JPH0918280A - 振動子とその製造方法 - Google Patents
振動子とその製造方法Info
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- JPH0918280A JPH0918280A JP16847895A JP16847895A JPH0918280A JP H0918280 A JPH0918280 A JP H0918280A JP 16847895 A JP16847895 A JP 16847895A JP 16847895 A JP16847895 A JP 16847895A JP H0918280 A JPH0918280 A JP H0918280A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は振動子とその製造方法に関するもの
で、振動特性の劣化を防ぐことを目的とする。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
振動部７の励振用電極８，９を、Ａｕ層８ａ，９ａ下に
ＴｉＮ層８ｂ，９ｂを設けて構成したものである。
で、振動特性の劣化を防ぐことを目的とする。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
振動部７の励振用電極８，９を、Ａｕ層８ａ，９ａ下に
ＴｉＮ層８ｂ，９ｂを設けて構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は水晶等の振動子とその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種振動子は、振動板と、この
振動板の表、裏面を覆うとともに、その外周部で前記振
動板の外周部を挟持した第１、第２のカバーとを備え、
前記振動板は、前記第１、第２のカバーによる挟持部内
方に舌片状の振動部を有し、この振動部の表、裏面には
励振用電極を形成していた。また励振用電極はＡｕ層の
下に、Ａｕ層と振動部との密着性を向上させるためにＣ
ｒ層を設けて形成されていた。
振動板の表、裏面を覆うとともに、その外周部で前記振
動板の外周部を挟持した第１、第２のカバーとを備え、
前記振動板は、前記第１、第２のカバーによる挟持部内
方に舌片状の振動部を有し、この振動部の表、裏面には
励振用電極を形成していた。また励振用電極はＡｕ層の
下に、Ａｕ層と振動部との密着性を向上させるためにＣ
ｒ層を設けて形成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例における振
動板と第１、または第２のカバーとの接合、あるいは振
動板と接合された第１、または第２のカバーのアニール
は、振動板として水晶を用いた場合、その相転移点より
も低い５００℃の雰囲気中で加熱することにより行うの
であるが、この加熱時に励振用電極の、下層のＣｒが激
しく上層のＡｕ中に拡散し、ＣｒがＡｕの表面で酸化
し、この時に表面に３０００〜５０００オングストロー
ムの高さを持つ突起物が形成される。この突起物は振動
子の振動特性を劣化させる原因となり、また、励振用電
極の表面に酸化膜層ができるため、カバーに設けられた
貫通孔を通して外部に電極を取り出す際の抵抗値が大き
くなり、結果的にＣｉ値を大きくしてしまう。
動板と第１、または第２のカバーとの接合、あるいは振
動板と接合された第１、または第２のカバーのアニール
は、振動板として水晶を用いた場合、その相転移点より
も低い５００℃の雰囲気中で加熱することにより行うの
であるが、この加熱時に励振用電極の、下層のＣｒが激
しく上層のＡｕ中に拡散し、ＣｒがＡｕの表面で酸化
し、この時に表面に３０００〜５０００オングストロー
ムの高さを持つ突起物が形成される。この突起物は振動
子の振動特性を劣化させる原因となり、また、励振用電
極の表面に酸化膜層ができるため、カバーに設けられた
貫通孔を通して外部に電極を取り出す際の抵抗値が大き
くなり、結果的にＣｉ値を大きくしてしまう。
【０００４】そこで本発明は振動特性の劣化がなく、し
かもＣｉ値も大きくならないようにすることを目的とす
るものである。
かもＣｉ値も大きくならないようにすることを目的とす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、励振用電極を、Ａｕ層下にＴｉＮ層
を設けることによって、加熱処理による表面での酸化を
抑えるものである。
るために本発明は、励振用電極を、Ａｕ層下にＴｉＮ層
を設けることによって、加熱処理による表面での酸化を
抑えるものである。
【０００６】
【作用】上記手段によれば、Ｃｒに比べてＴｉＮの方が
Ａｕ中を拡散しにくく、表面で酸化しにくいため、加熱
処理による励振用電極表面での酸化を抑えることができ
る。この結果、加熱処理後の励振用電極の表面に突起物
ができず、振動子の振動特性の劣化を防ぐことができ
る。また、ＴｉＮ層は水晶との密着が良いために耐環境
性に優れた、励振用電極を得ることができる。
Ａｕ中を拡散しにくく、表面で酸化しにくいため、加熱
処理による励振用電極表面での酸化を抑えることができ
る。この結果、加熱処理後の励振用電極の表面に突起物
ができず、振動子の振動特性の劣化を防ぐことができ
る。また、ＴｉＮ層は水晶との密着が良いために耐環境
性に優れた、励振用電極を得ることができる。
【０００７】
【実施例】図１において１は振動板で、板厚１００μｍ
の水晶板で構成されている。振動板１の表、裏面には、
板厚４００μｍの水晶板よりなるカバー２，３が水晶の
相転移点より低い温度で加熱、加圧した状態で水晶同士
の直接接合により接合されている。尚、この図１におけ
る４，５は外部電極で、カバー３の裏面の対角線部分に
配置されている。前記振動板１は、図２及び図３に示す
ように、その内方にＵ字状の切溝６が形成され、これに
より舌片状の振動部７が形成されている。この振動部７
の表、裏面には、励振用電極８，９が形成され、各々振
動部７の根元部１０部分を介してそのリード電極１１，
１２が引き出されている。この内リード電極１１の端部
は、図２から図５に示すごとく、振動板１をスルーホー
ル１３により貫通し、その後図３に示すごとく振動部７
の側方を通って根元部１０の反対側に延長されて接続部
１４を形成している。またリード電極１２は、根元部１
０側において接続部１５を形成している。そしてこれら
の接続部１４，１５に対応するカバー３に形成された貫
通孔１６，１７内の導体１８を介して各々外部電極４，
５に接続されている。尚、カバー２，３は、その外周部
で振動板１の表、裏面の外周部を挟持し、また水晶同士
の直接接合により接合されているものであるが、それは
振動板１の切溝６の外周部において接合されているので
あって、リード電極１１が振動部７の側方を通過してい
る部分については、その外方においてカバー３と接合さ
れている。そして、このように振動板１の裏面側におい
て、振動部７の側方に、リード電極１１を形成するため
に、図５、図６から明らかなように、振動板１は、カバ
ー２，３との挟持部分だけを板厚を厚くし、振動部７及
びリード電極１１，１２を形成する部分などは、エッチ
ングによりその板厚を薄くしている。図４は、このエッ
チング工程後の振動板１を明確に表しており、枠線１９
に対応する裏面部分がエッチングによりその板厚が薄く
なっているのである。また、この枠線１９の外周部分が
カバー２，３によって挟持接合される部分であり、この
図４からも明らかなように、振動板１の長手方向側の挟
持幅２０は、短方向の挟持幅２１よりも広くしている。
の水晶板で構成されている。振動板１の表、裏面には、
板厚４００μｍの水晶板よりなるカバー２，３が水晶の
相転移点より低い温度で加熱、加圧した状態で水晶同士
の直接接合により接合されている。尚、この図１におけ
る４，５は外部電極で、カバー３の裏面の対角線部分に
配置されている。前記振動板１は、図２及び図３に示す
ように、その内方にＵ字状の切溝６が形成され、これに
より舌片状の振動部７が形成されている。この振動部７
の表、裏面には、励振用電極８，９が形成され、各々振
動部７の根元部１０部分を介してそのリード電極１１，
１２が引き出されている。この内リード電極１１の端部
は、図２から図５に示すごとく、振動板１をスルーホー
ル１３により貫通し、その後図３に示すごとく振動部７
の側方を通って根元部１０の反対側に延長されて接続部
１４を形成している。またリード電極１２は、根元部１
０側において接続部１５を形成している。そしてこれら
の接続部１４，１５に対応するカバー３に形成された貫
通孔１６，１７内の導体１８を介して各々外部電極４，
５に接続されている。尚、カバー２，３は、その外周部
で振動板１の表、裏面の外周部を挟持し、また水晶同士
の直接接合により接合されているものであるが、それは
振動板１の切溝６の外周部において接合されているので
あって、リード電極１１が振動部７の側方を通過してい
る部分については、その外方においてカバー３と接合さ
れている。そして、このように振動板１の裏面側におい
て、振動部７の側方に、リード電極１１を形成するため
に、図５、図６から明らかなように、振動板１は、カバ
ー２，３との挟持部分だけを板厚を厚くし、振動部７及
びリード電極１１，１２を形成する部分などは、エッチ
ングによりその板厚を薄くしている。図４は、このエッ
チング工程後の振動板１を明確に表しており、枠線１９
に対応する裏面部分がエッチングによりその板厚が薄く
なっているのである。また、この枠線１９の外周部分が
カバー２，３によって挟持接合される部分であり、この
図４からも明らかなように、振動板１の長手方向側の挟
持幅２０は、短方向の挟持幅２１よりも広くしている。
【０００８】また図３のごとくリード電極１１を振動部
７の側方に設けたので、当然のこととして、振動部７
は、振動板１の中心部より一方側へずれている。
７の側方に設けたので、当然のこととして、振動部７
は、振動板１の中心部より一方側へずれている。
【０００９】尚、根元部１０部分における切溝６の切込
みは図４のごとく、半円形状となっており、これにより
過大な衝撃が加わった際にも、クラックが生じにくくな
るのである。
みは図４のごとく、半円形状となっており、これにより
過大な衝撃が加わった際にも、クラックが生じにくくな
るのである。
【００１０】貫通孔１６，１７はカバー３の単板状態で
サンドブラスト加工により設けられたものであって、図
５、図６のごとく略円錐台形状をしている。このカバー
３は上記サンドブラスト加工後に純水で洗浄し、表面及
び貫通孔１６，１７内の埃等を除去する。そしてその後
水晶製のカバー３の相転移点である５７３℃よりも低い
５００℃で１時間アニールを行った。このアニールの結
果、貫通孔１６，１７形成時にその内壁面に形成された
クラックは消失することとなる。
サンドブラスト加工により設けられたものであって、図
５、図６のごとく略円錐台形状をしている。このカバー
３は上記サンドブラスト加工後に純水で洗浄し、表面及
び貫通孔１６，１７内の埃等を除去する。そしてその後
水晶製のカバー３の相転移点である５７３℃よりも低い
５００℃で１時間アニールを行った。このアニールの結
果、貫通孔１６，１７形成時にその内壁面に形成された
クラックは消失することとなる。
【００１１】なおこのアニールはカバー３に振動板１を
一体化した状態で行うので、５．０×１０-5Ｔｏｒｒ以
下の高真空でアニールすることによって励振用電極８，
９表面での酸化を抑え、振動子特性の劣化を防いでい
る。図７は振動板１の振動部７、励振用電極８，９の要
部断面図であり、Ａｕ層８ａ，９ａとＴｉＮ層８ｂ，９
ｂの積層膜構造によって励振用電極８，９を構成するこ
とによって、アニール処理によって励振用電極８，９の
比抵抗が大きくなるのを防ぎ、Ｃｉ値の劣化を防ぐこと
ができる。また水晶との密着層として設けたＴｉＮ層８
ｂ，９ｂは、Ｔｉ蒸着中に窒素を導入し、Ｔｉのレート
と真空度を制御することによって簡単に得ることができ
る。このときのＴｉの蒸着レートは１オングストローム
／ｓ、真空度は初め２．０×１０-6Ｔｏｒｒまで真空に
引き後に窒素を導入して８．０×１０-6Ｔｏｒｒに保
つ。このようにしてＴｉＮ層８ｂ，９ｂを形成し、続い
て、窒素の導入を止めることによりＴｉ層を設けても良
く、このようにしてＴｉ層を設ければその上層のＡｕ層
８ａ，９ａとの密着をさらに向上させ、耐環境性に優れ
た励振用電極８，９を形成できる。
一体化した状態で行うので、５．０×１０-5Ｔｏｒｒ以
下の高真空でアニールすることによって励振用電極８，
９表面での酸化を抑え、振動子特性の劣化を防いでい
る。図７は振動板１の振動部７、励振用電極８，９の要
部断面図であり、Ａｕ層８ａ，９ａとＴｉＮ層８ｂ，９
ｂの積層膜構造によって励振用電極８，９を構成するこ
とによって、アニール処理によって励振用電極８，９の
比抵抗が大きくなるのを防ぎ、Ｃｉ値の劣化を防ぐこと
ができる。また水晶との密着層として設けたＴｉＮ層８
ｂ，９ｂは、Ｔｉ蒸着中に窒素を導入し、Ｔｉのレート
と真空度を制御することによって簡単に得ることができ
る。このときのＴｉの蒸着レートは１オングストローム
／ｓ、真空度は初め２．０×１０-6Ｔｏｒｒまで真空に
引き後に窒素を導入して８．０×１０-6Ｔｏｒｒに保
つ。このようにしてＴｉＮ層８ｂ，９ｂを形成し、続い
て、窒素の導入を止めることによりＴｉ層を設けても良
く、このようにしてＴｉ層を設ければその上層のＡｕ層
８ａ，９ａとの密着をさらに向上させ、耐環境性に優れ
た励振用電極８，９を形成できる。
【００１２】上記実施例におけるＴｉＮ層８ｂ，９ｂは
Ｔｉと窒素をほぼ１対１の状態で構成されている。この
ことがＴｉの粒子がＡｕ層８ａ，９ａに拡散するのを有
効に阻止しているのであるが、このＴｉＮ層８ｂ，９ｂ
の最表面だけはＴｉと窒素が１対１の状態よりは窒素を
極端に減少させてもよい。この理由はこのようにしてＴ
ｉＮ層８ｂ，９ｂの最上面層をＴｉリッチの状態にすれ
ばその上面に設けるＡｕ層８ａ，９ａとの密着性を極め
て強くすることができるからである。また、このように
最上面層だけがＴｉリッチの状態であれば、そこからＡ
ｕ層８ａ，９ａにＴｉ粒子が向かうとしても極めて少量
で、それが直ちにＡｕ層８ａ，９ａ内に拡散し、その抵
抗値を実質上問題になるほど大きくすることはない。さ
らに、このような製造はＴｉを窒素ガスを流しながら蒸
着してＴｉＮ層８ｂ，９ｂを形成している最終工程にお
いて、窒素ガスを止めることにより簡単に達成できる。
Ｔｉと窒素をほぼ１対１の状態で構成されている。この
ことがＴｉの粒子がＡｕ層８ａ，９ａに拡散するのを有
効に阻止しているのであるが、このＴｉＮ層８ｂ，９ｂ
の最表面だけはＴｉと窒素が１対１の状態よりは窒素を
極端に減少させてもよい。この理由はこのようにしてＴ
ｉＮ層８ｂ，９ｂの最上面層をＴｉリッチの状態にすれ
ばその上面に設けるＡｕ層８ａ，９ａとの密着性を極め
て強くすることができるからである。また、このように
最上面層だけがＴｉリッチの状態であれば、そこからＡ
ｕ層８ａ，９ａにＴｉ粒子が向かうとしても極めて少量
で、それが直ちにＡｕ層８ａ，９ａ内に拡散し、その抵
抗値を実質上問題になるほど大きくすることはない。さ
らに、このような製造はＴｉを窒素ガスを流しながら蒸
着してＴｉＮ層８ｂ，９ｂを形成している最終工程にお
いて、窒素ガスを止めることにより簡単に達成できる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、振動部の励振用
電極は、Ａｕ層下に、ＴｉＮ層を設けて構成したので、
加熱処理後の励振用電極の表面での酸化を抑え、この励
振用電極の表面に突起物ができるのを防ぐことができ、
この結果、振動子の特性の劣化を防ぐことができ、Ｃｉ
値の低下を防ぐこともできる。
電極は、Ａｕ層下に、ＴｉＮ層を設けて構成したので、
加熱処理後の励振用電極の表面での酸化を抑え、この励
振用電極の表面に突起物ができるのを防ぐことができ、
この結果、振動子の特性の劣化を防ぐことができ、Ｃｉ
値の低下を防ぐこともできる。
【図１】本発明の一実施例の斜視図
【図２】その分解斜視図
【図３】その分解斜視図
【図４】振動板の上面図
【図５】図４の振動板にカバー２，３を接合した振動子
のＡ−Ａ断面図
のＡ−Ａ断面図
【図６】図４の振動板にカバー２，３を接合した振動子
のＢ−Ｂ断面図
のＢ−Ｂ断面図
【図７】振動板１の振動部７、励振用電極８，９の要部
断面図
断面図
１ 振動板 ２ カバー ３ カバー ４ 外部電極 ５ 外部電極 ６ 切溝 ７ 振動部 ８ 励振用電極 ８ａ Ａｕ層 ８ｂ ＴｉＮ層 ９ 励振用電極 ９ａ Ａｕ層 ９ｂ ＴｉＮ層 １０ 根元部 １１ リード電極 １２ リード電極 １３ スルーホール １４ 接続部 １５ 接続部 １６ 貫通孔 １７ 貫通孔 １８ 導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 誠一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 振動板と、この振動板の表、裏面を覆う
とともに、その外周部で前記振動板の外周部を挟持した
第１、第２のカバーとを備え、前記振動板は、前記第
１、第２のカバーによる挟持部内方に舌片状の振動部を
有し、この振動部の表、裏面には励振用電極を形成し、
これらの表、裏面の励振用電極からはそれぞれ振動部の
根元部分を介してリード電極を引出し、これら表、裏の
リード電極は前記第１、あるいは第２のカバーの貫通孔
内に設けた導体を介してそれぞれ第１、第２の外部電極
と導通させた振動子において、前記励振用電極はＡｕ層
の下に、少なくともＴｉＮ層を設けて形成した振動子。 - 【請求項２】 Ａｕ層とＴｉＮ層間にＴｉ層を介在させ
た請求項１に記載の振動子。 - 【請求項３】 請求項１に記載の振動子のＴｉＮ層は、
２．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素を導入し、
８．０×１０-6ＴｏｒｒでＴｉを１オングストローム／
ｓで蒸着することによって形成する振動子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載の振動子のＴｉＮ層は、
２．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素を導入し、
８．０×１０-6ＴｏｒｒでＴｉを１オングストローム／
ｓで蒸着することによって形成し、その後、窒素の導入
を止めＴｉ層を生成する振動子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16847895A JPH0918280A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 振動子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16847895A JPH0918280A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 振動子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918280A true JPH0918280A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15868848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16847895A Pending JPH0918280A (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 振動子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918280A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136801A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の電極構造 |
| CN115109963A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-09-27 | 重庆科技学院 | 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP16847895A patent/JPH0918280A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005136801A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の電極構造 |
| CN115109963A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-09-27 | 重庆科技学院 | 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺 |
| CN115109963B (zh) * | 2022-06-29 | 2023-11-17 | 重庆科技学院 | 一种晶体振荡器银铋铜合金电极及制作工艺 |
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