JPH09102727A - 振動子とその製造方法 - Google Patents
振動子とその製造方法Info
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- JPH09102727A JPH09102727A JP25845195A JP25845195A JPH09102727A JP H09102727 A JPH09102727 A JP H09102727A JP 25845195 A JP25845195 A JP 25845195A JP 25845195 A JP25845195 A JP 25845195A JP H09102727 A JPH09102727 A JP H09102727A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は振動子とその製造方法に関するもの
で、振動特性の劣化を防ぐことを目的とする。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は、振動部７の励振用電極８，９を、Ａｕ層８ａ，９ａ
下にＴｉ層８ｂ，９ｂ、その下にＴｉＮ層８ｃ，９ｃ、
さらにその下にＴｉＯ層８ｄ，９ｄを設けて構成したも
のである。
で、振動特性の劣化を防ぐことを目的とする。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は、振動部７の励振用電極８，９を、Ａｕ層８ａ，９ａ
下にＴｉ層８ｂ，９ｂ、その下にＴｉＮ層８ｃ，９ｃ、
さらにその下にＴｉＯ層８ｄ，９ｄを設けて構成したも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は通信機器などに用い
られる水晶などの振動子とその製造方法に関するもので
ある。
られる水晶などの振動子とその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の振動子は、振動板と、こ
の振動板の表、裏面を覆うとともに、その外周部で前記
振動板の外周部を挟持した第１、第２のカバーとを備
え、前記振動板は、前記第１、第２のカバーによる挟持
部内方に舌片状の振動部を有し、この振動板の表、裏面
には励振用電極を形成していた。また、励振用電極はＡ
ｕ層の下に、Ａｕと振動板との密着性を向上させるため
にＣｒ層を設けて形成されていた。
の振動板の表、裏面を覆うとともに、その外周部で前記
振動板の外周部を挟持した第１、第２のカバーとを備
え、前記振動板は、前記第１、第２のカバーによる挟持
部内方に舌片状の振動部を有し、この振動板の表、裏面
には励振用電極を形成していた。また、励振用電極はＡ
ｕ層の下に、Ａｕと振動板との密着性を向上させるため
にＣｒ層を設けて形成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例における振
動板と、第１または第２のカバーとの接合、あるいは振
動板と接合された第１または第２のカバーのアニール
は、振動板として水晶を用いた場合、その相転移点より
も低い５００℃の雰囲気中で加熱することにより行うの
であるが、この加熱時に励振用電極の下層のＣｒが激し
く上層のＡｕ中に拡散し、ＣｒがＡｕの表面で酸化し、
この時に表面に３０００〜５０００オングストロームの
高さを持つ突起物が形成される。この突起物は振動子の
振動特性を劣化させる原因となり、また、励振用電極の
表面に酸化膜層ができるため、カバーに設けられた貫通
孔を通して外部に電極を取り出す際の抵抗値が大きくな
り、結果的にＣｉ値を大きくしてしまう。
動板と、第１または第２のカバーとの接合、あるいは振
動板と接合された第１または第２のカバーのアニール
は、振動板として水晶を用いた場合、その相転移点より
も低い５００℃の雰囲気中で加熱することにより行うの
であるが、この加熱時に励振用電極の下層のＣｒが激し
く上層のＡｕ中に拡散し、ＣｒがＡｕの表面で酸化し、
この時に表面に３０００〜５０００オングストロームの
高さを持つ突起物が形成される。この突起物は振動子の
振動特性を劣化させる原因となり、また、励振用電極の
表面に酸化膜層ができるため、カバーに設けられた貫通
孔を通して外部に電極を取り出す際の抵抗値が大きくな
り、結果的にＣｉ値を大きくしてしまう。
【０００４】そこで本発明は振動特性の劣化がなく、し
かもＣｉ値も大きくならないようにすることを目的とす
るものである。
かもＣｉ値も大きくならないようにすることを目的とす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、励振用電極を、Ａｕ層下にＴｉＮ層
をさらにその下にＴｉＯ層を設けることによって、加熱
処理による表面での酸化を抑え、加熱処理後の励振用電
極の表面に突起物ができず、振動子の振動特性の劣化を
防ぐことができる。
るために本発明は、励振用電極を、Ａｕ層下にＴｉＮ層
をさらにその下にＴｉＯ層を設けることによって、加熱
処理による表面での酸化を抑え、加熱処理後の励振用電
極の表面に突起物ができず、振動子の振動特性の劣化を
防ぐことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、振動板と、この振動板の表、裏面を覆うとともに、
その外周部で前記振動板の外周部を挟持した第１、第２
のカバーとを備え、前記振動板は、前記第１、第２のカ
バーによる挟持部内方に舌片状の振動部を有し、この振
動部の表、裏面には励振用電極を形成し、これらの表、
裏面の励振用電極からはそれぞれ振動部の根元部分を介
してリード電極を引き出し、これら表、裏のリード電極
は前記第１あるいは第２のカバーの貫通孔内に設けた導
体を介してそれぞれ第１、第２の外部電極と導通させた
振動子において、前記励振用電極はＡｕ層の下に少なく
ともＴｉＮ層とさらにその下にＴｉＯ層を設けて形成し
たものであり、加熱処理による表面での酸化を抑え、振
動子の振動特性の劣化を防ぐことができる。
は、振動板と、この振動板の表、裏面を覆うとともに、
その外周部で前記振動板の外周部を挟持した第１、第２
のカバーとを備え、前記振動板は、前記第１、第２のカ
バーによる挟持部内方に舌片状の振動部を有し、この振
動部の表、裏面には励振用電極を形成し、これらの表、
裏面の励振用電極からはそれぞれ振動部の根元部分を介
してリード電極を引き出し、これら表、裏のリード電極
は前記第１あるいは第２のカバーの貫通孔内に設けた導
体を介してそれぞれ第１、第２の外部電極と導通させた
振動子において、前記励振用電極はＡｕ層の下に少なく
ともＴｉＮ層とさらにその下にＴｉＯ層を設けて形成し
たものであり、加熱処理による表面での酸化を抑え、振
動子の振動特性の劣化を防ぐことができる。
【０００７】請求項２に記載の発明は、Ａｕ層とＴｉＮ
層の間にＴｉ層を介在させたものであり、Ａｕ層とＴｉ
Ｎ層との密着性を高め耐環境性に優れたものとできる。
層の間にＴｉ層を介在させたものであり、Ａｕ層とＴｉ
Ｎ層との密着性を高め耐環境性に優れたものとできる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、ＴｉＯ層を２．
０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素と少なくともＯ
2またはＨ2Ｏを含むガスを導入し、略１．０×１０-5Ｔ
ｏｒｒでＴｉを１オングストローム／Ｓで蒸着すること
によって形成し、その後酸素の導入を止めてＴｉ層を形
成するもので、励振用電極が効率的に形成できることに
なる。
０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素と少なくともＯ
2またはＨ2Ｏを含むガスを導入し、略１．０×１０-5Ｔ
ｏｒｒでＴｉを１オングストローム／Ｓで蒸着すること
によって形成し、その後酸素の導入を止めてＴｉ層を形
成するもので、励振用電極が効率的に形成できることに
なる。
【０００９】請求項４に記載の発明は、窒素と酸素の混
合ガスとしてその酸素の比率を５％以下として蒸着する
ものであり、これによって高品質なＴｉＮ層の形成が可
能となる。
合ガスとしてその酸素の比率を５％以下として蒸着する
ものであり、これによって高品質なＴｉＮ層の形成が可
能となる。
【００１０】請求項５に記載の発明は、ＴｉＯ層を２．
０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素と少なくとも酸
素またはＨ2Ｏを含むガスを導入し、略１．０×１０-5
ＴｏｒｒでＴｉを１オングストローム／Ｓで蒸着するこ
とによって形成し、その後、酸素の導入を止めＴｉＮ層
を形成し、さらにその後窒素の導入を止め、Ｔｉ層を形
成するものであり、効率的に励振用電極を形成すること
ができる。
０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素と少なくとも酸
素またはＨ2Ｏを含むガスを導入し、略１．０×１０-5
ＴｏｒｒでＴｉを１オングストローム／Ｓで蒸着するこ
とによって形成し、その後、酸素の導入を止めＴｉＮ層
を形成し、さらにその後窒素の導入を止め、Ｔｉ層を形
成するものであり、効率的に励振用電極を形成すること
ができる。
【００１１】さらに請求項６に記載の発明は、窒素と酸
素の混合ガスを酸素の比率を５％以下としてＴｉＯ層を
蒸着形成するもので、高品質な励振用電極の形成が行え
ることになる。
素の混合ガスを酸素の比率を５％以下としてＴｉＯ層を
蒸着形成するもので、高品質な励振用電極の形成が行え
ることになる。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１において１は振動板で、板厚１０
０μｍの水晶板で構成されている。振動板１の表、裏面
には、板厚４００μｍの水晶板よりなるカバー２，３が
水晶の相転移点より低い温度で加熱、加圧した状態で水
晶どうしの直接接合により接合されている。尚、この図
１における４，５は、外部電極でカバー３の裏面の両側
部分に配置されている。
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１において１は振動板で、板厚１０
０μｍの水晶板で構成されている。振動板１の表、裏面
には、板厚４００μｍの水晶板よりなるカバー２，３が
水晶の相転移点より低い温度で加熱、加圧した状態で水
晶どうしの直接接合により接合されている。尚、この図
１における４，５は、外部電極でカバー３の裏面の両側
部分に配置されている。
【００１３】前記振動板１は、図２及び図３に示すよう
にその内方にＵ字状の切溝６が形成され、これにより舌
片状の振動部７が形成されている。この振動部７の表、
裏面には、励振用電極８，９が形成され、各々振動部７
の根元部分１０を介してそのリード電極１１，１２が引
き出されている。この内リード電極１１の端部は、図２
から図５に示すごとく振動板１をスルーホール１３によ
り貫通し、その後図３に示すごとく振動部７の側方を通
って根元部１０の反対側に延長されて接続部１４を形成
している。またリード電極１２は、根元部１０側におい
て接続部１５を形成している。
にその内方にＵ字状の切溝６が形成され、これにより舌
片状の振動部７が形成されている。この振動部７の表、
裏面には、励振用電極８，９が形成され、各々振動部７
の根元部分１０を介してそのリード電極１１，１２が引
き出されている。この内リード電極１１の端部は、図２
から図５に示すごとく振動板１をスルーホール１３によ
り貫通し、その後図３に示すごとく振動部７の側方を通
って根元部１０の反対側に延長されて接続部１４を形成
している。またリード電極１２は、根元部１０側におい
て接続部１５を形成している。
【００１４】そしてこれらの接続部１４，１５に対応す
るカバー３に形成された貫通孔１６，１７内の導体１８
を介して各々外部電極４，５に接続されている。尚、カ
バー２，３は、その外周部で振動板１の表、裏面の外周
部を挟持し、また直接接合されているものであるが、そ
れは振動板１の切溝６の外周部において接合されている
のであって、リード電極１１が振動部７の側方を通過し
ている部分については、その外方においてカバー３と接
合されている。
るカバー３に形成された貫通孔１６，１７内の導体１８
を介して各々外部電極４，５に接続されている。尚、カ
バー２，３は、その外周部で振動板１の表、裏面の外周
部を挟持し、また直接接合されているものであるが、そ
れは振動板１の切溝６の外周部において接合されている
のであって、リード電極１１が振動部７の側方を通過し
ている部分については、その外方においてカバー３と接
合されている。
【００１５】そして、このように振動板１の裏面側にお
いて、振動部７の側方にリード電極１１を形成するため
に、図５、図６から明らかなように振動板１はカバー
２，３との挟持部分だけを板厚を厚くし、振動部７及び
リード電極１１，１２を形成する部分などはエッチング
によりその板厚を薄くしている。図４は、このエッチン
グ工程後の振動板１を明確に表しており、枠線１９に対
応する裏面部分がエッチングによりその板厚が薄くなっ
ているのである。また、この枠線１９の外周部分がカバ
ー２，３によって挟持接合される部分であり、この図４
からも明らかなように、振動板１の長手方向側の挟持幅
２０は、短方向の挟持幅２１よりも広くしている。
いて、振動部７の側方にリード電極１１を形成するため
に、図５、図６から明らかなように振動板１はカバー
２，３との挟持部分だけを板厚を厚くし、振動部７及び
リード電極１１，１２を形成する部分などはエッチング
によりその板厚を薄くしている。図４は、このエッチン
グ工程後の振動板１を明確に表しており、枠線１９に対
応する裏面部分がエッチングによりその板厚が薄くなっ
ているのである。また、この枠線１９の外周部分がカバ
ー２，３によって挟持接合される部分であり、この図４
からも明らかなように、振動板１の長手方向側の挟持幅
２０は、短方向の挟持幅２１よりも広くしている。
【００１６】また図３のごとくリード電極１１を振動部
７の側方に設けたので、当然のこととして、振動部７は
振動板１の中心部より一方側へずれている。
７の側方に設けたので、当然のこととして、振動部７は
振動板１の中心部より一方側へずれている。
【００１７】尚、根元部１０における切溝６の切り込み
は、図４のごとく半円形状となっており、これにより過
大な衝撃が加わった際にもクラックが生じにくくなるの
である。
は、図４のごとく半円形状となっており、これにより過
大な衝撃が加わった際にもクラックが生じにくくなるの
である。
【００１８】貫通孔１６，１７はカバー３の単板状態で
サンドブラスト加工により設けられたものであって、略
円錐台形状をしている。このカバー３は上記サンドブラ
スト加工後に純水で洗浄し、表面及び貫通孔１６，１７
内の埃等を除去する。そして次にこのカバー３と水晶製
の振動板１とを接合し、その後水晶製のカバー３の相転
移点である５７３℃よりも低い５００℃で１時間加熱処
理（この場合はアニールの表現の方が適切で、以下アニ
ールという）を行った。このアニールの結果、貫通孔１
６，１７形成時にその内壁面に形成されたクラックは消
失することとなる。
サンドブラスト加工により設けられたものであって、略
円錐台形状をしている。このカバー３は上記サンドブラ
スト加工後に純水で洗浄し、表面及び貫通孔１６，１７
内の埃等を除去する。そして次にこのカバー３と水晶製
の振動板１とを接合し、その後水晶製のカバー３の相転
移点である５７３℃よりも低い５００℃で１時間加熱処
理（この場合はアニールの表現の方が適切で、以下アニ
ールという）を行った。このアニールの結果、貫通孔１
６，１７形成時にその内壁面に形成されたクラックは消
失することとなる。
【００１９】このアニールの際５．０×１０-5Ｔｏｒｒ
以下の高真空でアニールすることによって励振用電極
８，９の表面での酸化を抑え、振動子特性の劣化を防い
でいる。
以下の高真空でアニールすることによって励振用電極
８，９の表面での酸化を抑え、振動子特性の劣化を防い
でいる。
【００２０】図７は振動板１の振動部７、励振用電極
８，９の要部断面図であり、Ａｕ層８ａ，９ａとその下
のＴｉ層８ｂ，９ｂとその下のＴｉＮ層８ｃ，９ｃとそ
の下のＴｉＯ層８ｄ，９ｄの積層構造によって励振用電
極８，９を構成することによって、アニール処理によっ
て励振用電極８，９の比抵抗が大きくなるのを防ぎ、Ｃ
ｉ値の劣化を防ぎ、Ａｕの水晶界面への拡散による密着
性の低下を防ぎ、耐環境性の低下を防ぐことができる。
８，９の要部断面図であり、Ａｕ層８ａ，９ａとその下
のＴｉ層８ｂ，９ｂとその下のＴｉＮ層８ｃ，９ｃとそ
の下のＴｉＯ層８ｄ，９ｄの積層構造によって励振用電
極８，９を構成することによって、アニール処理によっ
て励振用電極８，９の比抵抗が大きくなるのを防ぎ、Ｃ
ｉ値の劣化を防ぎ、Ａｕの水晶界面への拡散による密着
性の低下を防ぎ、耐環境性の低下を防ぐことができる。
【００２１】また水晶との密着層として設けたＴｉＯ層
８ｄ，９ｄは、Ｔｉ蒸着中に窒素と酸素の混合ガスを導
入し、Ｔｉの蒸発レートと真空度と窒素と酸素の混合比
率を制御することによって得ることができ、Ａｕの拡散
防止および、ＴｉＯ層とＴｉ層の接着層として設けたＴ
ｉＮ層８ｃ，９ｃは、Ｔｉ蒸着中に窒素を導入し、Ｔｉ
蒸発レートと真空度を制御することによって得ることが
できる。
８ｄ，９ｄは、Ｔｉ蒸着中に窒素と酸素の混合ガスを導
入し、Ｔｉの蒸発レートと真空度と窒素と酸素の混合比
率を制御することによって得ることができ、Ａｕの拡散
防止および、ＴｉＯ層とＴｉ層の接着層として設けたＴ
ｉＮ層８ｃ，９ｃは、Ｔｉ蒸着中に窒素を導入し、Ｔｉ
蒸発レートと真空度を制御することによって得ることが
できる。
【００２２】このときのＴｉ蒸着レートは１オングスト
ローム／Ｓ、真空度は初め２．０×１０-6Ｔｏｒｒまで
真空に引き、後に窒素に約３％の酸素を混入したガスを
導入して、１．０×１０-5Ｔｏｒｒに保つ。このように
して、ＴｉＯ層８ｄ，９ｄを形成し、この後、酸素の供
給を止め、１．０×１０-5Ｔｏｒｒに再度保ちながら、
ＴｉＮ層８ｃ，９ｃを形成し、この後、窒素の導入を止
めＴｉ層８ｂ，９ｂを設けても良く、このようにしてＴ
ｉ層８ｂ，９ｂを設ければＡｕ層８ａ，９ａとの密着を
さらに向上させ、耐環境性に優れた励振用電極８，９を
形成できる。
ローム／Ｓ、真空度は初め２．０×１０-6Ｔｏｒｒまで
真空に引き、後に窒素に約３％の酸素を混入したガスを
導入して、１．０×１０-5Ｔｏｒｒに保つ。このように
して、ＴｉＯ層８ｄ，９ｄを形成し、この後、酸素の供
給を止め、１．０×１０-5Ｔｏｒｒに再度保ちながら、
ＴｉＮ層８ｃ，９ｃを形成し、この後、窒素の導入を止
めＴｉ層８ｂ，９ｂを設けても良く、このようにしてＴ
ｉ層８ｂ，９ｂを設ければＡｕ層８ａ，９ａとの密着を
さらに向上させ、耐環境性に優れた励振用電極８，９を
形成できる。
【００２３】または、水晶との密着層として設けたＴｉ
Ｏ層８ｄ，９ｄは、５．０×１０-5Ｔｏｒｒ真空に到達
した後、窒素のみを導入し、Ｔｉの蒸着レートを１オン
グストローム／Ｓとして蒸着することで得ることがで
き、その後ＴｉＮ層８ｃ，９ｃは窒素の導入量を増加さ
せ、１．０×１０-5Ｔｏｒｒに保ち、Ｔｉの蒸着レート
を１オングストローム／Ｓとして蒸着することで得るこ
とができる。
Ｏ層８ｄ，９ｄは、５．０×１０-5Ｔｏｒｒ真空に到達
した後、窒素のみを導入し、Ｔｉの蒸着レートを１オン
グストローム／Ｓとして蒸着することで得ることがで
き、その後ＴｉＮ層８ｃ，９ｃは窒素の導入量を増加さ
せ、１．０×１０-5Ｔｏｒｒに保ち、Ｔｉの蒸着レート
を１オングストローム／Ｓとして蒸着することで得るこ
とができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は、振動部の励振用
電極は、Ａｕ層以下に、Ｔｉ層をさらにその下にＴｉＯ
層を設けて構成したので、加熱処理後の励振用電極の表
面での酸化を抑え、この励振用電極の表面に突起物がで
きるのを防ぐことができ、また、Ａｕの水晶界面への拡
散を抑え、密着性の低下を防ぐことができ、この結果、
振動子の特性の劣化を防ぐことができ、Ｃｉ値の低下を
防ぐこともできる。
電極は、Ａｕ層以下に、Ｔｉ層をさらにその下にＴｉＯ
層を設けて構成したので、加熱処理後の励振用電極の表
面での酸化を抑え、この励振用電極の表面に突起物がで
きるのを防ぐことができ、また、Ａｕの水晶界面への拡
散を抑え、密着性の低下を防ぐことができ、この結果、
振動子の特性の劣化を防ぐことができ、Ｃｉ値の低下を
防ぐこともできる。
【図１】本発明の実施の形態の斜視図
【図２】その分解斜視図
【図３】その分解斜視図
【図４】振動板の上面図
【図５】図４の振動板にカバーを接合した振動子のＡ−
Ａ断面図
Ａ断面図
【図６】図４の振動板にカバーを接合した振動子のＢ−
Ｂ断面図
Ｂ断面図
【図７】振動板の振動部、励振用電極の要部断面図
１ 振動板 ２ カバー ３ カバー ４ 外部電極 ５ 外部電極 ６ 切溝 ７ 振動部 ８ 励振用電極 ８ａ Ａｕ層 ８ｂ Ｔｉ層 ８ｃ ＴｉＮ層 ８ｄ ＴｉＯ層 ９ 励振用電極 ９ａ Ａｕ層 ９ｂ Ｔｉ層 ９ｃ ＴｉＮ層 ９ｄ ＴｉＯ層 １０ 根元部 １１ リード電極 １２ リード電極 １３ スルーホール １４ 接続部 １５ 接続部 １６ 貫通孔 １７ 貫通孔 １８ 導体
フロントページの続き (72)発明者 鶴 善一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 倉増 敬三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 振動板と、この振動板の表、裏面を覆う
とともに、その外周部で前記振動板の外周部を挟持した
第１、第２のカバーとを備え、前記振動板は、前記第
１、第２のカバーによる挟持部内方に舌片状の振動部を
有し、この振動部の表、裏面には励振用電極を形成し、
これらの表、裏面の励振用電極からはそれぞれ振動部の
根元部分を介してリード電極を引き出し、これら表、裏
のリード電極は前記第１あるいは第２のカバーの貫通孔
内に設けた導体を介してそれぞれ第１、第２の外部電極
と導通させた振動子において、前記励振用電極はＡｕ層
の下に少なくともＴｉＮ層とさらにその下にＴｉＯ層を
設けて形成した振動子。 - 【請求項２】 Ａｕ層とＴｉＮ層の間にＴｉ層を介在さ
せた請求項１に記載の振動子。 - 【請求項３】 請求項１に記載の振動子のＴｉＯ層は
２．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素と少なくと
もＯ2またはＨ2Ｏを含むガスを導入し、略１．０×１０
-5ＴｏｒｒでＴｉを１オングストローム／Ｓで蒸着する
ことによって形成し、その後、酸素の導入を止めてＴｉ
Ｎ層を形成する振動子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の窒素と酸素の混合ガス
は、その酸素の比率を５％以下として蒸着することによ
って形成する振動子の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２に記載の振動子のＴｉＯ層は、
２．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空内に窒素と少なくと
も酸素またはＨ2Ｏを含むガスを導入し、略１．０×１
０-5ＴｏｒｒでＴｉを１オングストローム／Ｓで蒸着す
ることによって形成し、その後、酸素の導入を止めＴｉ
Ｎ層を形成し、さらにその後、窒素の導入を止め、Ｔｉ
層を形成する振動子の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の窒素と酸素の混合ガス
は、その酸素比率を５％以下として蒸着することによっ
て形成する振動子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25845195A JPH09102727A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 振動子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25845195A JPH09102727A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 振動子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102727A true JPH09102727A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17320400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25845195A Pending JPH09102727A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | 振動子とその製造方法 |
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| JP (1) | JPH09102727A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1995
- 1995-10-05 JP JP25845195A patent/JPH09102727A/ja active Pending
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