てなる薄膜抵抗体において、前記絶縁膜は、少なくとも
第１層絶縁膜、および第２層絶縁膜の二層で構成され、
かつ前記抵抗膜と接する第２層絶縁膜はアルミナで構成
されていることを特徴とする薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413557A JPH04221849A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413557A JPH04221849A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 薄膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221849A true JPH04221849A (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=18522175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413557A Pending JPH04221849A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04221849A (ja) |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2413557A patent/JPH04221849A/ja active Pending
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